JP5992150B2 - 半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液およびキット - Google Patents
半導体基板製品の製造方法、これに用いられる薄膜除去液およびキット Download PDFInfo
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(王水)
HNO3+3HCl → NOCl+Cl2+2H2O (1)
また、Ptの溶解は以下のような反応式に基づいてなされうる。
Pt+2NOCl+Cl2+2HCl → H2[PtCl6]+2NO (2)
(1)NiPtの薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、該半導体基板に該薄膜除去液を適用して該NiPtの薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、
前記薄膜除去液が、酸を含み、かつ、ヨウ素分子(I2)と、ヨウ化物イオン(I−)と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。
(2)NiPtの薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、該半導体基板に該薄膜除去液を適用して該NiPtの薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、
前記薄膜除去液が、5〜500mMの酸を含み、かつ、ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。
(3)NiPtの薄膜および該薄膜とは別に、ニッケル、タングステン、アルミニウムおよび窒化ケイ素から選択される少なくとも1種を含む薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、該半導体基板に該薄膜除去液を適用して該NiPtの薄膜を選択的に除去する工程と、を含む半導体基板製品の製造方法であって、
前記薄膜除去液が、ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。
(4)前記半導体基板を準備する工程と前記NiPtの薄膜を除去する工程との間に、該NiPtの薄膜中の元素をシリコン基板中に拡散させてシリサイド化させる工程を含む(3)に記載の半導体基板製品の製造方法。
(5)前記NiPtの薄膜のエッチングレート(RPt)と、前記ニッケル、タングステン、アルミニウムおよび窒化ケイ素の少なくとも1種を含む薄膜、ならびに、シリサイド化で生じる金属ケイ化物のエッチングレート(ROt)の選択比(RPt/ROt)が2以上である(4)に記載の半導体基板製品の製造方法。
(6)NiPtの薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、該半導体基板に該薄膜除去液を適用して該NiPtの薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、
前記薄膜除去液が、ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、塩化物イオン(Cl − )および/または臭化物イオン(Br − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。
(7)前記薄膜除去液が、酸をさらに含む(3)〜(6)のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
(8)前記酸の含有量が、5〜500mMである(7)に記載の半導体基板製品の製造方法。
(9)前記有機溶媒を、前記薄膜除去液中、1〜88質量%で含有する(1)〜(8)のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
(10)前記ヨウ素分子に対する前記ヨウ素イオンのモル比が、1:0.5〜1:20である(1)〜(9)のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
(11)前記ヨウ素分子を、前記薄膜除去液中、0.1〜20質量%で含有する(1)〜(10)のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
(12)前記ヨウ素イオンが、水素化物、アルカリ金属塩、またはアンモニウム塩として供給される(1)〜(11)のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
(13)前記NiPtの薄膜の除去を、前記薄膜除去液を50〜80℃に加温した状態で行う(1)〜(12)のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
(14)NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液であって、
酸を含み、かつ、ヨウ素分子(I2)と、ヨウ化物イオン(I−)と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む薄膜除去液。
(15)NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液であって、
5〜500mMの酸を含み、かつ、ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む薄膜除去液。
(16)NiPtの薄膜および該薄膜とは別に、ニッケル、タングステン、アルミニウムおよび窒化ケイ素から選択される少なくとも1種を含む薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を選択的に除去する薄膜除去液であって、
ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む薄膜除去液。
(17)NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液であって、
ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、塩化物イオン(Cl − )および/または臭化物イオン(Br − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む薄膜除去液。
