JP3387528B2 - 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法 - Google Patents
銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法Info
- Publication number
- JP3387528B2 JP3387528B2 JP21157592A JP21157592A JP3387528B2 JP 3387528 B2 JP3387528 B2 JP 3387528B2 JP 21157592 A JP21157592 A JP 21157592A JP 21157592 A JP21157592 A JP 21157592A JP 3387528 B2 JP3387528 B2 JP 3387528B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- copper
- composition
- copper alloy
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅および銅合金をフォ
トエッチングによって加工する際に使用する銅または銅
合金のエッチング用組成物またはそのエッチング方法に
関する。
トエッチングによって加工する際に使用する銅または銅
合金のエッチング用組成物またはそのエッチング方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトエッチングによって金属を加工す
る技術は、電子部品を始めとして様々な産業分野で利用
されている。特に電子部品については、科学技術の進歩
に連れてますます微細化が促進され、より高度な加工技
術が要求されるようになっている。
る技術は、電子部品を始めとして様々な産業分野で利用
されている。特に電子部品については、科学技術の進歩
に連れてますます微細化が促進され、より高度な加工技
術が要求されるようになっている。
【０００３】半導体リードフレームを例にとれば、半導
体の集積度が増すにつれ、ピン間隔の狭い多ピンのリー
ドフレームが要求されている。また、プリント配線基板
についても、実装される電子デバイスの小形化により、
さらに細線化した配線パターンが必要とされている。
体の集積度が増すにつれ、ピン間隔の狭い多ピンのリー
ドフレームが要求されている。また、プリント配線基板
についても、実装される電子デバイスの小形化により、
さらに細線化した配線パターンが必要とされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に、腐食液を利用
した湿式化学エッチングは、被加工材の表面に耐酸性の
樹脂フィルムで所望のパターンを形成し、露出した金属
部分を溶解除去することによって行われるが、腐食反応
が被加工材の表面に対して垂直方向にだけでなく、水平
方向にも進むため、露出した金属部分より余計に除去さ
れることになる。
した湿式化学エッチングは、被加工材の表面に耐酸性の
樹脂フィルムで所望のパターンを形成し、露出した金属
部分を溶解除去することによって行われるが、腐食反応
が被加工材の表面に対して垂直方向にだけでなく、水平
方向にも進むため、露出した金属部分より余計に除去さ
れることになる。
【０００５】この現象をサイドエッチと呼んでいるが、
微細加工に対応するためには、これを最小限に止めなけ
ればならない。すなわち、水平方向への腐食作用を抑制
し、垂直方向へ選択的に腐食を進行させるようにするこ
とが必要である。
微細加工に対応するためには、これを最小限に止めなけ
ればならない。すなわち、水平方向への腐食作用を抑制
し、垂直方向へ選択的に腐食を進行させるようにするこ
とが必要である。
【０００６】通常、湿式化学エッチングでは、板厚より
小さい口径はあけられないとされており、微細なパター
ンをエッチングするためには、被エッチング材の厚みを
薄くする方法がとられている。先のリードフレームの場
合、電気伝導性と熱放散性の点から銅合金が材料として
多く用いられているが、板厚を薄くすると強度が弱くな
る欠点がある。
小さい口径はあけられないとされており、微細なパター
ンをエッチングするためには、被エッチング材の厚みを
薄くする方法がとられている。先のリードフレームの場
合、電気伝導性と熱放散性の点から銅合金が材料として
多く用いられているが、板厚を薄くすると強度が弱くな
る欠点がある。
【０００７】最近では銅の特性を生かした強度の高い材
料が開発されているが、エッチング性については逆に難
しくなる傾向にある。またプリント配線基板について
も、電解銅箔または圧延銅箔をインシュレートした銅張
積層板が多用されているが、細線パターン用には銅箔厚
さの薄いものが使用される傾向がある。これも電流効率
からは導体断面積が大きいほうが有利とされている。
料が開発されているが、エッチング性については逆に難
しくなる傾向にある。またプリント配線基板について
も、電解銅箔または圧延銅箔をインシュレートした銅張
積層板が多用されているが、細線パターン用には銅箔厚
さの薄いものが使用される傾向がある。これも電流効率
からは導体断面積が大きいほうが有利とされている。
【０００８】銅および銅合金に対して、薬剤によってサ
イドエッチを抑制して微細化に対応する方法は従来から
試みられており、たとえば、特開昭６１−５６２８４で
は塩化第２銅水溶液にフッ素系界面活性剤を配合したエ
ッチング用組成物がある。また、特公平２−４６６７２
には、塩化第２銅水溶液に芳香族スルホン酸系の界面活
性剤を配合したエッチング用組成物が見られる。これら
の組成物は、界面活性剤の金属表面の濡れ性向上を利用
して、エッチング速度の向上と微細パターンへの対応を
図ったものであるが、サイドエッチの抑制の点からは十
分とは言えない。
イドエッチを抑制して微細化に対応する方法は従来から
試みられており、たとえば、特開昭６１−５６２８４で
は塩化第２銅水溶液にフッ素系界面活性剤を配合したエ
ッチング用組成物がある。また、特公平２−４６６７２
には、塩化第２銅水溶液に芳香族スルホン酸系の界面活
性剤を配合したエッチング用組成物が見られる。これら
の組成物は、界面活性剤の金属表面の濡れ性向上を利用
して、エッチング速度の向上と微細パターンへの対応を
図ったものであるが、サイドエッチの抑制の点からは十
分とは言えない。
【０００９】本発明の目的は、サイドエッチを抑制し、
微細パターン化に対応することができる銅または銅合金
のエッチング用組成物およびその方法を提供することで
ある。
微細パターン化に対応することができる銅または銅合金
のエッチング用組成物およびその方法を提供することで
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記成分ａ，
ｂ，ｃ，ｄおよびｅを含むことを特徴とする銅または銅
合金のエッチング用組成物。 ａ）塩化第２銅 ｂ）塩酸 ｃ）下記化学式（Ｉ）で示される２−アミノベンゾチア
ゾール系化合物 ０．０５〜０．２重量％
ｂ，ｃ，ｄおよびｅを含むことを特徴とする銅または銅
合金のエッチング用組成物。 ａ）塩化第２銅 ｂ）塩酸 ｃ）下記化学式（Ｉ）で示される２−アミノベンゾチア
ゾール系化合物 ０．０５〜０．２重量％
【化３】
ただし、Ｘ：Ｈ，ＮＯ2 ，ＣＨ3Ｏ，Ｃｌ
ｄ）下記化学式（ＩＩ）で示されるポリエチレングリコ
ール ０．０２〜２．０重量％ ＨＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）n Ｈ （ＩＩ） ただし、ｎ＝１〜１３０ ｅ）下記化学式（ＩＩＩ）で示されるポリアミン化合物
およびその塩酸塩、硫酸塩およびリン酸塩 ０．０１〜
１．０重量％ Ｈ2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ）n Ｈ （ＩＩＩ） ただし、ｎ＝１〜５
ール ０．０２〜２．０重量％ ＨＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）n Ｈ （ＩＩ） ただし、ｎ＝１〜１３０ ｅ）下記化学式（ＩＩＩ）で示されるポリアミン化合物
およびその塩酸塩、硫酸塩およびリン酸塩 ０．０１〜
１．０重量％ Ｈ2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ）n Ｈ （ＩＩＩ） ただし、ｎ＝１〜５
【００１１】また本発明は、前記成分ａの塩化第２銅を
１００〜３００ｇ／Ｌ、前記成分ｂの塩酸を遊離塩酸と
して５０〜１００ｇ／Ｌ含有することを特徴とする。
１００〜３００ｇ／Ｌ、前記成分ｂの塩酸を遊離塩酸と
して５０〜１００ｇ／Ｌ含有することを特徴とする。
【００１２】また本発明は、前記成分ｃの下記化合物
（Ｉ）で示される２−アミノベンゾチアゾール系化合物
の含有量が０．１〜０．２重量％であることを特徴とす
る。
（Ｉ）で示される２−アミノベンゾチアゾール系化合物
の含有量が０．１〜０．２重量％であることを特徴とす
る。
【化４】
ただし、Ｘ：Ｈ，ＮＯ2 ，ＣＨ3Ｏ，Ｃｌ
【００１３】また本発明は、前述の銅または銅合金のエ
ッチング用組成物を過酸化水素水によって銀・塩化銀参
照電極基準の酸化還元電位を４００〜６６０ｍＶ、温度
を４０〜５０℃に保持することを特徴とする銅または銅
合金のエッチング方法である。
ッチング用組成物を過酸化水素水によって銀・塩化銀参
照電極基準の酸化還元電位を４００〜６６０ｍＶ、温度
を４０〜５０℃に保持することを特徴とする銅または銅
合金のエッチング方法である。
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【作用】本発明に従えば、成分ａの塩化第２銅のエッチ
ング組成物（以下、組成物と略す）中の濃度は１００〜
３００ｇ／Ｌが好ましく、さらに好ましくは１４０〜２
６０ｇ／Ｌである。１００ｇ／Ｌ未満ではエッチング速
度が遅く、表面粗さも大となり、微細化には対応できな
い。また、３００ｇ／Ｌより高いとエッチングの速度が
遅くなって制御しにくく、実用的ではない。
ング組成物（以下、組成物と略す）中の濃度は１００〜
３００ｇ／Ｌが好ましく、さらに好ましくは１４０〜２
６０ｇ／Ｌである。１００ｇ／Ｌ未満ではエッチング速
度が遅く、表面粗さも大となり、微細化には対応できな
い。また、３００ｇ／Ｌより高いとエッチングの速度が
遅くなって制御しにくく、実用的ではない。
【００２９】成分ｂの塩酸が遊離塩酸として、組成物中
に５０〜１００ｇ／Ｌの範囲にあることが好ましく、さ
らに好ましくは７０〜９０ｇ／Ｌの範囲である。５０ｇ
／Ｌ未満では線幅の均一性が得難く、９０ｇ／Ｌより高
いとレジストの密着性に対する影響が大きく、サイドエ
ッチを大きくするため微細化には対応しにくい。
に５０〜１００ｇ／Ｌの範囲にあることが好ましく、さ
らに好ましくは７０〜９０ｇ／Ｌの範囲である。５０ｇ
／Ｌ未満では線幅の均一性が得難く、９０ｇ／Ｌより高
いとレジストの密着性に対する影響が大きく、サイドエ
ッチを大きくするため微細化には対応しにくい。
【００３０】前記化学式（Ｉ）で示される成分ｃの２−
アミノベンゾチアゾール系化合物の具体例としては、２
−アミノベンゾチアゾール、２−アミノ−６−クロロベ
ンゾチアゾール、２−アミノ−６−ニトロベンゾチアゾ
ール、２−アミノ−６−メトキシベンゾチアゾールなど
が挙げられる。これらの化合物の組成物中の好ましい濃
度は０．０５〜０．２重量％の範囲であり、さらに好ま
しくは０．１〜０．２重量％の範囲である。０．０５重
量％未満ではサイドエッチの抑制効果が得難く、また
０．２重量％より多いと、エッチング速度を遅くするの
で好ましくない。
アミノベンゾチアゾール系化合物の具体例としては、２
−アミノベンゾチアゾール、２−アミノ−６−クロロベ
ンゾチアゾール、２−アミノ−６−ニトロベンゾチアゾ
ール、２−アミノ−６−メトキシベンゾチアゾールなど
が挙げられる。これらの化合物の組成物中の好ましい濃
度は０．０５〜０．２重量％の範囲であり、さらに好ま
しくは０．１〜０．２重量％の範囲である。０．０５重
量％未満ではサイドエッチの抑制効果が得難く、また
０．２重量％より多いと、エッチング速度を遅くするの
で好ましくない。
【００３１】前記化学式（ＩＩ）で示される成分ｄのポ
リエチレングリコールとしては、エチレングリコール、
ジエチレングリコール、トリエチレングリコールおよび
平均分子量６０００（ｎ＝１３０）までのポリエチレン
グリコールがある。ｎが１３０を越えれば、組成物に溶
解しにくくなる。これらの化合物の組成物中の濃度の好
ましい範囲は０．０２〜２．０重量％であり、さらに好
ましくは０．１〜１．０重量％である。０．０２重量％
未満では成分ｃの化合物との併用効果が乏しく、所望の
効果を得難い。また２．０重量％より多いと、経済的で
はない。
リエチレングリコールとしては、エチレングリコール、
ジエチレングリコール、トリエチレングリコールおよび
平均分子量６０００（ｎ＝１３０）までのポリエチレン
グリコールがある。ｎが１３０を越えれば、組成物に溶
解しにくくなる。これらの化合物の組成物中の濃度の好
ましい範囲は０．０２〜２．０重量％であり、さらに好
ましくは０．１〜１．０重量％である。０．０２重量％
未満では成分ｃの化合物との併用効果が乏しく、所望の
効果を得難い。また２．０重量％より多いと、経済的で
はない。
【００３２】前記化学式（ＩＩＩ）で示される成分ｅの
ポリアミン化合物およびその塩のｎは１〜５が好まし
い。ｎが６以上だと、組成物に溶解しにくくなるためで
ある。成分ｅとして、具体的にはエチレンジアミン、ジ
エチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラ
エチレンぺンタミン、ぺンタエチレンヘキサミンおよび
これらの塩酸塩、硫酸塩およびリン酸塩が挙げられる。
これらの化合物の組成物中の好ましい濃度は０．０１〜
１．０重量％の範囲であるが、さらに好ましくは０．０
５〜１．０重量％の範囲である。０．０１重量％未満で
は成分ｃおよび成分ｄとの併用効果が得にくく、所望の
効果を発揮し難い。１．０重量％より多いと効果の向上
度合いが少なく、経済的ではない。
ポリアミン化合物およびその塩のｎは１〜５が好まし
い。ｎが６以上だと、組成物に溶解しにくくなるためで
ある。成分ｅとして、具体的にはエチレンジアミン、ジ
エチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラ
エチレンぺンタミン、ぺンタエチレンヘキサミンおよび
これらの塩酸塩、硫酸塩およびリン酸塩が挙げられる。
これらの化合物の組成物中の好ましい濃度は０．０１〜
１．０重量％の範囲であるが、さらに好ましくは０．０
５〜１．０重量％の範囲である。０．０１重量％未満で
は成分ｃおよび成分ｄとの併用効果が得にくく、所望の
効果を発揮し難い。１．０重量％より多いと効果の向上
度合いが少なく、経済的ではない。
【００３３】塩化第２銅水溶液によるエッチングでは、
通常、過酸化水素水を添加して液の疲労によるエッチン
グ速度の低下を防止するとともに、液の再生を同時に行
っている。本発明では、上記の組成物の酸化還元電位を
銀・塩化銀参照電極基準で４００〜６６０ｍＶ、温度は
４０〜５０℃の範囲に保持することを特徴としている。
酸化還元電位は４４０〜６６０ｍＶの範囲であることが
さらに好ましい。４００ｍＶ未満ではエッチング速度が
極めて遅く、６６０ｍＶより高いと過酸化水素水の添加
量が過剰となり、どちらの場合も経済的ではない。ま
た、温度が４０℃より低いとエッチング速度が極めて遅
く、５０℃より高いと塩酸が揮散するため好ましくな
い。
通常、過酸化水素水を添加して液の疲労によるエッチン
グ速度の低下を防止するとともに、液の再生を同時に行
っている。本発明では、上記の組成物の酸化還元電位を
銀・塩化銀参照電極基準で４００〜６６０ｍＶ、温度は
４０〜５０℃の範囲に保持することを特徴としている。
酸化還元電位は４４０〜６６０ｍＶの範囲であることが
さらに好ましい。４００ｍＶ未満ではエッチング速度が
極めて遅く、６６０ｍＶより高いと過酸化水素水の添加
量が過剰となり、どちらの場合も経済的ではない。ま
た、温度が４０℃より低いとエッチング速度が極めて遅
く、５０℃より高いと塩酸が揮散するため好ましくな
い。
【００３４】
【実施例】以下に実施例および比較例を挙げて具体的に
説明する。
説明する。
【００３５】実施例
樹脂基板の片面に銅箔を積層した縦横各２００ｍｍの銅
張積層板（銅箔厚み３５μｍ）に厚さ３５μｍのドライ
フィルムレジストによってライアンドスペース５０μｍ
のパターンを施し、温度４５℃、スプレー圧力１．５ｋ
ｇ／ｃｍ2 の条件でエッチングを行った。なお、次の方
法によってエッチング速度およびサイドエッチ量を求
め、試験の結果の評価を行った。
張積層板（銅箔厚み３５μｍ）に厚さ３５μｍのドライ
フィルムレジストによってライアンドスペース５０μｍ
のパターンを施し、温度４５℃、スプレー圧力１．５ｋ
ｇ／ｃｍ2 の条件でエッチングを行った。なお、次の方
法によってエッチング速度およびサイドエッチ量を求
め、試験の結果の評価を行った。
【００３６】図１は、実施例の評価方法を説明するため
に用いられる銅張積層基板である試験基板４の断面図で
ある。
に用いられる銅張積層基板である試験基板４の断面図で
ある。
【００３７】評価方法
図１に示されるように、樹脂基板６上に銅箔５が積層さ
れた試験基板４上に、幅Ｗ４のパターンをフォトレジス
ト７によって形成する。前述の温度およびスプレー圧力
条件でエッチングを行い、銅箔５とホトレジスト７とが
接している幅をＷ３とし、銅箔５と樹脂基板６とが接し
ている幅をＷ４ｄとする。
れた試験基板４上に、幅Ｗ４のパターンをフォトレジス
ト７によって形成する。前述の温度およびスプレー圧力
条件でエッチングを行い、銅箔５とホトレジスト７とが
接している幅をＷ３とし、銅箔５と樹脂基板６とが接し
ている幅をＷ４ｄとする。
【００３８】エッチング速度（ＥＲ）
エッチング後に樹脂基板６と接触する銅箔５の幅Ｗ４ｄ
がフォトレジスト７のパターン幅Ｗ４と一致した点をエ
ッチングの終了点とし、銅箔５とフォトレジスト７とが
接している幅Ｗ３をその状態に至る時間で除した値をエ
ッチング速度とした。単位はμｍ／ｍｉｎで表す。
がフォトレジスト７のパターン幅Ｗ４と一致した点をエ
ッチングの終了点とし、銅箔５とフォトレジスト７とが
接している幅Ｗ３をその状態に至る時間で除した値をエ
ッチング速度とした。単位はμｍ／ｍｉｎで表す。
【００３９】サイドエッチ量（両側）
前述の終了点で、フォトレジスト７と接触している銅箔
５の幅Ｗ３と、フォトレジスト７のパターン幅Ｗ４との
差をサイドエッチ量とした。サイドエッチ量は、数１で
求められ、単位はμｍである。
５の幅Ｗ３と、フォトレジスト７のパターン幅Ｗ４との
差をサイドエッチ量とした。サイドエッチ量は、数１で
求められ、単位はμｍである。
【００４０】
【数１】サイドエッチ量＝Ｗ４−Ｗ３
実施例の評価結果を表１に示した。エッチング組成物
は、表１に示す濃度を有するように成分ａ〜ｅを水に溶
解して調整した。
は、表１に示す濃度を有するように成分ａ〜ｅを水に溶
解して調整した。
【００４１】
【表１】
【００４２】以上のように本実施例によれば、本発明に
従うエッチング組成物を用いてエッチングを行った結果
と、従来のエッチング組成物を用いて行った比較例とを
比較すれば、エッチング速度を低下させることなく、維
持した状態で、サイドエッチ量がはるかに小さくなって
いることがわかる。これはスプレーを用いてエッチング
を行うため、スプレー圧力の高い、スプレー噴霧方向に
エッチングが促進され、サイドエッチが抑制されるため
である。
従うエッチング組成物を用いてエッチングを行った結果
と、従来のエッチング組成物を用いて行った比較例とを
比較すれば、エッチング速度を低下させることなく、維
持した状態で、サイドエッチ量がはるかに小さくなって
いることがわかる。これはスプレーを用いてエッチング
を行うため、スプレー圧力の高い、スプレー噴霧方向に
エッチングが促進され、サイドエッチが抑制されるため
である。
【００４３】実施例では、銅張積層板の場合を例示した
けれども、銅および銅合金の薄板や箔に適応できること
は無論である。
けれども、銅および銅合金の薄板や箔に適応できること
は無論である。
【００４４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、本発明の
エッチング用組成物によって銅および銅合金をエッチン
グすれば、サイドエッチの少ないエッチング加工が可能
であり、ブリント配線板などの精密電子部品の微細化に
対応することができる。
エッチング用組成物によって銅および銅合金をエッチン
グすれば、サイドエッチの少ないエッチング加工が可能
であり、ブリント配線板などの精密電子部品の微細化に
対応することができる。
【図１】実施例を説明する図である。
４ 試験基板
５ 銅箔
６ 樹脂基板
７ フォトレジスト
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭50−50240（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−149684（ＪＰ，Ａ)
特開 昭52−57033（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−222584（ＪＰ，Ａ)
特公 昭50−20950（ＪＰ，Ｂ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23F 1/18
Claims (4)
- 【請求項１】 下記成分ａ，ｂ，ｃ，ｄおよびｅを含む
ことを特徴とする銅または銅合金のエッチング用組成
物。 ａ）塩化第２銅 ｂ）塩酸 ｃ）下記化学式（Ｉ）で示される２−アミノベンゾチア
ゾール系化合物 ０．０５〜０．２重量％ 【化１】 ただし、Ｘ：Ｈ，ＮＯ2 ，ＣＨ3Ｏ，Ｃｌ ｄ）下記化学式（ＩＩ）で示されるポリエチレングリコ
ール ０．０２〜２．０重量％ ＨＯ（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）n Ｈ （ＩＩ） ただし、ｎ＝１〜１３０ ｅ）下記化学式（ＩＩＩ）で示されるポリアミン化合物
およびその塩酸塩、硫酸塩およびリン酸塩 ０．０１〜
１．０重量％ Ｈ2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ2ＮＨ）n Ｈ （ＩＩＩ） ただし、ｎ＝１〜５ - 【請求項２】 前記成分ａの塩化第２銅を１００〜３０
０ｇ／Ｌ、前記成分ｂの塩酸を遊離塩酸として５０〜１
００ｇ／Ｌ含有することを特徴とする請求項１記載の銅
または銅合金のエッチング用組成物。 - 【請求項３】 前記成分ｃの下記化合物（Ｉ）で示され
る２−アミノベンゾチアゾール系化合物の含有量が０．
１〜０．２重量％であることを特徴とする請求項１また
は２記載の銅または銅合金のエッチング用組成物。 【化２】 ただし、Ｘ：Ｈ，ＮＯ2 ，ＣＨ3Ｏ，Ｃｌ - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の銅また
は銅合金のエッチング用組成物を過酸化水素水によって
銀・塩化銀参照電極基準の酸化還元電位を４００〜６６
０ｍＶ、温度を４０〜５０℃に保持することを特徴とす
る銅または銅合金のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21157592A JP3387528B2 (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21157592A JP3387528B2 (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0657453A JPH0657453A (ja) | 1994-03-01 |
| JP3387528B2 true JP3387528B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=16608042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21157592A Expired - Fee Related JP3387528B2 (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3387528B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1500719A1 (en) | 2003-07-25 | 2005-01-26 | Mec Company Ltd. | Etchant, replenishment solution and method for producing copper wiring using the same |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2781954B2 (ja) * | 1994-03-04 | 1998-07-30 | メック株式会社 | 銅および銅合金の表面処理剤 |
| US6162503A (en) * | 1997-06-12 | 2000-12-19 | Macdermid, Incorporated | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
| US5869130A (en) * | 1997-06-12 | 1999-02-09 | Mac Dermid, Incorporated | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
| US6146701A (en) * | 1997-06-12 | 2000-11-14 | Macdermid, Incorporated | Process for improving the adhension of polymeric materials to metal surfaces |
| DE19830038C2 (de) * | 1998-02-03 | 2001-08-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Lösung und Verfahren zum Vorbehandeln von Kupferoberflächen |
| TW470785B (en) | 1998-02-03 | 2002-01-01 | Atotech Deutschland Gmbh | Process for preliminary treatment of copper surfaces |
| US6117250A (en) * | 1999-02-25 | 2000-09-12 | Morton International Inc. | Thiazole and thiocarbamide based chemicals for use with oxidative etchant solutions |
| US6383272B1 (en) | 2000-06-08 | 2002-05-07 | Donald Ferrier | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
| US6419784B1 (en) | 2000-06-21 | 2002-07-16 | Donald Ferrier | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
| US6554948B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-04-29 | Donald Ferrier | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
| JP4018559B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2007-12-05 | メック株式会社 | 電子基板の製造方法 |
| JPWO2005086551A1 (ja) | 2004-03-03 | 2007-08-09 | イビデン株式会社 | エッチング液、エッチング方法およびプリント配線板 |
| JP4606835B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-01-05 | 朝日化学工業株式会社 | エッチング組成液 |
| JP4955263B2 (ja) | 2004-12-15 | 2012-06-20 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
| JP4606919B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-01-05 | 朝日化学工業株式会社 | エッチング組成液 |
| JP4961950B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2012-06-27 | 凸版印刷株式会社 | エンボス加飾版およびその製造方法 |
| DE102008045306A1 (de) | 2007-09-04 | 2009-03-05 | MEC COMPANY LTD., Amagasaki | Ätzlösung und Verfahren zur Bildung eines Leiterbildes |
| EP2253739A1 (en) | 2008-02-12 | 2010-11-24 | Mitsubishi Paper Mills Limited | Etching method |
| JP4685180B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2011-05-18 | 株式会社Ａｄｅｋａ | 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法 |
| JP2011179085A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | C Uyemura & Co Ltd | 電気めっき用前処理剤、電気めっきの前処理方法及び電気めっき方法 |
| JP6047832B2 (ja) | 2012-12-03 | 2016-12-21 | メック株式会社 | エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法 |
| CN103952702A (zh) * | 2014-05-04 | 2014-07-30 | 深圳市实锐泰科技有限公司 | 蚀刻液及使用该蚀刻液进行软性线路板细线蚀刻的方法 |
| JP6273524B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2018-02-07 | メック株式会社 | エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法 |
| JP6273525B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2018-02-07 | メック株式会社 | エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法 |
| KR102421116B1 (ko) | 2017-06-22 | 2022-07-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 식각액 조성물을 이용한 배선 형성 방법 |
| JP7274221B2 (ja) * | 2020-11-11 | 2023-05-16 | メック株式会社 | エッチング剤及び回路基板の製造方法 |
