CN105951101A - 含银薄膜的蚀刻液组合物和使用了其的显示装置用阵列基板的制造方法 - Google Patents

含银薄膜的蚀刻液组合物和使用了其的显示装置用阵列基板的制造方法 Download PDF

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CN105951101A CN201610102113.1A CN201610102113A CN105951101A CN 105951101 A CN105951101 A CN 105951101A CN 201610102113 A CN201610102113 A CN 201610102113A CN 105951101 A CN105951101 A CN 105951101A
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Abstract

本发明涉及包含磷酸、硝酸、醋酸、磷酸盐、硝酸盐和/或醋酸盐、和脱离子水的含银薄膜的蚀刻液组合物、使用了其的显示装置用阵列基板的制造方法。

Description

含银薄膜的蚀刻液组合物和使用了其的显示装置用阵列基板 的制造方法
技术领域
本发明涉及含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物和使用了其的显示装置用阵列基板的制造方法。
背景技术
随着进入真正的信息化时代，对大量的信息进行处理和显示的显示器领域急速地发展，相应地开发了多种平板显示器而受到关注。
作为这样的平板显示装置的例子，可列举液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay device：LCD)、等离子体显示装置(Plasma Display Panel device：PDP)、场致发射显示装置(Field Emission Display device：FED)、有机发光元件(Organic LightEmitting Diodes：OLED)等。
特别地，OLED由于由元件自身发光，同时即使用低电压也能够驱动，因此不仅已迅速地应用于便携设备等的小型显示器市场，而且根据向显示器的大画面化的趋势，目前正在进行向大型电视机等的商用化。伴随显示器的大画面化，配线等延长，配线电阻增加，因此要求降低电阻、可以实现显示装置的大型化和高分辨率的方法。
为了解决电阻的增加引起的信号延迟等的问题，有必要用具有尽可能低的比电阻的材料形成所述配线。作为这样的努力的一环，致力于将具有比其他金属低的比电阻和高的亮度、电导率的银(Ag：比电阻约1.59μΩcm)膜、银合金膜、或包含银膜、银合金膜的多层膜应用于滤色器的电极、配线和反射膜等、用于实现平板显示装置的大型化以及高分辨率和低电力消耗等的努力，要求用于应用于这样的材料的蚀刻液。
将含银(Ag)薄膜蒸镀于基板的情况下，为了将其形成图案、蚀刻，使用以往的蚀刻液的情况下，有时产生蚀刻不良、残渣产生、工序时间延长等问题。另外，与其相反，将银(Ag)过度地蚀刻，不均一地蚀刻，发生配线浮起或剥离现象，配线的侧面轮廓可变得不良。因此，要求开发能够解决这样的问题的新的蚀刻液。
发明内容
发明所要解决的课题
本发明为了解决所述的问题而完成，目的在于提供将银(Ag)或银合金的单一膜、或者包含所述单一膜和透明导电膜的多层膜蚀刻时极限尺寸偏差(CD bias)优异、不存在下部数据配线的损伤和残渣的产生、显示均一的蚀刻特性的蚀刻液组合物。
另外，本发明的目的在于提供使用所述蚀刻液组合物制造OLED、LCD等的显示装置用阵列基板的方法。
用于解决课题的手段
为了实现所述的目的，本发明提供含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物的总重量，包含：
磷酸(A)40～60重量％；
硝酸(B)3～8重量％；
醋酸(C)5～20重量％；
磷酸盐(D)0.1～3重量％；
选自硝酸盐(E)0.1～3重量％和醋酸盐(F)0.1～3重量％中的1种以上的盐；和
脱离子水(G)余量。
另外，本发明提供显示装置用阵列基板的制造方法，该显示装置用阵列基板的制造方法包括：
a)在基板上形成栅极配线的步骤、
b)在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤、
c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤、
d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤、
e)形成与所述漏电极连接的像素电极或反射膜的步骤，
其特征在于，所述e)步骤包含在基板上形成含银(Ag)薄膜，用本发明的含银薄膜的蚀刻液组合物蚀刻，形成像素电极或反射膜的步骤。
进而，本发明提供用所述含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物蚀刻了的配线。
发明的效果
本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物通过包含磷酸、硝酸、醋酸、磷酸盐、硝酸盐和/或醋酸盐、和脱离子水，能够提供在将含银(Ag)薄膜蚀刻时极限尺寸偏差(CD bias)优异、不存在下部配线的损伤和蚀刻残渣的产生、具有均一的蚀刻特性、蚀刻速度的控制容易的蚀刻液组合物。
另外，本发明能够提供使用所述蚀刻液组合物制造显示装置用阵列基板的方法。
附图说明
图1为用蚀刻液蚀刻时用于说明极限尺寸偏差(CD bias：光致抗蚀剂宽度-配线宽度、宽度差)的SEM照片。
图2为用蚀刻液蚀刻后测定了银(Ag)残渣产生的有/无的SEM照片。
图3为用蚀刻液蚀刻后测定了银(Ag)再吸附发生的有/无的SEM照片。
图4为蚀刻液的蚀刻速度的评价中为了说明纵向的蚀刻速度而示出的图。
具体实施方式
本发明人为了提供对于含银(Ag)薄膜具有优异的蚀刻特性、不产生残渣和再吸附、蚀刻控制优异、不发生过剩的蚀刻的蚀刻液组合物，反复锐意努力，结果作为包含磷酸、硝酸、醋酸作为酸、包含磷酸盐、硝酸盐和/或醋酸盐等的蚀刻液组合物完成了本发明。
本发明涉及含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物的总重量，包含：
磷酸(A)40～60重量％；
硝酸(B)3～8重量％；
醋酸(C)5～20重量％；
磷酸盐(D)0.1～3重量％；
选自硝酸盐(E)0.1～3重量％和醋酸盐(F)0.1～3重量％中的1种以上的盐；和
脱离子水(G)余量。
所述含银(Ag)薄膜是在膜的构成成分中包含银(Ag)、包括单一膜和二重膜以上的多层膜的概念。所述含银(Ag)薄膜可列举由银(Ag)或银合金构成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜等，但并不限定于此。
所述透明导电膜一般地是指如IZO和a-ITO那样具有在可见光区域中透射率为约90％以上、电阻率为1×10-4Ωcm以下的特性的透明导电膜。为了透明导电膜为透明，一般地传导电子必须少，为了电导率变大，传导电子必须多。即，透明导电膜的情况下，必须满足这样相反的2个条件。
在将IZO和ITO蒸镀的方法中，一般地使用溅射(Sputtering)方法，与CVD(Chemical Vapor Deposition)方法相比，调节蒸镀条件容易。另外，使用大型的基板制造的情况下，具有实现薄膜的厚度和薄膜特性的均一化容易的优点。采用溅射方法制造的情况下，存在使用氧化物靶或合金靶(alloy target)的2种方法，使用合金靶的情况下，具有蒸镀速度快、靶寿命也长得很、可以实现靶制造的容易性和再利用的优点，但具有显示对于工序变数敏感的特性变化的缺点。如果使用氧化物靶，能够具有再现性地控制薄膜的化学计量比，但与合金靶相比，具有蒸镀速度慢、蒸镀中途可在靶中产生物理的龟裂、在靶中产生电弧的缺点。
采用溅射方法蒸镀铟-主成分系氧化物的情况下，与O2反应，具有In2O3的形态，为了提高电导率，作为掺杂剂，能够使用Ga、Ge、Si、Ti、Sb、Zr、Sn、和Zn等。本发明中的IZO和ITO分别意味着将In2O3与ZnO、In2O3与SnO2以适当比率混合的透明导电膜氧化物。
以下对构成本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物的各成分进行说明。但是，本发明并不限定于这些成分。
(A)磷酸
本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物中所含的磷酸(H3PO4)是作为主氧化剂使用的成分，作为一例，起到将透明导电膜/银(Ag)/透明导电膜等这样的含银薄膜氧化而湿式蚀刻的作用。
所述磷酸相对于本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物的总重量，可含有40～60重量％，更优选地可含有50～60重量％。以不到40重量％含有所述磷酸的情况下，有时引起银的蚀刻速度的下降和银残渣的产生导致的不良。相反，超过60重量％含有的情况下，有时带来透明导电膜的蚀刻速度的下降，而银的蚀刻速度过度地加速。因此，将其应用于银或银合金和透明导电膜的多层膜的情况下，由于上下部透明导电膜的尖端(Tip)的产生或过剩的蚀刻现象的产生，在后续工序中可诱发问题而不希望。
(B)硝酸
本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物中所含的硝酸(HNO3)是作为辅助氧化剂使用的成分，作为一例，起到将透明导电膜/银(Ag)/透明导电膜等这样的含银薄膜氧化而湿式蚀刻的作用。
所述硝酸(B)相对于本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物的总重量，可含有3～8重量％，更优选地可含有5～7重量％。所述硝酸的含量不到3重量％的情况下，发生银(Ag)、银合金(silver alloy)、或透明导电膜的蚀刻速度的下降，由此基板内的蚀刻均一性(uniformity)变得不良，因此发生洇渗。所述硝酸的含量超过8重量％的情况下，使上下部透明导电膜的蚀刻速度加速化，由于过剩的蚀刻的发生，有时在后续工序中产生问题。
(C)醋酸
本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物中所含的醋酸(CH3COOH)是作为辅助氧化剂使用的成分，作为一例，起到将透明导电膜/银(Ag)/透明导电膜等含银薄膜氧化而湿式蚀刻的作用。
所述醋酸相对于本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物的总重量，可以含有5～20重量％，更优选地可含有5～15重量％。所述醋酸的含量不到5重量％的情况下，存在由于基板内的蚀刻速度的不均一而发生洇渗的问题。相反，含量超过20重量％的情况下，发生泡的产生，这样的泡在基板内存在的情况下，有时无法进行完全的蚀刻，在后续工序中引起问题。
(D)磷酸盐
本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物中所含的磷酸盐使湿式蚀刻时对于薄膜的极限尺寸偏差(CD Bias)减小，调整蚀刻速度以致蚀刻均一地进行。作为所述磷酸盐的具体例，可列举磷酸二氢钠(NaH2PO4)、磷酸氢二钠(Na2HPO4)、磷酸三钠(Na3PO4)、磷酸二氢钾(KH2PO4)、磷酸氢二钾(K2HPO4)、磷酸二氢铵((NH4)H2PO4)、磷酸氢二铵((NH4)2HPO4)、和磷酸铵((NH4)3PO4)等，但并不限定于这些，能够使用从这些中选择的1种以上。
所述磷酸盐相对于本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物的总重量，可以含有0.1～3重量％，更优选地可以含有0.5～2重量％。所述磷酸盐的含量不到0.1重量％的情况下，有时基板内的蚀刻均一性(uniformity)降低，银残渣产生。相反，含量超过3重量％的情况下，蚀刻速度降低，不能实现所期望的蚀刻速度，由此有时工序时间延长等工序效率降低。
(E)硝酸盐
本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物中所含的硝酸盐起到如下的作用：防止蚀刻后产生的银离子(Ag+)或胶体形态的银在不希望的位置再吸附、产生暗点不良或配线间的不必要的连接而发生电气短路(短路)。作为所述硝酸盐的具体例，可列举硝酸钾(KNO3)、硝酸钠(NaNO3)、和硝酸铵(NH4NO3)等，但并不限定于这些，能够使用从这些中选择的1种以上。
所述硝酸盐，相对于本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物的总重量，可含有0.1～3重量％，更优选地可含有0.5～2重量％。所述硝酸盐的含量不到0.1重量％的情况下，不能很好地发挥防止基板内的银的再吸附的作用，超过3重量％的情况下，蚀刻速度降低，不能实现所期望的蚀刻速度，有时由于银残渣的产生在后续工序中诱发问题。
(F)醋酸盐
本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物中所含的醋酸盐(F)发挥如下的作用：在与显示装置的高分辨率相伴的配线、像素电极或反射膜的微细图案化时(为了在同一区域中纳入大量的像素，配线的宽度和大小变小的现象)，由于蚀刻量的减少，防止配线的流失。所述醋酸盐通过不仅使银或银合金的蚀刻量减少，而且使透明导电膜的蚀刻量减少，从而在多重膜中能够获得更优异的蚀刻减少效果。
另外，发挥如下的作用：随着由于蚀刻液组合物的使用时间的经过而使磷酸(A)浓缩，相对于蚀刻液组合物的总重量的磷酸的重量％可增加，防止因此而发生的配线、像素电极或反射膜的流失。
本发明的含银薄膜的蚀刻液组合物中所含的醋酸盐，作为具体例，可列举醋酸钾(CH3COOK)、醋酸钠(CH3COONa)和醋酸铵(CH3COONH4)等，但并不限定于这些，可以从这些中选择1种以上而使用。
所述醋酸盐(F)，相对于本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物的总重量，可以含有0.1～3重量％，更优选地可含有0.5～2重量％。所述醋酸盐的含量不到0.1重量％的情况下，蚀刻效果很小，不能很好地起到使蚀刻量减少的作用，超过3重量％的情况下，蚀刻速度降低，不能实现所期望的蚀刻速度，由于银残渣的产生，有时在后续工序中诱发问题。
(G)脱离子水
对本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物中所含的脱离子水并无特别限定，作为半导体工序用，优选使用比电阻值为18MΩ/cm以上的脱离子水。
所述脱离子水，相对于本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物合计100重量％，作为余量含有。
本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物除了所述提及的成分以外，可以追加地包含选自蚀刻调节剂、表面活性剂、金属离子封闭剂、防腐蚀剂、pH调节剂、和并不限于此的其他的添加剂中的1种以上。所述添加剂为了在本发明的范围内使本发明的效果更为良好，能够从本领域中通常使用的添加剂中选择使用。
另外，构成本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物的成分优选具有半导体工序用的纯度。
应用本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物的含银(Ag)薄膜在膜的构成成分中含有银(Ag)，可列举银(Ag)或银合金的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜等，但并不限定于此。
对所述含银薄膜并无特别限定，作为具体例，可列举银(Ag)膜、以银作为主成分、包含选自钕(Nd)、铜(Cu)、钯(Pd)、铌(Nb)、镍(Ni)、钼(Mo)、铬(Cr)、镁(Mg)、钨(W)、镤(Pa)、和钛(Ti)等中的1种以上的金属的银合金膜、银的氮化物、银的硅化物、银的碳化物、或银的氧化物等的单一膜；由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜；等。
作为所述透明导电膜的具体例，可列举氧化锡铟(ITO)、氧化锌铟(IZO)、氧化锡锌铟(ITZO)、或氧化镓锌铟(IGZO)等，但并不限定于这些。
作为所述多层膜的更具体的例子，可列举透明导电膜/银(Ag)或透明导电膜/银合金(silver alloy)等的二重膜、透明导电膜/银(Ag)/透明导电膜或透明导电膜/银合金/透明导电膜等的三重膜等，但并不限定于此。
另外，本发明涉及含银薄膜的蚀刻方法，其包括：
(1)在基板上形成含银(Ag)薄膜的步骤、
(2)在所述含银薄膜上选择性地使光反应物质残留的步骤、和
(3)使用所述本发明的含银薄膜的蚀刻液组合物将所述含银薄膜蚀刻的步骤。
本发明的蚀刻方法中，所述光反应物质优选为通常的光致抗蚀剂物质，可通过通常的曝光和显影工序选择性地使其残留。
进而，本发明提供显示装置用阵列基板的制造方法，该显示装置用阵列基板的制造方法包括：
a)在基板上形成栅极配线的步骤、
b)在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤、
c)在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤、
d)在所述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极的步骤、
e)形成与所述漏电极连接的像素电极或反射膜的步骤，
其特征在于，所述e)步骤包含在基板上形成含银(Ag)薄膜，用本发明的含银薄膜的蚀刻液组合物蚀刻，形成像素电极或反射膜的步骤。
所述显示装置可以是有机发光元件(OLED)或液晶显示装置(LCD)，所述显示装置用阵列基板可以是薄膜晶体管(TFT)阵列基板。
所述含银薄膜可以是银(Ag)或银合金的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜，所述银合金为以银(Ag)作为主成分、包含钕(Nd)、铜(Cu)、钯(Pd)、铌(Nb)、镍(Ni)、钼(Mo)、铬(Cr)、镁(Mg)、钨(W)、镤(Pa)、或钛(Ti)等其他金属的合金形态，或者可以是银的氮化物、银的硅化物、银的碳化物、或银的氧化物等的形态。
所述透明导电膜可列举氧化锡铟(ITO)、氧化锌铟(IZO)、氧化锡锌铟(ITZO)、或氧化镓锌铟(IGZO)等，但并不限定于这些。
即，用所述显示装置用阵列基板的制造方法制造的显示装置用阵列基板也包含在本发明的范围内。此时，所述显示装置可以是有机发光元件(OLED)或液晶显示装置(LCD)，但并不限定于此。
另外，本发明能够提供使用本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物蚀刻的配线。
更详细地说，所述配线可以是触摸屏面板(Touch Screen Panel、TSP)中读取主要在X、Y坐标传感的信号的示踪(Trace)配线或柔性用银纳米线配线。
所述配线可以是由银(Ag)或银合金构成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜。关于所述银合金的单一膜、由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜的内容，可同样地应用对于含银(Ag)薄膜所述的内容。
本发明的含银薄膜的蚀刻液组合物能够在显示装置(OLED、LCD等)的制造时在作为配线和反射膜使用的由银(Ag)或银合金构成的单一膜、和由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜的蚀刻中使用。另外，触摸屏面板的配线形成时，能够在蚀刻中使用。即，本发明的含银薄膜的蚀刻液组合物可以多样地应用于OLED、LCD、TSP等的制造。
以下使用实施例对本发明更详细地说明。但是，下述的实施例用于对本发明进行例示，本发明并不受下述的实施例限定，可以进行各种修正和变形。本发明的范围由后述的专利权利要求的技术思想确定。
＜实施例和比较例＞蚀刻液组合物的制造
以下述表1中所示的组成和含量制造了实施例1～14和比较例1～12的蚀刻液组合物。
【表1】
(重量％)
＜实验例＞蚀刻液组合物的性能试验
在基板上蒸镀有机绝缘膜，在其上蒸镀ITO/Ag/ITO的三重膜，将其使用金刚石刀切割为500X600mm，准备试验片。
使用所述实施例1～14和比较例1～12的蚀刻液组合物，进行了下述的性能试验。
实验例1.极限尺寸偏差(CD bias)的测定
在喷射式蚀刻方式的实验装备(模型名：ETCHER、K.C.Tech社)内分别装入所述实施例1～14和比较例1～12的银蚀刻液组合物，将温度设定为40℃，加热后，温度到达40±0.1℃时，进行了所述试验片的蚀刻工序。总蚀刻时间设为100秒而实施。
装入基板，开始喷射，成为100秒的蚀刻时间，则取出，用脱离子水清洗后，使用热风干燥装置干燥。清洗和干燥后，将基板切断，对断面使用电子扫描显微镜(SEM；模型名：SU－8010、HITACHI社制造)测定。作为极限尺寸偏差的测定标准，由光致抗蚀剂两端部分的宽度测定配线的宽度之差(图1)，用下述的标准评价，将结果示于下述表2中。
＜评价标准＞
不到0.5μm：优秀
0.5～1.0μm：良好
超过1.0μm：不良
实验例2.残渣的测定
在喷射式蚀刻方式的实验装备(模型名：ETCHER、K.C.Tech社)内分别装入所述实施例1～14和比较例1～12的银蚀刻液组合物，将温度设定为40℃，加热后，温度到达40±0.1℃时，进行了所述试验片的蚀刻工序。总蚀刻时间设为100秒而实施。
装入基板，开始喷射，成为100秒的蚀刻时间，则取出，用脱离子水清洗后，使用热风干燥装置干燥，使用光致抗蚀剂剥离机(PR stripper)将光致抗蚀剂除去。清洗和干燥后，使用电子扫描显微镜(SEM；模型名：SU－8010、HITACHI社制造)测定在没有被光致抗蚀剂覆盖的部分中银(Ag)没有被蚀刻而残留的现象即残渣，用下述的标准评价，将结果示于下述表2中。
＜残渣的评价标准＞
无残渣：无
残渣产生：有
实验例3.银再吸附的测定
在喷射式蚀刻方式的实验装备(模型名：ETCHER、K.C.Tech社)内分别装入所述实施例1～14和比较例1～12的银蚀刻液组合物，将温度设定为40℃，加热后，温度到达40±0.1℃时，进行了所述试验片的蚀刻工序。总蚀刻时间设为100秒而实施。
装入基板，开始喷射，成为100秒的蚀刻时间，则取出，用脱离子水清洗后，使用热风干燥装置干燥，使用光致抗蚀剂剥离机(PR stripper)将光致抗蚀剂除去。清洗和干燥后，使用电子扫描显微镜(SEM；模型名：SU－8010、HITACHI社制造)，对于进行了蚀刻后主要在数据配线等的异种金属露出的部分、由于弯曲现象而可产生摩擦的特定部位被蚀刻的银(Ag)吸附的现象通过全面观察进行分析，用下述的标准评价，将其结果示于下述表2中。
＜再吸附的评价标准＞
无再吸附：无
再吸附发生：有
实验例4.蚀刻速度的测定
在喷射式蚀刻方式的实验装备(模型名：ETCHER(TFT)、K.C.Tech社)内分别装入所述实施例1～14和比较例1～12的银蚀刻液组合物，将温度设定为40℃，加热后，温度到达40±0.1℃时，进行了所述试验片的蚀刻工序。总蚀刻时间设为100秒而实施。
用肉眼测定端点检测(End Point Detection、EPD)，得到了对应于时间的蚀刻速度(E/R、Etch Rate)，蚀刻速度只用纵向的蚀刻速度评价(图4)。将进行了蚀刻的金属膜的厚度除以EPD，能够求出每秒(时间)的(厚度)(/sec)的蚀刻速度，用下述的标准评价，将结果示于下述表2中。
＜蚀刻速度的评价标准＞
不到/sec：不良
/sec～不到/sec：良好
/sec以上：优秀
【表2】
如通过所述表2的结果可知那样，作为本发明的含银(Ag)薄膜的蚀刻液组合物的实施例1～14在极限尺寸偏差(CD bias)、蚀刻速度的评价结果中显示优秀或良好的结果，确认了没有发生银残渣和再吸附现象。
相反，比较例1～12在极限尺寸偏差、蚀刻速度、银残渣产生、再吸附发生的评价结果中，确认了在1个以上的评价中显示不良或不适合的评价结果。

Claims (9)

1.含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物的总重量，包含：
磷酸40～60重量％；
硝酸3～8重量％；
醋酸5～20重量％；
磷酸盐0.1～3重量％；
选自硝酸盐0.1～3重量％和醋酸盐0.1～3重量％中的1种以上的盐；和
脱离子水余量。
2.根据权利要求1所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，含银薄膜的蚀刻液组合物能够蚀刻由银或银合金组成的单一膜、或者由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜。
3.根据权利要求2所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述透明导电膜为选自氧化锡铟、氧化锌铟、氧化锡锌铟和氧化镓锌铟中的1种以上。
4.根据权利要求2所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述由单一膜和透明导电膜构成的多层膜为透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜、或透明导电膜/银合金/透明导电膜。
5.根据权利要求2所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述银合金包含银和选自钕、铜、钯、铌、镍、钼、铬、镁、钨、镤和钛中的1种以上。
6.根据权利要求1所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述磷酸盐为选自磷酸二氢钠、磷酸氢二钠、磷酸三钠、磷酸二氢钾、磷酸氢二钾、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵和磷酸铵中的1种以上。
7.根据权利要求1所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述硝酸盐为选自硝酸钾、硝酸钠和硝酸铵中的1种以上。
8.根据权利要求1所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述醋酸盐为选自醋酸钾、醋酸钠和醋酸铵中的1种以上。
9.显示装置用阵列基板的制造方法，该显示装置用阵列基板的制造方法包括：
a)在基板上形成栅极配线的步骤，
b)在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤，
c)在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，
d)在所述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极的步骤，
e)形成与所述漏电极连接的像素电极或反射膜的步骤，
其特征在于，所述e)步骤包含在基板上形成含银薄膜，用根据权利要求1所述的含银薄膜的蚀刻液组合物蚀刻，形成像素电极或反射膜的步骤。
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