JP2007142347A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 201
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 78
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 281
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 274
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 223
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 202
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 103
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 49
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 claims description 114
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 112
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 47
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 46
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 40
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 22
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 19
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 19
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 12
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 35
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 265
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 252
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 21
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910005881 NiSi 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910012990 NiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012803 optimization experiment Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28035—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities
- H01L21/28044—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer
- H01L21/28052—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer the conductor comprising a silicide layer formed by the silicidation reaction of silicon with a metal layer
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
【解決手段】半導体基板100上にゲート電極103A及び103Bを形成した後、半導体基板100におけるゲート電極103Aの両側及びゲート電極103Bの両側にそれぞれソース・ドレイン領域となる高濃度不純物拡散層109A及び109Bを形成する。ゲート電極103A上及び高濃度不純物拡散層109A上に第1のニッケル合金シリサイド層113を形成する。ゲート電極103B上及び高濃度不純物拡散層109B上に第2のニッケル合金シリサイド層117を形成する。ニッケル合金シリサイド層113及び117をそれぞれ形成する工程において、半導体基板100上にニッケル合金膜及びニッケル膜を順次堆積した後に熱処理を行う。
【選択図】図5
Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。図1(a)〜(c)、図2(a)〜(c)、図3(a)〜(c)、図4(a)〜(c)及び図5(a)、(b)は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法、具体的にはMOSトランジスタを有する半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。第2の実施形態に係る半導体装置は、CMOS部分とeFUSE部分とを半導体基板上に備えた半導体装置である。図8(a)は、第2の実施形態に係る半導体装置のeFUSE部分の平面図であり、図8(b)は、図8(a)のA−A線の断面図である。尚、第2の実施形態に係る半導体装置のCMOS部分は、例えば図5(b)に示す第1の実施形態の高耐熱性領域に設けられるMOSトランジスタと同様の構造を有すると共に同様の方法により形成されるものとして、図示及び説明を省略する。
以下、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。第3の実施形態に係る半導体装置は、CMOS部分とeFUSE部分とを半導体基板上に備えた半導体装置である。図9(a)は、第3の実施形態に係る半導体装置のeFUSE部分の平面図であり、図9(b)は、図9(a)のB−B線の断面図である。尚、第3の実施形態に係る半導体装置のCMOS部分は、例えば図5(b)に示す第1の実施形態の高耐熱性領域に設けられるMOSトランジスタと同様の構造を有すると共に同様の方法により形成されるものとして、図示及び説明を省略する。
以下、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図15(a)、(b)、図16(a)、(b)、図17(a)、(b)及び図18は、第4の実施形態の第1実施例に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
図19(a)、(b)、図20(a)、(b)及び図21は、第4の実施形態の第2実施例に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
101 シャロートレンチ分離領域
102A、102B ゲート絶縁膜
103A、103B ゲート電極
104A、104B 低濃度不純物拡散層
105 絶縁膜
108A、108B サイドウォールスペーサ
109A、109B 高濃度不純物拡散層
110 第1のシリサイド形成防止用保護膜
111 レジスト膜
112 積層膜
113 第1のニッケル合金シリサイド層
114 第2のシリサイド形成防止用保護膜
115 レジスト膜
116 積層膜
117 第2のニッケル合金シリサイド層
118 積層膜
119 ニッケルシリサイド層
201 ゲート電極
201a 細線部分
202 コンタクト
203 上層配線
204 ポリシリコン層
205 ニッケル合金シリサイド層
211 ゲート電極
212 コンタクト
213 上層配線
214 ポリシリコン層
215 ニッケル合金シリサイド層
401 Ni膜
402 第1のニッケルシリサイド層
403 Pt薄膜
404 シリサイド安定化層
405 シリサイド形成防止用保護膜
406 積層膜
407 第2のニッケルシリサイド層
501 積層膜
502 ニッケルシリサイド層
503 保護膜
504 Pt薄膜
505 シリサイド安定化層
Claims (25)
- シリコンを含有する半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板における前記ゲート電極の両側にソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記ゲート電極上及び前記ソース・ドレイン領域上の少なくとも一方にニッケル合金シリサイド層を形成する工程とを備え、
前記ニッケル合金シリサイド層を形成する工程において、前記半導体基板上にニッケル合金膜及びニッケル膜を順次堆積した後に熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ニッケル合金膜に含まれる合金金属は、Niよりも高温でシリサイド反応を生じる金属であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコンを含有する半導体基板における第1の領域の上に第1のゲート電極を形成すると共に前記半導体基板における第2の領域の上に第2のゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板における前記第1のゲート電極の両側に第1のソース・ドレイン領域を形成すると共に前記半導体基板における前記第2のゲート電極の両側に第2のソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記第1のゲート電極上及び前記第1のソース・ドレイン領域上の少なくとも一方に第1のニッケル合金シリサイド層を形成する工程と、
前記第2のゲート電極上及び前記第2のソース・ドレイン領域上の少なくとも一方に第2のニッケル合金シリサイド層を形成する工程とを備え、
前記第1のニッケル合金シリサイド層を形成する工程において、前記第1の領域上に第1のニッケル合金膜及び第1のニッケル膜を順次堆積した後に熱処理を行い、
前記第2のニッケル合金シリサイド層を形成する工程において、前記第2の領域上に第2のニッケル合金膜及び第2のニッケル膜を順次堆積した後に熱処理を行い、