| CN114381736A (zh) * | 2022-01-07 | 2022-04-22 | 安捷利（番禺）电子实业有限公司 | 一种钛铜合金蚀刻液及蚀刻方法 |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP21157592A patent/JP3387528B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1500719A1 (en) | 2003-07-25 | 2005-01-26 | Mec Company Ltd. | Etchant, replenishment solution and method for producing copper wiring using the same |
| US7431861B2 (en) | 2003-07-25 | 2008-10-07 | Mec Company Ltd. | Etchant, replenishment solution and method for producing copper wiring using the same |
| EP2226410A1 (en) | 2003-07-25 | 2010-09-08 | Mec Company Ltd. | Etchant and replenishment solution for producing copper wiring |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0657453A (ja) | 1994-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3387528B2 (ja) | 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法 | |
| EP1500719B1 (en) | Method for producing copper wiring | |
| JP3400558B2 (ja) | 銅および銅合金のエッチング液 | |
| US5439783A (en) | Composition for treating copper or copper alloys | |
| EP1780309B1 (en) | Composition and method for improved adhesion of polymeric materials to copper or copper alloy surfaces | |
| US3597290A (en) | Method for chemically dissolving metal | |
| EP0855454A1 (en) | Microetching composition for copper or copper alloy | |
| JP5360703B2 (ja) | エッチング液 | |
| JP2001140084A (ja) | ニッケルまたはニッケル合金のエッチング液 | |
| JP2000239865A (ja) | 金属表面に耐酸性を付与する水性溶液 | |
| KR102472714B1 (ko) | 구리 에칭액 | |
| EP1920026B1 (en) | Improved microetching solution | |
| KR20150059602A (ko) | 에칭용 조성물 및 이것을 이용한 프린트 배선판의 제조방법 | |
| KR20060046430A (ko) | 세미 어디티브법 프린트 배선 기판의 제조에서의 에칭 제거방법 및 에칭액 | |
| GB2086808A (en) | Improved ammoniacal alkaline cupric etchant solution for and method of recucting etchant undercut | |
| JP5005883B2 (ja) | サブトラクティブ工法用回路形成エッチング液 | |
| JP4418916B2 (ja) | エッチング処理用組成物 | |
| US5560840A (en) | Selective etching of nickle/iron alloys | |
| JP3387527B2 (ja) | 銅または銅合金のエッチング用組成物 | |
| US4236957A (en) | Dissolution of metals utilizing an aqueous H2 SOY --H2 O.sub. -mercapto containing heterocyclic nitrogen etchant | |
| JP4431860B2 (ja) | 銅および銅合金の表面処理剤 | |
| CA1194393A (en) | Dissolution of metals utilizing epsilon-caprolactam | |
| US4233111A (en) | Dissolution of metals utilizing an aqueous H2 SO4 -H2 O2 -3-sulfopropyldithiocarbamate etchant | |
| KR920006353B1 (ko) | 피롤리돈을 이용한 금속의 용해 방법 및 그 조성물 | |
| KR920006354B1 (ko) | 푸란 유도체를 이용한 금속의 용해 방법 및 그 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |