JP2000239865A - 金属表面に耐酸性を付与する水性溶液 - Google Patents
金属表面に耐酸性を付与する水性溶液Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属表面に耐酸性を付与する水性溶液の提供
【解決手段】 プロトン源;酸化剤;ハロゲンイオン
源;アゾール化合物;ならびにチアゾール化合物、チオ
カルバミド化合物およびそれらの混合物からなる群から
選択される化合物を含む、金属表面上の表面積を増加さ
せ、該金属表面に酸に対する耐性を付与するための水性
溶液。
源;アゾール化合物;ならびにチアゾール化合物、チオ
カルバミド化合物およびそれらの混合物からなる群から
選択される化合物を含む、金属表面上の表面積を増加さ
せ、該金属表面に酸に対する耐性を付与するための水性
溶液。
Description
【0001】本発明は、プリント基板、特に多層プリン
ト基板に関する。具体的には、本発明は、多層基板(m
ulti−layer circuit board
s)の誘電層(dielectric layers)
への金属回路(metal circuitry)の密
着を改良し、同時に金属回路へ耐酸性を付与するための
金属製、特に銅製プリント回路の酸化過程を用いたミク
ロエッチング(micro−etching)に関す
る。プリント回路の多くが銅の回路であるので、本発明
は主として、銅製のプリント回路に関して述べられる。
しかしながら、本発明は一般に、表面積を増加させるた
めに酸化的にミクロエッチングされることができる金属
表面に適用できる;このように、銅表面に関する議論
は、表面積を増加させるために酸化的にミクロエッチン
グされうる他の金属にも当てはまると理解されるべきで
ある。
ト基板に関する。具体的には、本発明は、多層基板(m
ulti−layer circuit board
s)の誘電層(dielectric layers)
への金属回路(metal circuitry)の密
着を改良し、同時に金属回路へ耐酸性を付与するための
金属製、特に銅製プリント回路の酸化過程を用いたミク
ロエッチング(micro−etching)に関す
る。プリント回路の多くが銅の回路であるので、本発明
は主として、銅製のプリント回路に関して述べられる。
しかしながら、本発明は一般に、表面積を増加させるた
めに酸化的にミクロエッチングされることができる金属
表面に適用できる;このように、銅表面に関する議論
は、表面積を増加させるために酸化的にミクロエッチン
グされうる他の金属にも当てはまると理解されるべきで
ある。
【0002】多層プリント基板の製造をするためには、
銅層と樹脂層を一緒に接着することが求められる。しか
しながら、銅層と樹脂層との直接な接着では、十分な接
着強度が得られない。それゆえ、銅表面に表面粗さを与
えることにより、銅−樹脂接着強度を改良し、それによ
って銅と樹脂の間の機械的な接着を向上させることが一
般的である。
銅層と樹脂層を一緒に接着することが求められる。しか
しながら、銅層と樹脂層との直接な接着では、十分な接
着強度が得られない。それゆえ、銅表面に表面粗さを与
えることにより、銅−樹脂接着強度を改良し、それによ
って銅と樹脂の間の機械的な接着を向上させることが一
般的である。
【0003】表面粗さを付与する一般的な方法の一つ
は、銅表面に、例えば酸化銅(I)、酸化銅(II)、
等の酸化物層を析出させることである。ピンク色の銅表
面を黒−茶色に変える酸化物層の生成は、銅表面に銅表
面と樹脂の間のインターロック効果をもたらす微細なむ
ら(unevenness)を生み出し、それによって
接着強度が改善される。
は、銅表面に、例えば酸化銅(I)、酸化銅(II)、
等の酸化物層を析出させることである。ピンク色の銅表
面を黒−茶色に変える酸化物層の生成は、銅表面に銅表
面と樹脂の間のインターロック効果をもたらす微細なむ
ら(unevenness)を生み出し、それによって
接着強度が改善される。
【0004】しかしながら、銅酸化物は酸との接触で容
易に分解され溶解される。多層基板の製造の後工程で様
々な酸処理が用いられるので、いくらよい酸化物層の析
出でも問題となっている。特に、多層基板を貫いて穴を
あけてスルーホールが形成され、このスルーホールは何
層もの回路を相互につなぐために銅でめっきされる。銅
めっきプロセスの一部で、スルーホールはHClのよう
な酸に曝される。スルーホール周辺部分に存在する酸化
物層への酸の攻撃は、工業的には一般に「ピンクのリン
グ(pink ring)」と呼ばれる、なぜなら酸が
表面から黒−茶色の酸化物層をはぎ取るので、はだかの
ピンク色の銅の輪がはっきり表われてくるからである。
銅酸化物が酸に攻撃されやすいという問題は、たとえば
米国特許第4,642,161号及び4,717,43
9号といった多くの特許の中で検討されてきた。
易に分解され溶解される。多層基板の製造の後工程で様
々な酸処理が用いられるので、いくらよい酸化物層の析
出でも問題となっている。特に、多層基板を貫いて穴を
あけてスルーホールが形成され、このスルーホールは何
層もの回路を相互につなぐために銅でめっきされる。銅
めっきプロセスの一部で、スルーホールはHClのよう
な酸に曝される。スルーホール周辺部分に存在する酸化
物層への酸の攻撃は、工業的には一般に「ピンクのリン
グ(pink ring)」と呼ばれる、なぜなら酸が
表面から黒−茶色の酸化物層をはぎ取るので、はだかの
ピンク色の銅の輪がはっきり表われてくるからである。
銅酸化物が酸に攻撃されやすいという問題は、たとえば
米国特許第4,642,161号及び4,717,43
9号といった多くの特許の中で検討されてきた。
【0005】銅表面上に銅酸化物被覆を形成する別法
は、銅表面をミクロエッチングして粗くする事であ
る。;本発明は、かかる表面を粗くする方法に関する。
もっとも一般的には、このエッチング溶液は、硫酸のよ
うな鉱酸と過酸化水素の水溶液である。そのような溶液
は、米国特許第4,751,106号で開示されてお
り、かかる開示は本明細書中に組み込まれ参照される。
ミクロエッチングプロセスは、おそらく金属の銅の酸化
によって銅をあらし;金属表面上に結果として生じるト
ポグラフィー(topography)は、樹脂へのよ
り優れた密着をもたらす。ミクロエッチングされた表面
は、明るい赤/茶から焦げ茶に見え、おそらくこれは表
面のトポグラフィー及びエッチングプロセスで生成され
るいくらかの残留銅酸化物の結果である。スルーホール
が酸をベースの銅めっきに曝される際に、スルーホール
周囲の銅の回路トレース(circuitry tra
ce)への酸の攻撃によって、ミクロエッチングされた
銅の回路は同様に「ピンクリング」の生成を被りやす
い。「ピンクリング」の生成は、少なくとも外観が悪
く、多層プリント基板の破損の潜在的な原因となる。
は、銅表面をミクロエッチングして粗くする事であ
る。;本発明は、かかる表面を粗くする方法に関する。
もっとも一般的には、このエッチング溶液は、硫酸のよ
うな鉱酸と過酸化水素の水溶液である。そのような溶液
は、米国特許第4,751,106号で開示されてお
り、かかる開示は本明細書中に組み込まれ参照される。
ミクロエッチングプロセスは、おそらく金属の銅の酸化
によって銅をあらし;金属表面上に結果として生じるト
ポグラフィー(topography)は、樹脂へのよ
り優れた密着をもたらす。ミクロエッチングされた表面
は、明るい赤/茶から焦げ茶に見え、おそらくこれは表
面のトポグラフィー及びエッチングプロセスで生成され
るいくらかの残留銅酸化物の結果である。スルーホール
が酸をベースの銅めっきに曝される際に、スルーホール
周囲の銅の回路トレース(circuitry tra
ce)への酸の攻撃によって、ミクロエッチングされた
銅の回路は同様に「ピンクリング」の生成を被りやす
い。「ピンクリング」の生成は、少なくとも外観が悪
く、多層プリント基板の破損の潜在的な原因となる。
【0006】「ピンクリング」のような酸の攻撃問題を
妨げるもしくは最小限にとどめるために、ミクロエッチ
ングされた銅の回路に耐酸性を付与することが、本発明
の主要な目的である。この点に関して、本発明は2、3
の一般的な加工手順に関連して述べられているけれど
も、プリント回路の形成において様々な処理可能な工程
が存在し、ミクロエッチングされた銅に耐酸性を付与す
るのに一般的に適用できるということが理解されるべき
である。
妨げるもしくは最小限にとどめるために、ミクロエッチ
ングされた銅の回路に耐酸性を付与することが、本発明
の主要な目的である。この点に関して、本発明は2、3
の一般的な加工手順に関連して述べられているけれど
も、プリント回路の形成において様々な処理可能な工程
が存在し、ミクロエッチングされた銅に耐酸性を付与す
るのに一般的に適用できるということが理解されるべき
である。
【0007】本発明の一つの態様では、金属表面の表面
積を増加させ、同時にミクロエッチングされた金属表面
に耐酸性を付与するために、金属表面をミクロエッチン
グするための酸化性的水性エッチング溶液が提供され
る。該溶液は、プロトン源;酸化剤(oxidizer
agent);アゾール化合物;ハロゲンイオン源;
ならびにチアゾール化合物、チオカルバミド化合物、お
よびそれらの混合物からなる群から選択される化合物を
含んでいる。この溶液は、例えば銅のような金属の表面
をミクロエッチングするのに用いられる。HCl溶液が
ミクロエッチングされたボード(board)の色を茶
色からピンク色に変えるために要するかなり長い時間に
よって証明されるように、チアゾールおよび/またはチ
オカルバミド化合物を含むことで、耐酸性におけるまさ
に本質的な改良が達成される。この改良された耐酸性
は、多層プリント基板の製造における「ピンクリング」
の除去または最小化、およびプリント基板製造における
他の酸の攻撃に関連した問題の除去または最小化を可能
にする。
積を増加させ、同時にミクロエッチングされた金属表面
に耐酸性を付与するために、金属表面をミクロエッチン
グするための酸化性的水性エッチング溶液が提供され
る。該溶液は、プロトン源;酸化剤(oxidizer
agent);アゾール化合物;ハロゲンイオン源;
ならびにチアゾール化合物、チオカルバミド化合物、お
よびそれらの混合物からなる群から選択される化合物を
含んでいる。この溶液は、例えば銅のような金属の表面
をミクロエッチングするのに用いられる。HCl溶液が
ミクロエッチングされたボード(board)の色を茶
色からピンク色に変えるために要するかなり長い時間に
よって証明されるように、チアゾールおよび/またはチ
オカルバミド化合物を含むことで、耐酸性におけるまさ
に本質的な改良が達成される。この改良された耐酸性
は、多層プリント基板の製造における「ピンクリング」
の除去または最小化、およびプリント基板製造における
他の酸の攻撃に関連した問題の除去または最小化を可能
にする。
【0008】本発明のもう一つの態様では、金属表面は
酸化的にミクロエッチングされる。その後、チアゾール
化合物、チオカルバミド化合物またはそれらの混合物の
水性溶液で、表面を後処理する。チアゾールおよび/ま
たはチオカルバミド化合物は、少なくとも約0.01重
量%、好ましくは少なくとも0.2重量%、最大で飽和
濃度まで、の濃度で含有されている。
酸化的にミクロエッチングされる。その後、チアゾール
化合物、チオカルバミド化合物またはそれらの混合物の
水性溶液で、表面を後処理する。チアゾールおよび/ま
たはチオカルバミド化合物は、少なくとも約0.01重
量%、好ましくは少なくとも0.2重量%、最大で飽和
濃度まで、の濃度で含有されている。
【0009】上記のように、本発明の議論は主として銅
および銅合金に関するけれども、本発明は、銅、ニッケ
ル、カドミウム、亜鉛、鉄、アルミニウム、およびそれ
らの合金(これらに限定されるものではない)をはじめ
とする、酸化的にミクロエッチングされることができる
いかなる金属表面にも適用できる。本発明の目的のため
には、金属の「合金」は、指定された金属を少なくとも
50重量%含んでいる金属の混合物である。ここで、単
数形が成分に用いられる時は1成分を意味し、複数は二
者択一を意味する;従って「チアゾール化合物」は、単
独のチアゾール化合物またはチアゾール化合物の混合物
を包含することを意図している。さらに、チアゾール化
合物、チオカルバミド化合物、またはアゾール化合物に
言及している際には、別に記されていなくても、これら
の用語はそれらの化合物の塩を包含することを意図して
いる。ここで、「水性溶液」という用語は、主要な溶媒
が水である溶液を意図する;しかしながら、該用語は最
大で約49重量%の水混和性補助溶剤を含有している溶
液を包含することを意図している。
および銅合金に関するけれども、本発明は、銅、ニッケ
ル、カドミウム、亜鉛、鉄、アルミニウム、およびそれ
らの合金(これらに限定されるものではない)をはじめ
とする、酸化的にミクロエッチングされることができる
いかなる金属表面にも適用できる。本発明の目的のため
には、金属の「合金」は、指定された金属を少なくとも
50重量%含んでいる金属の混合物である。ここで、単
数形が成分に用いられる時は1成分を意味し、複数は二
者択一を意味する;従って「チアゾール化合物」は、単
独のチアゾール化合物またはチアゾール化合物の混合物
を包含することを意図している。さらに、チアゾール化
合物、チオカルバミド化合物、またはアゾール化合物に
言及している際には、別に記されていなくても、これら
の用語はそれらの化合物の塩を包含することを意図して
いる。ここで、「水性溶液」という用語は、主要な溶媒
が水である溶液を意図する;しかしながら、該用語は最
大で約49重量%の水混和性補助溶剤を含有している溶
液を包含することを意図している。
【0010】本発明によるミクロエッチングプロセス
は、例えばプリント基板の回路トレースを形成するため
のような、銅層部分が完全にエッチングされるプロセス
とは区別されなければならない。ミクロエッチングで
は、例えば銅の回路トレースのようないかなる銅部分も
完全にエッチングされてなくなってしまうことはない;
それどころか、エッチングされた銅の原型のパターンを
そのままにしておくために、限られた範囲までのみ表面
をエッチングするか、または酸化する。典型的には、も
との表面からミクロエッチングの深さを測定すると約1
0から約500ミクロインチの深さでのみ、銅の表面は
酸化的なプロセスによってエッチングされる。これは、
例えばエッチング溶液の濃度、温度などのパラメーター
に従ってエッチング時間を限定することで成し遂げられ
る。
は、例えばプリント基板の回路トレースを形成するため
のような、銅層部分が完全にエッチングされるプロセス
とは区別されなければならない。ミクロエッチングで
は、例えば銅の回路トレースのようないかなる銅部分も
完全にエッチングされてなくなってしまうことはない;
それどころか、エッチングされた銅の原型のパターンを
そのままにしておくために、限られた範囲までのみ表面
をエッチングするか、または酸化する。典型的には、も
との表面からミクロエッチングの深さを測定すると約1
0から約500ミクロインチの深さでのみ、銅の表面は
酸化的なプロセスによってエッチングされる。これは、
例えばエッチング溶液の濃度、温度などのパラメーター
に従ってエッチング時間を限定することで成し遂げられ
る。
【0011】最も一般的なプロトン源は鉱酸、典型的に
は硫酸であるが、例えば硝酸、リン酸などといった他の
鉱酸も同様に用いることができる。その上、蟻酸のよう
な強い有機酸をプロトン源として用いることができる。
酸は、典型的には1リットルあたり約0.5から7.5
モルの範囲で用いられる。溶液のpHが約4またはそれ
以下になるように十分な酸が用いられることが好まし
い。
は硫酸であるが、例えば硝酸、リン酸などといった他の
鉱酸も同様に用いることができる。その上、蟻酸のよう
な強い有機酸をプロトン源として用いることができる。
酸は、典型的には1リットルあたり約0.5から7.5
モルの範囲で用いられる。溶液のpHが約4またはそれ
以下になるように十分な酸が用いられることが好まし
い。
【0012】酸化剤には、過酸化物、特に過酸化水素、
過硫酸塩化合物、鉄(III)化合物、銅(II)化合
物、および硝酸があげられるがこれらに限定されるもの
ではない。酸化剤は、典型的には溶液の約0.2重量%
から約5重量%の範囲で用いられる。過酸化水素が酸化
剤として用いられる場合は、典型的には1リットルあた
り約0.1から約3.5モルの範囲で用いられる。プロ
トン供与体と共に酸化剤は、ミクロエッチングをするた
めの主要な試薬である。求められているミクロエッチン
グの程度によって、約15から約70℃の温度範囲でエ
ッチング時間は約0.1から10.0分の間で変えるこ
とができる。
過硫酸塩化合物、鉄(III)化合物、銅(II)化合
物、および硝酸があげられるがこれらに限定されるもの
ではない。酸化剤は、典型的には溶液の約0.2重量%
から約5重量%の範囲で用いられる。過酸化水素が酸化
剤として用いられる場合は、典型的には1リットルあた
り約0.1から約3.5モルの範囲で用いられる。プロ
トン供与体と共に酸化剤は、ミクロエッチングをするた
めの主要な試薬である。求められているミクロエッチン
グの程度によって、約15から約70℃の温度範囲でエ
ッチング時間は約0.1から10.0分の間で変えるこ
とができる。
【0013】より深いエッチング、およびそれによって
生じる銅の樹脂へのより優れた密着は、約0.2重量%
から約5重量%の範囲の、好ましくは約0.5から約2
重量%の範囲の、アゾール化合物を含有することで達成
される。好ましいアゾール化合物は、ベンゾトリアゾー
ルである。他の適したアゾール化合物としては、トリル
トリアゾール、カルボキシトリアゾール、イミダゾー
ル、テトラゾールおよびこれらの化合物の塩があげられ
る。さらなる適したアゾール化合物は、例えば米国特許
第3,770,530号に開示されており、かかる開示
は本明細書中に組み込まれ参照される。
生じる銅の樹脂へのより優れた密着は、約0.2重量%
から約5重量%の範囲の、好ましくは約0.5から約2
重量%の範囲の、アゾール化合物を含有することで達成
される。好ましいアゾール化合物は、ベンゾトリアゾー
ルである。他の適したアゾール化合物としては、トリル
トリアゾール、カルボキシトリアゾール、イミダゾー
ル、テトラゾールおよびこれらの化合物の塩があげられ
る。さらなる適したアゾール化合物は、例えば米国特許
第3,770,530号に開示されており、かかる開示
は本明細書中に組み込まれ参照される。
【0014】ミクロエッチング溶液は、ハロゲンイオン
を約2から約50重量ppmの濃度で供給するようなハ
ロゲン源を含む。好ましいハロゲンイオンは、塩素、臭
素、ヨウ素であり、フッ素も同様に用いることができる
が、塩素が最も好ましい。源としては、例えばHCl、
HBr、HI、HFようなハロゲン酸(halogen
acid)またはNaClといった塩等を用いること
ができる。
を約2から約50重量ppmの濃度で供給するようなハ
ロゲン源を含む。好ましいハロゲンイオンは、塩素、臭
素、ヨウ素であり、フッ素も同様に用いることができる
が、塩素が最も好ましい。源としては、例えばHCl、
HBr、HI、HFようなハロゲン酸(halogen
acid)またはNaClといった塩等を用いること
ができる。
【0015】チアゾール化合物および/またはチオカル
バミドの溶液への添加は、ミクロエッチングされた表面
に、続く酸への曝露への耐性を付与する。加工工程を最
小限にするという見地から、チアゾールおよび/または
チオカルバミド化合物は、ミクロエッチング溶液に含ま
れている。ミクロエッチングにおけるチアゾール化合物
および/またはチオカルバミド化合物の全濃度は、少な
くとも約0.05重量%、好ましくは少なくとも約0.
3重量%、最大で飽和濃度までである。理論により拘束
されるものではないが、チアゾールおよび/またはチオ
カルバミド化合物は、例えばキレート化によって銅表面
と結合していると信じられており、それによって銅(お
よびいかなる銅酸化物)は続く酸の攻撃を受けにくくさ
れる。
バミドの溶液への添加は、ミクロエッチングされた表面
に、続く酸への曝露への耐性を付与する。加工工程を最
小限にするという見地から、チアゾールおよび/または
チオカルバミド化合物は、ミクロエッチング溶液に含ま
れている。ミクロエッチングにおけるチアゾール化合物
および/またはチオカルバミド化合物の全濃度は、少な
くとも約0.05重量%、好ましくは少なくとも約0.
3重量%、最大で飽和濃度までである。理論により拘束
されるものではないが、チアゾールおよび/またはチオ
カルバミド化合物は、例えばキレート化によって銅表面
と結合していると信じられており、それによって銅(お
よびいかなる銅酸化物)は続く酸の攻撃を受けにくくさ
れる。
【0016】例えば米国特許第4,715,894号に
開示されており、かかる開示は本明細書中に組み込まれ
参照されているように、置換されたチオカルバミド化合
物も本発明に従って用いられることができるが、チオカ
ルバミド(チオウレア)が好適なチオカルバミド化合物
である。
開示されており、かかる開示は本明細書中に組み込まれ
参照されているように、置換されたチオカルバミド化合
物も本発明に従って用いられることができるが、チオカ
ルバミド(チオウレア)が好適なチオカルバミド化合物
である。
【0017】チアゾールと共に、置換されたチアゾール
も本発明において用いられることができる。好適な置換
されたチアゾールには、2−アミノチアゾールおよび2
−メルカプトベンゾチアゾールが含まれるがこれらに限
定されるものではない。これらのうち、2−アミノチア
ゾールが現在まで最も優れた耐酸性を付与してきた。
も本発明において用いられることができる。好適な置換
されたチアゾールには、2−アミノチアゾールおよび2
−メルカプトベンゾチアゾールが含まれるがこれらに限
定されるものではない。これらのうち、2−アミノチア
ゾールが現在まで最も優れた耐酸性を付与してきた。
【0018】本発明の溶液は、エチレンジアミンテトラ
アセテートといった金属キレート化剤(metal−c
helating agent)を約0.2から約10
重量%の範囲で任意に含むことができる。
アセテートといった金属キレート化剤(metal−c
helating agent)を約0.2から約10
重量%の範囲で任意に含むことができる。
【0019】本発明の水性溶液は、約0.05から約1
0.0重量%の濃度範囲で界面活性剤を任意に含むこと
ができる。適した界面活性剤としては、ポリアルコキシ
ル化されたアルコール、ポリアルコキシル化されたアミ
ン、硫酸化されたおよびスルホン化されたアミド、硫酸
化されたおよびスルホン化されたアミン、グリセリドお
よびポリアルコキシル化されたエステル、ベタイン、な
らびにアルコールを含むがこれらに限定されるものでは
ない。
0.0重量%の濃度範囲で界面活性剤を任意に含むこと
ができる。適した界面活性剤としては、ポリアルコキシ
ル化されたアルコール、ポリアルコキシル化されたアミ
ン、硫酸化されたおよびスルホン化されたアミド、硫酸
化されたおよびスルホン化されたアミン、グリセリドお
よびポリアルコキシル化されたエステル、ベタイン、な
らびにアルコールを含むがこれらに限定されるものでは
ない。
【0020】本発明の水性溶液は、約0.1から約49
重量%の水混和性有機溶媒を任意に含むことができる。
重量%の水混和性有機溶媒を任意に含むことができる。
【0021】本発明にかかる水性溶液は、少なくとも4
0重量%の水を含む。
0重量%の水を含む。
【0022】ミクロエッチング溶液中にチアゾール化合
物および/またはチオカルバミド化合物を含む代わり
に、チアゾール化合物および/またはチオカルバミド化
合物の水性溶液を用いて、酸化的にミクロエッチングさ
れた表面を後処理することができる。さらに、チアゾー
ル化合物および/またはチオカルバミド化合物の全濃度
は、少なくとも約0.2重量%、好ましくは少なくとも
約1重量%、最大で飽和濃度までである。
物および/またはチオカルバミド化合物を含む代わり
に、チアゾール化合物および/またはチオカルバミド化
合物の水性溶液を用いて、酸化的にミクロエッチングさ
れた表面を後処理することができる。さらに、チアゾー
ル化合物および/またはチオカルバミド化合物の全濃度
は、少なくとも約0.2重量%、好ましくは少なくとも
約1重量%、最大で飽和濃度までである。
【0023】本発明を、実施例を用いて次にさらに詳し
く述べる。 実施例1
く述べる。 実施例1
【0024】10重量%の硫酸、10重量%の過酸化水
素、0.005重量%の塩化水素、および1重量%のベ
ンゾトリアゾールを含む水性エッチング溶液(aque
ous etchant solution)を用い
て、4枚の銅クラッド回路ボードブランクス(copp
er−clad circuitry board b
lanks)をミクロエッチングして茶色にした。ボー
ドを、続いて水で5分間すすぎ、乾燥した。3枚のボー
ドが適切な濃度のチオカルバミド(チオウレア)、2−
アミノチアゾールまたは2−メルカプトベンゾチアゾー
ルで処理され、1枚のボードは処理されなかった。これ
らの試薬の水への溶解性が低い際には、溶解を容易にす
るためにグリコールエーテルを用いてこれらの溶液を調
製した。ボードを、周囲温度でHCl(10体積%)に
浸した。ボードが、茶色からピンク色に変わるのに要す
る時間を、以下に示す。
素、0.005重量%の塩化水素、および1重量%のベ
ンゾトリアゾールを含む水性エッチング溶液(aque
ous etchant solution)を用い
て、4枚の銅クラッド回路ボードブランクス(copp
er−clad circuitry board b
lanks)をミクロエッチングして茶色にした。ボー
ドを、続いて水で5分間すすぎ、乾燥した。3枚のボー
ドが適切な濃度のチオカルバミド(チオウレア)、2−
アミノチアゾールまたは2−メルカプトベンゾチアゾー
ルで処理され、1枚のボードは処理されなかった。これ
らの試薬の水への溶解性が低い際には、溶解を容易にす
るためにグリコールエーテルを用いてこれらの溶液を調
製した。ボードを、周囲温度でHCl(10体積%)に
浸した。ボードが、茶色からピンク色に変わるのに要す
る時間を、以下に示す。
【0025】
【表1】
【0026】10%硫酸、1%過酸化水素、0.005
%塩酸および1%ベンゾトリアゾールを含む基本のエッ
チング溶液に、以下が加えられた:対照標準として何も
加えないもの、1.0%チオウレア、0.1%2−アミ
ノチアゾール、および2−メルカプトベンゾチアゾー
ル。銅クラッド回路ボードブランクスを、35℃で1分
間エッチングした。ボードを、水ですすぎ、乾燥した。
続けてボードを、周囲温度で10体積%のHClに曝し
た。ボードが、茶色からピンク色に変わるのに要する時
間を、以下に示す。
%塩酸および1%ベンゾトリアゾールを含む基本のエッ
チング溶液に、以下が加えられた:対照標準として何も
加えないもの、1.0%チオウレア、0.1%2−アミ
ノチアゾール、および2−メルカプトベンゾチアゾー
ル。銅クラッド回路ボードブランクスを、35℃で1分
間エッチングした。ボードを、水ですすぎ、乾燥した。
続けてボードを、周囲温度で10体積%のHClに曝し
た。ボードが、茶色からピンク色に変わるのに要する時
間を、以下に示す。
【0027】
【表2】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596156668 455 Forest Street,Ma rlborough,MA 01752 U. S.A (72)発明者 リー・エラーショー アメリカ合衆国アリゾナ州85023,フェニ ックス,ウエスト・ローズ・マリー・レー ン・1212 (72)発明者 トッド・ジョンソン アメリカ合衆国アリゾナ州85281,テンプ ル,サウス・リバー・ドライブ・8505,ナ ンバー・2075 (72)発明者 マイケル・マーサグリア アメリカ合衆国アリゾナ州85229,チャン ドラー,ノース・イリノイ・ストリート・ 1967
Claims (25)
- 【請求項1】 プロトン源;酸化剤;ハロゲンイオン
源;アゾール化合物;ならびにチアゾール化合物、チオ
カルバミド化合物およびそれらの混合物からなる群から
選択される化合物を含む、金属表面上の表面積を増加さ
せ、該金属表面に酸に対する耐性を付与するための水性
溶液。 - 【請求項2】 さらに金属キレート化剤を含む、請求項
1に記載の水性溶液。 - 【請求項3】 該キレート化剤を該水性溶液の約0.2
重量%から約10.0重量%含む、請求項2に記載の水
性溶液。 - 【請求項4】 約4またはそれ以下のpHを有する、請
求項1に記載の水性溶液。 - 【請求項5】 約0.2から約5.0重量%の該酸化剤
を含む、請求項1に記載の水性溶液。 - 【請求項6】 該酸化剤が、過酸化物化合物、過硫酸塩
化合物、鉄(III)化合物、銅(II)化合物、硝
酸、およびそれらの混合物からなる群から選択される、
請求項1に記載の水性溶液。 - 【請求項7】 該酸化剤が過酸化水素である、請求項1
に記載の水性溶液。 - 【請求項8】 該プロトン源が、有機酸、無機酸および
それらの混合物からなる群から選択される、請求項1に
記載の水性溶液。 - 【請求項9】 該プロトン源が、硫酸、硝酸、リン酸、
フッ化水素酸、蟻酸、フェニルスルホン酸およびそれら
の混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の
水性溶液。 - 【請求項10】 該チアゾール化合物が、2−アミノチ
アゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールおよびそれ
らの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載
の水性溶液。 - 【請求項11】 該チオカルバミド化合物が、チオカル
バミド(チオウレア)である、請求項1に記載の水性溶
液。 - 【請求項12】 該チアゾール化合物および/または該
チオカルバミド化合物が、少なくとも該水性溶液の約
0.2重量%から飽和濃度までの濃度で存在する、請求
項1に記載の水性溶液。 - 【請求項13】 該ハロゲンイオン源が、ハロゲンイオ
ンを約2から50ppmの範囲で供給する、請求項1に
記載の水性溶液。 - 【請求項14】 該ハロゲンイオン源が、塩素、臭素、
ヨウ素およびそれらの混合物からなる群から選択される
ハロゲンイオンを供給する、請求項1に記載の水性溶
液。 - 【請求項15】 該アゾール化合物が、該水性溶液の約
0.2重量%から約5.0重量%の量で存在する、請求
項1に記載の水性溶液。 - 【請求項16】 該アゾール化合物が、ベンゾトリアゾ
ール、トリルトリアゾール、カルボキシトリアゾール、
イミダゾール、テトラゾール、これらの化合物の塩およ
びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1
5に記載の水性溶液。 - 【請求項17】 さらに界面活性剤を含む、請求項1に
記載の水性溶液。 - 【請求項18】 該界面活性剤が約0.05重量%から
約10.0重量%である、請求項17に記載の水性溶
液。 - 【請求項19】 さらに約0.1重量%から約49重量
%の水混和性有機溶媒を含む、請求項1に記載の水性溶
液。 - 【請求項20】 金属表面の表面積を増加させるのに十
分な時間の間、請求項1に記載の水性溶液に該金属表面
を曝すことを含む、引き続く酸への曝露に耐性を示す、
金属表面の表面積の増加方法。 - 【請求項21】 該金属は、銅、ニッケル、カドミウ
ム、亜鉛、鉄、アルミニウム、およびそれらの合金から
なる群から選択される、請求項20に記載の方法。 - 【請求項22】 該金属が銅または銅合金である、請求
項20に記載の方法。 - 【請求項23】 チアゾール化合物、チオカルバミド化
合物およびそれらの混合物から選択される化合物の水性
溶液を提供し、該水性溶液にミクロエッチングされた表
面を曝すことを含む、酸化的にミクロエッチングされた
金属表面に改良された耐酸性を付与する方法。 - 【請求項24】 チアゾール化合物および/または該チ
オカルバイド化合物が約0.01重量%から飽和濃度ま
での濃度で存在する、請求項23に記載の方法。 - 【請求項25】 チアゾール化合物および/または該チ
オカルバイド化合物が約0.2重量%から飽和濃度まで
の濃度で存在する、請求項23に記載の方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/257,332 US6117250A (en) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | Thiazole and thiocarbamide based chemicals for use with oxidative etchant solutions |
US09/257332 | 1999-02-25 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000239865A true JP2000239865A (ja) | 2000-09-05 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000049024A Pending JP2000239865A (ja) | 1999-02-25 | 2000-02-25 | 金属表面に耐酸性を付与する水性溶液 |
Country Status (5)
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---|---|
US (1) | US6117250A (ja) |
EP (1) | EP1031644A1 (ja) |
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KR (1) | KR100354121B1 (ja) |
TW (1) | TW591119B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009147336A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 密着性の促進 |
US10020090B2 (en) | 2013-03-28 | 2018-07-10 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Conductive particles, method of manufacturing the same, conductive resin composition containing the same, and conductive coated object |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6068879A (en) * | 1997-08-26 | 2000-05-30 | Lsi Logic Corporation | Use of corrosion inhibiting compounds to inhibit corrosion of metal plugs in chemical-mechanical polishing |
US6444140B2 (en) * | 1999-03-17 | 2002-09-03 | Morton International Inc. | Micro-etch solution for producing metal surface topography |
DE10034022C2 (de) * | 2000-07-07 | 2003-05-08 | Atotech Deutschland Gmbh | Saure Behandlungsflüssigkeit und deren Verwendung sowie Verfahren zum Behandeln von Kupferoberflächen |
DE10066028C2 (de) * | 2000-07-07 | 2003-04-24 | Atotech Deutschland Gmbh | Kupfersubstrat mit aufgerauhten Oberflächen |
JP4033611B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2008-01-16 | メック株式会社 | 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いるマイクロエッチング法 |
US6752878B2 (en) * | 2000-09-19 | 2004-06-22 | Shipley Company, L.L.C. | Process for treating adhesion promoted metal surfaces |
KR100899588B1 (ko) * | 2000-10-26 | 2009-05-27 | 오우크-미츠이, 인크 . | 인쇄 회로 기판 제조에서 옥사이드 공정을 대체하고 미세라인을 제조하기 위해 구리 포일을 금속 처리하는 인쇄회로 기판 제조 방법 |
US6841084B2 (en) * | 2002-02-11 | 2005-01-11 | Nikko Materials Usa, Inc. | Etching solution for forming an embedded resistor |
JP4241018B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2009-03-18 | メック株式会社 | エッチング液 |
FR2849868A1 (fr) * | 2003-01-15 | 2004-07-16 | Possehl Electronic France Sa | Procede de traitement chimique d'un support d'alliages de cuivre pour composants electroniques du type de ceux utilises dans l'industrie des semi-conducteurs |
US7285229B2 (en) * | 2003-11-07 | 2007-10-23 | Mec Company, Ltd. | Etchant and replenishment solution therefor, and etching method and method for producing wiring board using the same |
KR20050110470A (ko) * | 2004-05-19 | 2005-11-23 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법 |
ATE445031T1 (de) * | 2006-02-17 | 2009-10-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Zusammensetzung und verfahren zur behandlung der oberflächen von kupferlegierungen, um die haftfähigkeit zwischen der metalloberfläche und dem gebundenen polymerischen material zu verbessern |
DE102006008261A1 (de) * | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Ätzlösung und Verfahren zur Strukturierung eines UBM-Schichtsystems |
DE102008029266A1 (de) | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Schaeffler Kg | Schaltdomgehäuse sowie Schaltdom mit dem Schaltdomgehäuse |
KR101366938B1 (ko) * | 2012-01-06 | 2014-02-25 | 삼성전기주식회사 | 에칭액 및 이를 이용한 인쇄 배선 기판의 제조방법 |
CN104769159B (zh) * | 2012-12-03 | 2017-09-19 | Mec股份有限公司 | 蚀刻液、补给液及铜配线的形成方法 |
CN104674222A (zh) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 芝普企业股份有限公司 | 可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液 |
KR20180071451A (ko) * | 2016-12-19 | 2018-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
KR20180078389A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 배선의 제조 방법 |
CN115125593B (zh) * | 2022-06-01 | 2023-12-05 | 生益电子股份有限公司 | 一种螯合剂在pcb制备中的应用 |
CN115354327B (zh) * | 2022-08-22 | 2024-01-02 | 上海天承化学有限公司 | 一种适用于sap制程的微蚀粗化液及其应用 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US32555A (en) * | 1861-06-18 | Albert d | ||
US2746848A (en) * | 1955-01-19 | 1956-05-22 | Photo Engravers Res Inc | Etching |
US3114657A (en) * | 1960-08-29 | 1963-12-17 | John W Stilwell | Composition and method for cleaning and stripping metals |
NL279497A (ja) * | 1961-06-08 | |||
US3216873A (en) * | 1961-08-04 | 1965-11-09 | Fmc Corp | Method of etching photoengraving plates and etching solution used therefor |
US3136670A (en) * | 1961-09-14 | 1964-06-09 | Photo Engravers Res Inc | Powderless etching |
BE657099A (ja) * | 1963-12-30 | |||
BE663291A (ja) * | 1964-05-04 | |||
US3312625A (en) * | 1965-07-06 | 1967-04-04 | Joseph C Peterson | Pickling inhibitor composition |
US3458371A (en) * | 1965-11-12 | 1969-07-29 | Photo Engravers Research Inst | Composition and process for powderless etching |
US3458372A (en) * | 1965-11-12 | 1969-07-29 | Photo Engravers Research Inst | Powderless etching |
US3407141A (en) * | 1966-02-03 | 1968-10-22 | Allied Chem | Dissolution of metal with acidified hydrogen peroxide solutions |
US3668131A (en) * | 1968-08-09 | 1972-06-06 | Allied Chem | Dissolution of metal with acidified hydrogen peroxide solutions |
BE758162A (fr) * | 1969-10-28 | 1971-04-01 | Fmc Corp | Stabilisation de solutions acidifiees d'eau |
JPS5221460B1 (ja) * | 1971-04-26 | 1977-06-10 | ||
US3954645A (en) * | 1971-11-11 | 1976-05-04 | Basf Wyandotte Corporation | Additive for an acid cleaning bath for metal surfaces |
JPS5332341B2 (ja) * | 1973-03-27 | 1978-09-07 | ||
US3979311A (en) * | 1974-05-30 | 1976-09-07 | Universal Oil Products Company | Corrosion inhibitor compositions |
US3969260A (en) * | 1974-07-03 | 1976-07-13 | Universal Oil Products Company | Corrosive inhibitor compositions |
SE400575B (sv) * | 1974-12-13 | 1978-04-03 | Nordnero Ab | Bad for betning av koppar och dess legeringar |
US3992313A (en) * | 1975-07-14 | 1976-11-16 | Amchem Products, Inc. | Acid inhibitor composition and process in hydrofluoric acid chemical cleaning |
US4086128A (en) * | 1976-03-04 | 1978-04-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for roughening surface of epoxy resin |
US4140646A (en) * | 1977-11-08 | 1979-02-20 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals with a selenium catalyzed H2 O2 -H2 SO4 etchant containing t-butyl hydroperoxide |
US4141850A (en) * | 1977-11-08 | 1979-02-27 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals |
US4180469A (en) * | 1977-12-30 | 1979-12-25 | Amchem Products, Inc. | Dithiocarbamate sulfonium salt inhibitor composition |
US4233113A (en) * | 1979-06-25 | 1980-11-11 | Dart Industries Inc. | Dissolution of metals utilizing an aqueous H2 O2 -H2 SO4 -thioamide etchant |
JPS58197277A (ja) * | 1982-05-08 | 1983-11-16 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 金属の化学的溶解処理液 |
USRE32555E (en) | 1982-09-20 | 1987-12-08 | Circuit Chemistry Corporation | Solder stripping solution |
JPS61176192A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | 株式会社日立製作所 | 銅と樹脂との接着方法 |
US4717439A (en) * | 1985-10-24 | 1988-01-05 | Enthone, Incorporated | Process for the treatment of copper oxide in the preparation of printed circuit boards |
US4751106A (en) * | 1986-09-25 | 1988-06-14 | Shipley Company Inc. | Metal plating process |
US4731128A (en) * | 1987-05-21 | 1988-03-15 | International Business Machines Corporation | Protection of copper from corrosion |
US4859281A (en) * | 1987-06-04 | 1989-08-22 | Pennwalt Corporation | Etching of copper and copper bearing alloys |
US4784785A (en) * | 1987-12-29 | 1988-11-15 | Macdermid, Incorporated | Copper etchant compositions |
US4873136A (en) * | 1988-06-16 | 1989-10-10 | General Electric Company | Method for preparing polymer surfaces for subsequent plating thereon, and improved metal-plated plastic articles made therefrom |
US4915781A (en) * | 1988-07-27 | 1990-04-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Stabilized hydrogen peroxide compositions |
JP2909743B2 (ja) * | 1989-03-08 | 1999-06-23 | 富山日本電気株式会社 | 銅または銅合金の化学研磨方法 |
US5037482A (en) * | 1990-02-16 | 1991-08-06 | Macdermid, Incorporated | Composition and method for improving adhesion of coatings to copper surfaces |
US5106454A (en) * | 1990-11-01 | 1992-04-21 | Shipley Company Inc. | Process for multilayer printed circuit board manufacture |
IT1251431B (it) * | 1991-10-25 | 1995-05-09 | Costante Fontana | Composto ad elevate caratteristiche stabilizzanti particolarmente per perossidi inorganici utilizzati in applicazioni industriali |
JP3387528B2 (ja) * | 1992-08-07 | 2003-03-17 | 朝日化学工業株式会社 | 銅または銅合金のエッチング用組成物およびそのエッチング方法 |
JP2781954B2 (ja) * | 1994-03-04 | 1998-07-30 | メック株式会社 | 銅および銅合金の表面処理剤 |
US5492595A (en) * | 1994-04-11 | 1996-02-20 | Electrochemicals, Inc. | Method for treating an oxidized copper film |
JP3397501B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 研磨剤および研磨方法 |
GB9425090D0 (en) * | 1994-12-12 | 1995-02-08 | Alpha Metals Ltd | Copper coating |
TW374802B (en) * | 1996-07-29 | 1999-11-21 | Ebara Densan Ltd | Etching composition, method for roughening copper surface and method for producing printed wiring board |
US5954997A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US5869130A (en) * | 1997-06-12 | 1999-02-09 | Mac Dermid, Incorporated | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
US6284309B1 (en) * | 1997-12-19 | 2001-09-04 | Atotech Deutschland Gmbh | Method of producing copper surfaces for improved bonding, compositions used therein and articles made therefrom |
TW460622B (en) * | 1998-02-03 | 2001-10-21 | Atotech Deutschland Gmbh | Solution and process to pretreat copper surfaces |
JP2000064067A (ja) * | 1998-06-09 | 2000-02-29 | Ebara Densan Ltd | エッチング液および銅表面の粗化処理方法 |
-
1999
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-
2000
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009147336A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 密着性の促進 |
US10020090B2 (en) | 2013-03-28 | 2018-07-10 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Conductive particles, method of manufacturing the same, conductive resin composition containing the same, and conductive coated object |
KR20180132176A (ko) * | 2013-03-28 | 2018-12-11 | 도요 알루미늄 가부시키가이샤 | 도전성 입자, 그 제조 방법, 그것을 함유하는 도전성 수지 조성물 및 도전성 도포물 |
KR102226109B1 (ko) * | 2013-03-28 | 2021-03-09 | 도요 알루미늄 가부시키가이샤 | 도전성 입자, 그 제조 방법, 그것을 함유하는 도전성 수지 조성물 및 도전성 도포물 |
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