JP4685180B2 - 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法 - Google Patents
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Description
高密度の回路配線を形成する方法としては、サブトラクティブ法やセミアディティブ法と呼ばれる方法が知られており、これらの方法ではウエットエッチングが行われている。
例えば、特許文献1には、酸化剤である2価鉄イオン、塩酸、銅含有材料エッチング促進剤、及び銅含有材料エッチング抑制剤を必須成分とするエッチング剤組成物を用いたセミアディティブ法による回路パターン形成方法が開示されている。ここで、銅含有材料エッチング抑制剤としては、アミン類化合物の活性水素基にプロピレンオキシド及びエチレンオキシドを付加した化合物が開示されており、銅表面の清浄化効果やレベリング性を向上させる成分としてリン酸を使用することも開示されている。
また、高分子ポリエーテルジオールにおけるエチレンオキサイド基の含有量は15〜50質量%である。エチレンオキサイド基の含有量が15質量%よりも少ないと、エッチング剤組成物の相溶性が低下し、ショート等が生じてしまう。一方、エチレンオキサイド基の含有量が50質量%よりも多いと、エッチングファクターが向上せず、所望の回路パターンが得られない。
高分子ポリエーテルジオールの中でも、下記一般式(3)で表される化合物は、より良好な回路形状が得られるため、特に好ましい。
上記のような効果を奏する(C)成分は、下記一般式(1)で表されるポリオールである。このポリオールは、1種を単独で使用しても、2種以上を混合して使用してもよい。
R1で表される炭素数2〜6のアルキレン基としては、例えば、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基等が挙げられ、これらの基は、いずれの位置で結合していてもよく、分岐していてもよい。R2又はR3で表されるプロピレン基は、−CY1H−CY2H−(Y1及びY2は、一方が水素、他方がメチル基である)でも−CH2−CH2−CH2−でもよい。
上記一般式(1)で表されるポリオールの中でも、R1がエチレンであり、nが1であり、X1〜X4が一般式(2)で表される基であるポリオールは、入手が容易であると共に形状不良の防止効果に優れるため好ましい。
また、上記ポリオールにおけるエチレンオキサイド基の含有量は、50質量%以下、好ましくは15〜50質量%である。エチレンオキサイド基の含有量が50質量%よりも多いと、エッチングファクターが低下し、所望の回路パターンが得られない。また、エチレンオキサイド基の含有量が15質量%よりも少ないと、充分なエッチング効果が得られないことがある。
(D)成分は、リン酸及びリン酸塩から選択される少なくとも1つである。リン酸塩としては、例えば、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸カルシウム、及びリン酸アンモニウム等が挙げられる。また、リン酸塩は、酸性塩(一水素塩、二水素塩)、中性塩のいずれでもよい。中でも、リン酸は、形状不良の防止効果が顕著であるため好ましい。
(E)成分は、塩化水素及び硫酸から選択される少なくとも1つである。
エッチング組成物における(E)成分の含有量は、0.05〜10質量%である。(E)成分の含有量が0.05質量%よりも少ないと、充分な使用効果が得られない。一方、(E)成分の含有量が10質量%よりも多いと、エッチングが過剰となり、エッチング速度の制御ができなくなる。その結果、回路配線の形状不良が生じる。
アニオン性界面活性剤としては、例えば、高級脂肪酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、硫化オレフィン塩、高級アルキルスルホン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、硫酸化脂肪酸塩、スルホン化脂肪酸塩、リン酸エステル塩、脂肪酸エステルの硫酸エステル塩、グリセライド硫酸エステル塩、脂肪酸エステルのスルホン酸塩、α−スルホ脂肪酸メチルエステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸エステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド、脂肪酸アルカノールアミド又はそのアルキレンオキサイド付加物の硫酸エステル塩、スルホコハク酸エステル、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、アルキルベンゾイミダゾールスルホン酸塩、ポリオキシアルキレンスルホコハク酸塩、N−アシル−N−メチルタウリンの塩、N−アシルグルタミン酸又はその塩、アシルオキシエタンスルホン酸塩、アルコキシエタンスルホン酸塩、N−アシル−β−アラニン又はその塩、N−アシル−N−カルボキシエチルタウリン又はその塩、N−アシル−N−カルボキシメチルグリシン又はその塩、アシル乳酸塩、N−アシルサルコシン塩、及びアルキル又はアルケニルアミノカルボキシメチル硫酸塩等が挙げられる。
両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシベタイン、スルホベタイン、ホスホベタイン、アミドアミノ酸、及びイミダゾリニウムベタイン系界面活性剤等が挙げられる。
上記の界面活性剤は、単独又は2種以上を混合して用いることができる。
有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、シュウ酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリコール酸、乳酸、スルファミン酸、ニコチン酸、アスコルビン酸、ヒドロキシピバリン酸、レブリン酸及びβ−クロロプロピオン酸等のカルボン酸類、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、2−ヒドロキシエタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及びトルエンスルホン酸等の有機スルホン酸類が挙げられる。これらは、単独又は2種以上を混合して用いることができる。
チオ尿素類化合物としては、例えば、チオ尿素、エチレンチオ尿素、及びチオジグリコール、メルカプタン等が挙げられる。これらは、単独又は2種以上を混合して用いることができる。
過硫酸塩としては、例えば、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、及び過硫酸カリウム等が挙げられる。これらは、単独又は2種以上を混合して用いることができる。
このようにして得られる本発明のエッチング剤組成物の比重は、1.10〜1.30であることが好ましい。比重が1.10よりも小さいと、充分なエッチング速度が得られなかったり、エッチングファクターが低下することがある。一方、比重が1.30よりも大きいと、エッチングファクターが低下することがある。
また、本発明のエッチング剤組成物を用いたエッチング方法では、エッチングを繰り返すことによる液の劣化を回復させるために補給液を加えてもよい。特に、上記のオートコントロール式のエッチング方法では、補給液がエッチング装置に予めセットされ、液が劣化した段階でエッチング剤組成物に添加される。当該補給液は、例えば、(A)成分、(E)成分及び水であり、(A)成分及び(E)の濃度は、エッチング剤組成物の1〜20倍程度である。また、当該補給液には、本発明のエッチング剤組成物の(B)〜(D)成分又は任意成分を必要に応じて添加してもよい。
下記の実施例及び比較例で使用した高分子ポリエーテルジオール及びポリオールを表1及び2に示す。
表1及び表2に示した高分子ポリエーテルジオール及びポリオール、塩化第二鉄(4.9質量%)、塩化第二銅(6.6質量%)、リン酸、塩化水素を表3の組成で混合してエッチング剤組成物No.1〜11を得た。なお、表3において、塩化第二鉄の含有量は第二鉄イオン換算の含有量、塩化第二銅の含有量は第二銅イオン換算の含有量で表した。また、含有量の残部は水である。
(比較例1)
実施例1と同様にして、表3の組成で各成分を混合してエッチング剤組成物No.12〜19を得た。
銅厚8μmのCOFテープ基材(158mm×100mm)にレジスト(PMER−P;東京応化株式会社製)を塗布して乾燥させた後、露光装置(UFX−2458B;ウシオ電機株式会社社製)を用いて露光し、現像及びリンスを行うことにより、ピッチ20μm及びスペース6μmのレジストパターンを形成した。
次に、レジストパターンを形成したCOFテープ基材について、上記のエッチング剤組成物No.1〜11を用い、処理温度45℃、処理圧力0.05MPaの条件下で、ジャストエッチングとなる秒数(60〜100秒)の間スプレーすることでウエットエッチングを行なった。そして、レジスト除去剤(アセトン)を用いてレジストパターンを除去し、銅回路パターンを得た。得られた銅回路パターンの形状について、下記の評価を行なった。
キーエンス株式会社製レーザー顕微鏡を用いて銅回路パターンの形状を観察し、線幅のブレが1μm未満のものを「5」、1μm以上1.7μm未満のものを「4」、1.7μm以上2.4μm未満のものを「3」、2.4μm以上3μm未満のものを「2」、3μm以上のもを「5」とする5段階評価を行なった。
(2)配線上部幅(トップ幅)
レーザー顕微鏡像により測定した。なお、単位はμmである。
(3)エッチングファクター
以下の式より算出した。
エッチングファクター=銅厚(μm)/{(B−T)/2}
式中、Tはトップ幅(μm)、Bはボトム幅(μm)である。
キーエンス社製レーザー顕微鏡を用いた観察によって、エッチング部分の残りを観察した。エッチング部分の残りがないものを「5」、エッチング部分の残りが多いものを「1」として5段階評価を行なった。
(5)エッチング速度
テープ基材に対して30秒間のウエットエッチング処理を行い、当該エッチング処理の前後におけるテープ基材の質量差(溶出した銅)を求め、下記式から算出した。なお、単位はμm/分である。
エッチング速度=(エッチング前のテープ基材の重量(g)−エッチング後のテープ基材の重量(g))/(処理面積(cm2)×8.93(g/cm3))×10000×60/30
上記の評価結果を表4に示す。
エッチング剤組成物No.12〜19を用いたこと以外は実施例2と同様にしてウエットエッチングを行い、銅回路パターンを得た。
得られた銅回路パターンの形状について、上記の評価(1)〜(4)を行なった。その評価結果を表4に示す。
一方、高分子ポリエーテルジオール及びポリオールを含まないエッチング剤組成物No.12、ポリオールを含まないエッチング剤組成物No.13、高分子ポリエーテルジオールを含まないエッチング剤組成物No.14〜17、所定の高分子ポリエーテルジオールを含まないエッチング剤組成物No.19はいずれも、良好な回路形状を与えなかった。また、エッチング剤組成物No.18の結果からわかるように、高分子ポリエーテルジオールの数平均分子量が大きすぎると、直線性が低下し、残膜が多くなった。
また、エッチング剤組成物No.2とエッチング剤組成物No.11との比較からわかるように、エチレンオキサイド基の含有量が多いほど、より良好なトップ幅やエッチングファクターを与えた。
Claims (5)
- (A)第二銅イオン及び第二鉄イオンから選択される少なくとも1つの酸化剤成分0.1〜15質量%、
(B)数平均分子量が1,500〜3,000であり、且つエチレンオキサイド基の含有量が15〜50質量%である、エチレンオキサイド基及びプロピレンオキサイド基を有する高分子ポリエーテルジオール0.001〜3質量%、
(C)下記一般式(1)で表されるポリオール0.001〜3質量%
(D)リン酸及びリン酸塩から選択される少なくとも1つのリン酸成分0.1〜5質量%、及び
(E)塩化水素及び硫酸から選択される少なくとも1つの無機酸成分0.05〜10質量%
を含む水溶液からなることを特徴とする銅含有材料用エッチング剤組成物。 - 前記(C)ポリオールの数平均分子量は、200〜1,500であることを特徴とする請求項1又は2に記載の銅含有材料用エッチング剤組成物。
- 前記一般式(2)のR2はプロピレン基であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の銅含有材料用エッチング剤組成物。
- 厚さ1〜10μm、エッチングスペース1〜10μmの銅含有材料のパターニングにおいて、請求項1〜4のいずれか一項に記載のエッチング剤組成物を使用することを特徴とする銅含有材料のエッチング方法。
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