JP4241018B2 - エッチング液 - Google Patents
エッチング液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4241018B2 JP4241018B2 JP2002355849A JP2002355849A JP4241018B2 JP 4241018 B2 JP4241018 B2 JP 4241018B2 JP 2002355849 A JP2002355849 A JP 2002355849A JP 2002355849 A JP2002355849 A JP 2002355849A JP 4241018 B2 JP4241018 B2 JP 4241018B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- copper
- chromium
- nickel
- etching solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、クロム若しくはニッケル・クロム合金をエッチングするエッチング液に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、電気製品や電子機器の配線用部材としてプリント配線基板が広く用いられている。プリント配線基板は、フェノール樹脂やエポキシ樹脂等の絶縁性基材の表面に銅による配線パターンが形成された部品である。その中でも、ポリイミドフィルム等の可撓性フィルムを絶縁性基材として用いたフレキシブル基板は、折り曲げ可能ゆえにモーター周辺部などの可動部分にも使用でき、その薄さや軽さなどの利点から、需要が増大している。また、液晶モジュール用パッケージの基材としてもフレキシブル基板の需要が増大している。フレキシブル基板の製法には種々の製法が知られているが、これらの中で、微細配線を形成しやすいなどの点でスパッタ−めっき法が注目されている(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
前記スパッタ−めっき法は、つぎの工程からなる。まず、ポリイミドフィルム等の基材上に、基材と銅との接着剤的な働きをする薄いニッケル、クロム若しくはニッケル・クロム合金層を形成し、その上の配線回路を構成する部分にのみ電解めっきにより銅層を形成する。次いで、銅層が形成されていない部分のニッケル、クロム若しくはニッケル・クロム合金層をエッチングにより除去して配線回路を形成する。前記ニッケル、クロム若しくはニッケル・クロム合金層の余分な部分を除去するためのエッチングには、一般に、塩化第二鉄を主成分とするエッチング液が使用されている。
【0004】
しかし、塩化第二鉄を主成分とするエッチング液を用いてニッケル、クロム若しくはニッケル・クロム合金層をエッチングしようとすると、銅層がエッチングされてしまうという問題がある。銅層がやせ細ると、完成した配線回路の電気抵抗が増大したり、断線を生じやすいという問題がある。また、銅層がやせ細ると、収率が低下して製造コストが増大する、という問題もある。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−252625号公報(第2−3頁、図2)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、クロム若しくはニッケル・クロム合金をエッチングするエッチング液であって、銅のエッチングが抑制されたエッチング液を提供することを、その目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明のクロム若しくはニッケル・クロム合金を溶解するエッチング液は、クロム若しくはニッケル・クロム合金を溶解する酸成分と、銅イオン捕捉機能を有する銅エッチング抑制成分とを含むエッチング液において、
前記酸成分が塩酸と硫酸との併用であり、エッチング液全体に対して、前記塩酸が0.5〜15質量%の範囲、前記硫酸が3〜30質量%の範囲であり、
前記銅エッチング抑制成分が、下記a)〜e)からなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とする。
a)炭素数7以下の硫黄原子含有カルボン酸、又は炭素数7以下の硫黄原子含有アルコール
b)2−メルカプトベンゾチアゾール
c)ベンザルコニウム
d)アルキロールアミド
【0008】
本発明者等は、前記課題を解決するために、エッチング液の組成成分を中心に一連の研究を行った。その結果、クロム若しくはニッケル・クロム合金を溶解する成分として、塩化第二鉄に代えて酸成分とし、これに加えて銅エッチング抑制成分として銅イオン補足機能を有する成分を配合すれば、クロム若しくはニッケル・クロム合金を溶解しても銅の溶解を抑制できることを突き止め、本発明に至った。なお、エッチング液中に溶け出した銅イオンは、さらに銅の溶解を促進するため、前記銅エッチング抑制成分は、この銅イオンを捕捉することにより、銅の溶解を抑制する。
【0009】
【発明の実施の形態】
前記銅エッチング抑制成分は、
硫黄原子を含み、かつアミノ基、イミノ基、カルボキシル基、カルボニル基および水酸基からなる群から選択される少なくとも一種の基を含む炭素原子数7以下の化合物、
2−メルカプトベンゾチアゾール、
ベンザルコニウム、ならびに
アルキロールアミド
からなる群から選択される少なくとも一種であることが好ましい。
前記硫黄原子を含み、かつアミノ基、イミノ基、カルボキシル基、カルボニル基および水酸基からなる群から選択される少なくとも一種の基を含む炭素原子数7以下の化合物の具体例としては、例えばチオグリコール酸、β−メルカプトプロピオン酸、2−メルカプトプロピオン酸、2,2’−チオジグリコール酸、チオリンゴ酸、メルカプトコハク酸、L−システイン、L(−)−シスチン等の硫黄原子含有カルボン酸、チオグリコール等の硫黄原子含有アルコール等がある。
前記ベンザルコニウムの具体例としては、例えば塩化アルキルジメチルベンジルアンモニウム等の塩化ベンザルコニウム、臭化ベンザルコニウム等がある。
前記アルキロールアミドの具体例としては、例えばラウリン酸モノエタノールアミド、ステアリン酸モノエタノールアミド、オレイン酸モノエタノールアミド、ラウリン酸ジエタノールアミド、ステアリン酸ジエタノールアミド、オレイン酸ジエタノールアミド等の脂肪族アルキロールアミドや芳香族アルキロールアミド等がある。
これらは、アンモニウム塩やナトリウム塩であっても良く、そして、単独で、若しくは2種類以上で併用してもよい。前記ベンザルコニウムおよび脂肪族アルキロールアミドは、溶解性の観点から分子量300以下、脂肪族側鎖炭素数22以下であることが好ましく、より好ましくは分子量200以下、脂肪族側鎖炭素数18以下である。銅エッチング抑制成分の割合は、エッチング液全体に対し、例えば、0.1〜10質量%の範囲であり、より好ましくは1〜5%の範囲である。
【0010】
前記酸成分は、硫酸および塩酸を併用することである。硫酸および塩酸を併用する場合、硫酸のエッチング液全体に対する割合は、エッチング速度の点から、3〜30質量%の範囲であり、特に好ましくは12.5〜20質量%の範囲であり、塩酸のエッチング液全体に対する割合は、エッチング速度の点から、0.5〜15質量%の範囲であり、特に好ましくは7〜10質量%の範囲である。
【0011】
前記エッチング液は、前記の各成分を水に溶解させることにより容易に調製することができる。前記水としては、イオン交換水、純水、超純水などのイオン性物質や不純物を除去した水が好ましい。
【0012】
本発明のエッチング液には、さらに他の成分を適宜配合してもよい。その他の成分としては、例えば、被処理剤に対する濡れ性を向上させる界面活性剤、スプレー法で使用する際の泡立ちを抑制する消泡剤、銅の変色を防止する防錆剤などがあげられる。
【0013】
本発明のエッチング液は、例えば、浸漬法、スプレー法などにより使用することができる。また、エッチング液を使用する際の温度は、20〜40℃とするのが好ましい。
【0014】
本発明のエッチング液の使用対象の一つであるニッケル・クロム合金は、特に制限されず、例えば、ニッケル/クロムの原子比が、6/1、7/1、1/3等の合金があげられる。
【0015】
本発明のエッチング液は、クロム若しくはニッケル・クロム合金を速やかに溶解することができ、しかも銅の溶解がきわめて少ないため、クロム若しくはニッケル・クロム合金と銅とが共存する材料からの、クロム若しくはニッケル・クロム合金を選択的にエッチングするのに有用である。例えば、クロム若しくはニッケル・クロム合金上に銅配線を形成するプリント配線基板やLSIなどの製造に有用である。
【0016】
本発明のエッチング液を使用したプリント配線基板の製造方法の一例を以下に説明する。
【0017】
すなわち、まず、ポリイミドフィルム等の絶縁材料表面にニッケル・クロム合金層を形成し、ついで、めっきレジストを形成してニッケル・クロム合金層の回路になる部分のみを露出させたのち、ニッケル・クロム合金層に通電して電解銅めっき層を形成する。そして、めっきレジストを除去したのち、本発明のエッチング液を用いてニッケル・クロム合金層をエッチングする。エッチングの方法は、特に制限されず、スプレー法や浸漬法等がある。このエッチングにより、電解銅めっき層が形成されていない部分のニッケル・クロム合金層が除去されて、銅配線が形成される。本発明のエッチング液を用いると、銅の溶解がきわめて少ないため、電解銅めっき層の形状を変化させることなく、銅配線を形成することができる。
【0018】
【実施例】
以下、本発明の実施例について比較例と併せて説明する。
【0019】
下記表1に示す各成分を混合してエッチング液を調製した(実施例1〜6、比較例1,2、但し実施例1および4は参考例)。そして、スパッタリング法により厚さ7.5nmのNi88・Cr12合金膜が形成されたポリイミドフィルムを、前記エッチング液中に40℃で浸漬してNi88−Cr12合金膜を溶解し、蛍光X線分析装置による測定でポリイミドフィルム表面のNiおよびCrが検出されなくなる時間を測定した。この結果も下記表1に併せて示す。また、下記表1に示されるエッチング液中に、縦40mm、横40mm、厚さ35μm、重さ0.50gの銅箔を40℃で60秒間浸漬し、重量変化により銅の溶解量を調べた。この結果も表1に併せて示す。
【0020】
【表1】
【0021】
前記表1から明らかなように、本発明のエッチング液を用いた実施例1〜6では、ニッケル・クロム合金を速やかに溶解し、かつ銅箔の溶解は確認できなかった。これに対し、比較例1,2は、いずれもニッケル・クロム合金の溶解速度が遅く、かつ銅の溶解が認められた。
【0022】
【発明の効果】
以上のように、本発明のエッチング液によれば、クロム若しくはニッケル・クロム合金を速やかに溶解し、かつ銅のエッチングを抑制できる。したがって、本発明のエッチング液を、例えば、プリント配線基板に使用すれば、銅配線のやせ細りを防止しつつ、速やかにクロム若しくはニッケル・クロム合金を除去できる。
Claims (3)
- クロム若しくはニッケル・クロム合金を溶解する酸成分と、銅イオン捕捉機能を有する銅エッチング抑制成分とを含むエッチング液において、
前記酸成分が塩酸と硫酸との併用であり、エッチング液全体に対して、前記塩酸が0.5〜15質量%の範囲、前記硫酸が3〜30質量%の範囲であり、
前記銅エッチング抑制成分が、下記a)〜e)からなる群から選択される少なくとも一種であることを特徴とするクロム若しくはニッケル・クロム合金を溶解するエッチング液。
a)炭素数7以下の硫黄原子含有カルボン酸、又は炭素数7以下の硫黄原子含有アルコール
b)2−メルカプトベンゾチアゾール
c)ベンザルコニウム
d)アルキロールアミド - エッチング液全体に対し、前記銅エッチング抑制成分が0.1〜10質量%の水溶液である請求項1に記載のクロム若しくはニッケル・クロム合金を溶解するエッチング液。
- 前記前記銅エッチング抑制成分が、チオグリコール酸、β−メルカプトプロピオン酸、塩化ラウリルジメチルベンジルアンモニウムまたはラウリン酸ジエタノールアミドである請求項1に記載のクロム若しくはニッケル・クロム合金を溶解するエッチング液。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002355849A JP4241018B2 (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | エッチング液 |
TW092132879A TW200417304A (en) | 2002-12-06 | 2003-11-24 | Etching solution |
CNA2003101188842A CN1506496A (zh) | 2002-12-06 | 2003-12-04 | 蚀刻液 |
KR1020030088098A KR100693889B1 (ko) | 2002-12-06 | 2003-12-05 | 에칭액 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002355849A JP4241018B2 (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | エッチング液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004190054A JP2004190054A (ja) | 2004-07-08 |
JP4241018B2 true JP4241018B2 (ja) | 2009-03-18 |
Family
ID=32756419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002355849A Expired - Fee Related JP4241018B2 (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | エッチング液 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4241018B2 (ja) |
KR (1) | KR100693889B1 (ja) |
CN (1) | CN1506496A (ja) |
TW (1) | TW200417304A (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4580331B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2010-11-10 | メック株式会社 | エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法 |
KR100601740B1 (ko) * | 2005-04-11 | 2006-07-18 | 테크노세미켐 주식회사 | 투명도전막 식각용액 |
JP5273710B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2013-08-28 | メック株式会社 | エッチング剤 |
JP2009147336A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 密着性の促進 |
JP5360703B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-12-04 | メック株式会社 | エッチング液 |
JP4521460B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2010-08-11 | メック株式会社 | エッチング液及びこれを用いた銅配線の形成方法 |
EP2342738A4 (en) * | 2008-10-02 | 2013-04-17 | Advanced Tech Materials | USE OF TENSID / DETOINT MIXTURES FOR INCREASED METAL LOADING AND SURFACE PASSIVATION OF SILICON SUBSTRATES |
JP5911145B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2016-04-27 | 株式会社Jcu | エッチング液の維持管理方法 |
KR101298766B1 (ko) | 2011-05-20 | 2013-08-21 | 주식회사 익스톨 | 니켈, 크롬, 니켈-크롬 합금의 에칭 용액 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 |
KR102209687B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2021-01-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
KR101697595B1 (ko) * | 2015-11-19 | 2017-01-18 | 이준용 | 니켈, 크롬 또는 니켈-크롬 합금용 에칭제 조성물 및 이를 포함하는 에칭제 및 이를 이용한 에칭 방법 |
CN108130535B (zh) * | 2016-12-01 | 2020-04-14 | 添鸿科技股份有限公司 | 钛钨合金的蚀刻液 |
CN107835577A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-03-23 | 无锡南理工新能源电动车科技发展有限公司 | 一种基于无机盐氯化物的显示器控制电路板用蚀刻液的制备方法 |
CN109355660A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-02-19 | 东莞市同欣表面处理科技有限公司 | 一种硫酸型退铬添加剂及其应用方法 |
CN111334298B (zh) * | 2020-02-26 | 2021-10-01 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种钼铝钼和ITO/Ag/ITO兼容蚀刻液及制备方法 |
CN112941516A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-06-11 | 苏州运宏电子有限公司 | 一种精控式蚀刻液及其蚀刻方法 |
CN114752939B (zh) * | 2022-05-24 | 2024-07-16 | 光华科学技术研究院(广东)有限公司 | 蚀刻液及其制备方法与应用 |
CN116120936B (zh) * | 2022-10-27 | 2024-06-25 | 上海天承化学有限公司 | 一种蚀刻药水及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6117250A (en) * | 1999-02-25 | 2000-09-12 | Morton International Inc. | Thiazole and thiocarbamide based chemicals for use with oxidative etchant solutions |
-
2002
- 2002-12-06 JP JP2002355849A patent/JP4241018B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-11-24 TW TW092132879A patent/TW200417304A/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-04 CN CNA2003101188842A patent/CN1506496A/zh active Pending
- 2003-12-05 KR KR1020030088098A patent/KR100693889B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI322834B (ja) | 2010-04-01 |
KR20040049816A (ko) | 2004-06-12 |
TW200417304A (en) | 2004-09-01 |
CN1506496A (zh) | 2004-06-23 |
JP2004190054A (ja) | 2004-07-08 |
KR100693889B1 (ko) | 2007-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4241018B2 (ja) | エッチング液 | |
US7285229B2 (en) | Etchant and replenishment solution therefor, and etching method and method for producing wiring board using the same | |
JP4580331B2 (ja) | エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法 | |
JP4696565B2 (ja) | エッチング液及びエッチング方法 | |
JP5360703B2 (ja) | エッチング液 | |
TWI745603B (zh) | 銅蝕刻液 | |
TWI460311B (zh) | 用於撓性配線基板之鎳-鉻合金剝離劑 | |
JP4429141B2 (ja) | エッチング液セット、これを用いるエッチング方法及び配線基板の製造方法 | |
JPH0480117B2 (ja) | ||
JP2005105410A (ja) | 銅エッチング液及びエッチング方法 | |
JP4418916B2 (ja) | エッチング処理用組成物 | |
KR101298766B1 (ko) | 니켈, 크롬, 니켈-크롬 합금의 에칭 용액 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법 | |
JP2005105411A (ja) | 銅エッチング液及びエッチング方法 | |
KR20070115916A (ko) | 구리 에칭액 및 에칭 방법 | |
JPH08311663A (ja) | ニッケル被膜またはニッケル合金被膜の剥離液 | |
KR20090009734A (ko) | 표면처리제 | |
JPS6214034B2 (ja) | ||
JPS6211070B2 (ja) | ||
JPH0427303B2 (ja) | ||
TWI815535B (zh) | 表面改質劑、積層體、金屬電路圖型之形成方法及印刷電路板之製造方法 | |
TW200401050A (en) | Exfoliating solution for nickel or nickel alloy | |
JP4944507B2 (ja) | エッチング液 | |
GB2206541A (en) | Manufacturing printed circuit boards | |
JPH0429743B2 (ja) | ||
JPH0657452A (ja) | 銅または銅合金のエッチング用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070403 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070821 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081016 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081218 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4241018 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120109 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130109 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140109 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |