CN110295367B - 银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种银薄膜蚀刻液组合物，并且提供一种银薄膜蚀刻液组合物、利用所述银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法及形成金属图案的方法，其特征在于，所述银薄膜蚀刻液组合物包含：(A)无机酸；(B)含硫(S)酸；(C)不含氮有机酸；(D)分子内含有一个氢原子的磷酸盐(Phosphate)；以及(E)水。

Description

银膜蚀刻液组合物、用它的蚀刻方法及金属图案形成方法
技术领域
本发明涉及一种银薄膜蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法以及形成金属图案的方法。
背景技术
随着步入真正的信息化时代，用于处理及显示大量信息的显示器领域急速发展，与此相应地开发了多种平板显示器并受到关注。
作为这种平板显示装置的例，可列举液晶显示器装置(Liquid crystal displaydevice：LCD)、等离子体显示装置(Plasma Display Panel device：PDP)、场致发射显示装置(Field Emission Display device：FED)、电致发光显示装置(ElectroluminescenceDisplay device：ELD)、有机发光元件(Organic Light Emitting Diodes：OLED)等，这种平板显示装置不仅在电视机或录像机等家电领域而且在如笔记本等计算机及移动电话等中以多种用途被使用。这些平板显示装置因薄型化、轻量化及低耗电力化等优异的性能而迅速替代了以往使用的阴极射线管(Cathode Ray Tube：NIT)。
特别是，由于OLED(有机发光二极管)元件自身发出光且在低电压下也能够被驱动，因此近年来在便携设备等小型显示器市场中迅速应用OLED。此外，OLED处于越过小型显示器而实现大型TV的商用化的状态。
另外，如氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)等的导电性金属对光的透射率比较优异，并且具有导电性，因此作为平板显示装置中使用的滤色器的电极而被广泛使用。但是，这些金属还具有高电阻，在通过改善响应速度来实现平板显示装置的大型化及高分辨率时成为障碍。
此外，在反射板的情况下，以往主要将铝(Al)反射板用于产品，但为了通过提高亮度来实现低耗电，处于摸索朝向反射率更高的金属变更材料的状态。为此，欲通过将与平板显示装置中应用的金属相比具有较低的比电阻和较高的亮度的银(Ag：比电阻为约1.59μΩcm)膜、银合金或包含该银合金的多层膜应用到滤色器的电极、LCD或OLED布线及反射板中，实现平板显示装置的大型化和高分辨率及低耗电等，与此相应地要求开发用于应用该材料的蚀刻液。
但是，对于玻璃等的绝艳基板或者由本征非晶硅或掺杂的非晶硅等构成的半导体基板等的下部基板而言，银(Ag)对它们的粘着性(adhesion)非常差，从而不易进行沉积，容易诱发布线的浮起(lifting)或剥离(Peeling)。此外，在银(Ag)导电层被沉积在基板上的情况下，也为了进行该银导电层的图案化，也需要使用蚀刻液。在作为这种蚀刻液而使用现有的蚀刻液的情况下，由于银(Ag)被过度蚀刻或银(Ag)被不均匀地蚀刻而发生布线的浮起或剥离现象，布线的侧面轮廓较差。
此外，在通过用于实现高分辨率的低歪斜(LOW Skew)来进行工序时存在困难。
特别是，银(Ag)为容易被还原的金属，因银的蚀刻速度快而在不产生残渣的情况下被蚀刻，但此时因银的蚀刻速度快而不会发生上下部之间的蚀刻速度差，难以形成蚀刻后的锥角(taper angle)且难以确保蚀刻图案的直进性，从而在形成布线及图案时具有较多的局限。
在金属膜垂直立起而没有锥角(taper angle)的情况下，后续工序中形成绝缘膜或后续布线时，有可能会在银(Ag)与绝缘膜或布线之间发生空隙，并且这种空隙成为发生电短路等不良情况的原因。
韩国授权专利第10-1323458号涉及一种银蚀刻组合物，公开了能够同时蚀刻由银(Ag)或银合金制成的单层膜及由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜的蚀刻液组合物，但该蚀刻液组合物为以磷酸为主要蚀刻物质的磷酸类蚀刻液组合物，难以伴随处理张数的增加而均匀地维持侧蚀(Side etch)，具有由此导致的蚀刻质量下降等问题。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1：韩国授权专利第10-1323458号
发明内容
技术问题
本发明是为了改善上述现有技术的问题而提出的，其目的是提供一种银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述银薄膜蚀刻液组合物用于蚀刻由银(Ag)或银合金制成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜，并且即使累积处理张数增加也容易均匀地维持侧蚀(S/E)，不会发生Ag再吸附问题。
此外，本发明的目的是提供一种能够同时蚀刻所述单层膜和所述多层膜的银薄膜蚀刻液组合物。
此外，本发明的目的是提供一种能够有效地应用到在对下部膜没有损伤的情况下呈现出蚀刻均匀性的湿式蚀刻中的银薄膜蚀刻液组合物。
此外，本发明的目的是提供一种利用所述银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法。
此外，本发明的目的是提供一种利用所述银薄膜蚀刻液组合物形成金属图案的方法。
技术方案
为了实现上述目的，本发明提供一种银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，包含：(A)无机酸；(B)含硫(S)酸；(C)不含氮有机酸；(D)分子内含有一个氢原子的磷酸盐(Phosphate)；以及(E)水。
此外，本发明提供一种使用所述银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法。
此外，本发明提供一种使用所述银薄膜蚀刻液组合物形成金属图案的方法。发明效果
通过将本发明的银薄膜蚀刻液组合物用于蚀刻由银(Ag)或银合金制成的单层膜及由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜，提供如下的效果：即使累积处理张数增加也容易均匀地维持侧蚀(S/E)，并且不会发生Ag再吸附问题。
此外，本发明的银薄膜蚀刻液组合物提供同时蚀刻所述单层膜及所述多层膜以提高蚀刻效率的效果。
此外，本发明的银薄膜蚀刻液组合物能够有效地应用到在对下部膜没有损伤的情况下呈现出蚀刻均匀性的湿式蚀刻中。
具体实施方式
本发明提供一种银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，包含：(A)无机酸；(B)含硫(S)酸；(C)不含氮有机酸；(D)分子内含有一个氢原子的磷酸盐(Phosphate)；以及(E)水。
本发明的银薄膜蚀刻液组合物的特征在于，相对于组合物的总重量，包含：1至20重量％的(A)无机酸；1至20重量％的(B)含硫酸；10至70重量％的(C)不含氮有机酸；5至30重量％的(D)分子内含有一个氢原子的磷酸盐；以及余量的(E)水。
本发明的银薄膜蚀刻液组合物的特征在于，能够用于蚀刻由银(Ag)或银合金制成的单层膜及由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜，并且不会发生残渣(例如，银残渣和/或透明导电膜残渣等)及银再吸附问题。
本发明的银薄膜蚀刻液组合物能够同时蚀刻所述单层膜及所述多层膜。
本发明的银薄膜蚀刻液组合物可提供如下的效果：即使累积处理张数增加也容易均匀地维持侧蚀(S/E)，并且不会发生Ag再吸附问题。
本发明的银薄膜蚀刻液组合物能够有效地应用到在对下部膜没有损伤的情况下呈现出蚀刻均匀性的湿式蚀刻中。
所述银合金以银为主成分，可具有包含Nd、Cu、Pd、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W、Pa及Ti等的其他金属的合金形态和银的氮化物、硅化物、碳化物及氧化物等，但并不限于此。
所述透明导电膜可包含选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)及氧化铟镓锌(IGZO)组成的组中的一种以上。
所述多层膜可包括由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成的多层膜。
本发明的银薄膜蚀刻液组合物可用于形成反射膜用OLED TFT(有机电致发光薄膜晶体管)阵列基板、触摸屏面板用迹线(trace)布线或纳米线(nanowire)布线，但并不限于此，可用于包含所述单层膜和所述多层膜的电子部件材料中。
(A)无机酸
包含在本发明的银薄膜蚀刻液组合物中的所述无机酸为氧化剂，可用于氧化所述银薄膜和所述透明导电。
相对于组合物的总重量，包含1至20重量％的所述无机酸，优选3至15重量％。在包含上述含量范围内的所述无机酸的情况下，不会发生银残渣，能够容易控制蚀刻速度，并且能够均匀地蚀刻所述银薄膜和所述透明导电膜。
所述无机酸可包含选自由硝酸及盐酸组成的组中的一种以上，优选可包含硝酸。
(B)含硫(S)酸
包含在本发明的银薄膜蚀刻液组合物中的所述含硫(S)酸为氧化剂，可用于氧化所述银薄膜和所述透明导电膜。
相对于组合物的总重量，包含1至20重量％的所述含硫酸，优选4至15重量％。在包含上述含量范围内的所述含硫酸的情况下，不会发生银残渣，能够容易控制蚀刻速度，并且能够均匀地蚀刻所述银薄膜和所述透明导电膜。
所述含硫酸选自由硫酸、甲磺酸(Methanesulfonic Acid)及氨基磺酸(SulfamicAcid)组成的组中的一种以上，优选可包含甲磺酸。
(C)不含氮有机酸
包含在本发明的银薄膜蚀刻液组合物中的所述不含氮有机酸是作为辅助氧化剂及Ag再吸附改善剂使用的成分，可用于氧化进行所述银薄膜和所述透明导电膜且抑制Ag再吸附。
相对于组合物的总重量，包含10至70重量％的不含氮有机酸，优选包含20至60重量％。在包含上述含量范围内的所述不含氮有机酸的情况下，能够容易控制蚀刻速度并均匀地蚀刻所述银薄膜和所述透明导电膜，能够抑制Ag再吸附。
所述不含氮有机酸可包含选自由柠檬酸(Citric Acid)、丙二酸(Malonic Acid)、丁酸(butanoic acid)、甲酸(formic acid)、葡萄糖酸(gluconic acid)、乙醇酸(glycolicacid)、戊酸(pentanoic acid)及草酸(oxalic acid)组成的组中的一种以上，优选可包含柠檬酸。
(D)分子内含有一个氢原子的磷酸盐
包含在本发明的银薄膜蚀刻液组合物中的所述分子内含有一个氢原子的磷酸盐旨在提高处理张数及改善侧蚀(Side Etch，S/E)，能够在所述银薄膜的氧化时，起到恒定地维持随累积处理张数增加而变动的S/E的作用。
相对于组合物的总重量，包含5至30重量％的所述分子内含有一个氢原子的磷酸盐，优选包含10至25重量％。在所述分子内含有一个氢原子的磷酸盐的含量小于5重量％的情况下，银蚀刻速度降低并随累积处理张数增加而S/E逐渐减少，在所述分子内含有一个氢原子的磷酸盐的含量大于30重量％的情况下，因使得蚀刻速度加速而发生过蚀刻现象并S/E逐渐增加，在包含上述含量范围内的所述分子内含有一个氢原子的磷酸盐的情况下，能够恒定地维持随累积处理张数增加而变动的S/E。
所述分子内含有一个氢原子的磷酸盐可包含选自由磷酸二铵((NH4)2HPO4)、磷酸氢二钠(Na2HPO4)及磷酸氢二钾(K2HPO4)组成的组中的一种以上，优选可包含磷酸二铵((NH4)2HPO4)。
(E)水
包含在本发明的银薄膜蚀刻液组合物中的所述水可以是用于半导体工艺的脱离子水，优选可使用18MΩ/cm以上的所述脱离子水。
所述水的含量可以是使组合物的总重量成为100重量％的余量。
此外，本发明提供一种利用根据本发明的银薄膜蚀刻液组合物的蚀刻方法。
所述蚀刻方法包括以下步骤：i)在基板上形成由银或银合金制成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜；ii)在所述单层膜或所述多层膜上选择性地残留光反应物质；以及iii)使用根据本发明的银薄膜蚀刻液组合物来对所述单层膜或所述多层膜进行蚀刻。
此外，本发明提供一种利用根据本发明的银薄膜蚀刻液组合物形成金属图案的方法。
所述形成金属图案的方法包括以下步骤：i)在基板上形成由银或银合金制成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜；以及ii)使用根据本发明的银薄膜蚀刻液组合物来对所述单层膜或所述多层膜进行蚀刻。
下面，通过实施例对本发明进行更详细说明。但是，下述实施例用于更具体地说明本发明，本发明的范围并非由下述实施例来限定。本发明的范围呈现在权利要求书中，尤其包含与权利要求书的记载等同的含义及范围内的所有变更。此外，在没有特别提及的情况下，在以下的实施例及比较例中表示含量的“％”及“份”为质量标准。
制备根据实施例1至6及比较例1至10的银薄膜蚀刻液组合物
参照下述[表1](单位：重量％)，制备根据实施例1至6及比较例1至10的银薄膜蚀刻液组合物。
[表1]
Figure BDA0001882148080000081
试验例1：测量侧蚀
在基板上形成ITO/银/ITO的三重膜之后，在所述三重膜上进行光致抗蚀剂的图案化。向喷射式蚀刻方式的实验设备(型号名称:ETCHER(TFT),SEMES公司)内分别加入实施例及比较例的银薄膜蚀刻液组合物，并将温度设定为40℃之后进行升温，然后当温度达到40±0.1℃时，对所述基板执行80秒钟的蚀刻工序，并利用脱离子水进行清洗之后，利用热风干燥装置来进行干燥。
在清洗及干燥之后切断所述基板并利用电子扫描显微镜(SEM；型号名称：SU-8010,日立公司制造)来测量截面。作为侧蚀距离测量基准，测量从光致抗蚀剂的末端部分起蚀刻金属并进入到内侧的宽度，并且以下述基准进行评价，将该结果示于下述[表2]。
<侧蚀距离测量评价基准>
○：良好(S/E小于0.50μm)
×：不良(S/E为0.50μm以上及未蚀刻(unetch))
试验例2：测量银(Ag)再吸附
在基板上形成ITO/银/ITO的三重膜之后，在所述三重膜上进行光致抗蚀剂的图案化。向喷射式蚀刻方式的实验设备(型号名称:ETCHER(TFT),SEMES公司)内分别加入实施例及比较例的银薄膜蚀刻液组合物，并将温度设定为40℃之后进行升温，然后当温度达到40±0.1℃时，对所述基板执行80秒钟的蚀刻工序，并利用脱离子水进行清洗之后，利用热风干燥装置来进行干燥。
在利用光致抗蚀剂剥离机(PR stripper)来从所述基板中去除光致抗蚀剂之后，切断所述基板，并利用电子扫描显微镜(SEM；型号名称：SU-8010,日立公司制造)来测量该基板的截面。测量因所述蚀刻工序而在所述基板内暴露的S/D部的Ti/Al/Ti三重膜的上部Ti上所吸附的银粒子数量，并且以下述基准进行评价，将结果示于下述[表2]。
<银再吸附评价基准>
○：优良(小于75个)
×：不良(75个以上)
[表2]
Figure BDA0001882148080000101
可知在使用根据实施例的银薄膜蚀刻液组合物来执行蚀刻工序的情况下，即使累积处理张数增加也能够均匀地维持S/E，并且不会发生Ag再吸附问题。
相反，可知在使用根据比较例的银薄膜蚀刻液组合物来执行蚀刻工序的情况下，随累积处理张数的增加而所发生的S/E变动较大，并且发生Ag再吸附问题。
如此，可知在使用根据本发明的银薄膜蚀刻液组合物来执行蚀刻工序的情况下，即使累积处理张数增加也容易均匀地维持S/E，并且不会发生Ag再吸附问题。

Claims (7)

1.一种银薄膜蚀刻液组合物，包含：
无机酸；
含硫酸；
不含氮有机酸；
分子内含有一个氢原子的磷酸盐；以及
水，
其中，所述无机酸包括硝酸，所述含硫酸选自由硫酸、甲磺酸及氨基磺酸组成的组中的一种以上，所述不含氮有机酸包括选自由柠檬酸及丙二酸组成的组中的一种以上，且所述分子内含有一个氢原子的磷酸盐包括选自由磷酸二铵、磷酸氢二钠及磷酸氢二钾组成的组中的一种以上。
2.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其中，
相对于组合物的总重量，包含：
1重量％至20重量％的所述无机酸；
1重量％至20重量％的所述含硫酸；
10重量％至70重量％的所述不含氮有机酸；
5重量％至30重量％的所述分子内含有一个氢原子的磷酸盐；以及
余量的所述水。
3.根据权利要求1所述的银薄膜蚀刻液组合物，其中，
所述银薄膜蚀刻液组合物能够同时蚀刻由银或银合金制成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜。
4.根据权利要求3所述的银薄膜蚀刻液组合物，其中，
所述透明导电膜为选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌及氧化铟镓锌组成的组中的一种以上。
5.根据权利要求3所述的银薄膜蚀刻液组合物，其中，
所述多层膜包括由透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或透明导电膜/银合金/透明导电膜形成的多层膜。
6.一种蚀刻方法，包括以下步骤：
在基板上形成由银或银合金制成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜；
在所述单层膜或所述多层膜上选择性地残留光反应物质；以及
使用根据权利要求1所述的组合物来对所述单层膜或所述多层膜进行蚀刻。
7.一种形成金属图案的方法，包括以下步骤：
在基板上形成由银或银合金制成的单层膜或由所述单层膜和透明导电膜构成的多层膜；以及
使用根据权利要求1所述的组合物来对所述单层膜或所述多层膜进行蚀刻。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101139713A (zh) * 2006-09-07 2008-03-12 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 蚀刻液以及使用此蚀刻液的图案化导电层的制造方法
KR20140063283A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 동우 화인켐 주식회사 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법
CN105887091A (zh) * 2015-02-16 2016-08-24 东友精细化工有限公司 用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法
CN105951101A (zh) * 2015-03-09 2016-09-21 东友精细化工有限公司 含银薄膜的蚀刻液组合物和使用了其的显示装置用阵列基板的制造方法
CN106011861A (zh) * 2015-03-26 2016-10-12 东友精细化工有限公司 用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物和用其制造显示装置的阵列基板的方法
CN106170869A (zh) * 2014-03-07 2016-11-30 H.C.施塔克公司 用于电子装置中的金属化的蚀刻化学成份
CN106504987A (zh) * 2015-08-31 2017-03-15 东友精细化工有限公司 用于银层的蚀刻溶液组合物、使用其制作金属图案的方法和制作显示基板的方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI378989B (en) * 2006-09-01 2012-12-11 Taiwan Tft Lcd Ass Etchant for patterning composite layer and method of fabricating thin film transistor using the same
KR101323458B1 (ko) 2007-06-15 2013-10-29 동우 화인켐 주식회사 은 식각액 조성물

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101139713A (zh) * 2006-09-07 2008-03-12 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会 蚀刻液以及使用此蚀刻液的图案化导电层的制造方法
KR20140063283A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 동우 화인켐 주식회사 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법
CN106170869A (zh) * 2014-03-07 2016-11-30 H.C.施塔克公司 用于电子装置中的金属化的蚀刻化学成份
CN105887091A (zh) * 2015-02-16 2016-08-24 东友精细化工有限公司 用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法
CN105951101A (zh) * 2015-03-09 2016-09-21 东友精细化工有限公司 含银薄膜的蚀刻液组合物和使用了其的显示装置用阵列基板的制造方法
CN106011861A (zh) * 2015-03-26 2016-10-12 东友精细化工有限公司 用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物和用其制造显示装置的阵列基板的方法
CN106504987A (zh) * 2015-08-31 2017-03-15 东友精细化工有限公司 用于银层的蚀刻溶液组合物、使用其制作金属图案的方法和制作显示基板的方法

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