(18)酸をさらに含む(16)または(17)に記載の薄膜除去液。
(19)前記酸の含有量が、5〜500mMである(18)に記載の薄膜除去液。
(20)前記有機溶媒を、前記薄膜除去液中、1〜88質量%で含有する(14)〜(19)のいずれか1項に記載の薄膜除去液。
(21)前記ヨウ素分子に対する前記ヨウ素イオンのモル比が、1:0.5〜1:20である(14)〜(20)のいずれか1項に記載の薄膜除去液。
(22)前記ヨウ素分子を、前記薄膜除去液中、0.1〜20質量%で含有する(14)〜(21)のいずれか1項に記載の薄膜除去液。
(23)NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液のキットであって、
前記薄膜除去液が、酸を含み、かつ、
少なくともヨウ素イオンと水を含むA液と、少なくともヨウ素分子を含むB液とを組み合わせてなり、さらにB液にアルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒を含有するキット。
(24)NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液のキットであって、
前記薄膜除去液が、5〜500mMの酸を含み、かつ
少なくともヨウ素イオンと水を含むA液と、少なくともヨウ素分子を含むB液とを組み合わせてなり、さらにB液にアルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒を含有するキット。
(25)NiPtの薄膜および該薄膜とは別に、ニッケル、タングステン、アルミニウムおよび窒化ケイ素から選択される少なくとも1種を含む薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を選択的に除去する薄膜除去液のキットであって、
少なくともヨウ素イオンと水を含むA液と、少なくともヨウ素分子を含むB液とを組み合わせてなり、さらにB液にアルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒を含有するキット。
(26)NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液のキットであって、
前記薄膜除去液が、塩化物イオン(Cl − )および/または臭化物イオン(Br − )含み、かつ
少なくともヨウ素イオンと水を含むA液と、少なくともヨウ素分子を含むB液とを組み合わせてなり、さらにB液にアルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒を含有するキット。
(27)前記薄膜除去液が、酸をさらに含む(25)または(26)に記載のキット。
(28)前記酸の含有量が、5〜500mMである(27)に記載のキット。
(29)前記薄膜除去液が、前記有機溶媒を1〜88質量%含有する(23)〜(28)のいずれか1項に記載のキット。
(30)前記薄膜除去液が、前記ヨウ素分子に対する前記ヨウ素イオンのモル比が、1:0.5〜1:20である(23)〜(29)のいずれか1項に記載のキット。
(31)前記薄膜除去液が、前記ヨウ素分子を0.1〜20質量%含有する(23)〜(30)のいずれか1項に記載のキット。
図1は、本発明の薄膜除去液を用いた、ゲート構造のトランジスタの製造方法を示す工程図である。(A)はMOSトランジスタの形成工程、(B)は金属膜のスパッタ工程、(C)は1回目のアニール工程、(D)は金属膜の選択除去工程、(E)は2回目のアニール工程である。なお、図ではハッチングを示していないが、基板の断面図を示している。
図に示すように、シリコン基板1の表面に形成されたゲート絶縁膜2を介してゲート電極3を形成する。次いで、シリコン基板1の、ゲート電極3の両側にエクステンション領域を別途形成してもよい。その後、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなるサイドウォール5を形成してイオン注入を行い、ソース領域6及びドレイン領域7を形成する。
次いで、図に示すように、NiPt膜8を形成し、急速アニール処理を施す。このことによって、NiPt膜8中の元素をシリコン基板中に拡散させてシリサイド化させる。この結果、ゲート電極3の上部はシリサイド化されて、NiPtSiゲート電極部3Aが形成される。これとともに、ソース電極6及びドレイン電極7の上部もシリサイド化されて、NiPtSiソース電極部6A及びNiPtSiドレイン電極部7Aが形成される。このとき、必要により、図1(E)に示したようにアニールすることにより電極部材を所望の状態に変化させることができる。前記1回目と2回目のアニール温度は特に限定されないが、例えば、400〜900℃で行うことができる。
本発明の製造方法においては、その薄膜除去液を、室温に保持したまま薄膜の除去に供することもできるし、所定の温度まで加熱した後に残留薄膜の除去に供するようにすることもできる。一般的には、室温以上に加熱した場合において酸化力が増大し、目的とする薄膜をより短時間で除去することができるようになる。好ましい加熱温度は、数十度程度であり、例えば約30〜80℃が好ましく、50〜80℃がより好ましい。
水に相溶する有機溶媒としては、アルコール類(ジオール類含む)およびエーテル類からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる化合物が用いられる。
本発明において用いられる酸としては、無機酸と有機酸のいずれでも構わない。無機酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、塩素酸、過塩素酸、ヨウ化水素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、臭化水素酸、臭素酸、過臭素酸、過硫酸、炭酸、亜リン酸、次亜リン酸などが挙げられる。
本発明において用いられる酸は、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、メタンスルホン酸、クエン酸、マロン酸、酒石酸、リンゴ酸がさらに好ましい。
本発明で使用できる酸濃度は、いくつでも構わないが、添加する場合5mM以上であることが望ましく、5〜500mMであることがより好ましい。酸を上記下限値以上に使用することでNi溶解性が一層良化し、好ましい。一方、上記上限値以下に使用することが有機溶剤を添加したときの溶解性の点から好ましい。
本発明の薄膜除去液にはハロゲン分子を適用する。ハロゲン分子としては、ヨウ素分子(I2)を用いる。ハロゲン分子の含有量は特に限定されないが、除去液中、0.1〜20質量%であることが好ましく、0.3〜10質量%であることがより好ましい。
上述した有機溶媒を上記下限値以上に使用することでハロゲン分子(I 2 )の溶解性が一層良化し、好ましい。一方、上記上限値以下に使用することでハロゲンイオン(I−を含む塩)の溶解性の点から好ましい。
本発明の薄膜除去液は、ハロゲンイオンを適用する。ハロゲンイオンとしてはヨウ素(I−)を用いる。
上述した薄膜除去液の成分組成は、特開2004−211142、特開平4−21726、特開平4−6229、特開2006−291341、国際公開第2007/049750パンフレット、特開2010−229429を参考にすることができる。
本発明においては、白金化合物の薄膜を上記除去液により除去する。白金化合物は、NiPtである。白金化合物の薄膜の厚さは特に限定されないが、通常この種の素子に適用される厚さであることが実際的である。
NiPt合金の溶解試験を行った。ヨウ化カリウム12g/L、ヨウ素12g/L、脱イオン水55g、イソプロピルアルコール121gを混合し、200gの溶液を調製した(溶液101)。次に2×2cmのNiPt(Pt含率10原子%)を蒸着したウェハを液温60℃、弱撹拌しながら前記溶液に1分間浸漬させて溶解速度を測定した。また、他の部材に対するダメージ(酸化進行、腐食性)を確認するため、W、Al、SiNのウェハを用いて溶解試験を行った。
NiPtの溶解速度は重量法で算出し、Al、Wの溶解速度については国際電気アルファ株式会社製VR−200を用いて行いて膜厚差を測定し算出した。すなわち、溶解速度(Å/min)=〔溶解前の厚さ−溶解後の厚さ〕/溶解時間で算出した。SiNの酸化進行速度については、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン株式会社製 VASE(多入射角分光エリプソメーター)を用いて膜厚差を測定し、上記同様の式で算出した。その結果を表1に示す。
また、比較のために王水(硝酸12質量%と塩酸11質量%を混合。加熱し、温度が50℃になった時点でウェハ浸漬)とSPM(90℃に加熱した濃硫酸と35%過酸化水素を混合。温度が160℃まで上昇した時点でウェハ浸漬)でも同じように溶解速度を測定した。
シリコン基板上にNiPt(Pt含有量10原子%)膜を厚さ20nmにスパッタリング法を用いて形成した。その後、400℃、30分の条件で急速熱アニール処理(RTA)を行い、NiPt膜とシリコン基板とを反応させ、NiPt膜をシリサイド化させた。
ヨウ化カリウム12g、ヨウ素12g、臭化カリウム8.6g、脱イオン水46.4g、イソプロピルアルコール(IPA)121gを混合し、200gの溶液を調製した(溶液201)。
ヨウ化カリウム12g、ヨウ素12g、硫酸1g、脱イオン水54g、イソプロピルアルコール121gを混合し、200gの溶液を調製した(溶液202)。
ヨウ化カリウム12g、ヨウ素12g、クエン酸(CA)2g、脱イオン水53g、イソプロピルアルコール121gを混合し、200gの溶液を調製した(溶液203)。
溶液1Aは、実施例1のものを使用した。
実施例1における溶液101のIPA量を60.5質量%から65質量%および70質量%に替えた以外は、実施例1と同様に溶解試験を行った。
その結果、有機溶剤の増量に伴いNiの溶解速度は低下したが、Ptの溶解速度は下がらず選択エッチングをしたい場合に好ましい結果となった。
実施例1における溶液101のIPAを、炭酸エチレン、1,4−ブタンジオール、プロピレングリコール、N−メチルホルムアミド、NMPに替えた以外は、実施例1と同様に溶解試験を行った。
その結果、各種有機溶剤を使用してもPtの溶解速度は高い値を維持できることがわかった。
2 ゲート絶縁膜
3 ゲート電極
3A シリサイド化されたゲート電極部
5 サイドウォール
6 ソース電極
6A シリサイド化されたソース電極部
7 ドレイン電極
7A シリサイド化されたドレイン電極部
8 NiPt膜
Claims (31)
- NiPtの薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、該半導体基板に該薄膜除去液を適用して該NiPtの薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、
前記薄膜除去液が、酸を含み、かつ、ヨウ素分子(I2)と、ヨウ化物イオン(I−)と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。 - NiPtの薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、該半導体基板に該薄膜除去液を適用して該NiPtの薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、
前記薄膜除去液が、5〜500mMの酸を含み、かつ、ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。 - NiPtの薄膜および該薄膜とは別に、ニッケル、タングステン、アルミニウムおよび窒化ケイ素から選択される少なくとも1種を含む薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、該半導体基板に該薄膜除去液を適用して該NiPtの薄膜を選択的に除去する工程と、を含む半導体基板製品の製造方法であって、
前記薄膜除去液が、ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。 - 前記半導体基板を準備する工程と前記NiPtの薄膜を除去する工程との間に、該NiPtの薄膜中の元素をシリコン基板中に拡散させてシリサイド化させる工程を含む請求項3に記載の半導体基板製品の製造方法。
- 前記NiPtの薄膜のエッチングレート(RPt)と、前記ニッケル、タングステン、アルミニウムおよび窒化ケイ素の少なくとも1種を含む薄膜、ならびに、シリサイド化で生じる金属ケイ化物のエッチングレート(ROt)の選択比(RPt/ROt)が2以上である請求項4に記載の半導体基板製品の製造方法。
- NiPtの薄膜を有する半導体基板を準備する工程と、薄膜除去液を準備する工程と、該半導体基板に該薄膜除去液を適用して該NiPtの薄膜を除去する工程とを含む半導体基板製品の製造方法であって、
前記薄膜除去液が、ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、塩化物イオン(Cl − )および/または臭化物イオン(Br − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む半導体基板製品の製造方法。 - 前記薄膜除去液が、酸をさらに含む請求項3〜6のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
- 前記酸の含有量が、5〜500mMである請求項7に記載の半導体基板製品の製造方法。
- 前記有機溶媒を、前記薄膜除去液中、1〜88質量%で含有する請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
- 前記ヨウ素分子に対する前記ヨウ素イオンのモル比が、1:0.5〜1:20である請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
- 前記ヨウ素分子を、前記薄膜除去液中、0.1〜20質量%で含有する請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
- 前記ヨウ素イオンが、水素化物、アルカリ金属塩、またはアンモニウム塩として供給される請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
- 前記NiPtの薄膜の除去を、前記薄膜除去液を50〜80℃に加温した状態で行う請求項1〜12のいずれか1項に記載の半導体基板製品の製造方法。
- NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液であって、
酸を含み、かつ、ヨウ素分子(I2)と、ヨウ化物イオン(I−)と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む薄膜除去液。 - NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液であって、
5〜500mMの酸を含み、かつ、ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む薄膜除去液。 - NiPtの薄膜および該薄膜とは別に、ニッケル、タングステン、アルミニウムおよび窒化ケイ素から選択される少なくとも1種を含む薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を選択的に除去する薄膜除去液であって、
ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む薄膜除去液。 - NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液であって、
ヨウ素分子(I 2 )と、ヨウ化物イオン(I − )と、塩化物イオン(Cl − )および/または臭化物イオン(Br − )と、水と、アルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒と、を組み合わせて含む薄膜除去液。 - 酸をさらに含む請求項16または17に記載の薄膜除去液。
- 前記酸の含有量が、5〜500mMである請求項18に記載の薄膜除去液。
- 前記有機溶媒を、前記薄膜除去液中、1〜88質量%で含有する請求項14〜19のいずれか1項に記載の薄膜除去液。
- 前記ヨウ素分子に対する前記ヨウ素イオンのモル比が、1:0.5〜1:20である請求項14〜20のいずれか1項に記載の薄膜除去液。
- 前記ヨウ素分子を、前記薄膜除去液中、0.1〜20質量%で含有する請求項14〜21のいずれか1項に記載の薄膜除去液。
- NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液のキットであって、
前記薄膜除去液が、酸を含み、かつ、
少なくともヨウ素イオンと水を含むA液と、少なくともヨウ素分子を含むB液とを組み合わせてなり、さらにB液にアルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒を含有するキット。 - NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液のキットであって、
前記薄膜除去液が、5〜500mMの酸を含み、かつ
少なくともヨウ素イオンと水を含むA液と、少なくともヨウ素分子を含むB液とを組み合わせてなり、さらにB液にアルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒を含有するキット。 - NiPtの薄膜および該薄膜とは別に、ニッケル、タングステン、アルミニウムおよび窒化ケイ素から選択される少なくとも1種を含む薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を選択的に除去する薄膜除去液のキットであって、
少なくともヨウ素イオンと水を含むA液と、少なくともヨウ素分子を含むB液とを組み合わせてなり、さらにB液にアルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒を含有するキット。 - NiPtの薄膜を有する半導体基板に適用して該NiPtの薄膜を除去する薄膜除去液のキットであって、
前記薄膜除去液が、塩化物イオン(Cl − )および/または臭化物イオン(Br − )含み、かつ
少なくともヨウ素イオンと水を含むA液と、少なくともヨウ素分子を含むB液とを組み合わせてなり、さらにB液にアルコール化合物およびエーテル化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種からなる有機溶媒を含有するキット。 - 前記薄膜除去液が、酸をさらに含む請求項25または26に記載のキット。
- 前記酸の含有量が、5〜500mMである請求項27に記載のキット。
- 前記薄膜除去液が、前記有機溶媒を1〜88質量%含有する請求項23〜28のいずれか1項に記載のキット。
- 前記薄膜除去液が、前記ヨウ素分子に対する前記ヨウ素イオンのモル比が、1:0.5〜1:20である請求項23〜29のいずれか1項に記載のキット。
- 前記薄膜除去液が、前記ヨウ素分子を0.1〜20質量%含有する請求項23〜30のいずれか1項に記載のキット。
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