JP2005152803A

JP2005152803A - オゾン水の送水方法

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Publication number: JP2005152803A
Application number: JP2003395662A
Authority: JP
Inventors: Teruo Shinbara; 照男榛原; Kenichi Kamimura; 賢一上村; Takio Adachi; 太起夫安達; Toshio Tayadate; 利夫田屋舘
Original assignee: Nittetsu Chemical Engineering Co Ltd; Siltronic Japan Corp; Nittetsu Kakoki KK
Current assignee: Siltronic Japan Corp; Tsukishima Kankyo Engineering Ltd; Nippon Steel Eco Tech Corp
Priority date: 2003-11-26
Filing date: 2003-11-26
Publication date: 2005-06-16
Also published as: EP1535882A1; TWI272254B; TW200528400A; US20050109711A1; CN1636890A; KR20050051538A; CN1310843C; KR100663855B1

Abstract

【課題】オゾンのロスを低減して効率的にオゾン水を送水する方法を提供する。
【解決手段】オゾン水製造装置から離れたユースポイントにオゾン水を送水し、かつユースポイントにおいて濃度が調整されたオゾン水を供給する際に、原料オゾン水をオゾン水製造装置近傍で外気に触れない条件下で希釈水を添加し、ユースポイントにおける目的の濃度となるように前記希釈水の添加量を調節した後、送水配管でユースポイントまで導くことを特徴とするオゾン水の送水方法である。
【選択図】図１

Description

本発明は、オゾン水製造装置から離れた場所にユースポイントがある場合に、溶存オゾンの自己分解によるオゾン水の濃度低下を抑制し、濃度ロスを最小限に抑えたオゾン水の送水方法に関する。特に高純度の超純水による溶存オゾンの自己分解の激しい場合にも、オゾンのロスを低減させ、効率的にオゾン水を提供しうるオゾン水の送水方法に関する。

オゾンは強力な酸化力を有し、その特長を生かして水道水やプールの殺菌、食品の殺菌、パルプの漂白、廃水処理などに利用され、その用途は各分野に広がりをみせている。特に近年、清浄度の高いオゾンガスおよびオゾン水を製造する技術が開発されると、シリコン基板等の半導体材料や液晶パネルの処理や洗浄の分野でその利用が急速に拡大されてきた。

オゾンガスは、酸素ガスを無声放電する方法や、超純水を電解する方法などによって製造される。オゾン水は、上述の各種方法によって製造されたオゾンガスを水に溶解して製造され、オゾンを水に溶解する方法としては、水中にオゾンガスをバブリングさせる方法、エジェクターによりオゾンガスを水に混合する方法、テフロン（登録商標）製の膜を介してオゾンガスを水に溶解させる方法、充填塔内を流下する水にオゾンガスを向流接触させる方法などが知られている。

また、オゾン水中のオゾンは自己分解により酸素になったり、オゾンガスとして大気中に放散したりするため、オゾン水を放置すると溶存オゾン濃度が低下し、最終的には元の水に戻ってしまう。このため高濃度にオゾン水を製造し、その後にオゾン水の濃度を調整して使用することが一般的である。

オゾン水の濃度を調整する方法には、オゾン水製造装置におけるオゾンガス発生量を調節する、あるいは、オゾン水の製造流量を調節する方法がある。オゾン水製造装置の出力調整により濃度を調節する方法は、もっとも簡便かつ精度の良い濃度調整が可能であり、一般的に広く適用されている。しかしながら、オゾン水製造装置の能力をしぼって調整するため、オゾン水製造装置の能力を最大限に生かして利用することが困難である。また、オゾン濃度の立ち上がり、立下りのレスポンスが遅いため急激な濃度変更が困難な場合もある。一方、オゾン水の分解を促進して目的の濃度まで低下させる方法もあるが、オゾンのロスが非常に大きく、オゾン水の有効利用の観点からは効率が悪い。これに対して、オゾン水を希釈する方法があり、これは原理的に非常に簡便であり、実際にユースポイントにて希釈して使用されている。

一方、近年、半導体材料の洗浄に使用される超純水の純度が高まるにつれて、高濃度オゾン水の製造が困難となってきている。表１に超純水の各種グレードを示すが、６４Ｍ対応の超純水では全有機物炭素（以下ＴＯＣと記述）の基準値を達成するために紫外線を照射して有機物を分解除去しており、これが高濃度オゾン水の製造を困難にしている一因であると考えられている。

このような状況下、高濃度のオゾン水を調製する方法も開発されている。たとえば、オゾン分解物質である過酸化水素を１５μｇ／Ｌ以下まで除去する方法（特許文献１）、酸化還元触媒によりオゾン分解性物質を除去する方法（特許文献２、特許文献３）などがある。また、超純水の帯電率を低下させて高濃度のオゾン水を調製する方法として、超純水に酸性物質や二酸化炭素などの帯電防止物質を添加する方法（特許文献４）がある。さらに、ＴＯＣ濃度を上昇させて高濃度オゾン水を調製する方法として、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、酢酸などのＴＯＣ成分を１５ｐｐｂ超２５０ｐｐｂ以下になるように添加する方法（特許文献５）がある。

なお、オゾン水を長距離送水する際のオゾン濃度の低下を抑制する方法として、オゾン溶解水と未溶解オゾンガスを気液混合流体として送液し、ユースポイントにおいて気液分離する方法（特許文献６）がある。この原理は、送水中に液側でオゾンが自己分解しても気体側のオゾンが再溶解して濃度低下を抑制するというものである。
特開２０００−１５２７２号公報特開２０００−３０８８１５号公報特開２００１−４４１６２号公報特開２０００−２６２８７４号公報特開２００２−８５９４７号公報特開２００１−２９１６９４号公報

しかしながら、オゾン分解物質を除去する方法に関する文献１〜３では、過酸化水素を含む溶液中でオゾンの分解が激しいことは知られているが、紫外線照射によって発生するとされる微量の過酸化水素がどの程度オゾン分解を促進するのかは不明である。また、パラジウム等の金属系の酸化還元触媒中を通すことによる金属汚染が問題となる。

また、文献４では、帯電の発生が大きいと思われる「フッ素樹脂中空糸を介して超純水にオゾンガスを溶解させるオゾン水製造方法」に関してのみ言及しているが、本発明者らの研究によれば、帯電の影響が少ないと思われる充填塔方式、バブリング方式などの他のオゾン水製造方法についても高純度の超純水に対しては高濃度のオゾン水は製造しにくいことが確認されている。したがって、帯電防止物質として添加されている酸や二酸化炭素は、帯電防止とは別の作用によってオゾンの分解抑制に寄与していると考えられる。また、原料の超純水に添加する帯電防止物質による汚染も問題となる。

文献５でも、せっかく紫外線照射して除去した超純水にＴＯＣ成分を添加するので、ＴＯＣ成分による汚染が避けられない。すなわち、洗浄プロセス後におけるウエハ表面の清浄度は、使用する超純水の水質に大きく影響されるため、超純水中の不純物は極限まで除去されることが望ましい。同様に、オゾン水中の不純物も極限まで除去されることが望ましい。従って、上述した従来の技術では、プロセス上避けられない汚染や添加剤による純度低下があるので、好ましくない。

加えて、文献６の方法では、特別な装置として気液混合ユニット及び気液分離ユニットの設置が必須であり煩雑であること、過剰なオゾンガスの供給が必要であること、気液分離の際のオゾン濃度低下の可能性があること、などの問題がある。

本発明は、オゾン水製造装置の出力調整を最大限に活用して高濃度のオゾンまたはオゾン水を得た場合に、オゾンを分解または放散させることなく希釈してユースポイントに効率的にオゾン水を送水する方法を提供するものである。

特に、溶存オゾンの自己分解の激しいことが知られている超純水を用いて調製したオゾン水をユースポイントに有効に送水する方法を提供するものである。

さらに、オゾン水を長距離送水する場合にも、オゾン水の分解などによるロスを最小限に抑えてオゾン水を有効に利用する方法を提供するものである。

本発明者らは、６４Ｍ対応の高純度超純水にオゾンを溶解して調製したオゾン水のオゾン濃度の変化に関して鋭意研究を続けたところ、高純度の超純水はオゾンガスを溶解しにくいのではなく、オゾンを酸素に変換する触媒的な作用を有すること、および特定条件下で高濃度オゾン水を希釈すると無駄なオゾンの分解、放散などを抑制して効率的にユースポイントにおいて至適濃度のオゾン水を提供できることを見出し、本発明を完成させた。

上記課題は、以下の（１）〜（６）によって解決される。

（１）オゾン水製造装置からユースポイントまでオゾン水を送水し、かつユースポイントにおいて目的とする濃度のオゾン水を供給する際に、原料オゾン水に該オゾン水製造装置近傍で外気に触れない条件下で希釈水を添加し、ユースポイントにおける目的の濃度となるようにオゾン濃度を調整し、次いで該オゾン水を送水配管でユースポイントまで導くことを特徴とするオゾン水の送水方法。

（２）オゾン水製造装置から離れたユースポイントにオゾン水を送水し、かつユースポイントにおいて目的とする濃度のオゾン水を供給する際に、原料オゾン水に該オゾン水製造装置近傍で外気に触れない条件下で第一希釈水を添加してユースポイント近傍における目的の濃度よりも高めの濃度となるようにオゾン濃度を調整し、次いで該オゾン水を送水配管で該ユースポイント近傍まで導きさらに第二希釈水を添加してユースポイントで目的の濃度となるようにオゾン濃度を調整することを特徴とするオゾン水の送水方法。

（３）原料オゾン水に外気に触れない条件下で希釈水を添加する方法が、原料オゾン水を密閉配管中で希釈水を添加する方法である、上記（１）または（２）記載のオゾン水の送水方法。

（４）原料オゾン水が超純水にオゾンを溶解させたものであり、かつ希釈水が超純水であることを特徴とする、上記（１）〜（３）記載のいずれかに記載のオゾン水の送水方法。

（５）原料オゾン水および／または希釈水にオゾン分解抑制剤が含まれていることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載のオゾン水の送水方法。

（６）オゾン分解抑制剤が、炭酸ガス、酸性物質、有機物のうちのいずれか一種以上である、上記（５）記載のオゾン水の送水方法。

本発明によれば、オゾンの無駄な分解を抑制して効率的にオゾン水をユースポイントにて使用することができる。しかも、高濃度のオゾン水を希釈する方法であるため、オゾン水製造装置の出力調整を最大限に活用することができる。また、高濃度のオゾン水を希釈するため、送水時間を短縮することもできる。

本発明の第一は、オゾン水製造装置からユースポイントまでオゾン水を送水し、かつユースポイントにおいて目的とする濃度のオゾン水を供給する際に、原料オゾン水に該オゾン水製造装置近傍で外気に触れない条件下で希釈水を添加し、ユースポイントで目的の濃度となるようにオゾン濃度を調整し、次いで該オゾン水を送水配管でユースポイントまで導くことを特徴とするオゾン水の送水方法である。

本発明者らは、原料オゾン水の希釈の影響を知るため、４０Ｌの水槽にオゾン水を１０分間供給した場合の水槽中のオゾン濃度を調べてみた。具体的には、オゾン濃度２８ｐｐｍのオゾン水を４Ｌ／分で３０ｃｍの距離を送水して１０分間後の水槽中のオゾン濃度を測定した。これに対し、オゾン濃度５６ｐｐｍの高濃度オゾン水と超純水とを共に２Ｌ／分で上記と同一距離および同一時間送水した場合の水槽中のオゾン濃度とを測定し、両者を比較した。すると、前者が９ｐｐｍ、後者が５ｐｐｍとなり、高濃度のオゾン水を超純水で希釈すると、オゾンの分解または放散などのオゾンのロスが促進されることが判明し、その機序は不明であるが、超純水には高濃度オゾン水に含まれるオゾンを分解し、または放散させる効果を促進する触媒作用があると考えられた。この結果からすれば、高濃度オゾン水の希釈は好ましくない。

しかしながら、さらに高純度超純水による希釈の研究を進めたところ、密閉された状態の配管中で希釈すると、希釈してもオゾンのロスが抑制されることが判明した。そこで、オゾン水を長距離送水する際に、配管中のどの位置で希釈すると最もオゾンの濃度低下が少ないかを確認したところ、オゾン水製造直後のできるだけ高濃度のうちに希釈してからユースポイントまで送水すると、高濃度のままユースポイントまで送水してから希釈するよりも、オゾン分解によるロスが少ないことが判明した。これにより、オゾン水製造装置から離れた場所にあるユースポイントにオゾン水を送水する際にも、溶存オゾンの自己分解によるオゾン水の濃度低下を抑制し、濃度ロスを最小限に抑えることができ、効率的にオゾン水を利用することができる。以下、本発明を詳細に説明する。

オゾン水製造装置としては、オゾン水を製造し得るものであればよく、オゾン水の製造方法や使用原料などにも特に制限はない。しかしながら、本発明では、高濃度のオゾン水を希釈してユースポイントに送水する点に特徴があり、高濃度のオゾン水を製造し得る装置を使用する場合に有用である。その一方、オゾン水を希釈する工程を含むことによってオゾンの分解や放散などによるロスを低減できるため、オゾン水製造装置におけるオゾン濃度に関する制限はない。一般には、オゾン濃度５〜２００ｐｐｍ程度である。

また、半導体材料の洗浄に使用される超純水の純度向上に伴って高濃度オゾン水の製造が困難となっている現状に鑑みると、超純水をオゾン水の原料として使用する場合に効果的である。特に高純度の超純水中では溶存オゾンの自己分解の激しいことが知られているが、高純度の超純水にオゾンを溶解したオゾン水に対して適用すると効果が大きい。したがって、シリコン基板等の半導体材料や液晶パネルの洗浄や表面処理などのように、清浄度の高いオゾン水を必要とする工程に適用すると効果的である。

本発明において、ユースポイントとは、希釈後のオゾン水の使用箇所であればよく、使用目的やオゾン水製造装置とユースポイントとの距離も問わない。ただし、本発明はオゾン水に含まれるオゾンのロス低減効果に優れるため、オゾン水製造装置とユースポイントとの距離が長い場合に十分に効果を得ることができる。一般には、オゾン水製造装置とユースポイントとの距離は、１〜２０ｍである。

将来的にオゾンの集中供給システムが実現されると、フロアー全体や建物全体に送水することになるので、その場合にはオゾン水製造装置とユースポイントとの距離は１００ｍ以上になることもあると考えられる。

本発明では、オゾン水製造装置で調製した原料オゾン水に、該装置近傍で希釈水を添加する。オゾン水製造装置近傍とは、オゾン水製造装置とユースポイントとの間にあって、オゾン水製造装置からユースポイントに向かって１／２の地点まで、好ましくは１／５、より好ましくは１／１０、特に好ましくは１／４０までの地点である。ユースポイントよりも原料オゾン水製造装置側で希釈することで、原料オゾン水に含まれるオゾンのロスを効果的に防止することができる。また、長距離送水の初期段階で希釈して流量を増加させることで、ユースポイントに達するまでの時間を短縮することができ、溶存オゾンの分解量を低減させることもできる。オゾン水は高濃度であるほど分解速度が速いため、早い段階で希釈することで、送水中のオゾン濃度を低くしてオゾンの分解速度を抑え得る点でも有利である。

原料オゾン水を希釈するには、原料オゾン水に、外気に触れない条件下で希釈水を添加する。このような方法としては、原料オゾン水を密閉配管中で希釈水と混合する方法がある。オゾン水製造装置から供給される原料オゾン水を、外気と接触させること無く配管に導入し、該配管に設けた希釈水混合口から希釈水を導入させ、原料オゾン水と希釈水とを混合する。外気との接触を防止することで、希釈水を混合した場合であっても溶存オゾンの分解を抑制することができる。

希釈水の添加量は、ユースポイントまで送水する間のオゾンのロスを勘案して決定することができる。ユースポイントまでのオゾンのロスが全く存在しない場合には、オゾン水製造装置近傍での希釈後のオゾン水濃度は、ユースポイントで使用する際の至適濃度とすればよい。一方、送水中にα％のロスが発生することが判明している場合には、このようなロス分を見込んで、ユースポイントにおけるオゾン水濃度よりも（１００＋α）／１００倍の濃度のオゾン水とすればよい。

一方、本発明では、希釈は一度に制限されるものではなく、複数回にわたって希釈してもよい。たとえば、オゾン水製造装置から離れたユースポイントにオゾン水を送水し、かつユースポイントにおいて目的とする濃度のオゾン水を供給する際に、原料オゾン水に該オゾン水製造装置近傍で外気に触れない条件下で第一希釈水を添加してユースポイント近傍で目的の濃度よりも高めの濃度となるようにオゾン濃度を調整し、次いで該オゾン水を送水配管で該ユースポイント近傍まで導きさらに第二希釈水を添加してユースポイントで目的の濃度となるようにオゾン濃度を調整する。たとえば、送水工程でα％のオゾンのロスが存在する場合に、第一希釈水によって、β％高濃度のオゾン水、たとえばユースポイントでのオゾン水の濃度よりも、（１００＋α＋β）／１００倍の濃度のオゾン水を調製し、ついでユースポイント近傍で第二希釈水を添加して実際の使用に至適な濃度に二段階にわたって調整する。このように複数回にわたって希釈することで、ユースポイントでのオゾン濃度の微調整が可能かつ簡便になる。なお、ユースポイント近傍とは、オゾン水製造装置とユースポイントとの間にあって、ユースポイントからオゾン水製造装置に向かって１／２の地点まで、好ましくは１／５、より好ましくは１／１０、特に好ましくは１／１００までの地点である。

本発明では、送水配管を用いてオゾン水を移送するが、このような材質や管径などに特に制限はない。ただし、外気との接触によるオゾンの分解や放散などを防止するために、送水量に適する管径とする。なお、原料オゾン水や希釈水の流量を調整し、送水速度の調整機構を備えることが好ましい。送水中の流量が高まると、オゾン水と配管内壁や継ぎ手部分などでの分解が激しくなる場合がある。

本発明は、オゾン分解の激しい「高純度の超純水にオゾンを溶解したオゾン水」について効果が大きいが、原料オゾン水や希釈水、またはこれらの双方にオゾン分解抑制剤を添加してもよい。このようなオゾン分解抑制剤としては、炭酸ガス、酸性物質、有機物などがある。

本発明は、より高濃度の原料オゾン水を希釈して利用する際にその効果が大きくなるが、原理的に原料オゾン水の濃度にかかわらずその効果は現れるものであり、原料オゾン水の濃度範囲や希釈比率などを限定するものではない。

本発明のオゾン水の送水方法によれば、簡単な操作によりオゾンの分解を抑制してオゾン水の長距離送水を可能とし、オゾン水の分解によるロスを少なくして有効利用できるため、オゾン水の製造コストの削減に寄与する。

したがって、濃度調整されたオゾン水を大量に使用する半導体基板、液晶パネルなどの製造工場、特に洗浄工程の適用が有利である。また、オゾン水の使用の利便性を高めるために、オゾン水の集中供給を実現することが重要となり、そのためには長距離送水が必要となるが、このような場合でもオゾン水の送水を効率的に行うことができる。

本発明のオゾン水の送水方法は、半導体の分野のみならずオゾン水を利用するすべての分野において利用することができる。このような分野としては、食品、医療関連備品などの殺菌、消毒、洗浄用オゾン水、各種分野における殺菌、消毒を目的とした手洗い用オゾン水などがある。

以下、本発明を実施例により説明する。

（実施例１）
図１に示す装置を使用してオゾン水を調製した。

オゾン水製造装置により製造された原料オゾン水を、内径１／２インチのテフロン（登録商標）配管を通してユースポイントへと供給した。オゾン水製造装置出口から０．５ｍの位置に希釈ポイント１を設け、この希釈ポイント１で原料オゾン水と希釈用超純水を外気に触れることなく密閉配管中で混合した。希釈ポイント１からさらに０．５ｍの位置に溶存オゾン濃度計２を設け、さらに溶存オゾン濃度計２から１０ｍの地点に溶存オゾン濃度計４を配設した。なお、溶存オゾン濃度計２から溶存オゾン濃度計４の間は１／２インチのテフロン（登録商標）配管３で送水した。

供給する原料オゾン水には、ＴＯＣが１ｐｐｂ以下の超純水にオゾンを溶解したものを使用した。原料オゾン水の流量は２Ｌ／分で一定とした。希釈用超純水の流量は、２Ｌ／分（２倍希釈）、４Ｌ／分（３倍希釈）、６Ｌ／分（４倍希釈）の３通りで実施した。水温は、原料オゾン水、希釈用超純水ともに２５℃のものを使用した。溶存オゾン濃度計２（前段オゾン濃度）、溶存オゾン濃度計４（後段オゾン濃度）により、溶存オゾン濃度を測定した。結果を表２に示す。

（比較例１）
図２に示す装置を使用してオゾン水を調製した。

オゾン水製造装置により製造された原料オゾン水を、内径１／２インチのテフロン（登録商標）配管を通してユースポイントへと供給した。オゾン水製造装置出口から１０．５ｍの位置に希釈ポイント５を設け、この希釈ポイント５で原料オゾン水と希釈用超純水を外気に触れることなく密閉配管中で混合した。なお、オゾン水製造装置出口から１ｍの位置に溶存オゾン濃度計２を設け、上記希釈ポイント５から０．５ｍ先に溶存オゾン濃度計４を設けた。

原料オゾン水を希釈ポイント５で希釈用超純水と混合した以外は、実施例１と同様に操作し、溶存オゾン濃度計２、溶存オゾン濃度計４で測定した。結果を表２に示す。

実施例１と比較例１とを比較すると、希釈なしの場合には、原料オゾン水の濃度（前段オゾン濃度）が４６ｐｐｍであるのに対し、ユースポイント（後段オゾン濃度）は共に２３ｐｐｍに低減していた。

これに対し、２〜４希釈した場合には希釈場所によってユースポイントでのオゾン濃度が異なり、オゾン水製造装置近傍で希釈した実施例１の方が、ユースポイント近傍で希釈する比較例１の場合よりもオゾン濃度が高かった。

（実施例２）
紫外線を照射しＴＯＣを１ｐｐｂまで低減した超純水に、オゾン分解抑制剤として二酸化炭素を溶解させてｐＨ＝４．７としたものを用いた以外は、実施例１と同様の方法で実施した。結果を表３に示す。

（比較例２）
紫外線を照射しＴＯＣを１ｐｐｂまで低減した超純水に、オゾン分解抑制剤として二酸化炭素を溶解させてｐＨ＝４．７としたものを用いた以外は、比較例１と同様の方法で実施した。結果を表３に示す。

実施例２と比較例２とを比較すると、希釈なしの場合には、原料オゾン水の濃度（前段オゾン濃度）が１２７ｐｐｍであるのに対し、ユースポイント（後段オゾン濃度）は共に１１６ｐｐｍに低減していた。

これに対し、２〜４希釈した場合には希釈場所によってユースポイントでのオゾン濃度が異なり、オゾン水製造装置近傍で希釈した実施例２の方が、ユースポイント近傍で希釈する比較例２の場合よりもいずれもオゾン濃度が高かった。

（実施例３）
紫外線を照射しＴＯＣを１ｐｐｂまで低減した超純水にオゾン分解抑制剤としてイソプロピルアルコールを１．５ｐｐｍ溶解させたもの使用した以外は、実施例１と同様の方法で実施した。結果を表４に示す。

（比較例３）
紫外線を照射しＴＯＣを１ｐｐｂまで低減した超純水にオゾン分解抑制剤としてイソプロピルアルコールを１．５ｐｐｍ溶解させたもの使用した以外は、比較例１と同様の方法で実施した。結果を表４に示す。

実施例３と比較例３とを比較すると、希釈なしの場合には、原料オゾン水の濃度（前段オゾン濃度）が１４１ｐｐｍであるのに対し、ユースポイント（後段オゾン濃度）は共に１２６ｐｐｍに低減していた。

これに対し、２〜４希釈した場合には希釈場所によってユースポイントでのオゾン濃度が異なり、オゾン水製造装置近傍で希釈した実施例３の方が、ユースポイント近傍で希釈する比較例３の場合よりもいずれもオゾン濃度が高かった。

本発明のオゾン水の送水方法によれば、オゾン水を長距離送水し、かつユースポイントにおいて濃度を調整されたオゾン水を供給する際に、オゾン水製造直後に希釈水を添加し、送水配管でユースポイントまで導き、ユースポイントで目的の濃度となるように前記希釈水の添加量を調節する、といった簡単な操作により、オゾンの分解を抑制してオゾン水の長距離送水を可能とし、オゾン水の分解によるロスを少なくして有効利用できるため、オゾン水製造コストの削減に寄与するものである。

したがって、本発明のオゾン水の送水方法は、濃度調整されたオゾン水を大量に使用する半導体基板、液晶パネルなどの製造工場、特に洗浄工程で利用すると効果的である。

将来的な観点でも、オゾン水使用の利便性を高めるために、オゾン水の集中供給を実現することが重要となる。そのためには長距離送水が必要となり、本発明のオゾン水の送水方法が非常に有効な手段となる。

本発明のオゾン水の送水方法は、一例として上述した半導体の分野のみならず、オゾン水を利用するすべての分野において利用することができる。たとえば、食品、医療関連備品などの殺菌、消毒、洗浄用オゾン水、各種分野における殺菌、消毒を目的とした手洗い用オゾン水などがある。

実施例１〜３におけるオゾン水の希釈位置と溶存オゾン濃度の測定位置を表す図である。比較例１〜３におけるオゾン水の希釈位置と溶存オゾン濃度の測定位置を表す図である。

符号の説明

１：希釈ポイント
２：溶存オゾン濃度計
３：１／２インチテフロン（登録商標）配管（１０ｍ）
４：溶存オゾン濃度計
５：希釈ポイント

Claims

オゾン水製造装置からユースポイントまでオゾン水を送水し、かつユースポイントにおいて目的とする濃度のオゾン水を供給する際に、原料オゾン水に該オゾン水製造装置近傍で外気に触れない条件下で希釈水を添加し、ユースポイントにおける目的の濃度となるようにオゾン濃度を調整し、次いで該オゾン水を送水配管でユースポイントまで導くことを特徴とするオゾン水の送水方法。
オゾン水製造装置から離れたユースポイントにオゾン水を送水し、かつユースポイントにおいて目的とする濃度のオゾン水を供給する際に、原料オゾン水に該オゾン水製造装置近傍で外気に触れない条件下で第一希釈水を添加してユースポイント近傍における目的の濃度よりも高めの濃度となるようにオゾン濃度を調整し、次いで該オゾン水を送水配管で該ユースポイント近傍まで導きさらに第二希釈水を添加してユースポイントで目的の濃度となるようにオゾン濃度を調整することを特徴とするオゾン水の送水方法。
原料オゾン水に外気に触れない条件下で希釈水を添加する方法が、原料オゾン水を密閉配管中で希釈水を添加する方法である、請求項１または２記載のオゾン水の送水方法。
原料オゾン水が超純水にオゾンを溶解させたものであり、かつ希釈水が超純水であることを特徴とする請求項１〜３記載のいずれかに記載のオゾン水の送水方法。
原料オゾン水および／または希釈水にオゾン分解抑制剤が含まれていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のオゾン水の送水方法。
オゾン分解抑制剤が、炭酸ガス、酸性物質、有機物のうちのいずれか一種以上である、請求項５記載のオゾン水の送水方法。