前記第1のニッケル合金膜と前記第2のニッケル合金膜とは合金金属の種類及びニッケル組成のうちの少なくとも一方が異なっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1のニッケル合金膜及び前記第2のニッケル合金膜のそれぞれに含まれる合金金属は、Niよりも高温でシリサイド反応を生じる金属であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ニッケル組成及び合金金属の種類のうちの少なくとも一方が互いに異なる2つ以上のニッケル合金シリサイド層を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項5に記載の半導体装置において、
前記ニッケル合金シリサイド層に含まれる合金金属は、Niよりも高温でシリサイド反応を生じる金属であることを特徴とする半導体装置。 - CMOS部分とeFUSE部分とを半導体基板上に備えた半導体装置であって、
前記CMOS部分には第1のニッケル合金シリサイド層が用いられており、
前記eFUSE部分には第2のニッケル合金シリサイド層が用いられており、
前記第1のニッケル合金シリサイド層の耐熱温度は前記第2のニッケル合金シリサイド層の耐熱温度よりも高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置において、
前記半導体基板上に形成されたゲート電極をさらに備え、
前記eFUSE部分は、前記ゲート電極の細線部分に設定されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置において、
前記半導体基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に当該ゲート電極と接続するように形成されたコンタクトとをさらに備え、
前記eFUSE部分は、前記ゲート電極における前記コンタクトとの接続部分に設定されていることを特徴とする半導体装置。 - CMOS部分とeFUSE部分とを半導体基板上に備えた半導体装置の製造方法であって、
前記CMOS部分となる領域に第1のニッケル合金シリサイド層を形成する工程と、
前記eFUSE部分となる領域に第2のニッケル合金シリサイド層を形成する工程とを備え、
前記第1のニッケル合金シリサイド層の耐熱温度は前記第2のニッケル合金シリサイド層の耐熱温度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項10に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板上にゲート電極を形成する工程をさらに備え、
前記eFUSE部分は、前記ゲート電極の細線部分に設定されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項10に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上に当該ゲート電極と接続するようにコンタクトを形成する工程とをさらに備え、
前記eFUSE部分は、前記ゲート電極における前記コンタクトとの接続部分に設定されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコンを含有する半導体基板における第1の領域の上に第1のゲート電極を形成すると共に前記半導体基板における第2の領域の上に第2のゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板における前記第1のゲート電極の両側に第1のソース・ドレイン領域を形成すると共に前記半導体基板における前記第2のゲート電極の両側に第2のソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記第1のゲート電極上及び前記第1のソース・ドレイン領域上の少なくとも一方にニッケル合金シリサイド層を形成する工程と、
前記第2のゲート電極上及び前記第2のソース・ドレイン領域上の少なくとも一方にニッケルシリサイド層を形成する工程とを備え、
前記ニッケル合金シリサイド層を形成する工程において、前記第1の領域上にニッケル合金膜及び第1のニッケル膜を順次堆積した後に熱処理を行い、
前記ニッケルシリサイド層を形成する工程において、前記第2の領域上に第2のニッケル膜を堆積した後に熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項13に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ニッケル合金膜に含まれる合金金属は、Niよりも高温でシリサイド反応を生じる金属であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ニッケル合金シリサイド層とニッケルシリサイド層とを有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項15に記載の半導体装置において、
前記ニッケル合金シリサイド層に含まれる合金金属は、Niよりも高温でシリサイド反応を生じる金属であることを特徴とする半導体装置。 - シリコンを含有する半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板における前記ゲート電極の両側にソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記ゲート電極上及び前記ソース・ドレイン領域上の少なくとも一方にニッケルシリサイド層を形成する工程と、
前記ニッケルシリサイド層の上に白金膜を形成した後、熱処理を行って前記ニッケルシリサイド層の表面にシリサイド安定化層を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - シリコンを含有する半導体基板における第1の領域の上に第1のゲート電極を形成すると共に前記半導体基板における第2の領域の上に第2のゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板における前記第1のゲート電極の両側に第1のソース・ドレイン領域を形成すると共に前記半導体基板における前記第2のゲート電極の両側に第2のソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記第1のゲート電極上及び前記第1のソース・ドレイン領域上の少なくとも一方に第1のニッケル合金シリサイド層を形成した後、前記第1のニッケルシリサイド層の上に白金膜を形成し、その後、熱処理を行って前記第1のニッケルシリサイド層の表面にシリサイド安定化層を形成する工程と、
前記第2のゲート電極上及び前記第2のソース・ドレイン領域上の少なくとも一方に第2のニッケルシリサイド層を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項18に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1のニッケルシリサイド層及び前記第2のニッケルシリサイド層を同一工程で形成した後、前記第2のニッケルシリサイド層を保護膜によって覆いながら前記第1のニッケルシリサイド層の上に前記白金膜を形成し、その後、熱処理を行って前記第1のニッケルシリサイド層の表面にシリサイド安定化層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項17〜19のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記白金膜に代えてルテニウム膜を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項17〜19のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記白金膜の膜厚は0.6nm以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 白金を含有するシリサイド安定化層が表面に設けられたニッケルシリサイド層を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項22に記載の半導体装置において、
前記シリサイド安定化層を含む前記ニッケルシリサイド層における白金濃度は前記シリサイド安定化層の上面に近いほど高いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項22に記載の半導体装置において、
前記シリサイド安定化層は、白金に代えてルテニウムを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項22又は23に記載の半導体装置において、
他のニッケルシリサイド層をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005355808A JP2007142347A (ja) | 2005-10-19 | 2005-12-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
US11/582,556 US7800181B2 (en) | 2005-10-19 | 2006-10-18 | Semiconductor device and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005304753 | 2005-10-19 | ||
JP2005355808A JP2007142347A (ja) | 2005-10-19 | 2005-12-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007142347A true JP2007142347A (ja) | 2007-06-07 |
Family
ID=37985915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005355808A Pending JP2007142347A (ja) | 2005-10-19 | 2005-12-09 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7800181B2 (ja) |
JP (1) | JP2007142347A (ja) |
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US7800181B2 (en) | 2010-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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