CN104674222A - 可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液 - Google Patents
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Abstract
本发明是有关于一种可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其主要是借由将特定比例的刻蚀剂与含氮五元杂环化合物溶于水而制成的刻蚀液；如此，当使用者应用此刻蚀液对包含至少一个第一金属(例如金)与至少一个第二金属(例如铜)的基板进行湿式刻蚀时，该含氮五元杂环化合物会在具有较高还原电位的第一金属上形成有机护膜，进而有效避免第二金属因受到贾凡尼效应(galvanic effect)的影响而导致过度刻蚀的现象。其中该含氮五元杂环化合物的化学结构是如下列化学式1所示：化学式1
Description
技术领域
本发明涉及一种刻蚀液，特别是涉及含有含氮五元杂环化合物的一种可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液。
背景技术
在印刷电路板或者集成电路的后段制造过程中，为了在印刷电路板或者硅晶圆上制作出具有特定图案(pattern)的金属层(即，导线或焊接垫)，通常是通过光刻刻蚀技术配合特定的刻蚀液予以完成，例如：氯化铁是刻蚀液、氯化铜是刻蚀液、碱性刻蚀液等。但是，在这些刻蚀液中，存在被称为底切(undercut)的问题。
请参阅图1与图2，是在印刷电路板上制作具有特定图案的铜层的制造过程示意图。在一般的印刷电路板的铜导线制造过程中，如图1所示，是先于基板10’上的铜层11’之上形成具有特定图案的阻蚀层(etch-resisting layer)12’；接着，再通过湿刻蚀的方式去除未被阻蚀层12’覆盖的铜层11’；最后，在去除阻蚀层(etch-resisting layer)12’后，例如铜导线或者铜焊垫的具有特定图案的铜层11’便形成于该基板10’之上。然而，随着新时代的产品对于印刷电路板导线的线宽的要求，如图2所示，在制作极细微的铜导线时，被阻蚀层12’覆盖的铜层11’也开始产生侧蚀(lateral etching)现象，而这种现象便称之为底切(undercut)。
此外，由于智能型手机、平板计算机等消费型电子产品的高度普及，传统使用铜导线作为信号传输的印刷电路板已无法负荷上述消费型电子产品的高频、高速应用；因此，铜/金混合印刷电路板于是被提出并加以应用于上述等消费型电子产品之中。请参阅图3，是铜/金混合印刷电路板的仰视图。如图3所示，基板10”制作有铜导线11”与金导线12”，其中，由于金导线12”的还原电位是低于铜导线11”，因此，当借由湿刻蚀的方式在基板10”制作有铜导线11”与金导线12”之时，连接于金导线12”的铜导线11”便会产生过度刻蚀的现象产生。
因此，综合上述对于现有习用的铜/金混合印刷电路板的铜导线过度刻蚀的解决方案的说明，可以得知目前所习用的解决方案是仍具有许多缺点与不足；有鉴于此，本申请的发明人是极力加以研究发明，而终于研发完成本发明的一种可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液。
发明内容
本发明的主要目的，在于提供一种可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其主要是借由将特定比例的刻蚀剂与含氮五元杂环化合物溶于水而制成的刻蚀液；如此，当使用者应用此刻蚀液对包含至少一个第一金属(例如金)与至少一个第二金属(例如铜)的基板进行湿式刻蚀时，该含氮五元杂环化合物会在具有较高还原电位的第一金属(即，金)上形成有机护膜，进而有效避免第二金属因受到贾凡尼效应(galvanic effect)的影响而导致过度刻蚀的现象。
因此，为了达成本发明上述的目的，本申请的发明人提出一种可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，是应用于对至少包含第一金属与第二金属的基板进行湿式刻蚀制造过程，该刻蚀液是包括：
溶剂；刻蚀剂，是溶于该溶剂之中，以形成刻蚀液；以及含氮五元杂环化合物，是溶于该刻蚀剂之中以作为该湿式刻蚀制造过程之中的有机护膜，其中该刻蚀剂在该溶剂之中的含量是介于5g/L至250g/L之间，且该含氮五元杂环化合物在该溶剂之中的含量是介于0.01g/L至50g/L之间。
在上述的刻蚀液中，该含氮五元杂环化合物可以是如下列化学式1或化学式2所示的化学结构，其中，R1为第一基团，且该第一基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、苯酸或氢。
[化学式1] [化学式2]
并且，更能增加一个或者两个第二有机基团或是氢至化学式2之中，使得该含氮五元杂环化合物成为正离子，并借由令该含氮五元杂环化合物带有至少一个负离子，而使其化学式达到电荷平衡；其中，增加有一个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式3或者化学式4所表示；并且，增加有两个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式5所表示：
[化学式3] [化学式4]
[化学式5]
其中，R2为该第二有机基团或是氢，且该第二有机基团是任意选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；且该负离子是选自下列群组之中的任一者：氟离子(F-)、氯离子(Cl-)、溴离子(Br-)、碘离子(I-)、四氟化硼离子(BF4 -)、硫酸根离子(SO4 2-)、与硫酸氢根离子(HSO4 -)。
此外，在该可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液之中，该含氮五元杂环化合物的化学结构是如下列化学式6或化学式7所示，其中，R1为第一有机基团或是氢，且该第一有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸。
[化学式6] [化学式7]
并且，更能增加一个或者两个第二有机基团或是氢至化学式7之中，使得该含氮五元杂环化合物成为正离子，并借由令该含氮五元杂环化合物带有至少一个负离子，而使其化学式达到电荷平衡；其中，增加有一个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式8或者化学式9所表示，并且，增加有两个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式10所表示：
[化学式8] [化学式9]
[化学式10]
其中，R2为该第二有机基团或是氢，且该有机基团是任意选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；且该负离子是选自下列群组之中的任一者：氟离子(F-)、氯离子(Cl-)、溴离子(Br-)、碘离子(I-)、四氟化硼离子(BF4 -)、硫酸根离子(SO4 2-)、与硫酸氢根离子(HSO4 -)。
再者，在该可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液之中，该含氮五元杂环化合物的化学结构是如下列化学式11所示，其中，R1为第一有机基团或是氢，且该第一有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，化学式11所表示的该含氮五元杂环化合物为一个1，5-R1-四氮唑。
[化学式11]
并且，更能增加一个、两个或三个第二有机基团或是氢至化学式11之中，使得该含氮五元杂环化合物成为正离子，并借由令该含氮五元杂环化合物带有至少一个负离子，而使其化学式达到电荷平衡；其中，增加有一个有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式12、化学式13或者化学式14所表示；并且，增加有两个有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式15、化学式16或者化学式17所表示；再者，增加有三个有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式18所表示：
[化学式12] [化学式13]
[化学式14] [化学式15]
[化学式16] [化学式17]
[化学式18]
其中，R2为第二有机基团或是氢，且该第二有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，该负离子基团是下列群组之中的任一者：氟离子(F-)、氯离子(Cl-)、溴离子(Br-)、碘离子(I-)、四氟化硼离子(BF4 -)、硫酸根离子(SO4 2-)、与硫酸氢根离子(HSO4 -)。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液至少具有有效避免第二金属过度刻蚀的现象和广泛应用层面的优点。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1与图2是在印刷电路板上制作具有特定图案的铜层的制造过程示意图。
图3是铜/金混合印刷电路板的仰视图。
图4(a)～图4(d)是具有铜层与金层的基板的仰视图。
图5是铜层的立体示意图。
图6(a)～图6(g)是实验一的铜层的显微影像图。
图7(a)～图7(g)是实验二的铜层的显微影像图。
【主要元件符号说明】
10：基板 11：金层
12：铜层 10’：基板
11’：铜层 12’：阻蚀层
10”：基板 11”：铜导线
12”：金导线
具体实施方式
为了能够更清楚地描述本发明所提出的一种可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，以下将配合图式，详尽说明本发明的较佳实施例。
本发明的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液是应用于对包含至少一个第一金属与至少一个第二金属的基板进行湿式刻蚀制造过程；其中，由于第一金属的还原电位(Reduction Potential)是大于该第二金属的还原电位，因此，该第一金属可以是金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、铜(Cu)、锡(Sn)、镍(Ni)、与铝(Al)；而对应地，该第二金属可以是铝(Al)、镍(Ni)、锡(Sn)、铜(Cu)、银(Ag)、铂(Pt)、钛(Ti)、铁(Fe)、钴(Co)与铬(Cr)；至于基板则为常见的印刷电路板、硅晶圆、玻璃基板、砷化镓与氧化铝。
继续地说明本发明的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其主要是包括：溶剂、刻蚀剂以及含氮五元杂环化合物；其中，该溶剂为水，且该刻蚀剂，是溶于该溶剂之中，以形成刻蚀液。在本发明中，并不特别限制刻蚀剂的形式，因此该刻蚀剂可以是过氧化氢-硫酸(H2O2-H2SO4)、过氧化氢-磷酸(H2O2-H3PO4)、氯化铜-盐酸(CuCl2-HCl)、氯化铁-盐酸(FeCl2-HCl)、盐酸-硝酸(HCl-HNO3)、过硫酸钠(Na2S2O8)、或者过硫酸盐复合物(如KHSO5 KHSO4K2SO4)。
在本发明中，特别地，该含氮五元杂环化合物(nitrogen containingfive-member heterocyclic compounds)是溶于该刻蚀剂之中以作为该湿式刻蚀制造过程之中的金属护膜(特别是作为具有较高还原电位的第一金属的有机护膜)；并且，就含量(浓度)上而言，前述刻蚀剂在溶剂(即，水)中的含量是介于5g/L至250g/L之间，而该含氮五元杂环化合物在该溶剂之中的含量则介于0.01g/L至50g/L之间。并且，必须强调的是，本发明的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液中，其含氮五元杂环化合物可以是三氮五元杂环化合物(即，三唑化合物)，且其基础的化学结构是如下列化学式1或化学式2所示：
[化学式1] [化学式2]
在化学式1与化学式2之中，R1为第一有机基团或是氢，且该第一有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸。并且，化学式2所表示的该含氮五元杂环化合物为一个1，3，5-R1-1，2，4-三氮唑。
在本发明之中，更可增加一个或者两个第二有机基团或是氢至该1，3，5-R1-1，2，4-三氮唑之中，使得该含氮五元杂环化合物成为正离子，并借由令该含氮五元杂环化合物带有至少一个负离子，而使其化学式达到电荷平衡；其中，增加有一个有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式3或者化学式4所表示；并且，增加有两个有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式5所表示：
[化学式3] [化学式4]
[化学式5]
在上述化学式3至化学式5之中，R2为该第二有机基团或是氢，且该第二有机基团是任意选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；且该负离子是选自下列群组之中的任一者：氟离子(F-)、氯离子(Cl-)、溴离子(Br-)、碘离子(I-)、四氟化硼离子(BF4 -)、硫酸根离子(SO4 2-)、与硫酸氢根离子(HSO4 -)。
另外，在本发明的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液中，其三氮五元杂环化合物(即，三唑化合物)的化学结构也可以是如下列化学式6或化学式7所示：
[化学式6] [化学式7]
在化学式6与化学式7之中，R1为第一有机基团或是氢，且该第一有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，化学式7所表示的该含氮五元杂环化合物为一个1，4，5-R1-1，2，3-三氮唑。
此外，在本发明之中，更可增加一个或者两个第二有机基团或是氢至该1，4，5-R1-1，2，3-三氮唑之中，使得该含氮五元杂环化合物成为正离子，并借由令该含氮五元杂环化合物带有至少一个负离子，而使其化学式达到电荷平衡；其中，增加有一个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式8或者化学式9所表示，并且，增加有两个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式10所表示：
[化学式8] [化学式9]
[化学式10]
在上述化学式8至化学式10之中，R2为第二有机基团或是氢，且该第二有机基团是任意选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；且该负离子是选自下列群组之中的任一者：氟离子(F-)、氯离子(Cl-)、溴离子(Br-)、碘离子(I-)、四氟化硼离子(BF4 -)、硫酸根离子(SO4 2-)、与硫酸氢根离子(HSO4 -)。
另外，必须加以说明的是，虽然上述化学式1～化学式10所表示的化学结构机皆为三氮五元杂环化合物，但并非以此限制本发明的刻蚀液中的含氮五元杂环化合物的形式；在实际的应用中，该含氮五元杂环化合物也可以是四氮五元杂环化合物(即，四唑化合物)，且其化学结构是由下列化学式11所表示；在化学式11中，R1为有机基团或是氢，且该有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，化学式11所表示的该含氮五元杂环化合物为一个1，5-R1-四氮唑。
[化学式11]
并且，更可增加一个、两个或三个第二有机基团或是氢至该1，5-R1-四氮唑之中，使得该含氮五元杂环化合物成为正离子并带有至少一个负离子，使化学式达到电荷平衡；其中，增加有一个有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式12、化学式13或者化学式14所表示；并且，增加有两个有机基团的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式15、化学式16或者化学式17所表示；再者，增加有三个有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式18所表示：
[化学式12] [化学式13]
[化学式14] [化学式15]
[化学式16] [化学式17]
[化学式18]
在上述化学式12至化学式18之中，R2为第二有机基团或是氢，且该有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，该负离子基团是下列群组之中的任一者：氟离子(F-)、氯离子(Cl-)、溴离子(Br-)、碘离子(I-)、四氟化硼离子(BF4 -)、硫酸根离子(SO4 2-)、与硫酸氢根离子(HSO4 -)。
如此，经由上述，本发明的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其组成与化学结构皆已被清楚且完整地揭露；接下来，各种实验数据将于下述之中呈现以证明本发明的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液的可实施性。请参阅图4(a)～图4(d)，是具有铜层与金层的基板的仰视图。如图4(a)所示，其包含实验组与对照组，且图中的基板10具有彼此连接的金层11与铜层12，其中该金层11与铜层12的面积比为1000∶1。并且，如图5所示的铜层的立体示意图，基板10上的铜层12的直径与高度分别为40μm与20μm。
承上述的说明，并且，如图4(b)所示，其亦包含实验组与对照组，且图中的基板10具有彼此连接的金层11与铜层12，其中该金层11与铜层12的面积比为500∶1；此外，如图4(c)所示，其亦包含实验组与对照组，且图中的基板10具有彼此连接的金层11与铜层12，其中该金层11与铜层12的面积比为250∶1；再者，如图4(d)所示，其亦包含实验组与对照组，且图中的基板10具有彼此连接的金层11与铜层12，其中该金层11与铜层12的面积比为100∶1。
[实验一]在实验一中，是将10％硫酸+3％双氧水溶于水中以调制出第一对照组刻蚀液；并且将10％硫酸+3％双氧水与5g/L的1，5-二苯基四唑(即，四氮五元杂环化合物)溶于水中以调制出第一实验组刻蚀液，其中，该1，5-二苯基四唑的化学结构是由下列化学式19所表示；
[化学式19]
请参阅图6(a)～图6(g)，是实验一的铜层的显微影像图，其中，图6(a)与图6(d)所示为对照组与实验组的铜层12其进行湿式刻蚀前的显微影像。进一步地，是以上述所调配的第一对照组刻蚀液与第一实验组刻蚀液分别对图4(a)与所示的对照组与实验组进行湿式刻蚀；如此，分别经湿式刻蚀30秒与60秒后，如图6(b)与图6(c)所示，对照组的铜层12明显地因为贾凡尼效应(galvanic effect)的影响而导致过度刻蚀的现象，甚至整个铜面都几乎被刻蚀殆尽。反观实验组的铜层12，如图6(e)、图6(f)与图6(g)所示，其历经30秒、90秒与150秒之后仍旧保持着完整的铜面，此结果显示可有效抑制贾凡尼效应使实验组的铜层12减缓过度刻蚀的现象。
[实验二]进一步地，在实验二中，是将10％硫酸+3％双氧水溶于水中以调制出第二对照组刻蚀液；并且将10％硫酸+3％双氧水与7g/L的1-苯基-1，2，4-三氮唑(即，三氮五元杂环化合物)溶于水中以调制出第二实验组刻蚀液，其中，该1-苯基-1，2，4-三氮唑的化学结构是由下列化学式20所表示；
[化学式20]
请参阅图7(a)～图7(g)，是实验二的铜层的显微影像图，其中，图7(a)与图7(d)所示为对照组与实验组的铜层12其进行湿式刻蚀前的显微影像。进一步地，是以上述所调配的第二对照组刻蚀液与第二实验组刻蚀液分别对图4(a)与所示的对照组与实验组进行湿式刻蚀；如此，分别经湿式刻蚀30秒与60秒后，如图7(b)与图7(c)所示，对照组的铜层12明显地因为贾凡尼效应(galvanic effect)的影响而导致过度刻蚀的现象，甚至整个铜面都几乎被刻蚀殆尽。反观实验组的铜层12，如图7(e)、图7(f)与图7(g)所示，其历经30秒、90秒与150秒之后仍旧保持着完整的铜面，此结果显示可有效抑制贾凡尼效应使实验组的铜层12减缓过度刻蚀的现象。
如此，上述是已完整且清楚地说明本发明的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液的组成与化学结构，并且亦通过实验验证了该刻蚀液的可行性与效能；经由上述，可以得知本发明是具有下列的技术特征与优点：
1.在本发明中，主要是依特定的比例将刻蚀剂与含氮五元杂环化合物溶于水中，以制成刻蚀液；如此，当使用者应用此刻蚀液对包含至少一个第一金属(例如金)与至少一个第二金属(例如铜)的基板进行湿式刻蚀时，该含氮五元杂环化合物会在具有较高还原电位的第一金属(即，金)上形成有机护膜，进而有效避免第二金属因受到贾凡尼效应(galvanic effect)的影响而导致过度刻蚀的现象。
2.承上述第1点，此外，在本发明中，与该含氮五元杂环化合物同混成刻蚀液的刻蚀剂，其种类与形式并没有，可以是常用氯化铜，也可以是过氧化氢-硫酸、过氧化氢-磷酸、氯化铜-盐酸、氯化铁-盐酸、盐酸-硝酸、过硫酸钠、或是过硫酸盐复合物。因此，由于用以调配成本发明的刻蚀液的刻蚀剂可以是任何形式，这显现了把本发明的刻蚀液具有相当广泛的应用层面。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (15)
1.一种可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于是应用于对至少包含第一金属与第二金属的基板进行湿式刻蚀制造过程，该刻蚀液是包括：
刻蚀剂，是溶于一溶剂之中，以形成刻蚀液；以及含氮五元杂环化合物，是溶于该刻蚀剂之中以作为该湿式刻蚀制造过程之中的有机护膜，其中该刻蚀剂在该溶剂之中的含量是介于5g/L至250g/L之间，且该含氮五元杂环化合物在该溶剂之中的含量是介于0.01g/L至50g/L之间。
2.根据权利要求1所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该溶剂为水。
3.根据权利要求1所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该刻蚀剂是选自于下列群组之中的任一者：过氧化氢-硫酸、过氧化氢-磷酸、氯化铜-盐酸、氯化铁-盐酸、盐酸-硝酸、过硫酸钠、或者过硫酸盐复合物。
4.根据权利要求1所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该含氮五元杂环化合物的化学结构是如下列化学式1所示：
[化学式1]
其中，R1为第一有机基团或是氢，且该第一有机基团是任意选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，化学式1所表示的该含氮五元杂环化合物为一个3-R1-1，2，4-三氮唑。
5.根据权利要求1所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该含氮五元杂环化合物的化学结构是如下列化学式2所示：
[化学式2]
其中，R1为第一有机基团或是氢，且该第一有机基团是任意选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，化学式2所表示的该含氮五元杂环化合物为一个1，3，5-R1-1，2，4-三氮唑。
6.根据权利要求5所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中更能增加一个或者两个第二有机基团或是氢至该1，3，5-R1-1，2，4-三氮唑之中，使得该含氮五元杂环化合物成为正离子，并借由令该含氮五元杂环化合物带有至少一个负离子，而使其化学式达到电荷平衡；其中，增加有一个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式3或者化学式4所表示；并且，增加有两个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式5所表示：
[化学式3] [化学式4]
[化学式5]
其中，R2为该第二有机基团或是氢，且该第二有机基团是任意选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；且该负离子是选自下列群组之中的任一者：氟离子、氯离子、溴离子、碘离子、四氟化硼离子、硫酸根离子、与硫酸氢根离子。
7.根据权利要求1所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该含氮五元杂环化合物的化学结构是如下列化学式6所示：
[化学式6]
其中，R1为第一有机基团或是氢，且该第一有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，化学式1所表示的该含氮五元杂环化合物为一个4-R1-1，2，3-三氮唑。
8.根据权利要求1所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该含氮五元杂环化合物的化学结构是如下列化学式7所示：
[化学式7]
其中，R1为第一有机基团或是氢，且该有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，化学式7所表示的该含氮五元杂环化合物为一个1，4，5-R1-1，2，3-三氮唑。
9.根据权利要求8所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中更能增加一个或者两个第二有机基团或是氢至该1，4，5-R1-1，2，3-三氮唑之中，使得该含氮五元杂环化合物成为正离子，并借由令该含氮五元杂环化合物带有至少一个负离子，而使其化学式达到电荷平衡；其中，增加有一个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式8或者化学式9所表示，并且，增加有两个有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式10所表示：
[化学式8] [化学式9]
[化学式10]
其中，R2为该第二有机基团或是氢，且该第二有机基团是任意选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；且该负离子是选自下列群组之中的任一者：氟离子、氯离子、溴离子、碘离子、四氟化硼离子、硫酸根离子、与硫酸氢根离子。
10.根据权利要求1所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该含氮五元杂环化合物的化学结构是如下列化学式11所示：
[化学式11]
其中，R1为第一有机基团或是氢，且该第一有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，化学式11所表示的该含氮五元杂环化合物为一个1，5-R1-四氮唑。
11.根据权利要求10所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中更能增加一个、两个或三个第二有机基团或是氢至该1，5-R1-四氮唑之中，使得该含氮五元杂环化合物成为正离子，并借由令该含氮五元杂环化合物带有至少一个负离子，而使其化学式达到电荷平衡；其中，增加有一个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式12、化学式13或者化学式14所表示；并且，增加有两个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式15、化学式16或者化学式17所表示；再者，增加有三个第二有机基团或是氢的该含氮五元杂环化合物是如下列化学式18所表示：
[化学式12] [化学式13]
[化学式14] [化学式15]
[化学式16] [化学式17]
[化学式18]
其中，R2为第二有机基团或是氢，且该第二有机基团是选自于下列群组之中的任一者：醚、醇、酸、烷、烯、炔、苯、苯酚、与苯酸；并且，该负离子基团是下列群组之中的任一者：氟离子、氯离子、溴离子、碘离子、四氟化硼离子、硫酸根离子、与硫酸氢根离子。
12.根据权利要求1所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该第一金属的还原电位是小于该第二金属的还原电位。
13.根据权利要求12所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该第一金属是选自于下列群组之中的任一者：金、铂、银、铜、锡、镍、与铝。
14.根据权利要求13所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该第二金属是选自于下列群组之中的任一者：铝、镍、锡、铜、银、铂、钛、铁、钴与铬。
15.根据权利要求1所述的可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液，其特征在于其中该基板是选自于下列群组之中的任一者：印刷电路板、硅晶圆、玻璃基板、砷化镓、与氧化铝。
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