JP4122971B2 - ウエットエッチング剤組成物 - Google Patents
ウエットエッチング剤組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4122971B2 JP4122971B2 JP2002547213A JP2002547213A JP4122971B2 JP 4122971 B2 JP4122971 B2 JP 4122971B2 JP 2002547213 A JP2002547213 A JP 2002547213A JP 2002547213 A JP2002547213 A JP 2002547213A JP 4122971 B2 JP4122971 B2 JP 4122971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etched
- ether sulfate
- aqueous solution
- washed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 5
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 claims description 26
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 19
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 16
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 13
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 13
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical group N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
技術分野
本発明は、液晶ディスプレー等に画素電極として使用される、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明導電膜のウエットエッチングに使用されるエッチング剤組成物に関する。
背景技術
ＩＴＯ膜をはじめとする透明導電膜は、帯電防止膜、熱反射膜、光電変換素子や各種フラットパネルディスプレイの透明電極などの電子デバイス分野に広く用いられてきた。特に、最近では、ノートＰＣや小型ＴＶ、携帯用情報端末などの普及とともに、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）での需要が増加している。ＩＴＯ膜等の透明導電膜は、フラットパネルディスプレイの分野においては、画素の表示電極として使用され、フォトリソグラフィーのエッチングにより作成される。
しかしながら、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、特にＴＦＴ−ＬＣＤの分野においては、従来多結晶ＩＴＯが使用されてきたが、基板サイズが大型化するほど、多結晶ＩＴＯは均一化が難しくなってきている。また、上記の表示電極の形成方法としては、透明導電膜上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像後、フォトレジストをマスクとしてエッチング剤を用いて、エッチング後、残存するフォトレジストを剥離して形成される。
従来、上記多結晶ＩＴＯ膜等の透明導電膜のエッチング剤として、塩化第二鉄／塩酸水溶液、ヨウ素酸水溶液、リン酸水溶液、塩酸／硝酸水溶液（王水）等が用いられてきた。上記ＩＴＯ等のウエットエッチング剤は、パタニーングの際にＡｌ等への腐食が起こり、また粒界から選択的エッチングが進行するため、加工精度良くパターニーングすることも困難である。
以上の理由により、基板サイズの大型化、ＴＦＴパネルの大型化、高精細化、配線のＡｌ化などに伴って、画素表示電極として加工精度良く、エッチングが可能なエッチング剤の要求が高まっている。これらの問題を解決するために、最近非晶質ＩＴＯを使用し、弱酸、特にシュウ酸水溶液で非晶質ＩＴＯをウエットエッチングする方法が提唱されている。
しかしながら、シュウ酸水溶液を使用し、非晶質ＩＴＯをウエットエッチングした際に、エッチング残渣が発生する問題があり、このエッチング残渣を発生しないエッチング剤が望まれている。
発明の開示
本発明の目的は、従来技術における上記の如き、非晶質ＩＴＯをシュウ酸水溶液を用いたウェットエッチングの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下で、エッチングが行えるウェットエッチング剤を提供することにある。
本発明者等は、上記の問題を解決すべく鋭意検討を行った結果、シュウ酸と、界面活性剤であるポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩および／またはポシリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を含有する水溶液が、非晶質ＩＴＯのエッチングの際、温和な条件下でエッチングが出来、且つ残渣物が全く発生しない事を見い出し、かかる知見に基づいて完成に至ったものである。
すなわち、本発明は、シュウ酸と、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩および／またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を含有する水溶液であることを特徴とする透明導電膜用のウエットエッチング剤組成物に関するものである。
発明を実施するための最良の形態
本発明に使用されるシュウ酸の濃度は、０．０１〜１０重量％であり、０．０１重量％以下ではエッチング速度が遅く、また１０重量％以上では、エッチング速度は向上せず、得策ではない。
また本発明に使用されるポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩は、一般式［Ｉ］で表され、
【化１】
［但し、Ｒは炭素数６〜２２のアルキル基、ｎは１〜５００の整数、Ｍはアンモニア、有機アミン、第四級アンモニウムまたはアルカリ金属を示す。］
具体的には、商品名として、エマール２０Ｃ（花王製）、ハイテノール３２５Ｄ（第一工業製薬製）、アルスコープＡＰ−３０、アルスコープＬＥ−２４０（東邦化学製）、サンノール６０５Ｎ（ライオン製）等が好適に使用される。
さらに、本発明に使用されるポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩は、一般式［ＩＩ］で表され
【化２】
［但し、Ｒは、炭素数４〜２０のアルキル基、ｎは１〜５００の整数、Ｍはアンモニア、有機アミン、第四級アンモニウムまたはアルカリ金属を示す。］
具体的には、商品名として、ハイテノールＮ−０８、ハイテノールＮ−１２（第一工業製薬製）、エマールＮＣ−３５（花王製）等が好適に使用される。
上記ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩は単独でも、二種以上組み合せて使用しても良く、好ましい濃度は、０．０００１〜５重量％である。
上記ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩の濃度が０．０００１重量％以下であると、エッチング時の残渣物が発生し、５重量％以上では、ＩＴＯ等の透明導電膜のエッチング速度が低下し、好ましくない。
本発明の、使用濃度は、常温から９０℃までであり、使用時間は、１〜３０分程度である。また本発明は、非晶質ＩＴＯの他に、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）等の、ウェットエッチングにも好適に使用される。
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、これらの実施例になんら制限されるものではない。
［実施例１］
図１は、ガラス基板（１）上に、絶縁膜であるＳｉＮ（２）を成膜し、さらに非晶質ＩＴＯ（３）を成膜し、非晶質ＩＴＯ上にレジストを塗布し、現像を行った後の基板の断面図である。図１に示した基板を使用し、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−０８、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を使用し、４０℃で２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジスト（４）を剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。
［比較例１］
実施例１で用いた基板を、３．４重量％のシュウ酸を含有する水溶液であるエッチング剤を使用し、４０℃で２分間エッチングを行い、水洗後、乾燥した。さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯはエッチングされていたが、図２に示す如く多数の残渣物（５）が観察された。
［比較例２］
１重量％の、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテールＮ−０８、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは、ほとんどエッチングされていなかった。
［実施例２］
シュウ酸３．４重量％、０．１重量％のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
［実施例３］
シュウ酸３．４重量％と、０．１重量％のポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノール３２５Ｄ、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
［実施例４］
シュウ酸１．０重量％、０．１重量％のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
［実施例５］
シュウ酸５．５重量％、０．１重量％のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
［比較例３］
酢酸５．５重量％、０．１重量％のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯはほとんどエッチングされていなかった。
産業上の利用可能性
本発明のエッチング剤組成物を使用すると、非晶質ＩＴＯのエッチングの際、温和な条件下でエッチングが出来、且つ残渣物が全く発生しない。
【図面の簡単な説明】
図１は、ガラス基板上に、絶縁膜であるＳｉＮを成膜し、さらに非晶質ＩＴＯを成膜し、非晶質ＩＴＯ上にレジストを塗布し、現像を行った後の基板の断面図であり、図２は、図１の基板を比較例１記載のエッチング剤でエッチング後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後の状態図である。
本発明は、液晶ディスプレー等に画素電極として使用される、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明導電膜のウエットエッチングに使用されるエッチング剤組成物に関する。
背景技術
ＩＴＯ膜をはじめとする透明導電膜は、帯電防止膜、熱反射膜、光電変換素子や各種フラットパネルディスプレイの透明電極などの電子デバイス分野に広く用いられてきた。特に、最近では、ノートＰＣや小型ＴＶ、携帯用情報端末などの普及とともに、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）での需要が増加している。ＩＴＯ膜等の透明導電膜は、フラットパネルディスプレイの分野においては、画素の表示電極として使用され、フォトリソグラフィーのエッチングにより作成される。
しかしながら、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、特にＴＦＴ−ＬＣＤの分野においては、従来多結晶ＩＴＯが使用されてきたが、基板サイズが大型化するほど、多結晶ＩＴＯは均一化が難しくなってきている。また、上記の表示電極の形成方法としては、透明導電膜上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像後、フォトレジストをマスクとしてエッチング剤を用いて、エッチング後、残存するフォトレジストを剥離して形成される。
従来、上記多結晶ＩＴＯ膜等の透明導電膜のエッチング剤として、塩化第二鉄／塩酸水溶液、ヨウ素酸水溶液、リン酸水溶液、塩酸／硝酸水溶液（王水）等が用いられてきた。上記ＩＴＯ等のウエットエッチング剤は、パタニーングの際にＡｌ等への腐食が起こり、また粒界から選択的エッチングが進行するため、加工精度良くパターニーングすることも困難である。
以上の理由により、基板サイズの大型化、ＴＦＴパネルの大型化、高精細化、配線のＡｌ化などに伴って、画素表示電極として加工精度良く、エッチングが可能なエッチング剤の要求が高まっている。これらの問題を解決するために、最近非晶質ＩＴＯを使用し、弱酸、特にシュウ酸水溶液で非晶質ＩＴＯをウエットエッチングする方法が提唱されている。
しかしながら、シュウ酸水溶液を使用し、非晶質ＩＴＯをウエットエッチングした際に、エッチング残渣が発生する問題があり、このエッチング残渣を発生しないエッチング剤が望まれている。
発明の開示
本発明の目的は、従来技術における上記の如き、非晶質ＩＴＯをシュウ酸水溶液を用いたウェットエッチングの際に、エッチング残渣を全く発生せず、且つ、温和な条件下で、エッチングが行えるウェットエッチング剤を提供することにある。
本発明者等は、上記の問題を解決すべく鋭意検討を行った結果、シュウ酸と、界面活性剤であるポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩および／またはポシリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を含有する水溶液が、非晶質ＩＴＯのエッチングの際、温和な条件下でエッチングが出来、且つ残渣物が全く発生しない事を見い出し、かかる知見に基づいて完成に至ったものである。
すなわち、本発明は、シュウ酸と、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩および／またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を含有する水溶液であることを特徴とする透明導電膜用のウエットエッチング剤組成物に関するものである。
発明を実施するための最良の形態
本発明に使用されるシュウ酸の濃度は、０．０１〜１０重量％であり、０．０１重量％以下ではエッチング速度が遅く、また１０重量％以上では、エッチング速度は向上せず、得策ではない。
また本発明に使用されるポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩は、一般式［Ｉ］で表され、
【化１】
［但し、Ｒは炭素数６〜２２のアルキル基、ｎは１〜５００の整数、Ｍはアンモニア、有機アミン、第四級アンモニウムまたはアルカリ金属を示す。］
具体的には、商品名として、エマール２０Ｃ（花王製）、ハイテノール３２５Ｄ（第一工業製薬製）、アルスコープＡＰ−３０、アルスコープＬＥ−２４０（東邦化学製）、サンノール６０５Ｎ（ライオン製）等が好適に使用される。
さらに、本発明に使用されるポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩は、一般式［ＩＩ］で表され
【化２】
［但し、Ｒは、炭素数４〜２０のアルキル基、ｎは１〜５００の整数、Ｍはアンモニア、有機アミン、第四級アンモニウムまたはアルカリ金属を示す。］
具体的には、商品名として、ハイテノールＮ−０８、ハイテノールＮ−１２（第一工業製薬製）、エマールＮＣ−３５（花王製）等が好適に使用される。
上記ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩は単独でも、二種以上組み合せて使用しても良く、好ましい濃度は、０．０００１〜５重量％である。
上記ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩の濃度が０．０００１重量％以下であると、エッチング時の残渣物が発生し、５重量％以上では、ＩＴＯ等の透明導電膜のエッチング速度が低下し、好ましくない。
本発明の、使用濃度は、常温から９０℃までであり、使用時間は、１〜３０分程度である。また本発明は、非晶質ＩＴＯの他に、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）等の、ウェットエッチングにも好適に使用される。
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、これらの実施例になんら制限されるものではない。
［実施例１］
図１は、ガラス基板（１）上に、絶縁膜であるＳｉＮ（２）を成膜し、さらに非晶質ＩＴＯ（３）を成膜し、非晶質ＩＴＯ上にレジストを塗布し、現像を行った後の基板の断面図である。図１に示した基板を使用し、３．４重量％のシュウ酸と、０．０１重量％のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−０８、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を使用し、４０℃で２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジスト（４）を剥離した後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ（電子顕微鏡）で表面を観察した結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物は全く観察されなかった。
［比較例１］
実施例１で用いた基板を、３．４重量％のシュウ酸を含有する水溶液であるエッチング剤を使用し、４０℃で２分間エッチングを行い、水洗後、乾燥した。さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後、水洗した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯはエッチングされていたが、図２に示す如く多数の残渣物（５）が観察された。
［比較例２］
１重量％の、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテールＮ−０８、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは、ほとんどエッチングされていなかった。
［実施例２］
シュウ酸３．４重量％、０．１重量％のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
［実施例３］
シュウ酸３．４重量％と、０．１重量％のポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノール３２５Ｄ、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
［実施例４］
シュウ酸１．０重量％、０．１重量％のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
［実施例５］
シュウ酸５．５重量％、０．１重量％のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯは良好にエッチングされ、残渣物も全く観察されなかった。
［比較例３］
酢酸５．５重量％、０．１重量％のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩（商品名：ハイテノールＮ−１２、第一工業製薬製）を含有する水溶液であるエッチング剤を用い、実施例１で使用した基板を４０℃、２分間エッチングを行い、水洗後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離後、水洗し、乾燥した。ＳＥＭ観察の結果、非晶質ＩＴＯはほとんどエッチングされていなかった。
産業上の利用可能性
本発明のエッチング剤組成物を使用すると、非晶質ＩＴＯのエッチングの際、温和な条件下でエッチングが出来、且つ残渣物が全く発生しない。
【図面の簡単な説明】
図１は、ガラス基板上に、絶縁膜であるＳｉＮを成膜し、さらに非晶質ＩＴＯを成膜し、非晶質ＩＴＯ上にレジストを塗布し、現像を行った後の基板の断面図であり、図２は、図１の基板を比較例１記載のエッチング剤でエッチング後、さらに塩基性レジスト剥離液でレジストを剥離した後の状態図である。
Claims (1)
- シュウ酸と、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩および／またはポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩を含有する水溶液であることを特徴とする非晶質酸化インジウム錫用のウエットエッチング剤組成物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000362351 | 2000-11-29 | ||
| JP2000362351 | 2000-11-29 | ||
| PCT/JP2001/010161 WO2002045144A1 (fr) | 2000-11-29 | 2001-11-21 | Composition d'agent de gravure humide |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2002045144A1 JPWO2002045144A1 (ja) | 2004-04-08 |
| JP4122971B2 true JP4122971B2 (ja) | 2008-07-23 |
Family
ID=18833645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002547213A Expired - Fee Related JP4122971B2 (ja) | 2000-11-29 | 2001-11-21 | ウエットエッチング剤組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4122971B2 (ja) |
| KR (1) | KR100761602B1 (ja) |
| CN (1) | CN1214449C (ja) |
| TW (1) | TW529098B (ja) |
| WO (1) | WO2002045144A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104388090A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-03-04 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种草酸系ito蚀刻液及其制备方法和应用 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1300829C (zh) * | 2003-09-29 | 2007-02-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 静电蚀刻方法及其装置 |
| CN101792907A (zh) * | 2010-04-01 | 2010-08-04 | 江阴市江化微电子材料有限公司 | 一种铝钼蚀刻液 |
| CN102241985A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-11-16 | 西安东旺精细化学有限公司 | 透明导电膜湿法蚀刻液组合物 |
| CN103472968A (zh) * | 2013-09-26 | 2013-12-25 | 无锡宇宁光电科技有限公司 | 一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺 |
| KR102077506B1 (ko) * | 2013-10-30 | 2020-02-14 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 아연, 주석 및 산소로 실질적으로 이루어진 산화물의 에칭액 및 에칭방법 |
| CN105874570B (zh) * | 2014-01-07 | 2020-07-28 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 包含锌和锡的氧化物的蚀刻液以及蚀刻方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11323394A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP2000008184A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 多層導電膜のエッチング方法 |
| JP2000021809A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Matsushita Electron Corp | パターン形成方法 |
-
2001
- 2001-11-21 JP JP2002547213A patent/JP4122971B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-21 WO PCT/JP2001/010161 patent/WO2002045144A1/ja active Application Filing
- 2001-11-21 KR KR1020027009580A patent/KR100761602B1/ko active IP Right Grant
- 2001-11-21 CN CNB018042937A patent/CN1214449C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-27 TW TW090129288A patent/TW529098B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104388090A (zh) * | 2014-10-21 | 2015-03-04 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种草酸系ito蚀刻液及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2002045144A1 (ja) | 2004-04-08 |
| KR20020086896A (ko) | 2002-11-20 |
| CN1397090A (zh) | 2003-02-12 |
| TW529098B (en) | 2003-04-21 |
| CN1214449C (zh) | 2005-08-10 |
| KR100761602B1 (ko) | 2007-10-04 |
| WO2002045144A1 (fr) | 2002-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101674680B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| JP5018581B2 (ja) | エッチング液を用いた透明導電膜のエッチング方法 | |
| KR20090081938A (ko) | 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법 | |
| JP4949416B2 (ja) | Ｉｔｏ膜用のエッチング液組成物、および、それを利用したｉｔｏ膜のエッチング方法 | |
| JP4122971B2 (ja) | ウエットエッチング剤組成物 | |
| JP4846301B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板の製造方法及びストリッピング組成物 | |
| KR101391023B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법 | |
| CN109797396B (zh) | 银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法 | |
| JP4230631B2 (ja) | 透明導電膜のエッチング液組成物 | |
| JP2005197397A (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
| JP2002367974A (ja) | 透明導電膜用エッチング剤組成物 | |
| JP2002033304A (ja) | エッチング用組成物 | |
| JP3791597B2 (ja) | 透明導電膜用エッチング剤組成物 | |
| TWI673344B (zh) | 氧化銦層蝕刻液組合物和利用其製造液晶顯示裝置的陣列基板的方法 | |
| JP2002363776A (ja) | エッチング剤組成物 | |
| KR102281335B1 (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| JP4897148B2 (ja) | 透明導電膜のエッチング液 | |
| CN110484258B (zh) | 用于氧化铟层的蚀刻剂组合物 | |
| JP2010067826A (ja) | 透明電極用のエッチング液 | |
| JP4582278B2 (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物 | |
| JP2003306676A (ja) | 透明導電膜用のエッチング剤 | |
| KR101796784B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR102567796B1 (ko) | 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
| CN114106835A (zh) | 蚀刻液组合物及显示面板 | |
| CN110295367B (zh) | 银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20020628 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041117 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071113 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071218 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080408 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080421 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4122971 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140516 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |