JPH0657454A - ニッケル又はニッケル合金のエッチング液及びこのエッチング液を用いる方法並びにこのエッチング液を用いて配線板を製造する方法 - Google Patents
ニッケル又はニッケル合金のエッチング液及びこのエッチング液を用いる方法並びにこのエッチング液を用いて配線板を製造する方法Info
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- JPH0657454A JPH0657454A JP21781292A JP21781292A JPH0657454A JP H0657454 A JPH0657454 A JP H0657454A JP 21781292 A JP21781292 A JP 21781292A JP 21781292 A JP21781292 A JP 21781292A JP H0657454 A JPH0657454 A JP H0657454A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】銅基質を過度に溶解することなく、ニッケル又
はニッケル合金を簡便にかつ選択的に剥離するエッチン
グ液とその使用方法を提供すること。 【構成】硝酸と過酸化水素を主成分とする酸性溶液に、
添加剤としてカルボキシル基を含む有機酸と、環構成員
として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子を含有してい
る複素環式化合物とを含むこと。
はニッケル合金を簡便にかつ選択的に剥離するエッチン
グ液とその使用方法を提供すること。 【構成】硝酸と過酸化水素を主成分とする酸性溶液に、
添加剤としてカルボキシル基を含む有機酸と、環構成員
として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子を含有してい
る複素環式化合物とを含むこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ニッケル又はニッケル
合金をエッチング除去する液とその使用方法に関する。
合金をエッチング除去する液とその使用方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線板は、電子機器の発達に伴
い配線密度の高いものが要求され、配線の微細化が一つ
の大きな技術的課題となっている。このようなプリント
配線板の製造法としては、銅箔を絶縁基材に貼り合わせ
た銅張り積層板を出発材料とし、その銅箔の回路導体と
ならない箇所をエッチング除去して回路を形成するサブ
トラクティブ法、絶縁基材の表面に、必要な回路形状に
無電解めっきを行って回路形成するアディティブ法、ス
ルーホール内壁等の回路導体の一部を無電解めっきによ
って形成する部分アディティブ法等が一般的に知られて
いる。
い配線密度の高いものが要求され、配線の微細化が一つ
の大きな技術的課題となっている。このようなプリント
配線板の製造法としては、銅箔を絶縁基材に貼り合わせ
た銅張り積層板を出発材料とし、その銅箔の回路導体と
ならない箇所をエッチング除去して回路を形成するサブ
トラクティブ法、絶縁基材の表面に、必要な回路形状に
無電解めっきを行って回路形成するアディティブ法、ス
ルーホール内壁等の回路導体の一部を無電解めっきによ
って形成する部分アディティブ法等が一般的に知られて
いる。
【０００３】中でも、サブトラクティブ法は古くから行
われており、配線密度の向上には、通常、銅張り積層板
の銅箔の厚さを薄くすることが行われている。この理由
は、銅箔の表面に必要とする回路形状にエッチングレジ
ストを形成し、エッチング溶液でエッチングレジストか
ら露出した不要な回路部分の側面から銅が腐食されるい
わゆるサイドエッチと呼ばれる現象が起こり、銅箔が厚
いほど、サイドエッチによって除去される側面の銅が多
くなるので、微細な回路を形成することが困難となるか
らである。
われており、配線密度の向上には、通常、銅張り積層板
の銅箔の厚さを薄くすることが行われている。この理由
は、銅箔の表面に必要とする回路形状にエッチングレジ
ストを形成し、エッチング溶液でエッチングレジストか
ら露出した不要な回路部分の側面から銅が腐食されるい
わゆるサイドエッチと呼ばれる現象が起こり、銅箔が厚
いほど、サイドエッチによって除去される側面の銅が多
くなるので、微細な回路を形成することが困難となるか
らである。
【０００４】このサブトラクト法のエッチングレジスト
に、はんだを用いるはんだ剥離法がある。はんだは配線
形成後除去されるが、その剥離液として特開昭５８−５
８２８０号公報に、鉄イオンとヒドロキシカルボン酸を
主成分とする硝酸と過酸化水素の混合物が開示されてい
る。また、抵抗体付き回路基板用銅箔として銅箔にニッ
ケル又はニッケル−リン合金が銅箔にめっきされたもの
が、ＵＳＰ３，８０８，５７６号公報に開示されてい
る。
に、はんだを用いるはんだ剥離法がある。はんだは配線
形成後除去されるが、その剥離液として特開昭５８−５
８２８０号公報に、鉄イオンとヒドロキシカルボン酸を
主成分とする硝酸と過酸化水素の混合物が開示されてい
る。また、抵抗体付き回路基板用銅箔として銅箔にニッ
ケル又はニッケル−リン合金が銅箔にめっきされたもの
が、ＵＳＰ３，８０８，５７６号公報に開示されてい
る。
【０００５】さらに、第１の銅層１と、銅を腐食する溶
液に対して耐食性の高い金属からなる中間層２と、第２
の銅層３からなり、前記中間層２が前記第１の銅層１と
前記第２の銅層３に挟まれている３層構造のプリント配
線板用銅箔も、特開昭５８−１０８７８５号公報により
知られている。この中間層２には、ニッケルおよびニッ
ケル−鉄、ニッケル−スズ合金が使用され、その剥離法
には、硫酸とｍ−ニトロベンゼンスルホン酸とを含む酸
性水溶液に浸漬し電解剥離を行う方法が、同公報により
知られている。さらに、市販のニッケル又はニッケル合
金のエッチング液としては、アルカリ性のエンストリッ
プＮＰ（メルテックス社製、商品名）やメテックＳＣＢ
（マクダーミッド社製、商品名）、トップリップＡＺ
（奥野製薬社製、商品名）等の溶液に浸漬し剥離する方
法や、酸性のメルストリップＮ−９５０（メルテックス
社製、商品名）、メルストリップＨＮ−８４１（メルテ
ックス社製、商品名）等の溶液に浸漬し剥離する方法が
知られている。
液に対して耐食性の高い金属からなる中間層２と、第２
の銅層３からなり、前記中間層２が前記第１の銅層１と
前記第２の銅層３に挟まれている３層構造のプリント配
線板用銅箔も、特開昭５８−１０８７８５号公報により
知られている。この中間層２には、ニッケルおよびニッ
ケル−鉄、ニッケル−スズ合金が使用され、その剥離法
には、硫酸とｍ−ニトロベンゼンスルホン酸とを含む酸
性水溶液に浸漬し電解剥離を行う方法が、同公報により
知られている。さらに、市販のニッケル又はニッケル合
金のエッチング液としては、アルカリ性のエンストリッ
プＮＰ（メルテックス社製、商品名）やメテックＳＣＢ
（マクダーミッド社製、商品名）、トップリップＡＺ
（奥野製薬社製、商品名）等の溶液に浸漬し剥離する方
法や、酸性のメルストリップＮ−９５０（メルテックス
社製、商品名）、メルストリップＨＮ−８４１（メルテ
ックス社製、商品名）等の溶液に浸漬し剥離する方法が
知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の圧延
銅箔は薄くすると取り扱いが困難であり、歩留りが悪
く、プリント配線板に使用するには価格が高くなりす
ぎ、１０μｍ未満のものは使用できない。また、電解銅
箔は単体のものは圧延箔と同じ理由で、１０μｍ未満の
ものは使用されていない。
銅箔は薄くすると取り扱いが困難であり、歩留りが悪
く、プリント配線板に使用するには価格が高くなりす
ぎ、１０μｍ未満のものは使用できない。また、電解銅
箔は単体のものは圧延箔と同じ理由で、１０μｍ未満の
ものは使用されていない。
【０００７】アルミニウム箔を担体として、その表面に
薄い銅箔に形成したものは、取り扱い性には優れている
ものの、粗化処理が困難なため絶縁基材との接着性が低
いという課題がある。
薄い銅箔に形成したものは、取り扱い性には優れている
ものの、粗化処理が困難なため絶縁基材との接着性が低
いという課題がある。
【０００８】３層構造の複合金属箔をプリント配線板に
用いる場合、第２の銅層に絶縁基材を接合し、第１の銅
層を選択的に除去し、さらに中間層２を除去して銅張り
積層板として使用するのであるが、このときの中間層２
に使用されるニッケル、ニッケル−鉄、ニッケル−スズ
を除去するには、公報に開示された硫酸とｍ−ニトロベ
ンゼンスルホン酸を含む酸性水溶液に浸漬し、電解剥離
を行わなければならず面倒である。
用いる場合、第２の銅層に絶縁基材を接合し、第１の銅
層を選択的に除去し、さらに中間層２を除去して銅張り
積層板として使用するのであるが、このときの中間層２
に使用されるニッケル、ニッケル−鉄、ニッケル−スズ
を除去するには、公報に開示された硫酸とｍ−ニトロベ
ンゼンスルホン酸を含む酸性水溶液に浸漬し、電解剥離
を行わなければならず面倒である。
【０００９】また、化学的に除去する液エンストリップ
ＮＰ（メルテックス社製、商品名）を使用した場合に
は、中間層の未溶解残査であるスマットと呼ばれる変質
層が生成し、このスマットを除去するのが困難である。
メテックＳＣＢ（マクダーミッド社製、商品名）を使用
すると、基質の銅層まで溶解してしまう場合があり、銅
層を完全に残そうとするとニッケル合金の一部が残る。
前者の場合には銅層が不連続になり、後者の場合には接
着性が低下する。さらに、トップリップＡＺ（奥野製薬
社製、商品名）を使用した場合には、溶解速度が非常に
遅く実用的ではなかった。メルストリップＮ−９５０
（メルテックス社製、商品名）やメルストリップＨＮ−
８４１（メルテックス社製、商品名）を使用した場合に
は、ニッケル−リン合金を剥離する時に黒色の皮膜が生
じ銅が過剰にエッチングされるという欠点があった。
ＮＰ（メルテックス社製、商品名）を使用した場合に
は、中間層の未溶解残査であるスマットと呼ばれる変質
層が生成し、このスマットを除去するのが困難である。
メテックＳＣＢ（マクダーミッド社製、商品名）を使用
すると、基質の銅層まで溶解してしまう場合があり、銅
層を完全に残そうとするとニッケル合金の一部が残る。
前者の場合には銅層が不連続になり、後者の場合には接
着性が低下する。さらに、トップリップＡＺ（奥野製薬
社製、商品名）を使用した場合には、溶解速度が非常に
遅く実用的ではなかった。メルストリップＮ−９５０
（メルテックス社製、商品名）やメルストリップＨＮ−
８４１（メルテックス社製、商品名）を使用した場合に
は、ニッケル−リン合金を剥離する時に黒色の皮膜が生
じ銅が過剰にエッチングされるという欠点があった。
【００１０】本発明は、銅基質を過度に溶解することな
く、ニッケル又はニッケル合金を簡便にかつ選択的に剥
離するエッチング液とその使用方法を提供することを目
的とするものである。
く、ニッケル又はニッケル合金を簡便にかつ選択的に剥
離するエッチング液とその使用方法を提供することを目
的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のエッチング液
は、硝酸と過酸化水素を主成分とする酸性溶液に、添加
剤としてカルボキシル基を含む有機酸と、環構成員とし
て−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子を含有している複
素環式化合物とを含むことを特徴とする。
は、硝酸と過酸化水素を主成分とする酸性溶液に、添加
剤としてカルボキシル基を含む有機酸と、環構成員とし
て−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子を含有している複
素環式化合物とを含むことを特徴とする。
【００１２】本発明に用いるエッチング液の主成分は、
硝酸と過酸化水素であり、ニッケルの溶解は下記の反応
により進むと考えられる。 ３Ｎｉ＋２ＨＮＯ3→３ＮｉＯ＋Ｈ2Ｏ＋２ＮＯ↑ Ｎｉ＋Ｈ2Ｏ2→ＮｉＯ＋Ｈ2Ｏ ＮｉＯ＋２ＨＮＯ3→Ｎｉ（ＮＯ3）2＋Ｈ2Ｏ また、銅も同じ様に反応して溶解すると考えられてい
る。 ３Ｃｕ＋２ＨＮＯ3→３ＣｕＯ＋Ｈ2Ｏ＋２ＮＯ↑ Ｃｕ＋Ｈ2Ｏ2→ＣｕＯ＋Ｈ2Ｏ ＣｕＯ＋２ＨＮＯ3→Ｃｕ（ＮＯ3）2＋Ｈ2Ｏ
硝酸と過酸化水素であり、ニッケルの溶解は下記の反応
により進むと考えられる。 ３Ｎｉ＋２ＨＮＯ3→３ＮｉＯ＋Ｈ2Ｏ＋２ＮＯ↑ Ｎｉ＋Ｈ2Ｏ2→ＮｉＯ＋Ｈ2Ｏ ＮｉＯ＋２ＨＮＯ3→Ｎｉ（ＮＯ3）2＋Ｈ2Ｏ また、銅も同じ様に反応して溶解すると考えられてい
る。 ３Ｃｕ＋２ＨＮＯ3→３ＣｕＯ＋Ｈ2Ｏ＋２ＮＯ↑ Ｃｕ＋Ｈ2Ｏ2→ＣｕＯ＋Ｈ2Ｏ ＣｕＯ＋２ＨＮＯ3→Ｃｕ（ＮＯ3）2＋Ｈ2Ｏ
【００１３】ここで、硝酸はニッケルの剥離に必要な酸
度を保持させるために使用され、その使用量は１００〜
３００ｇ／ｌである。硝酸の濃度を１００〜３００ｇ／
ｌとしたのは、１００ｇ／ｌより少ないと剥離作用が弱
く、３００ｇ／ｌより多いと酸度が強すぎて基質として
銅層を用いたときに、過度にエッチングする場合がある
からである。
度を保持させるために使用され、その使用量は１００〜
３００ｇ／ｌである。硝酸の濃度を１００〜３００ｇ／
ｌとしたのは、１００ｇ／ｌより少ないと剥離作用が弱
く、３００ｇ／ｌより多いと酸度が強すぎて基質として
銅層を用いたときに、過度にエッチングする場合がある
からである。
【００１４】また、過酸化水素は酸化剤として作用し、
ニッケルを酸化してニッケルの剥離を促進するものであ
り、その使用量は５〜２０ｍｌ／ｌが好ましい。その理
由は、５ｍｌ／ｌ未満では、酸化剤としての効果が充分
でなく、２０ｍｌ／ｌを越える場合には酸化作用が強す
ぎるため基質の銅層を過度にエッチングする場合がある
からである。
ニッケルを酸化してニッケルの剥離を促進するものであ
り、その使用量は５〜２０ｍｌ／ｌが好ましい。その理
由は、５ｍｌ／ｌ未満では、酸化剤としての効果が充分
でなく、２０ｍｌ／ｌを越える場合には酸化作用が強す
ぎるため基質の銅層を過度にエッチングする場合がある
からである。
【００１５】本発明に於ける第１の添加剤成分のカルボ
キシル基を有する有機酸としては、酸の強さＫａが１０
-3〜１０-5のものが好ましく、例えば、蟻酸、酢酸、プ
ロピオン酸、酪酸、コハク酸、グルタル酸、乳酸、リン
ゴ酸、クエン酸、酒石酸及びこれらの誘導体が挙げられ
る。このような有機酸は、ニッケル合金層を剥離した時
に銅基質の溶解を充分抑制するのに効果的な量で使用す
るのが好ましい。この有機酸は、剥離液中で好ましく
は、１０〜２００ｇ／ｌである。有機酸の濃度を１０〜
２００ｇ／ｌとした理由は、１０ｇ／ｌ未満では基質の
銅層の腐食抑制効果が小さく、２００ｇ／ｌを越える場
合には、それ以上の効果が期待できず実用上不経済であ
るからである。したがって有機酸の濃度は、１０〜２０
０ｇ／ｌが好ましい。
キシル基を有する有機酸としては、酸の強さＫａが１０
-3〜１０-5のものが好ましく、例えば、蟻酸、酢酸、プ
ロピオン酸、酪酸、コハク酸、グルタル酸、乳酸、リン
ゴ酸、クエン酸、酒石酸及びこれらの誘導体が挙げられ
る。このような有機酸は、ニッケル合金層を剥離した時
に銅基質の溶解を充分抑制するのに効果的な量で使用す
るのが好ましい。この有機酸は、剥離液中で好ましく
は、１０〜２００ｇ／ｌである。有機酸の濃度を１０〜
２００ｇ／ｌとした理由は、１０ｇ／ｌ未満では基質の
銅層の腐食抑制効果が小さく、２００ｇ／ｌを越える場
合には、それ以上の効果が期待できず実用上不経済であ
るからである。したがって有機酸の濃度は、１０〜２０
０ｇ／ｌが好ましい。
【００１６】本発明の第２の添加剤成分としては、環構
成員として−ＮＨ−又は、＝Ｎ−の形で窒素原子を含有
している複素環式化合物で、酸性溶液に溶解可能なもの
であり、トリアゾール及びこれらの誘導体が挙げられ
る。トリアゾール又はその誘導体の添加量は１〜１０ｇ
／ｌが好ましい。トリアゾール又はその誘導体の添加量
を１〜１０ｇ／ｌとしたのは、１ｇ／ｌ未満では、基質
の銅層の腐食抑制効果が小さく、１０ｇ／ｌを越える場
合には、それ以上の効果が期待できず実用上不経済であ
るからである。したがってトリアゾール又はその誘導体
の添加量は１〜１０ｇ／ｌが好ましい。
成員として−ＮＨ−又は、＝Ｎ−の形で窒素原子を含有
している複素環式化合物で、酸性溶液に溶解可能なもの
であり、トリアゾール及びこれらの誘導体が挙げられ
る。トリアゾール又はその誘導体の添加量は１〜１０ｇ
／ｌが好ましい。トリアゾール又はその誘導体の添加量
を１〜１０ｇ／ｌとしたのは、１ｇ／ｌ未満では、基質
の銅層の腐食抑制効果が小さく、１０ｇ／ｌを越える場
合には、それ以上の効果が期待できず実用上不経済であ
るからである。したがってトリアゾール又はその誘導体
の添加量は１〜１０ｇ／ｌが好ましい。
【００１７】また、本発明に於ける剥離法はニッケル合
金層を剥離できるならば何れの方法でも良く、例えば従
来から一般的に用いられている浸漬法の他にスプレイ法
等の方法を用いることができる。
金層を剥離できるならば何れの方法でも良く、例えば従
来から一般的に用いられている浸漬法の他にスプレイ法
等の方法を用いることができる。
【００１８】本発明の第２の発明であるエッチング液の
使用方法は、前述のエッチング液を、ニッケル又はニッ
ケル合金を銅基質の表面に形成させたものに、接触させ
ることにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエッチ
ング除去する方法である。この銅基質に換えて絶縁基材
表面に銅箔を貼り合わせた銅張り積層板の銅箔表面にニ
ッケル又はニッケル合金形成させたものを使用すること
もできる。
使用方法は、前述のエッチング液を、ニッケル又はニッ
ケル合金を銅基質の表面に形成させたものに、接触させ
ることにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエッチ
ング除去する方法である。この銅基質に換えて絶縁基材
表面に銅箔を貼り合わせた銅張り積層板の銅箔表面にニ
ッケル又はニッケル合金形成させたものを使用すること
もできる。
【００１９】本発明の第３の発明として、このようなエ
ッチング液を用いて、以下の工程を含むことにより配線
板を製造することができる。 Ａ．絶縁基材表面に銅箔を貼り合わせた銅張り積層板の
銅箔表面に、めっきレジストを形成する工程 Ｂ．露出した箇所にニッケル又はニッケル合金のめっき
を行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔の
みをエッチング除去する工程 Ｃ．前記詳述した、硝酸と過酸化水素を主成分とする酸
性溶液に、添加剤としてカルボキシル基を含む有機酸
と、環構成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子
を含有している複素環式化合物とを含む液（以下、本発
明のエッチング液という）に接触させることにより、ニ
ッケル又はニッケル合金のみをエッチング除去する工程
ッチング液を用いて、以下の工程を含むことにより配線
板を製造することができる。 Ａ．絶縁基材表面に銅箔を貼り合わせた銅張り積層板の
銅箔表面に、めっきレジストを形成する工程 Ｂ．露出した箇所にニッケル又はニッケル合金のめっき
を行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔の
みをエッチング除去する工程 Ｃ．前記詳述した、硝酸と過酸化水素を主成分とする酸
性溶液に、添加剤としてカルボキシル基を含む有機酸
と、環構成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子
を含有している複素環式化合物とを含む液（以下、本発
明のエッチング液という）に接触させることにより、ニ
ッケル又はニッケル合金のみをエッチング除去する工程
【００２０】さらに、以下の工程を含むこともできる。 Ａ．絶縁基材表面に銅箔を貼り合わせた銅張り積層板に
孔をあけ、孔内壁及び銅箔表面に無電解銅めっきを行
い、その銅表面にめっきレジストを形成する工程 Ｂ．露出した箇所にニッケル又はニッケル合金のめっき
を行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔の
みをエッチング除去する工程 Ｃ．本発明のエッチング液に接触させることにより、ニ
ッケル又はニッケル合金のみをエッチング除去する工程
孔をあけ、孔内壁及び銅箔表面に無電解銅めっきを行
い、その銅表面にめっきレジストを形成する工程 Ｂ．露出した箇所にニッケル又はニッケル合金のめっき
を行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔の
みをエッチング除去する工程 Ｃ．本発明のエッチング液に接触させることにより、ニ
ッケル又はニッケル合金のみをエッチング除去する工程
【００２１】さらに多層配線板を、以下の工程を福こと
によって製造することもできる。 Ａ．内層回路板表面に、プリプレグと銅箔を貼り合わせ
た積層板に孔をあけ、孔内壁及び銅箔表面に無電解銅め
っきを行い、その銅表面にめっきレジストを形成する工
程 Ｂ．露出した箇所にニッケル又はニッケル合金のめっき
を行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔の
みをエッチング除去する工程 Ｃ．本発明のエッチング液に接触させることにより、ニ
ッケル又はニッケル合金のみをエッチング除去する工程
によって製造することもできる。 Ａ．内層回路板表面に、プリプレグと銅箔を貼り合わせ
た積層板に孔をあけ、孔内壁及び銅箔表面に無電解銅め
っきを行い、その銅表面にめっきレジストを形成する工
程 Ｂ．露出した箇所にニッケル又はニッケル合金のめっき
を行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔の
みをエッチング除去する工程 Ｃ．本発明のエッチング液に接触させることにより、ニ
ッケル又はニッケル合金のみをエッチング除去する工程
【００２２】３層の複合金属層を用いた場合、以下の工
程を含むことによって、配線板を製造できる。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの銅層とニ
ッケル又はニッケル合金の層を有する金属箔を、銅層が
絶縁基材に接するように重ね、加熱加圧して積層一体化
する工程 Ｂ．その積層板を、本発明のエッチング液に接触させる
ことにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエッチン
グ除去する工程 Ｃ．その積層板に孔をあけ、孔内壁と露出した銅表面全
面に無電解めっきを行い、必要な場合にはさらに電解め
っきを行って、回路導体として必要な厚さを確保する工
程 Ｄ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程
程を含むことによって、配線板を製造できる。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの銅層とニ
ッケル又はニッケル合金の層を有する金属箔を、銅層が
絶縁基材に接するように重ね、加熱加圧して積層一体化
する工程 Ｂ．その積層板を、本発明のエッチング液に接触させる
ことにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエッチン
グ除去する工程 Ｃ．その積層板に孔をあけ、孔内壁と露出した銅表面全
面に無電解めっきを行い、必要な場合にはさらに電解め
っきを行って、回路導体として必要な厚さを確保する工
程 Ｄ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程
【００２３】また、以下のようにすることもできる。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの銅層とニ
ッケル又はニッケル合金の層を有する金属箔を、銅層が
絶縁基材に接するように重ね、加熱加圧して積層一体化
する工程 Ｂ．その積層板に孔をあけ、本発明のエッチング液に接
触させることにより、ニッケル又はニッケル合金のみを
エッチング除去する工程 Ｃ．その積層板の孔内壁と露出した銅表面全面に無電解
めっきを行い、必要な場合にはさらに電解めっきを行っ
て、回路導体として必要な厚さを確保する工程 Ｄ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程
ッケル又はニッケル合金の層を有する金属箔を、銅層が
絶縁基材に接するように重ね、加熱加圧して積層一体化
する工程 Ｂ．その積層板に孔をあけ、本発明のエッチング液に接
触させることにより、ニッケル又はニッケル合金のみを
エッチング除去する工程 Ｃ．その積層板の孔内壁と露出した銅表面全面に無電解
めっきを行い、必要な場合にはさらに電解めっきを行っ
て、回路導体として必要な厚さを確保する工程 Ｄ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程
【００２４】さらにまた、以下のようにしても製造でき
る。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの第１の銅
層とニッケル又はニッケル合金の層と、第２の銅層を有
する金属箔を、第１の銅層が絶縁基材に接するように重
ね、加熱加圧して積層一体化する工程 Ｂ．前記積層板の第２の銅層のみをエッチング除去する
工程 Ｃ．その積層板を、本発明のエッチング液に接触させる
ことにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエッチン
グ除去する工程 Ｄ．その積層板に孔をあけ、孔内壁と露出した銅表面全
面に無電解めっきを行い、必要な場合にはさらに電解め
っきを行って、回路導体として必要な厚さを確保する工
程 Ｅ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程
る。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの第１の銅
層とニッケル又はニッケル合金の層と、第２の銅層を有
する金属箔を、第１の銅層が絶縁基材に接するように重
ね、加熱加圧して積層一体化する工程 Ｂ．前記積層板の第２の銅層のみをエッチング除去する
工程 Ｃ．その積層板を、本発明のエッチング液に接触させる
ことにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエッチン
グ除去する工程 Ｄ．その積層板に孔をあけ、孔内壁と露出した銅表面全
面に無電解めっきを行い、必要な場合にはさらに電解め
っきを行って、回路導体として必要な厚さを確保する工
程 Ｅ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程
【００２５】また、以下のようにして製造することもで
きる。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの第１の銅
層とニッケル又はニッケル合金の層と、第２の銅層を有
する金属箔を、第１の銅層が絶縁基材に接するように重
ね、加熱加圧して積層一体化する工程 Ｂ．前記積層板の第２の銅層のみをエッチング除去する
工程 Ｃ．その積層板に孔をあけ、本発明のエッチング液に接
触させることにより、ニッケル又はニッケル合金のみを
エッチング除去する工程 Ｄ．その積層板の孔内壁と露出した銅表面全面に無電解
めっきを行い、必要な場合にはさらに電解めっきを行っ
て、回路導体として必要な厚さを確保する工程 Ｅ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程
きる。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの第１の銅
層とニッケル又はニッケル合金の層と、第２の銅層を有
する金属箔を、第１の銅層が絶縁基材に接するように重
ね、加熱加圧して積層一体化する工程 Ｂ．前記積層板の第２の銅層のみをエッチング除去する
工程 Ｃ．その積層板に孔をあけ、本発明のエッチング液に接
触させることにより、ニッケル又はニッケル合金のみを
エッチング除去する工程 Ｄ．その積層板の孔内壁と露出した銅表面全面に無電解
めっきを行い、必要な場合にはさらに電解めっきを行っ
て、回路導体として必要な厚さを確保する工程 Ｅ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程
【００２６】さらに、多層配線板とするために、以下の
ようにして製造することもできる。 Ａ．内層回路板表面に、プリプレグと、０．０４〜１．
５μｍの第１の銅層とニッケル又はニッケル合金の層
と、第２の銅層を有する金属箔を、第１の銅層がプリプ
レグに接するように重ね、加熱加圧して積層一体化する
工程 Ｂ．前記積層板の第２の銅層のみをエッチング除去する
工程 Ｃ．その積層板に孔をあけ、本発明のエッチング液に接
触させることにより、ニッケル又はニッケル合金のみを
エッチング除去する工程 Ｄ．その積層板の孔内壁と露出した銅表面全面に無電解
めっきを行い、必要な場合にはさらに電解めっきを行っ
て、回路導体として必要な厚さを確保する工程 Ｅ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程 このときに、積層板に孔をあけるのは、工程Ｂにおい
て、エッチングする前であってもよい。
ようにして製造することもできる。 Ａ．内層回路板表面に、プリプレグと、０．０４〜１．
５μｍの第１の銅層とニッケル又はニッケル合金の層
と、第２の銅層を有する金属箔を、第１の銅層がプリプ
レグに接するように重ね、加熱加圧して積層一体化する
工程 Ｂ．前記積層板の第２の銅層のみをエッチング除去する
工程 Ｃ．その積層板に孔をあけ、本発明のエッチング液に接
触させることにより、ニッケル又はニッケル合金のみを
エッチング除去する工程 Ｄ．その積層板の孔内壁と露出した銅表面全面に無電解
めっきを行い、必要な場合にはさらに電解めっきを行っ
て、回路導体として必要な厚さを確保する工程 Ｅ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程 このときに、積層板に孔をあけるのは、工程Ｂにおい
て、エッチングする前であってもよい。
【００２７】
【作用】本発明で用いられる剥離液は、特定量の硝酸と
過酸化水素を主成分とし、銅の腐食抑制剤としてカルボ
キシル基を含む有機酸、特に酸の強さがＫａ：１０-3〜
１０-5のカルボキシル基を含む有機酸と、環構成員とし
て−ＮＨ−又は、＝Ｎ−の形で窒素原子を含有している
複素環式化合物を添加することにより、銅基質の過度の
溶解を防止し、ニッケル合金を剥離することができる。
過酸化水素を主成分とし、銅の腐食抑制剤としてカルボ
キシル基を含む有機酸、特に酸の強さがＫａ：１０-3〜
１０-5のカルボキシル基を含む有機酸と、環構成員とし
て−ＮＨ−又は、＝Ｎ−の形で窒素原子を含有している
複素環式化合物を添加することにより、銅基質の過度の
溶解を防止し、ニッケル合金を剥離することができる。
【００２８】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるも
のではない。
【００２９】実施例１ 硝酸・・・・・・・・・・・・・・・・２００ｇ／ｌ 過酸化水素・・・・・・・・・・・・・１０ｍｌ／ｌ 酢酸・・・・・・・・・・・・・・・・１００ｇ／ｌ ベンゾトリアゾール・・・・・・・・・・・５ｇ／ｌ
【００３０】実施例２ 硝酸・・・・・・・・・・・・・・・・３００ｇ／ｌ 過酸化水素・・・・・・・・・・・・・１０ｍｌ／ｌ プロピオン酸・・・・・・・・・・・・１００ｇ／ｌ ベンゾトリアゾール・・・・・・・・・・・５ｇ／ｌ
【００３１】実施例３ 硝酸・・・・・・・・・・・・・・・・２００ｇ／ｌ 過酸化水素・・・・・・・・・・・・・２０ｍｌ／ｌ グルタル酸・・・・・・・・・・・・・１００ｇ／ｌ ５−メチルベイゾトリアゾール・・・・・・５ｇ／ｌ
【００３２】実施例４ 硝酸・・・・・・・・・・・・・・・・２００ｇ／ｌ 過酸化水素・・・・・・・・・・・・・１０ｍｌ／ｌ プロピオン酸・・・・・・・・・・・・１００ｇ／ｌ １−ヒドロキシベンゾトリアゾール・・・１０ｇ／ｌ
【００３３】上記の各実施例に記載の組成を持つ水溶液
を用いてニッケルおよびニッケル−リン層の剥離試験を
行った。この試験では、ニッケル、ニッケル−リン合金
層を有する試料として、２０×６０ｍｍのエポキシ銅張
り積層板の銅上に以下のニッケル−リン合金めっき液及
び条件で約０．２μｍのニッケル−リンめっきを施した
ものと、樹脂基板上にニッケル及びニッケル−リンめっ
きを約０．２μｍ施したものに銅配線を形成したものを
用いた。なお、ニッケル及びニッケル−リン合金の膜厚
は、セイコー電子株式会社製の螢光Ｘ線膜厚計ＳＦＴ−
８０００を使用して測定した。
を用いてニッケルおよびニッケル−リン層の剥離試験を
行った。この試験では、ニッケル、ニッケル−リン合金
層を有する試料として、２０×６０ｍｍのエポキシ銅張
り積層板の銅上に以下のニッケル−リン合金めっき液及
び条件で約０．２μｍのニッケル−リンめっきを施した
ものと、樹脂基板上にニッケル及びニッケル−リンめっ
きを約０．２μｍ施したものに銅配線を形成したものを
用いた。なお、ニッケル及びニッケル−リン合金の膜厚
は、セイコー電子株式会社製の螢光Ｘ線膜厚計ＳＦＴ−
８０００を使用して測定した。
【００３４】（ニッケルめっき液の組成） 硫酸ニッケル・・・・・・・・・・・・２４０ｇ／ｌ 塩化ニッケル・・・・・・・・・・・・・４５ｇ／ｌ ホウ酸・・・・・・・・・・・・・・・・３０ｇ／ｌ （めっき条件） 温度・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３５℃ 電流密度・・・・・・・・・・・・・１．５Ａ／ｄｍ２ 時間・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・４分
【００３５】（ニッケル−リンめっき液の組成） 硫酸ニッケル・・・・・・・・・・・・２４０ｇ／ｌ 塩化ニッケル・・・・・・・・・・・・・４５ｇ／ｌ ホウ酸・・・・・・・・・・・・・・・・３０ｇ／ｌ 亜リン酸・・・・・・・・・・・・・・・・５ｇ／ｌ （めっき条件） 温度・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３５℃ 電流密度・・・・・・・・・・・・・・１．５Ａ／ｄｍ２ 時間・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・４分
【００３６】この試料を各実施例の水溶液１００ｍｌに
５０℃で浸漬し、各試料のニッケル−リン合金の剥離性
及び素地銅箔の厚さの減少量を測定した。膜厚の測定は
前記螢光Ｘ線膜厚計を使用して測定した。また、比較の
ため下記の組成の水溶液を作り、上記と同様に試験し
た。
５０℃で浸漬し、各試料のニッケル−リン合金の剥離性
及び素地銅箔の厚さの減少量を測定した。膜厚の測定は
前記螢光Ｘ線膜厚計を使用して測定した。また、比較の
ため下記の組成の水溶液を作り、上記と同様に試験し
た。
【００３７】比較例１ 硝酸 ２００ｇ／ｌ 過酸化水素 １０ｍｌ／ｌ
【００３８】比較例２ 硝酸 ２００ｇ／ｌ 過酸化水素 １０ｍｌ／ｌ トリクロル酢酸 １００ｇ／ｌ ベンゾトリアゾール ５ｇ／ｌ
【００３９】比較例３ メルストリップＮ−９５０Ａ ５００ｍｌ／ｌ メルストリップＮ−９５０Ｂ １００ｍｌ／ｌ 過酸化水素水 １００ｍｌ／ｌ
【００４０】得られた結果を以下の表１，２に示す。表
１において、〇はＮｉ残りなし、×はＮｉ残りありの判
断を示し、表２において、〇はNi-P残りなし、×* 1はNi
-P残りあり、×* 2は黒色の皮膜を生成したことを示す。
１において、〇はＮｉ残りなし、×はＮｉ残りありの判
断を示し、表２において、〇はNi-P残りなし、×* 1はNi
-P残りあり、×* 2は黒色の皮膜を生成したことを示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【表２】
【００４３】実施例５ エポキシ樹脂絶縁基材表面に銅箔を貼り合わせた銅張り
積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）の銅箔表面に、めっきレジストを形成し、
露出した箇所に、実施例１〜４に示すニッケルめっきを
行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔のみ
をアルカリエッチャントでエッチング除去し、実施例１
に用いたエッチング液に接触させることにより、ニッケ
ルのみをエッチング除去し、片面の回路板とした。
積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）の銅箔表面に、めっきレジストを形成し、
露出した箇所に、実施例１〜４に示すニッケルめっきを
行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔のみ
をアルカリエッチャントでエッチング除去し、実施例１
に用いたエッチング液に接触させることにより、ニッケ
ルのみをエッチング除去し、片面の回路板とした。
【００４４】実施例６ エポキシ樹脂絶縁基材表面に銅箔を貼り合わせた銅張り
積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）にドリルで孔をあけ、孔内壁及び銅箔表面
に無電解銅めっきを行い、その銅表面にめっきレジスト
を形成し、実施例１〜４に示すニッケルめっきを行い、
めっきレジストを除去した後、露出した銅箔のみをアル
カリエッチャントでエッチング除去し、実施例２のエッ
チング液に接触させることにより、ニッケルのみをエッ
チング除去し、両面回路板とした。
積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）にドリルで孔をあけ、孔内壁及び銅箔表面
に無電解銅めっきを行い、その銅表面にめっきレジスト
を形成し、実施例１〜４に示すニッケルめっきを行い、
めっきレジストを除去した後、露出した銅箔のみをアル
カリエッチャントでエッチング除去し、実施例２のエッ
チング液に接触させることにより、ニッケルのみをエッ
チング除去し、両面回路板とした。
【００４５】実施例７ エポキシ樹脂絶縁基材表面に銅箔を貼り合わせた銅張り
積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）を内層回路加工したものに、プリプレグＥ
−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）と、３５μ
ｍ厚さの銅箔を貼り合わせた積層板に孔をあけ、孔内壁
及び銅箔表面に無電解銅めっきを行い、その銅表面にめ
っきレジストを形成し、露出した箇所に実施例１〜４に
示すニッケル−リンの合金めっきを行い、めっきレジス
トを除去した後、露出した銅箔のみをエッチング除去
し、実施例２のエッチング液に接触させることにより、
ニッケル−リン合金のみをエッチング除去し、多層配線
板とした。
積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）を内層回路加工したものに、プリプレグＥ
−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）と、３５μ
ｍ厚さの銅箔を貼り合わせた積層板に孔をあけ、孔内壁
及び銅箔表面に無電解銅めっきを行い、その銅表面にめ
っきレジストを形成し、露出した箇所に実施例１〜４に
示すニッケル−リンの合金めっきを行い、めっきレジス
トを除去した後、露出した銅箔のみをエッチング除去
し、実施例２のエッチング液に接触させることにより、
ニッケル−リン合金のみをエッチング除去し、多層配線
板とした。
【００４６】実施例８ 絶縁基材プリプレグＥ−６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）の表面に、０．０４〜１．５μｍの銅層と
ニッケルの層を有する金属箔を、銅層が絶縁基材に接す
るように重ね、加熱加圧して積層一体化し、その積層板
を、実施例３のエッチング液に接触させることにより、
ニッケルのみをエッチング除去し、その積層板に孔をあ
け、孔内壁と露出した銅表面全面に無電解めっきを行
い、電解めっきを行って、回路導体として必要な厚さ３
５μｍを確保し、エッチングレジストを必要な回路の形
状に形成し、露出した銅をエッチング除去し、両面回路
板とした。
製、商品名）の表面に、０．０４〜１．５μｍの銅層と
ニッケルの層を有する金属箔を、銅層が絶縁基材に接す
るように重ね、加熱加圧して積層一体化し、その積層板
を、実施例３のエッチング液に接触させることにより、
ニッケルのみをエッチング除去し、その積層板に孔をあ
け、孔内壁と露出した銅表面全面に無電解めっきを行
い、電解めっきを行って、回路導体として必要な厚さ３
５μｍを確保し、エッチングレジストを必要な回路の形
状に形成し、露出した銅をエッチング除去し、両面回路
板とした。
【００４７】実施例９ 絶縁基材プリプレグＥ−６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）の表面に、０．０４〜１．５μｍの銅層と
ニッケル−リンの合金層を有する金属箔を、銅層が絶縁
基材に接するように重ね、加熱加圧して積層一体化し、
その積層板に孔をあけ、実施例４のエッチング液に接触
させることにより、ニッケル−リン合金のみをエッチン
グ除去し、その積層板の孔内壁と露出した銅表面全面に
無電解めっきを２０μｍの厚さに行い、エッチングレジ
ストを必要な回路の形状に形成し、露出した銅をエッチ
ング除去して、両面回路板とした。
製、商品名）の表面に、０．０４〜１．５μｍの銅層と
ニッケル−リンの合金層を有する金属箔を、銅層が絶縁
基材に接するように重ね、加熱加圧して積層一体化し、
その積層板に孔をあけ、実施例４のエッチング液に接触
させることにより、ニッケル−リン合金のみをエッチン
グ除去し、その積層板の孔内壁と露出した銅表面全面に
無電解めっきを２０μｍの厚さに行い、エッチングレジ
ストを必要な回路の形状に形成し、露出した銅をエッチ
ング除去して、両面回路板とした。
【００４８】実施例１０ 絶縁基材プリプレグＥ−６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）の表面に、０．０４〜１．５μｍの第１の
銅層とニッケル−リンの合金層と、第２の銅層を有する
金属箔を、第１の銅層が絶縁基材に接するように重ね、
加熱加圧して積層一体化し、第２の銅層のみをアルカリ
エッチャントでエッチング除去し、実施例１のエッチン
グ液に接触させることにより、ニッケル−リン合金のみ
をエッチング除去し、その積層板に孔をあけ、孔内壁と
露出した銅表面全面に無電解めっきを行い、さらに電解
めっきを行って、回路導体として必要な厚さ３５μｍを
確保し、エッチングレジストを必要な回路の形状に形成
し、露出した銅をエッチング除去して、配線板とした。
製、商品名）の表面に、０．０４〜１．５μｍの第１の
銅層とニッケル−リンの合金層と、第２の銅層を有する
金属箔を、第１の銅層が絶縁基材に接するように重ね、
加熱加圧して積層一体化し、第２の銅層のみをアルカリ
エッチャントでエッチング除去し、実施例１のエッチン
グ液に接触させることにより、ニッケル−リン合金のみ
をエッチング除去し、その積層板に孔をあけ、孔内壁と
露出した銅表面全面に無電解めっきを行い、さらに電解
めっきを行って、回路導体として必要な厚さ３５μｍを
確保し、エッチングレジストを必要な回路の形状に形成
し、露出した銅をエッチング除去して、配線板とした。
【００４９】実施例１１ 絶縁基材プリプレグＥ−６７（日立化成工業株式会社
製、商品名）の表面に、０．０４〜１．５μｍの第１の
銅層とニッケル−リンの合金層と、第２の銅層を有する
金属箔を、第１の銅層が絶縁基材に接するように重ね、
加熱加圧して積層一体化し、第２の銅層のみをアルカリ
エッチャントでエッチング除去し、その積層板に孔をあ
け、本発明のエッチング液に接触させることにより、ニ
ッケル−リン合金のみをエッチング除去し、その積層板
の孔内壁と露出した銅表面全面に無電解めっきを行い、
さらに電解めっきを行って、回路導体として必要な厚さ
３５μｍを確保し、エッチングレジストを必要な回路の
形状に形成し、露出した銅をエッチング除去して、配線
板とした。
製、商品名）の表面に、０．０４〜１．５μｍの第１の
銅層とニッケル−リンの合金層と、第２の銅層を有する
金属箔を、第１の銅層が絶縁基材に接するように重ね、
加熱加圧して積層一体化し、第２の銅層のみをアルカリ
エッチャントでエッチング除去し、その積層板に孔をあ
け、本発明のエッチング液に接触させることにより、ニ
ッケル−リン合金のみをエッチング除去し、その積層板
の孔内壁と露出した銅表面全面に無電解めっきを行い、
さらに電解めっきを行って、回路導体として必要な厚さ
３５μｍを確保し、エッチングレジストを必要な回路の
形状に形成し、露出した銅をエッチング除去して、配線
板とした。
【００５０】エポキシ樹脂絶縁基材表面に銅箔を貼り合
わせた銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成
工業株式会社製、商品名）を内層回路加工したものに、
プリプレグＥ−６７（日立化成工業株式会社製、商品
名）と、０．０４〜１．５μｍの第１の銅層とニッケル
−リンの合金層と、第２の銅層を有する金属箔を、第１
の銅層がプリプレグに接するように重ね、加熱加圧して
積層一体化し、第２の銅層のみをアルカリエッチャント
でエッチング除去し、その積層板に孔をあけ、実施例２
のエッチング液に接触させることにより、ニッケル−リ
ン合金のみをエッチング除去し、その積層板の孔内壁と
露出した銅表面全面に無電解めっきを行い、さらに電解
めっきを行って、回路導体として必要な厚さ３５μｍを
確保し、エッチングレジストを必要な回路の形状に形成
し、露出した銅をエッチング除去して、多層配線板とし
た。
わせた銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成
工業株式会社製、商品名）を内層回路加工したものに、
プリプレグＥ−６７（日立化成工業株式会社製、商品
名）と、０．０４〜１．５μｍの第１の銅層とニッケル
−リンの合金層と、第２の銅層を有する金属箔を、第１
の銅層がプリプレグに接するように重ね、加熱加圧して
積層一体化し、第２の銅層のみをアルカリエッチャント
でエッチング除去し、その積層板に孔をあけ、実施例２
のエッチング液に接触させることにより、ニッケル−リ
ン合金のみをエッチング除去し、その積層板の孔内壁と
露出した銅表面全面に無電解めっきを行い、さらに電解
めっきを行って、回路導体として必要な厚さ３５μｍを
確保し、エッチングレジストを必要な回路の形状に形成
し、露出した銅をエッチング除去して、多層配線板とし
た。
【００５１】エポキシ樹脂絶縁基材表面に銅箔を貼り合
わせた銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成
工業株式会社製、商品名）を内層回路加工したものに、
プリプレグＥ−６７（日立化成工業株式会社製、商品
名）と、０．０４〜１．５μｍの第１の銅層とニッケル
−リンの合金層と、第２の銅層を有する金属箔を、第１
の銅層がプリプレグに接するように重ね、加熱加圧して
積層一体化し、その積層板に孔をあけ、第２の銅層のみ
をアルカリエッチャントでエッチング除去し、実施例２
のエッチング液に接触させることにより、ニッケル−リ
ン合金のみをエッチング除去し、その積層板の孔内壁と
露出した銅表面全面に無電解めっきを行い、さらに電解
めっきを行って、回路導体として必要な厚さ３５μｍを
確保し、エッチングレジストを必要な回路の形状に形成
し、露出した銅をエッチング除去して、多層配線板とし
た。
わせた銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成
工業株式会社製、商品名）を内層回路加工したものに、
プリプレグＥ−６７（日立化成工業株式会社製、商品
名）と、０．０４〜１．５μｍの第１の銅層とニッケル
−リンの合金層と、第２の銅層を有する金属箔を、第１
の銅層がプリプレグに接するように重ね、加熱加圧して
積層一体化し、その積層板に孔をあけ、第２の銅層のみ
をアルカリエッチャントでエッチング除去し、実施例２
のエッチング液に接触させることにより、ニッケル−リ
ン合金のみをエッチング除去し、その積層板の孔内壁と
露出した銅表面全面に無電解めっきを行い、さらに電解
めっきを行って、回路導体として必要な厚さ３５μｍを
確保し、エッチングレジストを必要な回路の形状に形成
し、露出した銅をエッチング除去して、多層配線板とし
た。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、量産性に優れたウェッ
ト処理により、銅基質を過度に溶解することなく、ニッ
ケル又はニッケル合金層を簡便に、剥離することができ
る。
ト処理により、銅基質を過度に溶解することなく、ニッ
ケル又はニッケル合金層を簡便に、剥離することができ
る。
Claims (14)
- 【請求項１】硝酸と過酸化水素を主成分とする酸性溶液
に、添加剤としてカルボキシル基を含む有機酸と、環構
成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子を含有し
ている複素環式化合物とを含むことを特徴とするニッケ
ルおよび／又はニッケル合金のエッチング液。 - 【請求項２】環構成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で
窒素原子を含有している複素環式化合物が、トリアゾー
ル又はその誘導体であることを特徴とする請求項１に記
載のニッケル又はニッケル合金のエッチング液。 - 【請求項３】硝酸の含有量が１０〜３０重量％、３０％
過酸化水素水の含有量が５〜２０ｍｌ／ｌ、カルボキシ
ル基を含む有機酸の含有量が１〜２０重量％、トリアゾ
ール又はその誘導体の含有量が０．１〜１重量％である
ことを特徴とする請求項１に記載のニッケル又はニッケ
ル合金のエッチング液。 - 【請求項４】硝酸と過酸化水素を主成分とする酸性溶液
に、添加剤としてカルボキシル基を含む有機酸と、環構
成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子を含有し
ている複素環式化合物とを含む液を、ニッケル又はニッ
ケル合金を銅基質の表面に形成させたものに、接触させ
ることにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエッチ
ング除去する方法。 - 【請求項５】硝酸と過酸化水素を主成分とする酸性溶液
に、添加剤としてカルボキシル基を含む有機酸と、環構
成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子を含有し
ている複素環式化合物とを含む液を、絶縁基材表面に銅
箔を貼り合わせた銅張り積層板の銅箔表面にニッケル又
はニッケル合金形成させたものに、接触させることによ
り、ニッケル又はニッケル合金のみをエッチング除去す
る方法。 - 【請求項６】環構成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で
窒素原子を含有している複素環式化合物が、トリアゾー
ル又はその誘導体であることを特徴とする請求項４又は
５に記載のニッケル又はニッケル合金のみをエッチング
除去する方法。 - 【請求項７】硝酸の含有量が１０〜３０重量％、３０％
過酸化水素水の含有量が５〜２０ｍｌ／ｌ、カルボキシ
ル基を含む有機酸の含有量が１〜２０重量％、トリアゾ
ール又はその誘導体の含有量が０．１〜１重量％である
ことを特徴とする請求項６に記載のニッケル又はニッケ
ル合金のみエッチング除去する方法。 - 【請求項８】以下の工程を含むことを特徴とする配線板
の製造法。 Ａ．絶縁基材表面に銅箔を貼り合わせた銅張り積層板の
銅箔表面に、めっきレジストを形成する工程 Ｂ．露出した箇所にニッケル又はニッケル合金のめっき
を行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔の
みをエッチング除去する工程 Ｃ．硝酸と過酸化水素を主成分とする酸性溶液に、添加
剤としてカルボキシル基を含む有機酸と、環構成員とし
て−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子を含有している複
素環式化合物とを含む液に接触させることにより、ニッ
ケル又はニッケル合金のみをエッチング除去する工程 - 【請求項９】以下の工程を含むことを特徴とする配線板
の製造法。 Ａ．絶縁基材表面に銅箔を貼り合わせた銅張り積層板に
孔をあけ、孔内壁及び銅箔表面に無電解銅めっきを行
い、その銅表面にめっきレジストを形成する工程 Ｂ．露出した箇所にニッケル又はニッケル合金のめっき
を行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔の
みをエッチング除去する工程 Ｃ．硝酸と過酸化水素を主成分とする酸性溶液に、添加
剤としてカルボキシル基を含む有機酸と、環構成員とし
て−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子を含有している複
素環式化合物とを含む液に接触させることにより、ニッ
ケル又はニッケル合金のみをエッチング除去する工程 - 【請求項１０】以下の工程を含むことを特徴とする配線
板の製造法。 Ａ．内層回路板表面に、プリプレグと銅箔を貼り合わせ
た積層板に孔をあけ、孔内壁及び銅箔表面に無電解銅め
っきを行い、その銅表面にめっきレジストを形成する工
程 Ｂ．露出した箇所にニッケル又はニッケル合金のめっき
を行い、めっきレジストを除去した後、露出した銅箔の
みをエッチング除去する工程 Ｃ．硝酸と過酸化水素を主成分とする酸性溶液に、添加
剤としてカルボキシル基を含む有機酸と、環構成員とし
て−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子を含有している複
素環式化合物とを含む液に接触させることにより、ニッ
ケル又はニッケル合金のみをエッチング除去する工程 - 【請求項１１】以下の工程を含むことを特徴とする配線
板の製造法。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの銅層とニ
ッケル又はニッケル合金の層を有する金属箔を、銅層が
絶縁基材に接するように重ね、加熱加圧して積層一体化
する工程 Ｂ．その積層板を、硝酸と過酸化水素を主成分とする酸
性溶液に、添加剤としてカルボキシル基を含む有機酸
と、環構成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子
を含有している複素環式化合物とを含む液に接触させる
ことにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエッチン
グ除去する工程 Ｃ．その積層板に孔をあけ、孔内壁と露出した銅表面全
面に無電解めっきを行い、必要な場合にはさらに電解め
っきを行って、回路導体として必要な厚さを確保する工
程 Ｄ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程 - 【請求項１２】以下の工程を含むことを特徴とする配線
板の製造法。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの銅層とニ
ッケル又はニッケル合金の層を有する金属箔を、銅層が
絶縁基材に接するように重ね、加熱加圧して積層一体化
する工程 Ｂ．その積層板に孔をあけ、硝酸と過酸化水素を主成分
とする酸性溶液に、添加剤としてカルボキシル基を含む
有機酸と、環構成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒
素原子を含有している複素環式化合物とを含む液に接触
させることにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエ
ッチング除去する工程 Ｃ．その積層板の孔内壁と露出した銅表面全面に無電解
めっきを行い、必要な場合にはさらに電解めっきを行っ
て、回路導体として必要な厚さを確保する工程 Ｄ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程 - 【請求項１３】以下の工程を含むことを特徴とする配線
板の製造法。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの第１の銅
層とニッケル又はニッケル合金の層と、第２の銅層を有
する金属箔を、第１の銅層が絶縁基材に接するように重
ね、加熱加圧して積層一体化する工程 Ｂ．前記積層板の第２の銅層のみをエッチング除去する
工程 Ｃ．その積層板を、硝酸と過酸化水素を主成分とする酸
性溶液に、添加剤としてカルボキシル基を含む有機酸
と、環構成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒素原子
を含有している複素環式化合物とを含む液に接触させる
ことにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエッチン
グ除去する工程 Ｄ．その積層板に孔をあけ、孔内壁と露出した銅表面全
面に無電解めっきを行い、必要な場合にはさらに電解め
っきを行って、回路導体として必要な厚さを確保する工
程 Ｅ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程 - 【請求項１４】以下の工程を含むことを特徴とする配線
板の製造法。 Ａ．絶縁基材表面に、０．０４〜１．５μｍの第１の銅
層とニッケル又はニッケル合金の層と、第２の銅層を有
する金属箔を、第１の銅層が絶縁基材に接するように重
ね、加熱加圧して積層一体化する工程 Ｂ．前記積層板の第２の銅層のみをエッチング除去する
工程 Ｃ．その積層板に孔をあけ、硝酸と過酸化水素を主成分
とする酸性溶液に、添加剤としてカルボキシル基を含む
有機酸と、環構成員として−ＮＨ−又は＝Ｎ−の形で窒
素原子を含有している複素環式化合物とを含む液に接触
させることにより、ニッケル又はニッケル合金のみをエ
ッチング除去する工程 Ｄ．その積層板の孔内壁と露出した銅表面全面に無電解
めっきを行い、必要な場合にはさらに電解めっきを行っ
て、回路導体として必要な厚さを確保する工程 Ｅ．エッチングレジストを必要な回路の形状に形成し、
露出した銅をエッチング除去する工程
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|---|---|---|---|
| JP4217812A JP2884935B2 (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | ニッケル又はニッケル合金のエッチング液及びこのエッチング液を用いる方法並びにこのエッチング液を用いて配線板を製造する方法 |
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| JP4217812A JP2884935B2 (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | ニッケル又はニッケル合金のエッチング液及びこのエッチング液を用いる方法並びにこのエッチング液を用いて配線板を製造する方法 |
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| JPH0657454A true JPH0657454A (ja) | 1994-03-01 |
| JP2884935B2 JP2884935B2 (ja) | 1999-04-19 |
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| JP4217812A Expired - Fee Related JP2884935B2 (ja) | 1992-08-17 | 1992-08-17 | ニッケル又はニッケル合金のエッチング液及びこのエッチング液を用いる方法並びにこのエッチング液を用いて配線板を製造する方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US6162366A (en) * | 1997-12-25 | 2000-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching process |
| JP2009505388A (ja) * | 2005-08-12 | 2009-02-05 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | Ｃｕ層及びＣｕ／Ｎｉ層用の安定化されたエッチング溶液 |
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| CN102839378A (zh) * | 2012-09-29 | 2012-12-26 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 铜母排镀镍层化学退镀液及其使用方法 |
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| CN104674222A (zh) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 芝普企业股份有限公司 | 可有效减缓贾凡尼效应的刻蚀液 |
| CN112111740A (zh) * | 2020-09-24 | 2020-12-22 | 深圳市松柏实业发展有限公司 | 镍磷镀层的褪除液、制备方法以及镍磷层的褪除方法 |
| CN114752939A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-07-15 | 光华科学技术研究院(广东)有限公司 | 蚀刻液及其制备方法与应用 |
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|---|---|---|---|---|
| US3808576A (en) | 1971-01-15 | 1974-04-30 | Mica Corp | Circuit board with resistance layer |
-
1992
- 1992-08-17 JP JP4217812A patent/JP2884935B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN114752939A (zh) * | 2022-05-24 | 2022-07-15 | 光华科学技术研究院(广东)有限公司 | 蚀刻液及其制备方法与应用 |
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| JP2884935B2 (ja) | 1999-04-19 |
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