TWI575110B - The liquid composition for etching and the manufacturing method of the multilayer printed circuit board using the liquid composition - Google Patents

The liquid composition for etching and the manufacturing method of the multilayer printed circuit board using the liquid composition Download PDF

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TWI575110B
TWI575110B TW102120126A TW102120126A TWI575110B TW I575110 B TWI575110 B TW I575110B TW 102120126 A TW102120126 A TW 102120126A TW 102120126 A TW102120126 A TW 102120126A TW I575110 B TWI575110 B TW I575110B
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    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Description

蝕刻用液體組成物及利用此液體組成物之多層印刷電路板之製造方法 【相關專利申請】
本申請案係伴隨以日本專利申請案2012-147081為基礎之巴黎條約之優先權主張而提出的申請案。因此，本申請案係包含此日本專利申請案中所揭示之事項之全部。
本發明係關於蝕刻用液體組成物及利用此液體組成物之多層印刷電路板之製造方法，更詳細地說，係關於在製造用於電動、電子機器等的多層印刷電路板時所使用的蝕刻用液體組成物，及多層印刷電路板之製造方法，該方法包含對於施加在基板上的化學鍍銅層及電鍍鍍銅層進行蝕刻處理而形成銅配線之步驟。
伴隨近年電子機器的微型化、輕量化、高機能化，對於印刷電路板開始強烈地要求銅配線的微細化且多層化。
作為形成微細配線的製造方法之一，有半加成方法。此配線形成方法，係於絕緣材上形成稱為種層的金屬層(一般使用化學鍍銅層作為金屬層)，並於其表面形成阻鍍劑層，然後予以曝光、顯影而形成阻鍍劑圖案。之後，施加電鍍鍍銅層，剝離阻鍍劑，然後蝕刻去除種層而形成銅配線。
再者，為了多層化，將層間絕緣層材疊層於如上述記載的已形成的銅配線上，再與上述記載同樣方式地形成配線。以最外層配線的情況而言， 為保護外部連接端子以外的的銅配線，會於銅配線上塗布稱為抗焊劑或包覆層的樹脂。
為使銅配線與層間絕緣材或抗焊劑等樹脂間的密合性成為良好，一直係利用拋光研磨、擦刷研磨等機械處理或粗糙化劑等化學研磨處理來進行銅表面之粗糙化。
過去，係半加成方法中的種層的化學鍍銅層之蝕刻去除處理(一般稱為快速蝕刻處理)與為了多層化而進行的銅配線表面粗糙化處理係以各別的步驟(藥劑)來進行。
作為化學鍍銅層之蝕刻用液體組成物，已有人揭示：含有過氧化氫、硫酸、唑類、溴離子的蝕刻用液體組成物(日本特開2006-13340號公報：專利文獻1)；以含有硫酸、過氧化氫、苯并三唑衍生物為特徵之蝕刻劑(日本特開2009-149971號公報：專利文獻2)；含有過氧化氫、硫酸為主成分，含有唑類為添加劑而以此為特徵之蝕刻用液體組成物(日本特開2006-9122號公報：專利文獻3)等。以習知的化學鍍銅層之蝕刻用液體組成物而言，由於無法對配線表面進行粗糙化，因此與層間絕緣材等樹脂間的密合性不佳，故化學銅鍍層去除及配線粗糙化處理無法同時地進行。
又，作為銅配線表面粗糙化劑，已有人揭示：含有含氧酸、過氧化物、唑類、鹵化物50mg/L以下之蝕刻用液體組成物(日本特開2000-64067號公報：專利文獻4)；包含硫酸、過氧化氫、苯基四唑類及硝基苯并三唑類、氯化物離子之蝕刻用液體組成物(日本特開2009-191357號公報：專利文獻5)；含有硫酸、過氧化氫、苯基四唑類、氯離子源之微蝕刻劑(日本特開2002-47583號公報：專利文獻6)；含有硫酸、過氧化氫、5-胺基四唑、5-胺基四唑以外之四唑化合物、膦酸系螯合劑之表面粗糙化劑(日本特開2009-19270號公報：專利文獻7)、含有硫酸、過氧化物、四唑化合物、電位較銅為高之金屬離子的微蝕刻用液體組成物(日本特開2004-3020號公報：專利文獻8)；含有過氧化氫、硫酸、苯并三唑類、氯化物離子之表面粗糙化處理液(日本特開 2005-213526號公報：專利文獻9)；由含有由無機酸及銅之氧化劑構成之主劑與由唑類及蝕刻抑制劑構成之助劑的水溶液構成之微蝕刻劑(日本特開2000-282265號：公告專利文獻10)等。以習知液而言，由於化學鍍銅層之溶解速率不比電鍍鍍銅層之溶解速率大，因此利用半加成方法而形成微細配線變得困難。
以習知的表面粗糙化劑(蝕刻劑)而言，蝕刻銅表面數μm並將銅表面予以粗面化，而藉由物理的(投錨)效果來確保銅與層間絕緣層等樹脂間的密合。但，近年，銅配線線寬從過去的30~50μm持續地朝向15μm以下最小甚至到數μm微細化，以習知的表面粗糙化劑(蝕刻劑)而言，不免令人對銅配線線寬的微細度變大而造成配線消失、或由於銅配線的表面粗糙度為大(深度方向的凹凸為大)而導致斷線發生、傳送損失之問題感到疑慮。
本發明之目的在於提供一種蝕刻用液體組成物，並提供利用該液體組成物之印刷電路板之製造方法，其以良好效率去除在多層印刷電路板製造之半加成方法中作為種層的化學鍍銅層，並同時一併進行基於多層化之目的使配線與層間絕緣材等樹脂間的密合性成為優良的配線表面之緻密粗糙化處理。
本案發明人們發現了一種蝕刻用液體組成物及利用該液體組成物之印刷電路板之製造方法，終至完成本發明，其以良好效率去除在多層印刷電路板製造之半加成方法中作為種層的化學鍍銅層，並同時一併進行基於多層化之目的使配線與層間絕緣材等樹脂間的密合性成為優良的配線表面之緻密粗糙化處理。
即，本發明係如以下。
1.一種蝕刻用液體組成物，係用於多層印刷電路板之製造，包含以下成分而成： 0.2~5質量%之過氧化氫、0.5~8質量%之硫酸、0.3~3ppm之鹵素離子、及0.003~0.3質量%之四唑類。
2.如1.之蝕刻用液體組成物，其中，該四唑類係選自於由1H-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑、及1,5-二乙基四唑構成之群組中之1種以上。
3.如1.或2.之蝕刻用液體組成物，其中，該鹵素離子係選自於由氟離子、氯化物離子、溴離子、及碘離子構成之群組中之1種以上。
4.一種多層印刷電路板之製造方法，其係包含對於施加在基板上的化學鍍銅層及電鍍鍍銅層進行蝕刻處理而形成銅配線之步驟； 係使用包含0.2~5質量%之過氧化氫、0.5~8質量%之硫酸、0.3~3ppm之鹵素離子、與0.003~0.3質量%之四唑類而成的蝕刻用液體組成物進行蝕刻處理。
5.如4.之多層印刷電路板之製造方法，其係於半加成方法中去除該化學鍍銅層並同時將該電鍍鍍銅層予以粗糙化而形成該銅配線。
6.如5.之多層印刷電路板之製造方法，其中，係以該化學鍍銅層之溶解速度與該電鍍鍍銅層之溶解速度之比為3以上的方式進行蝕刻處理。
7.如4.至6.中任一項之多層印刷電路板之製造方法，其中，係進行蝕刻處理而使該銅配線之比表面積成為1.2~2 (惟銅配線之比表面積係銅配線之每縱1μm×橫1μm的單位區域的表面積，且銅配線之比表面積係以掃描穿隧型顯微鏡觀測該銅配線之表面時獲得之值)。
8.如4.至7.中任一項之多層印刷電路板之製造方法，其中，該四唑類係選自於由1H-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑、及1,5-二乙基四唑構成之群組中之1種以上。
9.如4.至8.中任一項之多層印刷電路板之製造方法，其中，該鹵素離子係選自於由氟離子、氯化物離子、溴離子、及碘離子構成之群組中之1種以上。
藉由本發明之印刷電路板製造方法，由於能夠達成過去係困難的在利用半加成方法的印刷電路板製造中以良好效率去除係種層的化學鍍銅層並同時一併進行(在同一個步驟中進行)基於多層化之目的使配線與層間絕緣材等樹脂間的密合性成為優良的配線表面之緻密粗糙化處理，故產業上之利用價值極高。如此般地，藉由選擇性地去除係種層的化學鍍銅層，可以抑制配線線寬的減少量，而防止斷線或缺線。
圖1係實施例4之銅表面的立體影像(×30000)。
圖2係比較例8之銅表面的立體影像(×30000)。
圖3係實施例6之配線截面的電子顯微鏡照片(×3000)
圖4係比較例11之配線截面的電子顯微鏡照片(×3000)
本發明之蝕刻用液體組成物係包含過氧化氫、硫酸、鹵素離子與四唑類者，以更包含水為宜。過氧化氫之濃度係0.2~5.0質量%，較佳係0.3~3.0質量%，更佳係0.4~2.5質量%，特佳係0.5~2.0質量%。當過氧化氫之濃度係0.2~5.0質量%時，可獲得良好的銅溶解速率，於經濟上而言也優異。
硫酸之濃度係0.5~8.0質量%，較佳係0.6~7.0質量%，更佳係0.8~6.0質量%，特佳係1.0~5.0質量%。當硫酸之濃度係0.5~8.0質量%時，可獲得良好的銅溶解速率，於經濟上而言也優異。
鹵素離子有使銅或銅合金表面粗糙化之效果，銅或銅合金與樹脂間的密合性成為良好。鹵素離子可舉例氟離子、氯化物離子、溴離子、及碘離子，此等中較佳者係氯化物離子、溴離子，特佳係氯化物離子。鹵素離子之濃度係0.3~3ppm，較佳係0.5~3ppm，特佳係0.5~2ppm。
四唑類，藉由與鹵素離子併用，有使銅或銅合金表面微細而緻密地粗糙化之效果，而提升銅或銅合金與層間絕緣材等樹脂間的密合性。四唑類中，又以1H-四唑、1-甲基四唑、1-乙基四唑、5-甲基四唑、5-乙基四唑、5-正丙基四唑、5-巰基四唑、5-巰基-1-甲基四唑、1,5-二甲基四唑、1,5-二乙基四唑、1-甲基-5-乙基四唑、1-乙基-5-甲基四唑、1-異丙基-5-甲基四唑、1-環己基-5-甲基四唑中之至少一種較佳。更佳係1H-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、5-乙基四唑、5-巰基-1-甲基四唑、1,5-二甲基四唑、1,5-二乙基四唑、1-乙基-5-甲基四唑，特佳係1H-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑、1,5-二乙基四唑。四唑類之濃度係0.003~0.3質量%，較佳係0.005~0.25質量%，特佳係0.01~0.2質量%。
銅配線之表面粗糙度(Ra值)，由傳送損失之觀點來看較佳係0.5μm以下，更佳係0.4μm以下，特佳係0.3μm以下。當超過0.5μm時，於傳送損失上出現問題之可能性為高。
化學鍍銅層之溶解速率，於各種條件下而有變化，例如於30℃之處理條件下，較佳係0.4~2μm/分鐘，更佳係0.6~2μm/分鐘，特佳係0.8~1.5μm/分鐘。
電鍍鍍銅層之溶解速率，於各種條件下而有變化，例如於30℃之處理條件下，較佳係0.1~0.5μm/分鐘，更佳係0.15~0.4μm/分鐘，特佳係0.2~0.35μm/分鐘。
化學鍍銅層之溶解速率與電鍍鍍銅層之溶解速率之比值(化學鍍銅層之溶解速率/電鍍鍍銅層之溶解速率)較佳係3以上，更佳係3.5以上8以下，特佳係4以上7.5以下。若化學鍍銅層之溶解速率與電鍍鍍銅層之溶解速率之比值係在上述範圍內，則可效率良好地去除化學鍍銅層，並同時將電鍍鍍銅層之表面予以粗糙化。
銅箔之剝離強度(層剝強度)也因成為對象之層間絕緣材等樹脂材料之 不同而有差異，較佳係0.6kgf/cm以上，更佳係0.8kgf/cm以上，進一步更佳係0.9kgf/cm以上，特佳係1.0kgf/cm以上。
關於本發明之蝕刻用液體組成物之使用溫度未有特別的限制，較佳係20~50℃，更佳係25~40℃，進一步更佳係25~35℃。只要使用溫度為20℃以上則可以提高銅的溶解速率，而使用溫度為50℃以下的話則可抑制過氧化氫之分解。
關於本發明之蝕刻用液體組成物之處理時間未有特別的限制，較佳係1~600秒，更佳係5~300秒，進一步更佳係10~180秒，特佳係15~120秒，而依據金屬表面的狀態、蝕刻用液體組成物之濃度、溫度、處理方法等種種條件可適宜地作選擇。
關於利用本發明之蝕刻用液體組成物之處理方法未有特別的限制，可利用浸漬、噴霧等方法。又，關於處理時間則依被溶解的銅或銅合金的厚度可適宜地作選擇。
可藉由以掃描穿隧型顯微鏡觀測銅表面的方式計算銅之表面積[μm2]。即，以掃描穿隧型顯微鏡觀測銅表面並取得立體形狀數據後，根據此立體形狀數據可計算出銅之表面積[μm2]。
以掃描穿隧型顯微鏡觀測銅表面時的觀察倍率，例如係30000倍。
銅之比表面積，等於將考慮了銅表面之指定區域內的凹凸時而得到的表面積，以假設該領域係平坦時的表面積除之而得的值。例如，係等於將考慮了銅表面之縱5μm×橫5μm之區域內之凹凸時而得到的表面積，以假設該領域係平坦時的表面積(也就是，5μm×5μm=25μm2)除之而得的值。
銅之比表面積係考慮了銅之表面凹凸而得的值。因此，銅的表面越是緻密，則銅的比表面積有變得越大之傾向。在此所謂的「緻密」是說銅表 面的一個個的凸部係微小，且呈現凸部密集的狀態。
掃描穿隧型顯微鏡係一種會檢測出於金屬探針與試樣間流通的穿隧電流之型式的顯微鏡。將前端為尖的鉑或鎢等金屬探針接近試樣後，一旦於其間施加微小的偏電壓時，因穿隧效果而有穿隧電流流通。藉由以保持此穿隧電流為固定的方式移動探針進行掃描，可以以原子層級觀測試樣之表面形狀。
【實施例】
以下藉由實施例及比較例，具體地說明本發明，但本發明不受此等實施例限定。
．表面積測定
掃描穿隧型顯微鏡：SII．Nanotechnology(股)公司製使用L-trace II/NanoNaviII Station，以3萬倍進行觀測。
．銅溶解量測定法；利用以下算式以質量法計算。
溶解量=(處理前質量-處理後質量)/(處理面積×銅的密度)
(式中，銅的密度為8.96g/cm3。)
．配線線寬測定
金屬顯微鏡Olympus(股)公司製使用MX61L。
．銅箔之剝離強度(層剝強度)測定
剝離強度係依據JIS C 6481規定之方法進行測定。
實施例1
以含有過氧化氫1質量%、硫酸3質量%、5-甲基四唑0.1質量%、氯化物離子1ppm的蝕刻用液體組成物並於液溫30℃、噴霧壓力0.1MPa，對化學鍍銅層基板(尺寸15cm×15cm，鍍層厚1μm)、電鍍鍍銅層基板(尺寸15cm×15cm，鍍層厚10μm)進行噴霧處理。由處理前後基板的質量差計算銅溶解量，並計算每單位時間之銅溶解速率。再者，計算化學鍍銅層溶解速率與電鍍鍍銅層溶解速率之比值。
實施例2
除使用包含過氧化氫0.5質量%、硫酸2.5質量%、5-甲基四唑0.01質量%、1,5-二甲基四唑0.01質量%、氯化物離子1ppm的蝕刻用液體組成物以外，與實施例1同樣方式地進行。
實施例3
除使用包含過氧化氫1.5質量%、硫酸4.5質量%、1-甲基四唑0.02質量%、1,5-二甲基四唑0.02質量%、溴離子3ppm的蝕刻用液體組成物以外則與實施例1同樣方式地進行。
比較例1
除使用包含過氧化氫4質量%、硫酸9質量%、5-胺基四唑0.3質量%、氯化物離子10ppm的蝕刻用液體組成物(與專利文獻4之實施例7同樣之組成)以外則與實施例1同樣方式地進行。
比較例2
除使用包含過氧化氫2.5質量%、硫酸13.7質量%、5-苯基四唑0.03質量%、4-硝基苯并三唑0.07質量%、氯化物離子8ppm的蝕刻用液體組成物(與專利文獻5之實施例1同樣之組成)以外則與實施例1同樣方式地進行。
比較例3
除使用包含過氧化氫3質量%、硫酸10質量%、5-苯基四唑0.02質量%、甲苯磺酸0.2質量%、氯化物離子3ppm的蝕刻用液體組成物(與專利文獻6之實施例1同樣之組成)以外則與實施例1同樣方式地進行。
比較例4
除使用包含過氧化氫5.25質量%、硫酸12.5質量%、5-胺基四唑0.06質量%、5-甲基四唑0.02質量%、1-羥基乙烷-1,1-二膦酸0.4質量%的蝕刻用液體組成物(與專利文獻7之實施例1同樣之組成)以外則與實施例1同樣方式地進行。
比較例5
除使用包含過氧化氫1.5質量%、硫酸9質量%、5-甲基四唑0.1質量%、四唑0.05質量%、鈀1ppm的蝕刻用液體組成物(與專利文獻8之實施例8同樣之組成)以外則與實施例1同樣方式地進行。
比較例6
除使用包含過氧化氫1.5質量%、硫酸5質量%、苯并三唑0.3質量%、氯化物離子5ppm的蝕刻用液體組成物(與專利文獻9之實施例1同樣之組成)以外則與實施例1同樣方式地進行。
比較例7
除使用包含過氧化氫10質量%、硫酸16質量%、甲基苯并三唑0.2質量%、亞磷酸1質量%的蝕刻用液體組成物(與專利文獻10之實施例1同樣之組成)以外則與實施例1同樣方式地進行。
表1
實施例4
以包含過氧化氫1質量%、硫酸3質量%、5-甲基四唑0.2質量%、氯化物離子1ppm的蝕刻用液體組成物並於液溫30℃、噴霧壓力0.1MPa，對厚35μm電鍍銅箔(尺寸150mm×150mm)之光亮面進行噴霧處理1分鐘。由處理前後銅箔之質量差計算銅溶解量的結果，為0.3μm。接著，利用掃描穿隧型顯微鏡以30000倍之倍率觀測蝕刻後的銅箔表面。圖1為此時觀測到的銅箔表面之立體影像。
使用掃描穿隧型顯微鏡，測定蝕刻後銅箔表面之縱5μm×橫5μm之區域 內之表面積。其結果，銅箔表面積為42.5[μm2]。比表面積為42.5[μm2]/25[μm2]=1.7。
利用真空熱壓將蝕刻後之銅箔疊層於層間絕緣樹脂上(三菱瓦斯化學(股)公司製，商品名：HL832NS)，而製作銅箔積層板。於此銅箔積層板中，銅箔蝕刻側的表面緊密接著於層間絕緣樹脂。使用以此方法而得之銅箔積層板，而測定銅箔之剝離強度(層剝強度)。其結果，銅箔之剝離強度為1.00kgf/cm。
實施例5
除使用包含過氧化氫0.5質量%、硫酸2.5質量%、5-甲基四唑0.01質量%、1,5-二甲基四唑0.01質量%、氯化物離子1ppm的蝕刻用液體組成物以外則與實施例4同樣方式地進行。
比較例8
除使用包含過氧化氫2質量%、硫酸10質量%、1-(1,2-二羧基乙基)苯并三唑0.05質量%的蝕刻用液體組成物(與專利文獻2之實施例4同樣之組成)以外則與實施例4同樣方式地進行。
比較例9
除使用包含過氧化氫0.8質量%、硫酸4質量%、溴離子3ppm的蝕刻用液體組成物(與專利文獻1之實施例1同樣之組成)以外則與實施例4同樣方式地進行。
比較例10
除使用包含過氧化氫2質量%、硫酸9質量%、苯并三唑0.025質量%、1,2,3-三唑0.1質量%、苯酚磺酸鈉一水合物0.1質量%的蝕刻用液體組成物(與專利文獻3之實施例1同樣之組成)以外則與實施例4同樣方式地進行。
表2
實施例6
將乾膜阻鍍劑用於已在樹脂上形成化學鍍銅層0.7μm的基板(尺寸510mm×340mm)並對於導體部施加厚度18μm之電鍍鍍銅層。接著，以胺系阻鍍劑剝離液(三菱瓦斯化學(股)公司製，產品名：R-100S)將阻鍍劑剝離。利用金屬顯微鏡(Olympus(股)公司製MX61L)測定導體部之配線線寬之結果，配線線寬為10μm。接著，以含有過氧化氫1質量%、硫酸3質量%、5- 甲基四唑0.2質量%、氯化物離子1ppm的蝕刻用液體組成物(與實施例4同樣之組成)並於液溫30℃、噴霧壓力0.1MPa，對係種層之化學鍍銅層(厚0.7μm)進行噴霧處理1分鐘而完全地去除化學鍍銅層。使用金屬顯微鏡(Olympus(股)公司製，MX61L)測定去除種層(化學鍍銅層)後之配線線寬的減少量，結果如圖3中所見，線寬減少量為0.5μm係良好。
比較例11
除使用包含過氧化氫4質量%、硫酸9質量%、5-胺基四唑0.3質量%、氯化物離子10ppm的蝕刻用液體組成物(與比較例1同樣之組成)以外則與實施例6同樣方式地進行。使用金屬顯微鏡(Olympus(股)公司製，MX61L)測定去除種層(化學鍍銅層)後之配線線寬的減少量，結果如圖4中所見，線寬減少嚴重，而無法使用。
由表1、表2之結果可知：當使用本發明之蝕刻用液體組成物進行處理時，由於化學鍍銅層之溶解速率與電鍍鍍銅層之溶解速率之比值為3以上，因此可選擇性地溶解化學鍍銅層的同時，又可將電鍍銅表面予以緻密地粗糙化，故與層間絕緣樹脂間的剝離強度(層剝強度)為強。

Claims (6)

  1. 一種蝕刻用液體組成物，係用於多層印刷電路板之製造，包含以下成分而成：0.2~5質量%之過氧化氫、0.5~8質量%之硫酸、0.3~3ppm之氯化物離子、及0.003~0.3質量%之四唑類；其能以化學鍍銅層之溶解速度與電鍍鍍銅層之溶解速度之比為3以上進行蝕刻處理。
  2. 如申請專利範圍第1項之蝕刻用液體組成物，其中，該四唑類係選自於由1H-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑、及1,5-二乙基四唑構成之群組中之1種以上。
  3. 一種多層印刷電路板之製造方法，其係包含對於施加在基板上的化學鍍銅層及電鍍鍍銅層進行蝕刻處理而形成銅配線之步驟；係使用包含0.2~5質量%之過氧化氫、0.5~8質量%之硫酸、0.3~3ppm之氯化物離子、與0.003~0.3質量%之四唑類而成的蝕刻用液體組成物，並以該化學鍍銅層之溶解速度與該電鍍鍍銅層之溶解速度之比為3以上進行蝕刻處理。
  4. 如申請專利範圍第3項之多層印刷電路板之製造方法，其係於半加成方法中去除該化學鍍銅層並同時將該電鍍鍍銅層予以粗糙化而形成該銅配線。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之多層印刷電路板之製造方法，其中，係進行蝕刻處理而使該銅配線之比表面積成為1.2~2(惟銅配線之比表面積係銅配線之每縱1μm×橫1μm的單位區域的表面積，且銅配線之比表面積係以掃描穿隧型顯微鏡觀測該銅配線之表面時獲得之值)。
  6. 如申請專利範圍第3或4項之多層印刷電路板之製造方法，其中，該四唑類係選自於由1H-四唑、1-甲基四唑、5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑、及1,5-二乙基四唑構成之群組中之1種以上。
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