JP2006147897A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板11の表面部に不純物拡散層12を形成し、その表面の自然酸化膜を除去した後、Ni−Ir合金層13を堆積させて、例えば300℃〜500℃の温度で窒素ガス雰囲気中の急速熱アニール(RTA)を施し、イリジウム含有のニッケルモノシリサイド層15を形成する。ここで、Ni−Ir合金層13のイリジウムの含有量は、0.1at.%〜5at.%の範囲にすると好適である。このシリサイド層の形成方法により、半導体素子の例えばMISFETのソース/ドレイン拡散層あるいはゲート電極上にイリジウム含有のニッケルモノシリサイド層を形成し上記課題を解決する。
【選択図】 図1
Description
2003 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers,p.81-82
上記ニッケルモノシリサイド層にタンタルを添加する場合には、Ni−Ta合金から成るスパッタリングターゲットがアルゴンイオンによりスパタリングされる。しかし、Ni金属結晶の結晶構造はいわゆるfcc構造であるの対して、Ta金属結晶の結晶構造はbcc構造となり、NiとTaは結晶レベルで混ざり難い。
12 不純物拡散層
13 Ni−Ir合金層
14 TiN膜
15,26 イリジウム含有のニッケルモノシリサイド層
22,22a 高誘電体ゲート絶縁膜
23 ゲートシリコン層
24 サイドウォール絶縁膜
25 ソース/ドレイン拡散層
27 エッチングストッパー層
28 層間絶縁膜
29 ゲート側壁絶縁膜
30 導電体膜
31 メタル膜
Claims (5)
- 基板上にニッケル−イリジウム合金層を堆積させる工程と、
前記基板に熱処理を施し、前記基板表面あるいは該基板上のシリコン物質と前記ニッケル−イリジウム合金層を反応させる工程と、
を有し、前記基板上にイリジウム含有のニッケルモノシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ニッケル−イリジウム合金層の堆積は、ニッケル−イリジウム合金から成る金属ターゲットのスパッタリングにより行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ニッケル−イリジウム合金層中のイリジウムの含有量は、0.1at.%〜5at.%の範囲にあることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理の温度は、300℃〜500℃の範囲にあることを特徴とする請求項1,2又は3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記イリジウム含有のニッケルモノシリサイド層を形成した後の工程のプロセス温度を、600℃以下にすることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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