KR102421116B1 - 식각액 조성물 및 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법 - Google Patents

식각액 조성물 및 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102421116B1
KR102421116B1 KR1020170079346A KR20170079346A KR102421116B1 KR 102421116 B1 KR102421116 B1 KR 102421116B1 KR 1020170079346 A KR1020170079346 A KR 1020170079346A KR 20170079346 A KR20170079346 A KR 20170079346A KR 102421116 B1 KR102421116 B1 KR 102421116B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
acid
etchant composition
silver
compound
etching
Prior art date
Application number
KR1020170079346A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190000428A (ko
Inventor
박종희
김진석
이봉원
김상우
박일용
원봉연
이대우
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
주식회사 동진쎄미켐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사, 주식회사 동진쎄미켐 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170079346A priority Critical patent/KR102421116B1/ko
Priority to US15/970,980 priority patent/US20180371625A1/en
Priority to CN201810637712.2A priority patent/CN109112543B/zh
Publication of KR20190000428A publication Critical patent/KR20190000428A/ko
Priority to US16/854,342 priority patent/US11384437B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102421116B1 publication Critical patent/KR102421116B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067—Etchants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 조성물 총 중량에 대하여, 유기산 화합물 40 중량% 내지 60 중량%; 글라이콜 화합물 6 중량% 내지 12 중량%; 질산, 황산 및 염산으로부터 선택된 1종 이상의 무기산 화합물 1 중량% 내지 10 중량%; 질산염 화합물 1 중량% 내지 10 중량%; 및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.

Description

식각액 조성물 및 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법{ETCHANT COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING WIRING USING ETCHANT COMPOSITION}
본 발명은 식각액 조성물 및 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법에 관한것이다.
표시장치 중 평판 표시장치(Flat Panel Display Device)는 경량화 및 박형화가 가능하여 각광을 받고 있다. 평판 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device), 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device) 등의 다양한 표시장치를 포함한다. 평판 표시장치는 매트릭스 형태로 배열된 화소들을 포함한다. 평판 표시장치는 화소들의 구동을 위한 다양한 소자들을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판을 포함한다.
박막 트랜지스터 어레이 기판은 게이트 신호를 전송하는 게이트 라인들, 데이터 신호를 전송하는 데이터 라인, 게이트 라인, 및 데이터 라인에 접속된 박막 트랜지스터를 포함한다. 박막 트랜지스터들 각각은 그에 대응하는 게이트 라인으로부터 연장된 게이트 전극, 그에 대응하는 데이터 라인으로부터 연장된 소스 전극, 소스 전극에 마주하는 드레인 전극, 채널역할을 하는 반도체막을 포함하여 스위칭소자로 이용될 수 있다.
상술한 박막 트랜지스터 어레이 기판와 관련된 기술들이 다양하게 개발되고있다. 아울러, 박막 트랜지스터 어레이 기판의 구조가 점차 복잡해짐에 따라, 정밀한 구조를 구현하기 위한 공정의 필요성이 커지고 있다. 예컨대, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 반도체막의 구조를 구현할 수 있는 식각 공정, 그리고 여기에 사용되는 식각액 조성물의 중요성이 커지고 있다.
본 발명은 인산(H3PO4)을 포함하지 않는 인산 프리 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 인산 프리 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법의 제공을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 조성물 총 중량에 대하여, 유기산 화합물 40 내지 60 중량%; 글라이콜 화합물 6 내지 12 중량%; 질산, 황산 및 염산으로부터 선택된 1종 이상의 무기산 화합물 1 내지 10 중량%; 질산염 화합물 1 내지 10 중량%; 및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 킬레이트 화합물 1 내지 5 중량%을 더 포함하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유기산 화합물은 적어도 3종 이상의 서로 다른 유기산을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유기산 화합물은 초산(CH3CO2H), 말산(C4H6O5), 시트르산(C6H8O7), 타르타르산(C4H6O6), 락트산(C3H6O3), 메틸설폰산(CH4O3S), 포름산(CH2O2), 숙신산(C4H6O4), 푸마르산(C4H4O4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상인 것인 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 글라이콜 화합물은 하기 화학식 1의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
Figure 112017060161152-pat00001
Y1 및 Y2는 각각 H 또는 OH-를 나타내며, Y1과 Y2 중 적어도 하나는 OH-이며, X는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며, 상기 알킬기는 불포화 결합을 포함하거나 포함하지 않으며, 상기 알킬기 내 -CH2-는 각각 독립적으로, -H는 할로겐 또는 OH-로 치환될 수 있고 O 원자들이 서로 직접 연결되지 않는 방식으로 -C≡C-, -CF2O-, -CH=CH-, -CO-, -O-, -CO-O-, -O-CO- 또는 -O-CO-O-로 치환될 수 있으며, m은 1 내지 20의 자연수이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 질산염 화합물은 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 암모늄 나이트레이트(NH4NO3), 칼슘 나이트레이트(Ca(NO3)2), 코퍼 나이트레이트(Cu(NO3)2), 인듐 나이트레이트(In(NO3)3), 아이언 나이트레이트(Fe(NO3)3), 리튬 나이트레이트(LiNO3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 실버 나이트레이트(AgNO3), 소듐 나이트레이트(NaNO3) 중에서 선택된 염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 킬레이트 화합물은 시트릭산(C6H8O7), 디에탄올 아민(C4H11NO2), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(C14H23N3O10), 에틸렌디아민테트라아세트산(C10H16N2O8), 에틸렌 디아민(C2H8N2), 이미노디아세트산(C4H7NO4), 에탄올 아민(C2H7NO), 말론산(C3H4O4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막을 포함하는 박막을 식각할 수 있는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막은 인듐산화막을 더 포함하고, 상기 인듐산화막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막은 인듐산화막/은, 인듐산화막/은 합금, 인듐산화막/은/인듐산화막 또는 인듐산화막/은 합금/인듐산화막인 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 은 합금은 은(Ag) 및, 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 주석(Sn), 팔라듐(Pd), 네오디늄(Nd), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판상에 박막을 형성하는 단계; 및 식각액 조성물을 이용하여 임의의 배선 형태로 상기 박막을 식각하는 단계를 포함하고, 상기 식각액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여, 유기산 화합물 40 내지 60 중량%; 글라이콜 화합물 6 내지 12 중량%; 질산, 황산 및 염산으로부터 선택된 1종 이상의 무기산 화합물 1 내지 10 중량%; 질산염 화합물 1 내지 10 중량%; 및 물 잔량을 포함하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막은 인듐산화막을 더 포함하고, 상기 인듐산화막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 은 합금은 은(Ag) 및, 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 주석(Sn), 팔라듐(Pd), 네오디늄(Nd), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막을 식각하는 단계에서, 상기 기판은 0도 내지 60도의 각도를 갖도록 기울여지는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 배선은 표시 장치의 패드부에 포함되는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유기산 화합물은 적어도 3종 이상의 서로 다른 유기산을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유기산 화합물은 초산(CH3CO2H), 말산(C4H6O5), 시트르산(C6H8O7), 타르타르산(C4H6O6), 락트산(C3H6O3), 메틸설폰산(CH4O3S), 포름산(CH2O2), 숙신산(C4H6O4), 푸마르산(C4H4O4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상인 것인 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막 식각 전에 상기 배선의 형태에 따라 상기 박막 상에 마스크를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막은 은 또는 은 합금으로 이루어진 제1 층; 및 상기 제1 층 상부 또는 하부에 제공되며, 인듐 산화물을 포함하는 제2 층을 적어도 하나 갖고, 상기 배선 형성 방법은 상기 제2 층을 식각하기 위한 식각 공정을 더 포함하고, 상기 인산 프리 식각액 조성물은 상기 제1 층을 식각하고, 상기 제2 층을 식각하기 위한 식각액은 상기 인산 프리 식각액 조성물과 상이한 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 층을 식각하기 위한 식각액은 상기 제1 층을 식각하지 않고, 상기 인산 프리 식각액 조성물은 상기 제2 층을 식각하지 않는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 인산(H3PO4)을 포함하지 않는 식각액 조성물이 제공될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 배선 형성 방법에 따르면, 복잡한 구조의 배선을 형성할 수 있으며 배선 형성 과정에서 발생하는 금속 입자에 의한 배선 단락의 문제가 없다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배선을 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1에 따른 배선을 Ⅰ-Ⅰ'로 절단한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 배선 형성 방법을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배선 형성 방법 중 박막 식각 단계를 간략하게 나타낸 것이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 어느 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 상(on)에 형성되었다고 할 경우, 상기 형성된 방향은 상부 방향만 한정되지 않으며 측면이나 하부 방향으로 형성된 것을 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 '상면'과 '하면'은 본 발명의 기술적 사상을 이해하기 쉽도록 설명하기 위하여 상대적인 개념으로 사용된 것이다. 따라서, '상면'과 '하면'은 특정한 방향, 위치 또는 구성 요소를 지칭하는 것이 아니고 서로 호환될 수 있다. 예를 들어, '상면'이 '하면'이라고 해석될 수도 있고 '하면'이 '상면'으로 해석될 수도 있다. 따라서, '상면'을 '제1'이라고 표현하고 '하면'을 '제2'라고 표현할 수도 있고, '하면'을 '제1'로 표현하고 '상면을 '제2'라고 표현할 수도 있다. 그러나, 하나의 실시예 내에서는 '상면'과 '하면'이 혼용되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 배선을 도시한 평면도이다. 또한, 도 2는 도 1에 따른 배선을 Ⅰ-Ⅰ'로 절단한 단면도이다.
도 1에 따르면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배선(LP)은 기판(SUB) 상에 임의의 형태로 제공된다. 도 1에 도시된 배선(LP)의 개수 및 형태는 예시적인 것에 불과하다. 따라서, 실제로 배선(LP)은 도 1에 도시된 것보다 많거나 적은 수로 제공될 수 있다. 또한, 배선(LP)의 형태 역시 직선 또는 곡선, 굽은 형태를 가질 수 있으며 기판상에 제공된 배선(LP)의 형태가 모두 동일하지 않을 수도 있다. 도 1에서는 설명의 편의를 위하여 y축 방향으로 직선으로 연장되는 배선(LP)에 대해 설명하고자 한다. 그러나, 배선(LP)의 형태는 전자 기기, 예컨대 표시 장치 내에서 배선(LP)이 수행하는 기능에 따라 달라질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 배선(LP)은 표시 장치의 패드부를 구성할 수 있다. 표시 장치 패드부에는 표시 장치 내의 복수의 화소로부터 이어지는 복수의 배선(LP)이 모일 수 있다. 따라서, 표시 장치 패드부는 복수의 배선(LP)을 포함하는 복잡한 구조일 수 있다. 패드부는 표시 장치 내의 서로 다른 구성 요소를 전기적으로 연결하는 기능을 수행하는 바, 패드부에 포함된 배선(LP)은 안정적인 전기적 연결을 담보할 수 있는 형태인 것이 바람직하다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 안정적인 전기적 연결을 담보할 수 있는 형태로 복잡한 구조의 배선(LP)을 형성할 수 있다.
패드부를 구성하는 배선(LP)은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 또는 다층막을 포함할 수 있다. 이때 은을 포함하는 단일막은 순수하게 은으로 이루어진 경우뿐만 아니라, 은 합금으로 이루어진 경우도 포함한다. 은 합금은 은(Ag) 및, 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 주석(Sn), 팔라듐(Pd), 네오디늄(Nd), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것일 수 있다. 은 합금 내에 포함되는 원소의 종류 및 그 비율은 배선(LP)의 용도에 따라 달라질 수 있다.
다층막은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막과 인듐산화막을 포함할 수 있다. 다층막 내에서 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막과 인듐산화막은 각각 복수 개 존재할 수 있다. 예컨대, 인듐산화막/은/인듐산화막/은 합금으로 구성된 다층막, 인듐산화막/은/인듐산화막으로 구성된 다층막, 인듐산화막/은 합금/인듐산화막으로 구성된 다층막 등이 본 발명의 배선(LP)에 포함될 수 있다.
인듐 산화막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. 인듐산화막의 종류는 배선(LP)의 용도, 인듐 산화막과 함께 제공되는 은 합금의 종류 등에 따라 달라질 수 있다.
은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막과 인듐산화막을 포함하는 다층막은 투명하면서도 우수한 전도성을 갖는다. 인듐산화막/은/인듐산화막으로 구성된 다층막의 경우, 각각의 인듐산화막은 약 50Å 내지 약 500Å의 두께를 가질 수 있다. 또한, 은으로 이루어진 단일막 역시 약 50Å 내지 약 500Å의 두께를 가질 수 있다. 인듐산화막 또는 은으로 이루어진 단일막의 두께가 약 50Å 미만일 경우 충분한 전도성을 확보하지 못할 수 있다. 반면, 상기 단일막의 두께가 약 500Å를 초과할 경우 식각 공정의 효율이 떨어지는 바, 배선(LP) 패터닝이 원활하게 수행되지 않을 수 있다.
식각 방법은 크게 건식 식각(Dry Etching)과 습식 식각(Wet Etching)으로 나눌 수 있다. 건식 식각은 플라즈마 또는 활성화된 기체 등을 이용한 식각 방법을 말한다. 건식 식각의 종류에는 스퍼터링을 이용한 스퍼터 식각, 반응성 이온 식각, 증기상 식각 등이 있다. 습식 식각은 액상 식각액 조성물을 이용한 식각 방법을 말한다. 습식 식각은 액상 식각액 조성물을 식각 대상 위로 분사하거나, 액상 식각액 조성물에 식각 대상을 담지하는 방법 등을 이용하여 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 배선(LP) 제조 방법은 습식 식각 공정을 포함할 수 있다. 그런데, 습식 식각을 수행할 때 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 또는 다층막의 식각 공정에 사용되는 식각액이 상기 단일막 또는 다층막 하부의 금속 전극과 반응할 수가 있다. 특히 패드부의 경우, 금속 전극과 상기 단일막 또는 다층막 사이에 절연막이 제공되지 않기 때문에, 금속 전극과 식각액 조성물이 만날 가능성이 크다. 식각 공정 중 하부 금속 전극과 식각액 조성물이 아예 만나지 않도록 방지하는 것은 어렵다. 따라서 금속 전극과 상기 식각액 조성물간의 불필요한 반응을 방지하기 위해, 금속 전극과의 반응성이 낮은 식각액 조성물을 사용하는 방법을 취할 수 있다.
종래에는 인산(H3PO4)을 포함하는 식각액 조성물을 이용하여 식각 공정을 수행하였다. 그러나, 인산을 포함하는 식각액 조성물은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 또는 다층막의 식각 공정 중 하부 금속 전극과 반응할 수 있다. 이에 EK라 인산을 포함하는 식각액 조성물이 상기 단일막 또는 다층막의 식각 공정에서 금속 전극을 식각할 우려가 있다. 이 경우 금속 전극이 설계와 다른 형태를 갖게 될 수 있으며, 이에 따라 배선(LP)이 원활하게 기능하지 않을 수 있다. 이러한 문제는 특히 배선(LP)이 복잡한 구조를 갖는 패드부에서 빈번하게 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식각액 조성물은 인산(H3PO4)을 포함하지 않는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물이다. 본 발명의 명세서 내에서 인산 프리 식각액 조성물이라는 명칭은 조성물 내에 인산이 포함되지 않는 것을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 유기산 화합물, 글라이콜 화합물, 질산, 황산 및 염산으로부터 선택된 1종 이상의 무기산 화합물, 질산염 화합물, 및 물을 포함한다.
무기산 화합물은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막과 반응하여 상기 단일막을 산화시킨다. 무기산 화합물은 상술한 바와 같이 질산, 황산 및 염산으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다. 질산, 황산, 및 염산 중 2종 이상의 물질을 혼합하여 사용할 경우, 혼합 비율은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막의 종류에 따라 달라질 수 있다. 무기산 화합물은 식각액 조성물에 약 1 중량% 내지 약 10 중량%의 비율로 포함될 수 있다. 무기산 화합물이 식각액 조성물 내에 약 1 중량% 미만으로 포함된 경우 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막의 식각이 충분히 이루어지지 않을 수 있다. 또한, 무기산 화합물이 식각액 조성물 내에 약 10 중량%보다 많이 포함된 경우, 식각 반응이 지나치게 활발히 일어나 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막이 과식각(over-etched)될 수 있다.
아울러, 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 식각액 조성물은 질산, 황산, 및 염산으로부터 선택된 1종의 무기산 화합물을 포함하며, 식각액 조성물 내에 인산은 포함되지 않는다. 인산을 포함하는 식각액 조성물은 상대적으로 점도가 높기 때문에 은 나노 와이어(AgNW)와 같이 나노 크기의 배선을 형성하는 공정에서 사용하기 부적합하기 때문이다. 예컨대, 상온(25℃)에서 인산을 포함하는 식각액 조성물은 약 10cP 이상의 점도를 갖는다. 이렇게 상대적으로 높은 점도를 갖는 식각액 조성물은 기판 또는 박막상에 도포하는 것이 상대적으로 어려울 수 있고, 이에 따라 미세하고 복잡한 패턴을 갖는 배선 형성에는 부적합할 수 있다. 아울러, 인산을 포함하는 식각액 조성물의 점도를 높이기 위하여 공정 온도를 높일 경우 기판 또는 박막에 손상을 줄 수 있다. 인산을 포함하지 않고, 질산, 황산, 및 염산으로부터 선택된 1종의 무기산 화합물을 포함하는 식각액 조성물은 상대적으로 점도가 낮으므로 미세하고 복잡한 패턴을 갖는 배선 형성에 사용하기 적합하다.
유기산 화합물은 무기산 화합물을 보조하여 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막을 식각시킬 수 있다. 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 식각 공정에서 반복적인 식각 공정을 거치면, 식각액 조성물 내 무기산 화합물이 분해되면서 식각 능력이 저하될 수 있다. 따라서, 반복적인 식각 공정에서는 식각액 조성물을 주기적으로 교체해야 한다. 그러나, 식각액 조성물의 빈번한 교체는 공정 비용 증가 및 공정 효율 저하를 야기한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 식각액 조성물 내의 유기산 화합물은 은 또는 은 합금과의 반응에 의한 무기산 화합물의 식각 능력 저하를 방지할 수 있다. 따라서, 유기산 화합물을 포함하는 본 발명에 따른 식각액 조성물은 반복적인 식각 공정에서 사용하기 적합하며, 식각액 조성물의 교체 주기가 늘어남에 따라 공정 비용을 절약할 수 있다.
유기산 화합물은 식각액 조성물에 약 40 내지 약 60 중량%의 비율로 포함될 수 있다. 유기산 화합물이 식각액 조성물에 약 40 중량% 미만으로 포함될 경우, 무기산 화합물 분해 방지 효과 또는 식각 능력 저하 방지 효과를 충분히 얻을 수 없다. 또한, 유기산 화합물이 약 60 중량%를 초과하여 포함되는 경우, 유기산 화합물에 의한 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 식각 반응이 지나치게 활발히 일어나 과식각이 발생할 수 있다.
유기산 화합물은 초산(CH3CO2H), 말산(C4H6O5), 시트르산(C6H8O7), 타르타르산(C4H6O6), 락트산(C3H6O3), 메틸설폰산(CH4O3S), 포름산(CH2O2), 숙신산(C4H6O4), 푸마르산(C4H4O4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상일 수 있다.
또한, 유기산 화합물은 적어도 3종 이상의 서로 다른 유기산을 포함할 수 있다. 이종(異種)의 유기산 화합물을 혼합하여 사용할 경우, 단일 종의 유기산 화합물을 사용하는 경우보다 향상된 식각 능력을 얻을 수 있다. 단일 종의 유기산 화합물의 식각 능력은 유기산 화합물의 농도에 따라 상승하지만, 일정 농도 이상에서는 식각 능력이 수렴하기 때문이다. 따라서, 다양한 종류의 유기산 화합물을 각각 식각 능력 수렴점 이하의 농도를 갖도록 혼합하여 사용할 경우, 식각 능력 수렴점 이상의 농도를 갖는 단일 종 유기산 화합물을 사용하는 경우보다 우수한 식각 능력을 얻을 수 있다. 유기산 화합물 내에 포함되는 유기산의 종류와 그 혼합비는 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막의 조성, 무기산의 종류 등에 따라 달라질 수 있다.
글라이콜 화합물은 식각액 조성물 내에서 유기산 화합물을 활성화하는 기능을 수행할 수 있다. 유기산 화합물은 상온에서 고체상을 갖는 경우가 많다. 습식 식각 공정에서 식각액 조성물은 액상으로 분사되는 바, 유기산 화합물이 식각 공정에서 제 기능을 발휘하기 위해서는 유기산 화합물을 액상 식각액 조성물에 용해하는 것이 중요하다. 글라이콜 화합물은 유기산 화합물이 액상 식각액 조성물에 용해되고 이에 따라 활성화되는 것을 돕는다. 이를 위하여 글라이콜 화합물은 분자 내에 2개 이상의 하이드록시기(-OH)를 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명에서 글라이콜 화합물이라는 명칭은 두 개의 하이드록시기(-OH)를 갖는 물질뿐만 아니라, 3개 이상의 하이드록시기(-OH)를 갖는 물질도 포괄한다. 아울러, 한 개의 하이드록시기와 한 개의 카복실릭기(-COOH)를 포함하는 경우도 본 발명의 글라이콜 화합물에 포함될 수 있다.
글라이콜 화합물은 아래와 같은 화학식 1의 물질을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112017060161152-pat00002
Y1 및 Y2는 각각 H 또는 OH-를 나타내며, Y1과 Y2 중 적어도 하나는 OH-이며, X는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며, 상기 알킬기는 불포화 결합을 포함하거나 포함하지 않으며, 상기 알킬기 내 -CH2-는 각각 독립적으로, -H는 할로겐 또는 OH-로 치환될 수 있고 O 원자들이 서로 직접 연결되지 않는 방식으로 -C≡C-, -CF2O-, -CH=CH-, -CO-, -O-, -CO-O-, -O-CO- 또는 -O-CO-O-로 치환될 수 있으며, m은 1 내지 20의 자연수이다.
상술한 바와 같이 글라이콜 화합물은 분자 내에 2개 이상의 하이드록시기를 갖는 바, 상기 화학식 1에서 Y1과 Y2가 모두 하이드록시기인 경우, Y1과 Y2 중 어느 하나만 하이드록시기이고 X 내 -CH2-의 -H가 OH-로 치환된 경우, Y1과 Y2가 모두 하이드록시기이고 X 내 -CH2-의 -H가 OH-로 치환된 경우 모두 본 발명의 글라이콜 화합물에 포함될 수 있다. 글라이콜 화합물은 예컨대, 디에틸렌 글라이콜(C4H10O3), 에틸렌 글라이콜(H0CH2CH2OH), 글리콜릭산(CH2OHCOOH), 프로필렌 글라이콜(C3H9O2), 트리에틸렌 글라이콜(C6H14O4) 등으로부터 선택된 1종 이상일 수 있다.
글라이콜 화합물은 식각액 조성물 내에 약 6 중량% 내지 약 12 중량%의 비율로 포함될 수 있다. 식각액 조성물 내 글라이콜 화합물이 약 6 중량% 미만으로 포함된 경우, 글라이콜 화합물이 고체 상태의 유기산 화합물을 충분히 활성화하지 못할 수 있다. 또한, 이에 따라 무기산 화합물 분해 방지가 충분히 일어나지 않을 수 있으며, 충분한 식각 능력 확보가 어려울 수 있다. 식각액 조성물 내 글라이콜 화합물이 약 12 중량%를 초과하여 포함된 경우, 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 식각 속도가 지나치게 빨라져 과식각 등의 불량이 발생할 수 있다.
질산염 화합물은 무기산 화합물을 보조하여 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막을 식각하는 한편, 유기산 화합물과 같이 무기산 화합물이 반복적인 식각 공정에서 분해되는 것을 막아준다. 따라서, 질산염 화합물을 포함하는 식각액 조성물은 반복적인 식각 공정에 사용되어도 식각 능력이 보전될 수 있다. 이에 따라 식각액 조성물의 교체 주기가 늘어나고 공정 비용 저감 및 공정 효율 증가를 이룰 수 있다.
질산염 화합물은 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 암모늄 나이트레이트(NH4NO3), 칼슘 나이트레이트(Ca(NO3)2), 코퍼 나이트레이트(Cu(NO3)2), 인듐 나이트레이트(In(NO3)3), 아이언 나이트레이트(Fe(NO3)3), 리튬 나이트레이트(LiNO3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 실버 나이트레이트(AgNO3), 소듐 나이트레이트(NaNO3) 중에서 선택된 염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상을 포함할 수 있다. 식각액 조성물 내에 포함되는 질산염 화합물의 종류는 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막의 조성, 무기산 화합물의 종류 등을 고려하여 결정할 수 있다.
질산염 화합물은 식각액 조성물 내에 약 1 중량% 내지 약 10 중량%의 비율로 포함될 수 있다. 식각액 조성물에 질산염 화합물이 약 1 중량% 미만으로 포함된 경우, 질산염 화합물에 의한 무기산 화합물 억제 효과가 없어 안정성이 크게 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 식각액 조성물은 킬레이트 화합물을 더 포함할 수 있다. 킬레이트 화합물은 은 이온과 배위 결합하여 은 이온이 석출되는 것을 방지한다. 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막을 식각한 후 식각액 조성물 내에는 은 이온(Ag+)이 존재할 수 있다. 은 이온을 포함하는 식각액 조성물이 금속 전극과 만났을 때, 금속 전극 내 포함된 금속의 이온화 경향성에 따라 은이 석출될 수 있다. 예컨대, 금속 전극 내에 알루미늄이 포함된 경우, 아래와 같은 은 석출 반응이 일어날 수 있다.
3Ag+(aq) + Al(s) → 3Ag(s) + Al3+(aq)
은은 상대적으로 이온화 경향성이 작은 원소이기 때문에, 대부분의 금속과 반응했을 때 석출될 수 있다. 식각액 조성물로부터 석출된 은이 배선(LP) 주변에 축적될 경우, 은에 의해 배선(LP)간 단락이 발생할 수 있다.
종래에 인산을 포함하는 식각액 조성물에서 은 이온은 인산염과 결합할 수 있었으며, 이에 따라 은 이온의 석출이 방지되었다. 그러나, 본 발명에 따른 식각액 조성물에는 인산이 포함되지 아니한 바, 은 이온이 배위 결합하지 않고 이온 상태로 식각액 조성물 내에 존재할 수 있다. 식각액 조성물 내 은 이온은 상술한 바와 같이 금속 전극과 만날 수 있고, 이에 따라 배선 내에 은이 석출될 수 있다.
아울러, 식각액 조성물 내 은 이온은 은 입자(Ag(s)) 형태로 석출되지 않는 경우에도 문제를 야기할 수 있다. 예컨대, 식각액 조성물내 은 이온과 무기산 화합물 또는 유기산 화합물이 반응하여 산화 은(AgO)이 만들어질 수 있기 때문이다. 산화 은(AgO) 생성 반응에 의해 무기산 화합물 또는 유기산 화합물은 식각 능력을 잃을 수 있으며, 식각액 조성물 전체의 식각 능력이 저하될 수 있다.
킬레이트 화합물은 은 이온과 배위 결합함으로써, 은이 배선 내에 석출되는 것과 산화 은 생성 반응이 일어나는 것을 방지한다. 구체적으로, 킬레이트 화합물은 분자 내에 비공유 전자쌍을 가지고 있는데, 이들 비공유 전자쌍이 은 이온(Ag+)에 제공됨으로써 은 이온과 킬레이트 화합물은 배위 결합할 수 있다. 킬레이트 화합물은 비공유 전자쌍을 갖는 아민기(-NH3), 카복실릭기(-COOH) 등을 포함할 수 있다. 킬레이트 화합물은 시트릭산(C6H8O7), 디에탄올 아민(C4H11NO2), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(C14H23N3O10), 에틸렌디아민테트라아세트산(C10H16N2O8), 에틸렌 디아민(C2H8N2), 이미노디아세트산(C4H7NO4), 에탄올 아민(C2H7NO), 말론산(C3H4O4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상을 포함할 수 있다.
킬레이트 화합물은 식각액 조성물에 약 1 중량% 내지 약 5 중량%의 비율로 포함될 수 있다. 식각액 조성물 내에 킬레이트 화합물이 약 1 중량% 미만으로 포함되는 경우, 킬레이트 화합물과 은 이온의 배위 결합이 충분히 일어나지 않을 수 있다. 이에 따라, 은 이온이 석출되거나 유기산 화합물 또는 무기산 화합물과 반응하여 식각액 조성물의 식각 능력이 저하될 수 있다. 식각액 조성물 내에 킬레이트 화합물이 약 5 중량%를 초과하여 포함되는 경우, 킬레이트 화합물이 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 표면에 흡착되어 식각 속도가 현저히 저하될 수 있으며 경우에 따라 일부 위치의 단일막에서 식각이 일어나지 않을 수 있다.
식각액 조성물은 상술한 유기산 화합물, 글라이콜 화합물, 무기산 화합물, 질산염 화합물, 및 킬레이트 화합물 외에 잔량의 물을 포함할 수 있다. 식각액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정하지 않으나, 탈이온수를 이용할 수 있다. 탈이온수는 반도체 공정용으로서 비저항값이 18 ㏁/㎝ 이상인 것을 사용할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물은 상기에 언급한 성분들 외에 식각 조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, pH 조절제 및 이에 국한되지 않는 다른 첨가제로부터 선택되는 1종 이상을 추가로 포함할 수 있다. 상기 첨가제는, 본 발명의 범위 내에서 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당해 분야에서 통상적으로 사용하는 첨가제들로부터 선택하여 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 식각액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여, 유기산 화합물 40 중량% 내지 60 중량%; 글라이콜 화합물 6 중량% 내지 12 중량%; 질산, 황산 및 염산으로부터 선택된 1종 이상의 무기산 화합물 1 중량% 내지 10 중량%; 질산염 화합물 1 중량% 내지 10 중량%; 및 물 잔량을 포함한다. 상기 조성으로 이루어진 식각액 조성물은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막만을 식각한다. 따라서, 본 발명에 따른 식각액 조성물로 식각 공정을 진행할 경우, 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 외 다른 구성 요소는 식각되지 않는다. 예컨대, 기판 상에 금속 전극이 제공되고 금속 전극상에 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막과 인듐산화막을 포함하는 다층막이 제공되는 경우, 본 발명에 따른 식각액 조성물은 금속 전극 또는 인듐산화막을 식각하지 않는다. 이러한 은 또는 은 합금에 대한 선택적 식각 특성은 상술한 물질을 상술한 조성비로 조합함으로써 얻을 수 있는 것이다.
종래 인산을 포함하는 식각액 조성물은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막뿐만 아니라, 상기 단일막 하부에 제공된 금속 전극까지 식각하였다. 이러한 문제는 특히 패드부에 제공되는 배선 형성 과정에서 문제가 되었다. 패드부에 제공되는 배선은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 인듐산화막이 순차적으로 적층된 형태를 가질 수 있다. 아울러, 배선 하부에는 금속 전극이 제공될 수 있다. 금속 전극과 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 사이에 절연막 내지는 보호막이 없기 때문에, 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막을 식각하기 위한 식각액 조성물이 하부의 금속 전극으로 쉽게 침투할 수 있다. 이때 식각액 조성물이 인산을 포함할 경우, 인산은 금속 전극과 반응하여 금속 전극을 식각할 수 있다. 아울러, 인산을 포함하는 식각액 조성물 내의 은 이온(Ag+)이 이 과정에서 금속 전극상에 석출될 수 있다. 금속 전극을 식각하면서 발생한 전자가 은 이온(Ag+)으로 이동할 수 있기 때문이다. 금속 전극의 식각 또는 은의 석출은 배선 간 단락 등을 야기할 수 있고, 이에 따라 불량이 발생할 수 있다. 이러한 불량은 배선의 구조가 복잡하고 미세할수록 쉽게 발생할 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 인산을 포함하지 않기 때문에, 상술한 금속 전극 식각 문제가 없다. 또한, 식각액 조성물이 상술한 조성을 가짐으로써, 인산 없이도 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막을 쉽게 식각할 수 있다. 아울러, 본 발명에 따른 식각액 조성물은 인산을 포함하지 않기 때문에 인산에 의한 박막 과식각 문제가 없다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 배선 형성 방법을 순차적으로 도시한 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판상에 박막을 형성하는 단계; 및 식각액 조성물을 이용하여 임의의 배선 형태로 상기 박막을 식각하는 단계를 포함하고, 상기 식각액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여, 유기산 화합물 40 중량% 내지 60 중량%; 글라이콜 화합물 6 중량% 내지 12 중량%; 질산, 황산 및 염산으로부터 선택된 1종 이상의 무기산 화합물 1 중량% 내지 10 중량%; 질산염 화합물 1 중량% 내지 10 중량%; 및 물 잔량을 포함하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 배선 형성 방법 중 식각액 조성물에 관한 사항은 상술한 바와 같다. 이하에서는 배선 형성 방법의 각 단계에 대하여 자세히 살펴보고자 한다.
도 3a에는 기판(SUB)의 단면이 도시되어 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판(SUB)은 대략적으로 사각형 형상, 그 중에서도 직사각 형상을 가질 수 있다. 그러나, 기판(SUB)의 형상은 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어 기판(SUB)은 직선의 변을 포함하는 닫힌 형태의 다각형, 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 원, 타원, 등, 직선과 곡선으로 이루어진 변을 포함하는 반원, 반타원, 등 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 기판(SUB)이 직선으로 이루어진 변을 갖는 경우, 각 형상의 모서리 중 적어도 일부는 곡선으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)이 직사각 형상을 가질 때, 서로 인접한 직선 변들이 만나는 부분이 소정 곡률을 가지는 곡선으로 대체될 수 있다. 즉, 직사각 형상의 꼭지점 부분은 서로 인접한 그 양단이 서로 인접한 두 직선 변들에 연결되고 소정의 곡률을 갖는 곡선 변으로 이루어질 수 있다. 곡률은 위치에 따라 달리 설정될 수 있다. 예를 들어, 곡률은 곡선이 시작되는 위치 및 곡선의 길이 등에 따라 변경될 수 있다.
기판(SUB)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(SUB)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 기판(SUB)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate), 폴리우레탄(polyurethane) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다만, 기판(SUB)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 섬유 강화플라스틱(FRP, Fiber reinforced plastic) 등으로도 이루어질 수 있다.
도 3b에 따르면, 기판(SUB)상에 박막(TF)이 제공된다. 박막은 그라비아 코팅, 롤 코팅, 콤마 코팅, 에어나이프 코팅, 키스 코팅, 스프레이 코팅, 걸침 코팅, 침지 코팅, 스피너 코팅, 휠러 코팅, 브러싱, 실크 스크린에 의한 전면 코팅, 와이어바 코팅, 플로우 코팅, 오프셋 인쇄, 활판 인쇄 등의 방법으로 기판상에 형성되거나, 열 화학 기상 증착법(thermal CVD), 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 대기압 화학 기상 증착법(APCVD), 저압 화학 기상 증착법(LPCVD), 열증착법, 전자빔증발법, 스퍼터링법, 원자층 증착법(ALD) 등의 방법으로 기판상에 증착될 수 있다.
박막(TF)은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막, 또는 상기 단일막과 인듐산화막을 포함하는 다층막일 수 있다. 인듐산화막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. 상기 단일막과 인듐산화막을 포함하는 다층막은 인듐산화막/은, 인듐산화막/은 합금, 인듐산화막/은/인듐산화막 또는 인듐산화막/은 합금/인듐산화막일 수 있다. 상기 은 합금은 은(Ag) 및, 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 주석(Sn), 팔라듐(Pd), 네오디늄(Nd), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 도 3b에는 도시되어있지 않으나 박막(TF) 하부에는 금속 전극이 제공될 수 있다. 이때 금속 전극은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 철(Fe) 등으로부터 선택된 1종 이상의 금속을 포함할 수 있다. 금속 전극은 서로 다른 금속이 층층이 적층된 형태일 수 있다. 예컨대, 금속 전극은 티타늄 층, 알루미늄 층이 교번적으로 적층된 형태일 수 있다.
박막(TF) 하부에 금속 전극이 제공되는 경우, 본 발명에 따른 식각액 조성물 외에 다른 식각액 조성물을 필요할 수 있다. 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 식각액 조성물은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막을 선택적으로 식각하기 때문이다. 특히, 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 하부에 금속 전극이 제공되는 경우, 박막(TF) 형성에 앞서 금속 전극 형성을 위한 식각이 필요할 수 있다.
도 3c에 따르면, 기판(SUB)상에 제공된 박막(TF)상에 마스크(PR)가 형성된다. 마스크(PR)로 사용할 수 있는 물질에 제한은 없으나, 마스크(PR)는 예를 들어 포토레지스트일 수 있다. 마스크(PR)는 감광성 조성물을 형성하고자 하는 배선의 형태대로 박막(TF)상에 도포하고 노광함으로써 형성할 수 있다. 마스크(PR)를 형성하기 위한 감광성 조성물은 예를 들어 노보르넨/무수말레인산 공중합체, 노보르넨/말레인산에스테르 공중합체, 지환 구조를 측쇄로 하는 메타크릴레이트 고분자, 하이드록시스티렌/아크릴레이트 공중합체, 메타크릴레이트 공중합체, 카테콜 유도체 등을 포함할 수 있다.
마스크(PR)의 형성은 감광성 조성물의 도포, 열처리(Prebake), UV 조사 후 열처리(Post exposure bake), 알칼리 수용액을 이용한 패터닝의 단계를 거쳐 이루어질 수 있다. 마스크(PR)는 습식 식각의 특성을 고려하여, 형성하고자 하는 배선(LP)보다 넓은 폭을 갖도록 형성될 수 있다.
도 3d에 따르면, 박막(TF)이 식각되어 배선(LP)이 형성된다. 이때, 마스크(PR) 아래에 있는 박막(TF)은 거의 식각되지 않아 배선(LP)을 형성하고, 마스크(PR)가 없는 부분의 박막(TF)은 식각된다.
습식 식각의 특성상 마스크(PR)의 폭과 배선(LP)의 폭은 다를 수 있다. 습식 식각을 수행하는 경우, 식각액 조성물이 기판(SUB) 마스크(PR) 사이의 공간에 잔류하며 배선(LP)을 의도한 것보다 더 식각할 수 있기 때문이다. 마스크(PR)의 폭과 배선(LP)의 폭의 차이를 스큐(skew)라고 한다. 도 3d에서 스큐는 A1과 A2의 차(A1-A2)이다. 배선(LP)을 설계할 때, 스큐를 고려하여 마스크(PR)를 형성할 수 있으나, 스큐가 커지는 경우 만들어진 배선(LP)의 형태가 설계한 사항과 달라질 수 있다. 이는 복잡하고 미세한 구조를 갖는 배선(LP)일수록 큰 문제가 된다.
종래 인산을 포함하는 식각액 조성물을 이용할 경우, 스큐가 상대적으로 크게 나타났다. 따라서, 인산을 포함하는 식각액 조성물을 이용할 경우, 배선(LP)이 설계한 사항과 다른 형태를 갖는 경우가 빈번하였고, 이러한 문제는 패드부와 같이 복잡하고 미세한 구조의 배선(LP)을 필요로 하는 영역에서 특히 많이 발생했다.
본 발명에 따른 식각액 조성물을 이용하여 스큐를 줄일 수 있다. 본 발명에 따른 식각액 조성물을 이용하여 배선(LP)을 형성하였을 때, 스큐는 약 약 0.36㎛ 미만일 수 있다. 본원 발명에 따르면, 스큐가 상기 범위를 만족함으로써, 복잡하고 미세한 구조의 배선도 설계대로 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 박막(TF)이 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막 및 인듐산화막으로 구성된 다층막인 경우, 인듐산화막을 식각하기 위한 식각 공정이 추가로 수행될 수 있다. 이때 인듐산화막을 식각하기 위한 식각액 조성물은 본 발명에 따른 식각액 조성물과 상이하다. 본 발명에 따른 식각액 조성물은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막만을 선택적으로 식각하는 것이기 때문이다. 통상의 기술자는 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막과 상기 단일막 하부의 금속 전극에 영향을 주지 않으면서도 인듐산화막을 식각할 수 있는 식각액 조성물을 적절하게 선택할 수 있다.
도 3e는 배선(LP)상에 제공된 마스크(PR)를 제거한 모습을 나타낸 것이다. 마스크(PR)는 박리 공정에 의해 제거될 수 있다. 박리 공정은 마스크(PR)가 형성된 배선(LP) 및 기판(SUB)을 박리 용액에 담지함으로써 수행될 수 있다. 박리 용액과 만난 마스크(PR)는 부풀어 오르고, 부풀어 오른 층을 제거함으로써 마스크(PR)가 배선(LP) 및 기판(SUB)으로부터 제거될 수 있다.
마스크(PR) 박리 후에는 세정 공정이 추가로 진행될 수 있다. 세정 공정에서 박리 용액 및 잔류 식각액 조성물이 제거될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배선 형성 방법 중 박막 식각 단계를 간략하게 나타낸 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 박막(TF) 식각 공정에서 기판(SUB) 및 박막(TF)은 0도 내지 60도의 각도를 갖도록 기울여진다. 기판이 상기 각도로 기울여진 상태로 식각 공정이 수행됨으로써, 식각액이 기판(SUB)상에 고이는 현상이 방지될 수 있다. 이에 따라, 식각이 원활하게 이루어질 수 있으며, 식각 부산물에 대한 액 치환이 이루어져 공정 능력이 향상될 수 있다. 아울러, 상기 경사를 가진 상태로 기판(SUB)이 운반될 때 기판(SUB)은 경사 하부 가이드 롤러에 지지되고, 이에 따라 기판(SUB) 유동에 의한 불량 발생이 방지될 수 있다.
다만, 기판(SUB) 및 박막(TF)을 기울인 상태에서 식각하는 경우, 기판(SUB)상 위치에 따라 박막(TF)의 식각 정도가 달라질 수 있다. 예컨대, 도 4를 참고하면, 상대적으로 경사 방향으로 위쪽에 위치한 제1 마스크(PR1)와 제2 마스크(PR2) 사이에 제공된 박막(TF)과 경사 방향으로 아래쪽에 위치한 제3 마스크(PR3)와 제4 마스크(PR4) 사이에 제공된 박막(TF)의 식각 정도가 달라질 수 있다. 구체적으로, 액상의 식각액 조성물이 경사 방향을 따라 흘러내려 감에 따라, 제1 마스크(PR1)와 제2 마스크(PR2) 사이보다 제3 마스크(PR3)와 제4 마스크(PR4) 사이에 더 많은 식각액 조성물이 적용될 수 있다. 적용된 식각액 조성물의 양 차이는 식각 정도의 차이를 야기할 수 있다. 이때 상술한 스큐(skew)는 식각 정도를 파악하는 척도가 될 수 있다. 즉, 상대적으로 더 많이 식각된 제4 마스크(PR4) 하부에서의 스큐는 제1 마스크(PR1) 하부에서의 스큐보다 클 수 있다. 이렇게 기판(SUB) 내 위치에 따라 스큐 차이가 날 경우, 배선의 폭이 들쭉날쭉해질 우려가 있다. 배선이 복잡하고 미세한 구조를 가질 때 기판(SUB) 위치에 따른 배선 폭 변화는 배선에 의한 전기적 연결의 안정성을 저하시키는 원인이 된다.
종래 인산을 포함하는 식각액 조성물을 이용하였을 때는 기판(SUB) 내 위치에 따라 스큐 차이가 컸다. 그러나, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 이용하였을 때는 스큐 차이가 상대적으로 작다. 따라서, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 이용할 경우, 안정적인 전기적 연결을 제공하는 배선을 형성할 수 있다.
이하는 본 발명의 실시예에 따른 식각액 조성물과 비교예에 따른 식각액 조성물을 비교 실험한 결과이다. 본 발명에 따른 식각액 조성물과 비교예에 따른 식각액 조성물을 아래 표 1과 같은 조성비로 형성하였다. 하기 표 1에서 %는 중량%를의미한다.
무기산 화합물
(%)		 글라이콜 화합물
(%)		 질산염 화합물
(%)		 유기산 화합물1
(%)		 유기산 화합물2
(%)		 유기산 화합물3
(%)		 유기산 화합물4
(%)		 킬레이트 화합물(%) 인 산 화합물(%)
실시예1 5 9 5 25 10 10 5 3 0
실시예2 10 9 5 25 10 10 5 3 0
실시예3 5 12 5 25 10 10 5 3 0
실시예4 5 9 10 25 10 10 5 3 0
실시예5 5 9 5 35 10 10 5 3 0
실시예6 5 9 5 25 15 15 5 3 0
실시예7 5 9 5 25 10 10 15 3 0
실시예8 5 9 10 25 10 10 5 5 0
비교예1 0.5 9 5 25 10 10 5 3 0
비교예2 15 9 5 25 10 10 5 3 0
비교예3 5 3 5 25 10 10 5 3 0
비교예4 5 17 5 25 10 10 5 3 0
비교예5 5 9 5 15 10 10 1 3 0
비교예6 5 9 5 30 15 15 10 3 0
비교예7 5 9 10 25 10 10 5 0.5 0
비교예8 5 9 5 25 10 10 5 3 5
비교예의 식각액 조성물에 대하여 살펴보면 비교예 1의 조성물은 적정 함량미만의 무기산 화합물을 포함한다. 비교예 2의 조성물은 적정 함량을 초과하는 무기산 화합물을 포함한다. 비교예 3은 적정 함량 미만의 글라이콜 화합물을 포함한다. 비교예 4는 적정 함량을 초과하는 글라이콜 화합물을 포함한다. 비교예 5는 적정 함량 미만의 유기산 화합물을 포함한다. 비교예 6은 적정 함량을 초과하는 유기산 화합물을 포함한다. 비교예 7은 적정 함량 미만의 킬레이트 화합물을 포함한다. 마지막으로 비교예 8은 인산을 포함한다.
[식각 특성 평가]
아래 표 2는 표 1에 따른 실시예와 비교예의 식각액 조성물을 이용하여, 식각 공정을 수행한 후 식각 특성을 평가한 것이다. 식각 특성은 ITO/은(Ag) 단일막/ITO로 구성된 삼중막 및 포토레지스트 패턴을 포함하는 샘플에 대하여 수행되었다.
은 식각 속도(Ag E/R)는 300Å/sec 내지 500Å/sec인 경우가 바람직하다. CD skew(Cut dimension skew)(편측)는 포토레지스트 말단과 은 말단 사이의 거리를 가리킨다. 상기 CD skew(편측)의 바람직한 범위는 0.3㎛ 내지 0.35㎛이다. 잔사 및 석출은 존재하지 않는 것이 바람직하다.
식각특성 비고
식각 속도
(Å/sec)		 CD-Skew
(편측, ㎛)		 잔사 석출
실시예1 380 0.3044 무 무
실시예2 420 0.3433 무 무
실시예3 384 0.3076 무 무
실시예4 416 0.3436 무 무
실시예5 370 0.3000 무 무
실시예6 434 0.3538 무 무
실시예7 400 0.3283 무 무
실시예8 400 0.3241 무 무
비교예1 280 0.2620 유 무
비교예2 530 0.4177 무 무
비교예3 285 0.2297 유 무
비교예4 526 0.3948 무 무
비교예5 250 0.2456 유 무
비교예6 666 0.4177 무 무
비교예7 395 0.3242 무 무 경시능력저하
비교예8 450 0.5808 무 유 Ag 석출발생
상기 표 2를 참조하면, 본 발명의 실시예 1 ~ 8 및 비교예 7에 따른 식각액의 경우 은 식각 속도(Ag E/R)가 300 Å/sec ~ 500 Å/sec을 만족하였고, CD-Skew 편측 0.3㎛ ~ 3.5㎛을 만족하였으며, 잔사 및 석출도 만족하였다. 그러나, 비교예 7은 킬레이트 화합물 부족으로 인한 경시 능력 저하를 보였다. 경시 능력 저하란 반복적인 식각 공정에서 식각액 조성물에 의한 식각 특성이 저하되는 것을 말한다. 비교예 1, 3, 5는 석출을 제외한 모든 특성에서 적절한 식각 특성을 나타내지 못했다. 비교예 2, 4, 6은 잔사 및 석출에서는 바람직한 식각 특성을 나타냈으나, 바람직한 은 단일막 식각 속도 및 CD-Skew 특성을 갖지 못했다.
실시예 1 내지 8과 비교예 2, 4, 6, 7에 따른 식각액의 경우 표 2에 나타낸 바와 같이 은 단일막 식각을 위한 조성들이 충분한 범위일 경우, 잔사는 발생하지 않고 있으나, 일점 범위 이상의 은 식각 조성을 함유할 경우 과도한 식각에 의해 CD-Skew 편측 0.3㎛ ~ 3.5㎛을 만족하지 못하는 것을 알 수 있다.
비교예 8에 따른 식각액 특성은 인산이 함유됨에 따라 은 식각 속도가 증가하고, 그에 따라 CD-Skew가 큰 폭으로 증가하여 CD-Skew가 만족할 수 있는 범위를 초과하게 되고, 인산에 의해 Ag 환원성 석출이 발생하게 됨을 알 수 있다.
[식각액의 처리매수 증가에 따른 신뢰성 평가]
본 발명의 실시예 1에 따른 식각액에 대하여 은 이온 농도를 증가시키면서 아래와 같이 기판의 처리 매수 평가를 진행하였다.
실시예 1의 식각액을 이용하여 레퍼런스 식각(reference etch)을 진행하고 은 파우더를 초기 300ppm 이후 200ppm씩 첨가하여 식각 테스트를 진행하였다. 레퍼런스 식각 결과와 은 첨가 후 식각 테스트 결과를 비교하여 그 결과를 아래의 표 3에 정리하였다.
Ref 300ppm 500ppm 700ppm 900ppm
식각 속도
(Ag EPD)		 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
CD-Skew(편측) ◎ ◎ ◎ ◎ X
잔사 ◎ ◎ ◎ ◎ X
석출 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
◎: 우수 (레퍼런스 대비 변화량 10% 이내)
×: 불량 (레퍼런스 대비 변화량 10% 초과)
상기 표3을 참조하면 상기 식각 조성물 1, 내에서 은 이온 농도가 증가하더라도, 식각 속도(Ag EPD), CD skew, 잔사 및 석출의 변화가 크지 않음을 확인할 수있다. 따라서 상기 식각 조성물은 신뢰성을 가짐을 알 수 있다.
[식각액의 시간 경시 증가에 따른 신뢰성 평가]
본 발명의 실시예 1에 따른 식각액에 대하여 시간 경시를 증가시켜 아래 표 4와 같이 기판의 시간 경시 평가를 진행하였다.
실시예 1의 식각액을 이용하여 레퍼런스 식각(reference etch)을 진행하고 시간 경시를 2시간 단위로 하여 반복적인 식각 테스트를 진행 하여 그 결과를 레퍼런스 테스트 결과와 아래 표 4와 같이 비교하였다.
Ref 2시간 4시간 6시간 8시간 10시간 12시간
식각 속도
(Ag EPD)		 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
CD-Skew
(편측)		 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
잔사 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
석출 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
◎: 우수 (레퍼런스 대비 변화량 10% 이내)
×: 불량 (레퍼런스 대비 변화량 10% 초과)
상기 표 4를 참고하면 상기 식각 조성물 1은 시간 경시가 증가하여 반복적인식각 공정에 사용되더라도, 식각 속도(Ag EPD), CD skew, 잔사 및 석출의 변화가 크지 않음을 확인할 수 있다. 따라서 상기 식각 조성물은 신뢰성을 가짐을 알 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
SUB: 기판 LP: 배선
TF: 박막 PR: 마스크

Claims (20)

  1. 조성물 총 중량에 대하여,
    유기산 화합물 40 중량% 내지 60 중량%;
    글라이콜 화합물 6 중량% 내지 12 중량%;
    질산, 황산 및 염산으로부터 선택된 1종 이상의 무기산 화합물 1 중량% 내지 10 중량%;
    질산염 화합물 1 중량% 내지 10 중량%; 및
    물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    킬레이트 화합물 1 중량% 내지 5 중량%을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유기산 화합물은 적어도 3종 이상의 서로 다른 유기산을 포함하는 것을 특징으로 하는 은 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유기산 화합물은 초산(CH3CO2H), 말산(C4H6O5), 시트르산(C6H8O7), 타르타르산(C4H6O6), 락트산(C3H6O3), 메틸설폰산(CH4O3S), 포름산(CH2O2), 숙신산(C4H6O4), 푸마르산(C4H4O4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상인 것인 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 글라이콜 화합물은 하기 화학식 1의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112017060161152-pat00003

    Y1 및 Y2는 각각 H 또는 OH-를 나타내며, Y1과 Y2 중 적어도 하나는 OH-이며,
    X는 탄소수 1 내지 20의 알킬기이며, 상기 알킬기는 불포화 결합을 포함하거나 포함하지 않으며, 상기 알킬기 내 -CH2-는 각각 독립적으로, -H는 할로겐 또는 OH-로 치환될 수 있고 O 원자들이 서로 직접 연결되지 않는 방식으로 -C≡C-, -CF2O-, -CH=CH-, -CO-, -O-, -CO-O-, -O-CO- 또는 -O-CO-O-로 치환될 수 있으며,
    m은 1 내지 20의 자연수이다.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 질산염 화합물은 알루미늄 나이트레이트(Al(NO3)3), 암모늄 나이트레이트(NH4NO3), 칼슘 나이트레이트(Ca(NO3)2), 코퍼 나이트레이트(Cu(NO3)2), 인듐 나이트레이트(In(NO3)3), 아이언 나이트레이트(Fe(NO3)3), 리튬 나이트레이트(LiNO3), 포타슘 나이트레이트(KNO3), 실버 나이트레이트(AgNO3), 소듐 나이트레이트(NaNO3) 중에서 선택된 염으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 킬레이트 화합물은 시트릭산(C6H8O7), 디에탄올 아민(C4H11NO2), 디에틸렌트리아민펜타아세트산(C14H23N3O10), 에틸렌디아민테트라아세트산(C10H16N2O8), 에틸렌 디아민(C2H8N2), 이미노디아세트산(C4H7NO4), 에탄올 아민(C2H7NO), 말론산(C3H4O4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막을 포함하는 박막을 식각할 수 있는 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 박막은 인듐산화막을 더 포함하고,
    상기 인듐산화막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물.
  10. 기판상에 박막을 형성하는 단계; 및
    식각액 조성물을 이용하여 임의의 배선 형태로 상기 박막을 식각하는 단계를 포함하고,
    상기 식각액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여,
    유기산 화합물 40 중량% 내지 60 중량%;
    글라이콜 화합물 6 중량% 내지 12 중량%;
    질산, 황산 및 염산으로부터 선택된 1종 이상의 무기산 화합물 1 중량% 내지 10 중량%;
    질산염 화합물 1 중량% 내지 10 중량%; 및
    물 잔량을 포함하는 인산(H3PO4) 프리 식각액 조성물인 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 박막은 은 또는 은 합금으로 이루어진 단일막을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 박막은 인듐산화막을 더 포함하고,
    상기 인듐산화막은 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO), 산화주석아연인듐(ITZO) 및 산화갈륨아연인듐(IGZO)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 박막은 인듐산화막/은, 인듐산화막/은 합금, 인듐산화막/은/인듐산화막 또는 인듐산화막/은 합금/인듐산화막인 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 은 합금은 은(Ag) 및, 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 망간(Mn), 크롬(Cr), 주석(Sn), 팔라듐(Pd), 네오디늄(Nd), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg), 텅스텐(W), 프로트악티늄(Pa), 알루미늄(Al) 및 티타늄(Ti)으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 박막을 식각하는 단계에서, 상기 기판은 0도 내지 60도의 각도를 갖도록 기울여지는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 유기산 화합물은 적어도 3종 이상의 서로 다른 유기산을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 유기산 화합물은 초산(CH3CO2H), 말산(C4H6O5), 시트르산(C6H8O7), 타르타르산(C4H6O6), 락트산(C3H6O3), 메틸설폰산(CH4O3S), 포름산(CH2O2), 숙신산(C4H6O4), 푸마르산(C4H4O4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 한 종 이상인 것인 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
  18. 제10항에 있어서,
    상기 박막 식각 전에 상기 배선의 형태에 따라 상기 박막 상에 마스크를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
  19. 제10항에 있어서,
    상기 박막은 은 또는 은 합금으로 이루어진 제1 층; 및
    상기 제1 층 상부 또는 하부에 제공되며, 인듐 산화물을 포함하는 제2 층을 적어도 하나 갖고,
    상기 배선 형성 방법은 상기 제2 층을 식각하기 위한 식각 공정을 더 포함하고,
    상기 인산 프리 식각액 조성물은 상기 제1 층을 식각하고,
    상기 제2 층을 식각하기 위한 식각액은 상기 인산 프리 식각액 조성물과 상이한 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제2 층을 식각하기 위한 식각액은 상기 제1 층을 식각하지 않고, 상기 인산 프리 식각액 조성물은 상기 제2 층을 식각하지 않는 것을 특징으로 하는 배선 형성 방법.
KR1020170079346A 2017-06-22 2017-06-22 식각액 조성물 및 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법 KR102421116B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170079346A KR102421116B1 (ko) 2017-06-22 2017-06-22 식각액 조성물 및 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법
US15/970,980 US20180371625A1 (en) 2017-06-22 2018-05-04 Etchant composition and forming method of wiring using etchant composition
CN201810637712.2A CN109112543B (zh) 2017-06-22 2018-06-20 蚀刻组合物和使用该蚀刻组合物的布线的形成方法
US16/854,342 US11384437B2 (en) 2017-06-22 2020-04-21 Etchant composition and forming method of wiring using etchant composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170079346A KR102421116B1 (ko) 2017-06-22 2017-06-22 식각액 조성물 및 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190000428A KR20190000428A (ko) 2019-01-03
KR102421116B1 true KR102421116B1 (ko) 2022-07-15

Family

ID=64691489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170079346A KR102421116B1 (ko) 2017-06-22 2017-06-22 식각액 조성물 및 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20180371625A1 (ko)
KR (1) KR102421116B1 (ko)
CN (1) CN109112543B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102223681B1 (ko) * 2018-05-30 2021-03-08 삼성디스플레이 주식회사 박막　식각액　조성물　및 이를 이용한 금속 패턴 형성 방법
KR102668574B1 (ko) * 2019-03-06 2024-05-24 동우 화인켐 주식회사 식각 조성물
KR102654172B1 (ko) * 2019-03-13 2024-04-03 주식회사 이엔에프테크놀로지 은-함유 금속막용 식각액 조성물
DE102019112030B4 (de) * 2019-05-08 2023-11-02 LSR Engineering & Consulting Limited Verfahren zum Strukturieren eines Substrats
WO2021178347A1 (en) * 2020-03-04 2021-09-10 Versum Materials Us, Llc Etching solution for titanium nitride and molybdenum conductive metal lines
CN113637972B (zh) * 2020-05-11 2024-03-26 东友精细化工有限公司 银薄膜蚀刻液组合物、使用该组合物的蚀刻方法及金属图案形成方法
KR102659176B1 (ko) 2020-12-28 2024-04-23 삼성디스플레이 주식회사 은 함유 박막의 식각 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 표시장치의 제조 방법

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5921091B2 (ja) 1976-06-15 1984-05-17 松下電器産業株式会社 磁気記録媒体の製造方法
US4141850A (en) * 1977-11-08 1979-02-27 Dart Industries Inc. Dissolution of metals
JP3387528B2 (ja) * 1992-08-07 2003-03-17 朝日化学工業株式会社 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法
US6284721B1 (en) * 1997-01-21 2001-09-04 Ki Won Lee Cleaning and etching compositions
US6705331B2 (en) * 2000-11-20 2004-03-16 Dainippon Screen Mfg., Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus
US7041232B2 (en) * 2001-03-26 2006-05-09 International Business Machines Corporation Selective etching of substrates with control of the etch profile
KR100712879B1 (ko) * 2005-04-06 2007-04-30 주식회사 잉크테크 에칭액 조성물
KR20090051583A (ko) * 2007-11-19 2009-05-22 주식회사 동진쎄미켐 마그네슘 및 마그네슘 합금의 식각 및 표면처리제
JP4957584B2 (ja) 2008-02-29 2012-06-20 東ソー株式会社 エッチング用組成物及びエッチング方法
KR101518055B1 (ko) * 2008-10-30 2015-05-06 동우 화인켐 주식회사 금속막 에칭액 조성물
KR101608873B1 (ko) 2010-03-18 2016-04-05 삼성디스플레이 주식회사 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법
JP5921091B2 (ja) 2011-06-03 2016-05-24 林純薬工業株式会社 エッチング液組成物およびエッチング方法
JP5913869B2 (ja) * 2011-08-31 2016-04-27 林純薬工業株式会社 エッチング液組成物およびエッチング方法
KR101391603B1 (ko) 2012-05-22 2014-05-07 솔브레인 주식회사 은함유 패턴의 식각액
JP6222907B2 (ja) 2012-09-06 2017-11-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR20140118491A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 배선 형성 방법
SG11201510744VA (en) 2013-07-05 2016-01-28 Wako Pure Chem Ind Ltd Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid
KR102204210B1 (ko) * 2014-06-27 2021-01-18 동우 화인켐 주식회사 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102209680B1 (ko) * 2014-06-27 2021-01-29 동우 화인켐 주식회사 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102255577B1 (ko) 2014-08-25 2021-05-25 엘지디스플레이 주식회사 식각액 조성물
KR101972630B1 (ko) * 2015-01-05 2019-04-26 동우 화인켐 주식회사 은 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판
KR102121805B1 (ko) * 2015-02-16 2020-06-11 동우 화인켐 주식회사 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법
KR20160108944A (ko) * 2015-03-09 2016-09-21 동우 화인켐 주식회사 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102259145B1 (ko) * 2015-03-26 2021-06-01 동우 화인켐 주식회사 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102410115B1 (ko) * 2015-07-09 2022-06-20 주식회사 이엔에프테크놀로지 은 또는 은합금 함유 금속막 식각액 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190000428A (ko) 2019-01-03
US11384437B2 (en) 2022-07-12
CN109112543A (zh) 2019-01-01
US20180371625A1 (en) 2018-12-27
CN109112543B (zh) 2022-06-28
US20200248318A1 (en) 2020-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102421116B1 (ko) 식각액 조성물 및 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법
KR102546803B1 (ko) 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판
KR20160108944A (ko) 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
US11225721B2 (en) Thin film etchant composition and method of forming metal pattern by using the same
CN109750292B (zh) 银蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法
KR102198608B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
KR102639626B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
KR102599939B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
KR102293559B1 (ko) 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법
KR102368027B1 (ko) 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법
KR20190112622A (ko) 은 함유 박막 식각액 조성물 및 이를 이용하여 제조된 표시장치용 어레이기판 및 이의 제조방법
KR102531401B1 (ko) 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판
CN109423289B (zh) 含银膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法
CN110359050B (zh) 含银薄膜蚀刻液组合物、用其制造的用于显示装置的阵列基板及其制造方法
KR102459693B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
CN109797397B (zh) 银蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法
KR102567796B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
KR101151952B1 (ko) 인듐산화막의 식각용액 및 그 식각방법
KR102160288B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
CN111155092B (zh) 银薄膜蚀刻液组合物、蚀刻方法及金属图案的形成方法
KR20180098781A (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102513168B1 (ko) 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 기판
KR102457168B1 (ko) 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법
CN115679327A (zh) 用于含银金属膜的蚀刻液组合物
CN112853357A (zh) 不包含磷酸的蚀刻液组合物以及利用上述蚀刻液组合物的金属布线的形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant