KR20150059602A

KR20150059602A - 에칭용 조성물 및 이것을 이용한 프린트 배선판의 제조방법

Info

Publication number: KR20150059602A
Application number: KR1020140156346A
Authority: KR
Inventors: 켄이치 타카하시; 노리후미 타시로
Original assignee: 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
Priority date: 2013-11-22
Filing date: 2014-11-11
Publication date: 2015-06-01
Also published as: JP2015120970A; TW201534693A; JP6424559B2; TWI630261B; KR102285729B1; CN104651840B; US9394616B2; US20150144591A1; CN104651840A

Abstract

본 발명에 따르면, 세미애디티브 공법에 의한 프린트 배선판 제조용 화학 구리도금의 에칭용 조성물에 있어서, 과산화수소 0.2~5질량%, 황산 0.5~10질량%, 페닐요소 0.001~0.3질량%, 할로겐이온 0.1~3질량ppm, 및 테트라졸류 0.003~0.3질량%를 함유하고, 또한, 액체온도 30℃에 있어서의 전기 구리도금의 용해속도(X)에 대한 화학 구리도금의 용해속도(Y)의 비(Y/X)가 4~7인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물을 제공할 수 있다.

Description

에칭용 조성물 및 이것을 이용한 프린트 배선판의 제조방법{COMPOSITION FOR ETCHING, AND METHOD FOR PREPARING PRINTED WIRING BOARD BY USING SAME}

본 발명은, 전기, 전자기기 등에 사용되는 다층 프린트 배선판 제조에 있어서의 세미애디티브(セミアディティブ) 공법에서의 시드층(シ―ド層)인 화학 구리도금의 에칭 제거에 이용하는 에칭용 조성물, 및 이것을 이용한 프린트 배선판의 제조방법에 관한 것이다.

최근 전자기기의 소형화, 경량화, 고기능화에 따라, 프린트 배선판에는 구리배선의 미세화 및 다층화가 강하게 요구되고 있다.

미세한 배선을 형성하는 제조법 중 하나로 세미애디티브 공법이 있다. 이 배선 형성법은, 절연재 상에 시드층이라 불리는 금속층을 형성하고(금속층으로서 일반적으로는 화학 구리도금을 사용), 그 표면에 도금 레지스트층을 형성하고, 그 후에 노광, 현상하여 레지스트 패턴을 형성한다. 그 후, 전기 구리도금을 하여, 레지스트를 박리하고, 시드층을 에칭 제거하여 구리배선을 형성한다.

세미애디티브 공법용 구리 에칭액으로서, 과산화수소, 황산, 아졸류, 및 브롬이온을 함유하는 에칭액(특허문헌 1), 황산, 과산화수소, 및 벤조트리아졸 유도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭제(특허문헌 2), 과산화수소, 및 황산을 주성분으로 하여 아졸류를 첨가제로 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭액(특허문헌 3), 또한, 구리 에칭액으로서, 과산화수소, 황산, 아미노테트라졸, 및 페닐요소를 함유하는 에칭액(특허문헌 4), 과산화수소, 무기산, 아졸류, 은이온, 및 할로겐을 함유하는 에칭액(특허문헌 5), 과산화수소, 황산, 벤조트리아졸류, 및 염화물이온을 함유하는 에칭액(특허문헌 6) 등이 개시되어 있다.

최근, 구리 배선폭이 종래의 10~20μm에서 10μm 미만으로, 나아가 차세대용으로 수μm까지 미세화 검토가 시작되었으며, 종래의 에칭액의 경우에는 화학 구리도금 용해속도가 전기 구리도금 용해속도보다 빠르지 않기 때문에, 구리 배선폭이 점점 줄어들고 있었다. 또는, 화학 구리도금 용해속도가 전기 구리도금 속도보다 과하게 빠른 경우, 화학 구리도금 부분이 과잉 용해되는 소위 언더컷(アンダ―カット)이 발생함에 따라 배선 소실이 일어나, 세미애디티브 공법에 의한 미세배선 형성이 곤란했었다.

일본특허공개 2006-13340호 공보 일본특허공개 2009-149971호 공보 일본특허공개 2006-9122호 공보 일본특허공개 2000-297387호 공보 일본특허공개 2003-3283호 공보 일본특허공개 2005-213526호 공보

본 발명은, 프린트 배선판 제조에 있어서의 세미애디티브 공법에서의 시드층인 화학 구리도금을 에칭 제거할 때, 효율 좋게 화학 구리도금을 제거함으로써 배선폭의 감소량을 억제하고, 또한 배선형상이 양호해지는 에칭용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 프린트 배선판 제조에 있어서의 세미애디티브 공법에서의 시드층인 화학 구리도금을 효율 좋게 에칭 제거함으로써 배선폭 감소량을 억제시키고, 또한 배선형상이 양호해지는 에칭용 조성물을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.

즉, 본 발명은 이하와 같다.

<1> 세미애디티브 공법에 의한 프린트 배선판 제조용 화학 구리도금의 에칭용 조성물에 있어서, 과산화수소 0.2~5질량%, 황산 0.5~10질량%, 페닐요소 0.001~0.3질량%, 할로겐이온 0.1~3질량ppm, 및 테트라졸류 0.003~0.3질량%를 함유하고, 또한, 액체온도(液溫) 30℃에 있어서의 전기 구리도금의 용해속도(X)에 대한 화학 구리도금의 용해속도(Y)의 비(Y/X)가 4~7인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물이다.

<2> 상기 테트라졸류가, 1-메틸테트라졸, 1-메틸-5-에틸테트라졸, 1-에틸-5-메틸테트라졸, 1,5-디메틸테트라졸, 및 1,5-디에틸테트라졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 상기 <1>에 기재된 에칭용 조성물이다.

<3> 과산화수소 0.4~2.5질량%, 황산 0.8~6.0질량%, 페닐요소 0.005~0.15질량%, 할로겐이온 0.3~2.5질량ppm, 및 테트라졸류 0.005~0.02질량%를 함유하는 상기 <1> 또는 <2>에 기재된 에칭용 조성물이다.

<4> 액체온도 30℃에 있어서의 전기 구리도금의 용해속도(X)가 0.1~0.8μm/분이고, 액체온도 30℃에 있어서의 화학 구리도금의 용해속도(Y)가 1.5~2.8μm/분인 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 에칭용 조성물이다.

<5> 과산화수소 0.2~5질량%, 황산 0.5~10질량%, 페닐요소 0.001~0.3질량%, 할로겐이온 0.1~3질량ppm, 및 테트라졸류 0.003~0.3질량%를 함유하고, 또한, 액체온도 30℃에 있어서의 전기 구리도금의 용해속도(X)에 대한 화학 구리도금의 용해속도(Y)의 비(Y/X)가 4~7인 에칭용 조성물을 이용하여, 화학 구리도금을 에칭 제거하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법이다.

<6> 상기 테트라졸류가, 1-메틸테트라졸, 1-메틸-5-에틸테트라졸, 1-에틸-5-메틸테트라졸, 1,5-디메틸테트라졸, 및 1,5-디에틸테트라졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 상기 <5>에 기재된 프린트 배선판의 제조방법이다.

<7> 상기 에칭용 조성물이, 과산화수소 0.4~2.5질량%, 황산 0.8~6.0질량%, 페닐요소 0.005~0.15질량%, 할로겐이온 0.3~2.5질량ppm, 및 테트라졸류 0.005~0.02질량%를 함유하는 상기 <5> 또는 <6>에 기재된 프린트 배선판의 제조방법이다.

<8> 액체온도 30℃에 있어서의 전기 구리도금의 용해속도(X)가 0.1~0.8μm/분이고, 액체온도 30℃에 있어서의 화학 구리도금의 용해속도(Y)가 1.5~2.8μm/분인 상기 <5> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조방법이다.

본 발명의 프린트 배선판의 제조방법에 의해, 종래 곤란했었던 세미애디티브 공법에 의한 프린트 배선판 제조에 있어서, 시드층인 화학 구리도금을 선택적으로 에칭 제거함으로써 배선폭 감소량을 억제시키고, 그 결과, 미세배선 형성이 가능하여, 산업상 이용가치가 매우 높다.

도 1은, 실시예 4(미처리)의 배선 단면의 전자현미경 사진(×3000)이다.
도 2는, 실시예 4의 배선 단면의 전자현미경 사진(×3000)이다.
도 3은, 비교예 7의 배선 단면의 전자현미경 사진(×3000)이다.

본 발명의 에칭용 조성물은, 과산화수소, 황산, 페닐요소, 할로겐이온, 및 테트라졸류로 구성되어 있다.

과산화수소의 농도는, 0.2~5.0질량%이고, 바람직하게는 0.3~3.0질량%이며, 더욱 바람직하게는 0.4~2.5질량%이고, 특히 바람직하게는 0.5~2.0질량%이다. 나아가, 본 발명은, 과산화수소의 농도가 1.0~2.0질량%인 태양도 특히 바람직하다. 과산화수소의 농도가 0.2~5.0질량%일 때, 양호한 구리의 용해속도가 얻어지고, 경제적으로도 우수하다.

황산의 농도는, 0.5~10.0질량%이고, 바람직하게는 0.6~8.0질량%, 더욱 바람직하게는 0.8~6.0질량%이고, 특히 바람직하게는 1.0~5.0질량%이다. 나아가, 본 발명은, 황산의 농도가 4.0~5.0질량%인 태양도 특히 바람직하다. 황산의 농도가 0.5~10.0질량%일 때, 양호한 구리의 용해속도가 얻어지고, 경제적으로도 우수하다.

페닐요소는, 구리 표면에 흡착하여 구리배선의 가늘어짐(細り)을 억제시키는 효과와, 과산화수소의 안정제로서의 효과가 있다. 페닐요소의 농도는, 0.001~0.3질량%이고, 바람직하게는 0.003~0.2질량%, 더욱 바람직하게는 0.005~0.15질량%이고, 특히 바람직하게는 0.01~0.1질량%이다. 나아가, 본 발명은, 페닐요소의 농도가 0.005~0.02인 태양도 특히 바람직하다.

할로겐이온은, 구리 표면에 흡착하여 구리배선의 가늘어짐을 억제시키는 효과가 있다. 할로겐이온은 불소이온, 염화물이온, 브롬이온, 및 요오드이온을 들 수 있는데, 이 중 바람직한 것은, 염화물이온, 및 브롬이온이다. 할로겐이온의 농도는, 0.1~3질량ppm이고, 바람직하게는 0.3~2.5질량ppm이며, 특히 바람직하게는 0.5~2질량ppm이다.

테트라졸류는, 페닐요소, 할로겐이온과 마찬가지로 구리 표면에 흡착하여 구리배선의 가늘어짐을 억제시키는 효과가 있다. 테트라졸류 중에서도, 1H-테트라졸, 1-메틸테트라졸, 1-에틸테트라졸, 5-메틸테트라졸, 5-에틸테트라졸, 5-n-프로필테트라졸, 5-메르캅토테트라졸, 5-메르캅토-1-메틸테트라졸, 1-메틸-5-에틸테트라졸, 1-에틸-5-메틸테트라졸, 1,5-디메틸테트라졸, 1,5-디에틸테트라졸, 1-이소프로필-5-메틸테트라졸, 및 1-시클로헥실-5-메틸테트라졸 중 적어도 1종이 바람직하다. 특히 바람직하게는, 1-메틸테트라졸, 1-메틸-5-에틸테트라졸, 1-에틸-5-메틸테트라졸, 1,5-디메틸테트라졸, 및 1,5-디에틸테트라졸이다. 테트라졸류의 농도는, 0.003~0.3질량%이고, 보다 바람직하게는 0.005~0.25질량%이며, 0.01~0.2질량%일 때 특히 바람직하다. 나아가, 본 발명은, 테트라졸류의 농도가 0.005~0.02질량%인 태양도 특히 바람직하다.

본 발명의 에칭용 조성물을 이용한 화학 구리도금의 용해속도는, 여러 조건하에서 변하는데, 예를 들어 30℃의 처리 조건하(액체온도 30℃)에서, 0.4~3μm/분이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.6~2μm/분이고, 0.8~1.5μm/분일 때가 특히 바람직하다. 나아가, 본 발명은, 액체온도 30℃에 있어서의 화학 구리도금의 용해속도가 1.5~2.8μm/분인 태양, 혹은 1.7~2.5μm/분인 태양도 특히 바람직하다. 한편, 본 발명에 있어서, 화학 구리도금의 용해속도는 이하의 방법에 의해 측정한 값이다. 즉, 화학 구리도금 기판(치수 15cm×15cm, 도금두께 1.5μm)을 에칭액으로 액체온도 30℃, 스프레이 압력 0.1MPa로 20초간 스프레이 처리하여, 처리 전후의 기판의 질량차로부터 구리 용해량을 산출하여, 단위시간당 구리 용해속도를 산출하였다.

본 발명의 에칭용 조성물을 이용한 전기 구리도금의 용해속도는, 여러 조건하에서 변하는데, 예를 들어 30℃의 처리 조건하(액체온도 30℃)에서, 0.1~0.8μm/분이 바람직하고, 0.1~0.5μm/분이 보다 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.15~0.4μm/분이고, 0.2~0.35μm/분일 때가 특히 바람직하다. 나아가, 본 발명은, 액체온도 30℃에 있어서의 전기 구리도금의 용해속도가 0.3~0.5μm/분인 태양도 특히 바람직하다. 한편, 본 발명에 있어서, 전기 구리도금의 용해속도는 이하의 방법에 의해 측정한 값이다. 즉, 전기 구리도금 기판(치수 15cm×15cm, 도금두께 10μm)을 에칭액으로 액체온도 30℃, 스프레이 압력 0.1MPa로 20초간 스프레이 처리하여, 처리 전후의 기판의 질량차로부터 구리 용해량을 산출하여, 단위시간당 구리 용해속도를 산출하였다.

본 발명의 에칭용 조성물을 이용한 전기 구리도금의 용해속도(X)에 대한 화학 구리도금의 용해속도(Y)의 비(Y/X)는, 3 이상이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4~7이고, 특히 바람직하게는 5~6이다. 용해속도의 비가 7을 초과하면 언더컷이 촉진되어 배선형상이 악화된다.

본 발명의 에칭용 조성물의 사용온도에 관해서는 특별한 제한은 없으나, 20~50℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 25~40℃이고, 더욱 바람직하게는 25~35℃이다. 사용온도가 높을수록 구리의 용해속도는 빨라지지만, 50℃를 초과하면 과산화수소의 분해가 거세지므로(激) 바람직하지 않다.

본 발명의 에칭용 조성물의 처리시간에 관해서는 특별한 제한은 없으나, 1~600초가 바람직하고, 5~300초가 보다 바람직하며, 10~180초가 더욱 바람직하고, 15~120초가 특히 바람직하다. 처리시간은, 금속 표면의 상태, 에칭액의 농도, 온도, 처리방법 등의 여러 조건에 따라 적당히 선택된다.

본 발명의 에칭용 조성물에 의한 처리방법에 관해서는, 특별한 제한은 없으나, 침지, 분무 등의 수단이 바람직하다. 또한, 처리시간에 관해서는 용해되는 구리 또는 구리합금의 두께에 따라 적당히 선택된다.

실시예

이하에 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.

·구리 용해량 측정방법; 이하의 식에 의해 질량법으로 산출하였다.

용해량=(처리전 질량-처리후 질량)/(처리면적×8.96)

·배선폭 및 배선폭 감소량 측정

레이저 현미경 Olympus Corporation제 OLS-1100을 사용하였다.

·언더컷 측정

주사형 전자현미경 Hitachi High-Tech Fielding Corporation제 S-3400N을 사용하였다.

(실시예 1)

화학 구리도금 기판(치수 15cm×15cm, 도금두께 1.5μm), 및 전기 구리도금 기판(치수 15cm×15cm, 도금두께 10μm) 각각을, 과산화수소 1질량%, 황산 4질량%, 페닐요소 0.01질량%, 염화물이온 1질량ppm, 및 1-메틸테트라졸 0.01질량%로 조제된 에칭액을 이용하여, 액체온도 30℃, 스프레이 압력 0.1MPa로 20초간 스프레이 처리하여, 처리 전후의 기판의 질량차로부터 구리 용해량을 산출하여, 단위시간당 구리 용해속도를 산출하였다. 그리고, 화학 구리도금 용해속도(Y)와 전기 구리도금 용해속도(X)의 속도비(Y/X)를 산출하였다. 그 결과, 속도비(Y/X)는 5.7이었다.

(실시예 2)

에칭액이, 과산화수소 1.5질량%, 황산 4.5질량%, 페닐요소 0.02질량%, 브롬이온 2질량ppm, 및 1-메틸-5-에틸테트라졸 0.01질량%로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 행하였다. 그 결과, 속도비(Y/X)는 5.0이었다.

(실시예 3)

에칭액이, 과산화수소 2질량%, 황산 5질량%, 페닐요소 0.005질량%, 염화물이온 0.5질량ppm, 및 1,5-디메틸테트라졸 0.02질량%로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 행하였다. 그 결과, 속도비(Y/X)는 5.0이었다.

(비교예 1)

에칭액이, 과산화수소 0.8질량%, 황산 4질량%, 5-아미노테트라졸 0.005질량%, 및 브롬이온 3질량ppm으로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 행하였다. 그 결과, 속도비(Y/X)는 2.8이었다.

(비교예 2)

에칭액이, 과산화수소 2질량%, 황산 10질량%, 및 1-(1',2'-디카르복시에틸)벤조트리아졸 0.05질량%로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 행하였다. 그 결과, 속도비(Y/X)는 7.3이었다.

(비교예 3)

에칭액이, 과산화수소 2질량%, 황산 9질량%, 벤조트리아졸 0.025질량%, 1H-1,2,3-트리아졸 0.1질량%, 및 페놀설폰산나트륨·1수화물 0.1질량%로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 행하였다. 그 결과, 속도비(Y/X)는 2.3이었다.

(비교예 4)

에칭액이, 과산화수소 2.5질량%, 황산 10질량%, 5-아미노테트라졸 0.05질량%, 및 페닐요소 0.05질량%로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 행하였다. 그 결과, 속도비(Y/X)는 2.0이었다.

(비교예 5)

에칭액이, 과산화수소 2질량%, 황산 9질량%, 5-아미노테트라졸 0.3질량%, 은이온 0.2질량ppm, 및 염화물이온 0.2질량ppm으로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 행하였다. 그 결과, 속도비(Y/X)는 2.2였다.

(비교예 6)

에칭액이, 과산화수소 1.5질량%, 황산 5질량%, 벤조트리아졸 0.3질량%, 및 염화물이온 5질량ppm으로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 행하였다. 그 결과, 속도비(Y/X)는 2.3이었다.

[표 1]

(실시예 4)

에폭시 수지 절연기재 상에 화학 구리도금 0.5μm를 형성한 기판(치수 15cm×15cm)에 드라이 필름을 라미네이트하여 노광, 현상하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 개구부에 두께 18μm의 전기 구리도금을 하고, 그 후 아민계 레지스트 박리액(Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.제 제품명: R-100S)으로 드라이 필름 레지스트를 박리하여, 테스트 기판을 제작하였다. 전기 구리도금으로 형성된 배선부의 폭을 레이저 현미경(Olympus Corporation제 OLS-1100)으로 5점 측정한 결과의 평균값은 9.8μm였다(도 1). 다음에, 과산화수소 1질량%, 황산 4질량%, 페닐요소 0.01질량%, 염화물이온 1질량ppm, 및 1-메틸테트라졸 0.01질량%로 조제된 에칭액(실시예 1 조성)으로 액체온도 30℃, 스프레이 압력 0.1MPa로 스프레이 처리하여 화학 구리도금층(두께 0.5μm)을 완전히 용해 제거하였다. 용해 제거에 소요한 시간은 50초였다. 화학 구리도금층의 용해 제거의 확인은, 금속현미경(Olympus Corporation제 MX61L)을 사용하였다. 전기 구리도금으로 형성된 배선부의 폭을 레이저 현미경(Olympus Corporation제 OLS-1100)으로 5점 측정한 결과의 평균값은 9.5μm로, 배선폭 감소량의 평균값은 0.3μm였다. 이온밀링 장치(Hitachi High-Tech Fielding Corporation제 ION MILLING SYSTEM E-3500)를 사용하여 배선을 절단하여 배선 단면을 주사형 전자현미경으로 관찰하여 언더컷을 측정한 결과, 언더컷의 발생은 없었다(도 2).

(실시예 5)

에칭액이, 과산화수소 1.5질량%, 황산 4.5질량%, 페닐요소 0.02질량%, 브롬이온 2질량ppm, 및 1-메틸-5-에틸테트라졸 0.01질량%로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 행하였다. 그 결과, 배선폭 감소량의 평균값은 0.4μm였고, 언더컷의 발생은 없었다.

(실시예 6)

에칭액이, 과산화수소 2질량%, 황산 5질량%, 페닐요소 0.005질량%, 염화물이온 0.5질량ppm, 및 1,5-디메틸테트라졸 0.02질량%로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 행하였다. 그 결과, 배선폭 감소량의 평균값은 0.4μm였고, 언더컷의 발생은 없었다.

(비교예 7)

에칭액이, 과산화수소 0.8질량%, 황산 4질량%, 5-아미노테트라졸 0.005질량%, 및 브롬이온 3질량ppm으로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 행하였다. 그 결과, 배선폭 감소량의 평균값은 1.4μm, 언더컷량은 1.2μm였다(도 3).

(비교예 8)

에칭액이, 과산화수소 2질량%, 황산 10질량%, 및 1-(1',2'-디카르복시에틸)벤조트리아졸 0.05질량%로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 행하였다. 그 결과, 배선폭 감소량의 평균값은 0.8μm, 언더컷량은 1μm였다.

(비교예 9)

에칭액이, 과산화수소 2질량%, 황산 9질량%, 벤조트리아졸 0.025질량%, 1H-1,2,3-트리아졸 0.1질량%, 및 페놀설폰산나트륨·1수화물 0.1질량%로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 행하였다. 그 결과, 배선폭 감소량의 평균값은 1.5μm, 언더컷량은 0.6μm였다.

(비교예 10)

에칭액이, 과산화수소 2.5질량%, 황산 10질량%, 5-아미노테트라졸 0.05질량%, 및 페닐요소 0.05질량%로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 행하였다. 그 결과, 배선폭 감소량의 평균값은 1.5μm, 언더컷량은 0.7μm였다.

(비교예 11)

에칭액이, 과산화수소 2질량%, 황산 9질량%, 5-아미노테트라졸 0.3질량%, 은이온 0.2질량ppm, 및 염화물이온 0.2질량ppm으로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 행하였다. 그 결과, 배선폭 감소량의 평균값은 1.3μm, 언더컷량은 0.8μm였다.

(비교예 12)

에칭액이, 과산화수소 1.5질량%, 황산 5질량%, 벤조트리아졸 0.3질량%, 및 염화물이온 5질량ppm으로 조제된 것을 제외하고는, 실시예 4와 동일하게 행하였다. 그 결과, 배선폭 감소량의 평균값은 1.0μm, 언더컷량은 0.6μm였다.

[표 2]

산업상 이용가능성

표 1 및 표 2의 결과로부터, 본 발명의 에칭액으로 처리하면, 화학 구리도금 용해속도(Y)와 전해구리도금 용해속도(X)의 속도비(Y/X)가 4~7인 점에서, 선택적으로 화학 구리도금을 용해할 수 있으므로, 배선폭 감소량이 억제되고, 또한 배선형상(언더컷 발생없음)이 양호한 것을 알 수 있다.

Claims

세미애디티브 공법에 의한 프린트 배선판 제조용 화학 구리도금의 에칭용 조성물에 있어서, 과산화수소 0.2~5질량%, 황산 0.5~10질량%, 페닐요소 0.001~0.3질량%, 할로겐이온 0.1~3질량ppm, 및 테트라졸류 0.003~0.3질량%를 함유하고, 또한, 액체온도 30℃에 있어서의 전기 구리도금의 용해속도(X)에 대한 화학 구리도금의 용해속도(Y)의 비(Y/X)가 4~7인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
제1항에 있어서,
상기 테트라졸류가, 1-메틸테트라졸, 1-메틸-5-에틸테트라졸, 1-에틸-5-메틸테트라졸, 1,5-디메틸테트라졸, 및 1,5-디에틸테트라졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 에칭용 조성물.
제1항 또는 제2항에 있어서,
과산화수소 0.4~2.5질량%, 황산 0.8~6.0질량%, 페닐요소 0.005~0.15질량%, 할로겐이온 0.3~2.5질량ppm, 및 테트라졸류 0.005~0.02질량%를 함유하는 에칭용 조성물.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
액체온도 30℃에 있어서의 전기 구리도금의 용해속도(X)가 0.1~0.8μm/분이고, 액체온도 30℃에 있어서의 화학 구리도금의 용해속도(Y)가 1.5~2.8μm/분인 에칭용 조성물.
과산화수소 0.2~5질량%, 황산 0.5~10질량%, 페닐요소 0.001~0.3질량%, 할로겐이온 0.1~3질량ppm, 및 테트라졸류 0.003~0.3질량%를 함유하고, 또한, 액체온도 30℃에 있어서의 전기 구리도금의 용해속도(X)에 대한 화학 구리도금의 용해속도(Y)의 비(Y/X)가 4~7인 에칭용 조성물을 이용하여, 화학 구리도금을 에칭 제거하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
제5항에 있어서,
상기 테트라졸류가, 1-메틸테트라졸, 1-메틸-5-에틸테트라졸, 1-에틸-5-메틸테트라졸, 1,5-디메틸테트라졸, 및 1,5-디에틸테트라졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 에칭용 조성물이, 과산화수소 0.4~2.5질량%, 황산 0.8~6.0질량%, 페닐요소 0.005~0.15질량%, 할로겐이온 0.3~2.5질량ppm, 및 테트라졸류 0.005~0.02질량%를 함유하는 프린트 배선판의 제조방법.
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
액체온도 30℃에 있어서의 전기 구리도금의 용해속도(X)가 0.1~0.8μm/분이고, 액체온도 30℃에 있어서의 화학 구리도금의 용해속도(Y)가 1.5~2.8μm/분인 프린트 배선판의 제조방법.