CN1547680A - 用于线路的蚀刻液、制造线路的方法和包括此方法的制造薄膜晶体管阵列板的方法 - Google Patents
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Abstract
在制造TFT阵列基板的方法中，在绝缘基板上形成栅线路。栅线路含有栅线、栅电极和与栅线相连的栅垫。依次形成栅绝缘层和半导体层。形成包括多个与栅线交叉的数据线、多个与数据线相连并位于栅电极附近的源电极、多个依照栅电极与源电极正对的漏电极以及与数据线相连的数据垫的数据线路。沉积形成保护层，在保护层上形成图案以形成至少使漏电极暴露的接触孔。在保护层上沉积银或银合金导电层。用包括磷酸、硝酸、醋酸、过氧一硫酸钾和超纯水的蚀刻液或包括硝酸、醋酸、乙二醇和超纯水的蚀刻液在保护层上形成图案，因此形成反射层。反射层是通过接触孔与漏电极连接的。
Description
发明背景
发明领域
本发明涉及用于信号线路(signal wire)的蚀刻液以及用此蚀刻液制造TFT阵列板(array panel)的方法。
现有技术
半导体设备或显示设备的信号线路通常用作信号传输的媒介。因此这要求防止信号线路在信号传输中出现任何延迟。
为此目的，信号线路可由低电阻导电材料形成，如具有最低电阻的银(Ag)形成。然而，当使用银或银合金时，很难用基于掩膜的光刻法(photolithography)在目标层上形成图案。
同时，液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器之一，其有两个带电极的板，并且液晶层插入两个板之间。将电压施加到电极上以使液晶层中的液晶分子再定向，因此控制光透射。
最普遍的LCD之一是两个板分别含有电极和用于转换施加到电极上的电压的薄膜晶体管(TFT)的LCD。向两个板中的一个板上提供TFT，即形成“TFT阵列板”。
LCD可分类成透射型和反射型；其中透射型LCD通过例如由基于透明导体材料的象素电极制成的透射层，透射来自例如背后照明的具体光源的光显示图像；反射型LCD通过用例如基于反射性导体材料的象素电极的反射层反射例如自然光的环境的光显示图像。
由于反射型LCD并不使用单独的光源，所以其功耗低，但是图像质量较差，因为其只使用由反射层反射的光来显示图像。为提高较差的图像质量，反射层优选地由高反射率的材料形成，例如银、银合金、铝和铝合金。
尽管银或银合金比铝或铝合金的反射率高约15％，能提高可见度(visibility)，然而，很难通过常用的光刻法在此层上形成图案。因此，基于银的层不可以反射层。
发明概述
本发明的目标是提供一种适合于精细地在信号线路上形成图案的蚀刻液以及用此蚀刻液形成信号线路的方法。
本发明的另一目标是提供一种用易于形成图案的(well-patterned)反射层制造用于反射型LCD的TFT阵列板的方法。
在制造信号线路和含有本发明信号线路的TFT阵列板的过程中，用含有磷酸、硝酸、醋酸和过氧一硫酸钾(oxone)的蚀刻液或含有磷酸、硝酸和乙二醇的蚀刻液在银或银合金导电层上形成图案。
蚀刻液优选包括40-60％磷酸、1-10％硝酸、5-15％醋酸和1-5％过氧一硫酸钾或包括10-30％磷酸、5-15％硝酸、10-30％醋酸和1-10％乙二醇。银合金包括作为基本材料的银和0.01-20％(原子百分比)合金组成(alloycontent)，例如钯(Pd)，铜(Cu)，镁(Mg)，铝(Al)，锂(Li)，钚(Pu)，镎(Np)，铈(Ce)，铕(Eu)，镨(Pr)，钙(Ca)，镧(La)，铌(Nb)，钕(Nd)和钐(Sm)。银合金可包括两种或三种元素，具有一种或两种合金组成。
此蚀刻液以及用此蚀刻液的制造方法适合于制造TFT阵列板的方法。
在本发明制造TFT阵列板的方法中，栅线路(gate wire)形成在绝缘基板上。栅线路含有多个栅线(gate line)以及多个与栅线连接的栅电极(gateelectrode)。依次沉积栅绝缘层和半导体层就可以形成数据线路(data wire)。数据线路含有多个与栅线交叉的数据线(data line)，多个与数据线连接并靠近栅电极设置的源电极(source electrode)以及多个位于栅电极附近且与源电极正对的漏电极(drain electrode)。沉积并图案化的保护层形成多个使漏电极暴露的第一接触孔。将银或银合金导电层沉积在保护层上。用含有磷酸、硝酸、醋酸、过氧一硫酸钾和超纯水的蚀刻液或硝酸、醋酸、磷酸、乙二醇或超纯水的蚀刻液在保护层上形成图案以形成反射层。反射层通过第一接触孔与漏电极相连。
导电层的厚度优选为1000-3000之间或300-600之间。保护层优选地由有机感光材料(photosensitive organic material)形成。
栅线路还可包括多个用于接受来自外部的扫描信号并传输这些扫描信号至栅线的栅垫(gate pad)。数据线路还可包括多个用于从外部接收图像信号并传输这些图像信号至数据线的数据垫(data pad)。保护层可含有多个分别使数据垫和栅垫暴露于栅绝缘层的第二和第三接触孔。还可形成多个由与反射层相同的层制成的辅助栅垫和数据垫，辅助栅垫和数据垫分别通过第二和第三接触孔电连接到栅垫和数据垫上。
附图说明
通过下述的详细描述可以更好地理解本发明及其附带优点；当结合附图，对本发明及其许多附带优点作出全面理解是显而易见的。附图中，相似的符号指的是相同的或类似的组成。其中：
图1是根据本发明的实施方案阐述一种形成信号线路方法的截面图；
图2是根据本发明的实施方案阐述在形成信号线路的方法中，银合金信号线路蚀刻率以蚀刻液组成为函数的表；
图3是根据本发明的实施方案阐述在形成信号线路的方法中，银合金信号线路锥形角(tape angle)以蚀刻液组分为函数的表；
图4是根据本发明的实施方案阐述在形成信号线路的方法中，银合金信号线路临界尺寸以蚀刻液组分为函数的表；
图5是根据本发明的实施方案阐述在形成信号线路的方法中，银合金信号线路临界尺寸均匀性以蚀刻液组分为函数的表；
图6是根据本发明的实施方案阐述在形成信号线路的方法中，测量银合金信号线路的临界尺寸的位置：
图7是根据本发明的实施方案在制造TFT阵列板的方法中，用于反射型LCD的TFT阵列板的布局图；
图8是图7中沿VIII-VIII′线的TFT阵列板的截面图；
图9A，10A，11A和12A是根据本发明的实施方案在制造TFT阵列板的方法的中间步骤中用于透反射型(transflective)LCD的TFT阵列板的布局图；
图9B是图9A中沿IXB-IXB′线的TFT阵列板的截面图；
图10B是图10A中沿XB-XB′线的TFT阵列板的截面图；
图11B是图11A中沿XIB-XIB′线的TFT阵列板的截面图；
图12B是图12A中沿XIIB-XIIB′线的TFT阵列板的截面图；
图13和14是根据本发明的实施方案，在制造TFT阵列板的方法中，用于测量临界尺寸所使用的薄膜的平面图；
图15是阐述根据本发明的实施方案，在制造TFT阵列板的方法中，临界尺寸的测量结果的表；
图16～18是阐述根据本发明的实施方案，在制造TFT阵列板方法中，磷酸、硝酸和醋酸含量的变化以时间为函数的曲线图；
图19是阐述银-钕，银，银-铜-金和银-钯-铜的反射率(reflectance)以波长为函数的曲线图；
图20是阐述电阻率以银-钯-铜的溅镀压力(sputtering pressure)为函数的曲线图。
具体实施方式
根据本发明优选实施方案所示的附图，下文将更充分地描述本发明。然而本发明也可以以许多不同的形式实施，而并不限制于本文所阐述的实施方案。
为清楚地显示，对附图中层和区域的厚度进行了放大。全文中，相似的数字指的是相似的组成。应当理解当一种组成，例如层，区域或基板被称为在另一种组成之上，该组成可直接在其它组成上或也可能介入到组成之间。反之，当一个组成被称为直接在其它组成之上，就不会介入到组成之间。
将依照附图，对依据本发明的实施方案，对制造信号线路和TFT阵列板的方法作详细描述。
图1是阐述根据本发明的实施方案的一种形成信号线路方法的截面图。
如图1所示，通过在基板100上沉积含有低电阻导电材料，例如银和银合金的薄膜，并且用光致抗蚀剂图案500为蚀刻掩膜在薄膜上形成图案，就可形成半导体设备或显示设备的信号线路800。
以合适的方法优选地建立用于形成基于银或银合金的信号线路800图案的条件，使得其蚀刻率为约50/秒或更小，锥形角(tapering angle)为90°或更小，信号线路800和光致抗蚀剂图案500之间的宽度差异的临界尺寸2×d为1.0微米或更小，临界尺寸的均匀性为5％或更小，且没有残余物。
为此目的，通过湿蚀刻法，使用包括10-30％磷酸、5-15％硝酸、10-30％醋酸和1-10％乙二醇和15-75％超纯水的蚀刻液或包括40-60％磷酸、1-10％硝酸、5-15％醋酸和1-5％过氧一硫酸钾和余量为超纯水的蚀刻液在信号线路800上形成图案。当形成银合金的信号线路800时，目标中包括作为基本材料的银和0.01-20％(原子百分比)合金组成(alloy content)，例如钯(Pd)，铜(Cu)，镁(Mg)，铝(Al)，锂(Li)，钚(Pu)，镎(Np)，铈(Ce)，铕(Eu)，镨(Pr)，钙(Ca)，镧(La)，铌(Nb)，钕(Nd)和钐(Sm)。银合金可包括两种或三种元素，具有一种或两种合金组成。
在一个实验中，沉积形成厚度为2000纯银薄膜，并用包括约50％磷酸、约5％硝酸、约10％醋酸和约1-3％的过氧一硫酸钾的蚀刻液将薄膜形成图案。测得该层的蚀刻率约为40/秒，锥形角θ约为70-80°，临界尺寸约为1.2-1.4微米，临界尺寸的均匀性约为3-4％，无残余物。
另一个实验中，沉积形成厚度为1500的银-钯-铜(Ag-Pd-Cu)的银合金薄膜，并用包括磷酸、硝酸、醋酸和乙二醇的蚀刻液对薄膜形成图案。测得该层的蚀刻率约为15-20/秒，锥形角θ约为30-80°，临界尺寸约为0.1-1.0微米，临界尺寸的均匀性约为1-4％，无残余物。将依照图对此作详细地解释。
图2是阐述根据本发明的实施方案，在形成信号线路的方法中银合金信号线路蚀刻率以蚀刻液组分为函数的表，图3是阐述根据本发明的实施方案，在形成信号线路的方法中银合金信号线路锥形角以蚀刻液组分为函数的表，图4是阐述根据本发明的实施方案，在形成信号线路的方法中银合金信号线路临界尺寸以蚀刻液组分为函数的表。图5是阐述根据本发明的实施方案，在形成信号线路的方法中银合金信号线路临界尺寸均匀性以蚀刻液组分为函数的表，图6是阐述根据本发明的实施方案，在形成信号线路的方法中测量银合金信号线路的临界尺寸的位置。
最初，使用包括约10％磷酸、约11％硝酸、约30％醋酸和约3％乙二醇的蚀刻液，测量银合金的蚀刻率、锥形角和临界尺寸10次。然后，分别在3-60％范围内改变磷酸的含量、在1-20％范围内改变硝酸的含量、在3-60％范围内改变醋酸的含量、在0.1-20％范围内改变乙二醇的含量进行测量。在图2-4的表中，X分别表示磷酸、硝酸、醋酸和乙二醇为变量。
同时，将银-钯-铜合金的薄膜沉积在大小约为300mm×400mm的基板上，并使用包含约10％磷酸、约11％硝酸、约30％醋酸和约3％乙二醇的蚀刻液在薄膜上形成图案，因此形成约2.04″的反射层。在如图6中所示的9个位置测量目标层的临界尺寸4次。
如图2中的粗线所示，当使用包含约10％磷酸，约11％硝酸，约30％醋酸和约3％乙二醇的蚀刻液时，测得蚀刻率在有利的范围约17.6-18.4/秒之间。而且当在10-30％范围内改变磷酸的含量、在5-15％范围内改变硝酸的含量、在10-30％范围内改变醋酸的含量、在1-10％范围内改变乙二醇的含量时，测得蚀刻率在有利的范围约14.9-20.3/秒之间。
如图3中的粗线所示，当使用包含约10％磷酸、约11％硝酸、约30％醋酸和约3％乙二醇的蚀刻液时，测得锥形角在有利的范围约45-79°之间。而且当在10-30％范围内改变磷酸的含量、在5-15％范围内改变硝酸的含量、在10-30％范围内改变醋酸的含量、在1-10％范围内改变乙二醇的含量时，测得锥形角在有利的范围约31-63°之间。
如图4中的粗线所示，当使用包含约10％磷酸、约11％硝酸、约30％醋酸和约3％乙二醇的蚀刻液时，测得临界尺寸在有利的范围约0.9-1.0微米之间。而且当在10-30％范围内改变磷酸的含量、在5-15％范围内改变硝酸的含量、在10-30％范围内改变醋酸的含量、在1-10％范围内改变乙二醇的含量时，测得临界尺寸在有利的范围约0.3-1.0微米之间。
而且，如图5和6所示，当在9个位置测量临界尺寸时，临界尺寸的均匀性在有利的范围约1.65-2.15％之间。
同时，当使用只包括磷酸、硝酸和醋酸的铝蚀刻剂在银合金薄膜上形成图案时，测得蚀刻率为500/秒，这一蚀刻率太高而无法控制形成图案的程度。而且，蚀刻形成了部分不均匀性。因此，使用铝蚀刻剂不能很好地在银合金薄膜形成图案。
上述形成信号线路的方法适合于制造用于LCD的TFT阵列板。
图7是用于反射型LCD的TFT阵列板的布局图，图8是图7中沿VIII-VIII′线的TFT阵列板的截面图。
在绝缘基板10上形成含有低电阻材料如银、银合金、铝和铝合金的栅线路。栅线路可以是单层结构或多层结构。栅线路包括多个水平方向延伸的栅线22，多个与栅线22末端连接以从外部接收栅信号并将这些信号传输到栅线22的栅垫24，多个与栅线22连接的TFT的栅电极26。栅线路还包括储存电极(storage electrode)，该电极接受从外部施加到另一板的公共电极(common electrode)的公共电极电压。储存电极与以下将描述的反射层82重叠，因此形成用于提高象素电荷储存容量的储存电容。
覆盖栅线路22、24和26的栅绝缘层30形成在基板10上，栅绝缘层30的由氮化硅(SiNx)制成。
由无定形硅优选形成的半导体层40形成在与栅电极24正对的栅绝缘层30上。由硅化物或高度掺有n型杂质的n+氢化无定形硅优选形成的电阻接触层(ohmic contact layer)55和56形成在半导体层40上。
优选由低电阻导电材料如铝或银形成的数据线路形成在电阻接触层55和56和栅绝缘层30上。数据线路包括多个与栅线22交叉以确定象素区域的数据线62、多个与数据线62相连并延伸电阻接触层一部分55的源电极65、多个与数据线62一端相连以从外部接受图像信号的数据垫68、多个与源电极65分开的并位于电阻接触层的另一部分56的相对于栅电极26与源电极65正对的漏电极66。
由表现出优异的平整特征的感光有机材料优选形成的保护层70形成在数据线路62，65，66和68以及不被数据线路覆盖的半导体层40的一部分上。为最大化将要形成的反射层82的反射效率，保护层70具有不均匀的图案。保护层70还包括由氮化硅形成的绝缘层。
保护层70含有多个分别使漏电极66和数据垫68暴露的接触孔76和78，多个使栅垫24以及栅绝缘层30暴露的接触孔74。
多个由银或银合金优选形成的反射层82形成在保护层70上。各反射层82位于一个象素区域并通过接触孔76导电连接到相应的漏电极66。对于银合金反射层82，包括银作为基本材料和0.01-20％(原子)或更少的合金组成(alloy content)，例如钯(Pd)，铜(Cu)，镁(Mg)，铝(Al)，锂(Li)，钚(Pu)，镎(Np)，铈(Ce)，铕(Eu)，镨(Pr)，钙(Ca)，镧(La)，铌(Nb)，钕(Nd)和钐(Sm)。银合金可包括两种或三种元素，具有一种或两种合金组成。多个辅助栅垫84和多个辅助数据垫88形成在保护层70上。辅助栅垫84和数据垫88通过接触孔74和78分别连接到栅垫24和数据垫68上。引入辅助栅垫84和数据垫88以保护栅垫24和数据垫68，但可省略。
下文中将依照图9A～12B以及图7和8，详述本发明的实施方案制造TFT阵列板的方法。
首先，如图9A和9B所示，将基于低电阻导电材料的层沉积在玻璃基板10上，并用基于掩膜的光刻法在其上形成图案，因此形成基本上水平延伸的栅线路。栅线路包括多个栅线22、多个栅电极26和多个栅垫24。
然后，如图10A和10B所示，氮化硅绝缘层30，由无定形硅形成的半导体层40以及掺杂的无定形硅层50依次沉积在基板10上，然后在半导体层40和掺杂的无定形硅层50上形成图案，因此在正对于栅电极24的栅绝缘层30上形成半导体层40和电阻接触层50。
如图11A和11B所示，沉积用于数据线路的导电层，并用基于掩膜的光刻法在其上形成图案，因此形成了数据线路。数据线路包括多个与栅线22交叉的数据线62，多个与数据线62相连并遍布栅电极26的源电极65，多个与数据线62一端相连的数据垫68，多个与源电极65隔开的并相对于栅电极26与源电极65正对的漏电极66。
蚀刻不被数据线路62、65、66和67覆盖的掺杂的无定形硅层50，因此掺杂的无定形硅层50相对于栅电极26划分成两个相对的部分55和56，露出位于这两部分之间的半导体层40下层。为稳定该露出的半导体层40，可用氧等离子处理之。
如图12A和12B所示，在基板10上涂覆表现出优异的平整特征的感光有机材料，以形成保护层70。用基于掩膜的光刻法在保护层70和栅绝缘层30上形成图案以形成多个分别使栅垫24、漏电极66和数据垫68暴露的接触孔74，76和78；同时在保护层70上形成不均匀的图案。
如图7和8所示，在基板10上沉积由银或银合金形成的，约厚1000-3000，优选约1500的层，用基于掩膜的光刻法在其上形成图案，以形成多个反射层82、多个辅助栅垫86和数据垫88。通过接触孔76，将反射层82连接到漏电极66上。分别通过接触孔74和78，将辅助栅垫86和数据垫88连接到栅垫24和数据垫68上。如上所示的形成图案过程是由通过湿蚀刻法，使用包括约10-30％磷酸、约5-15％硝酸、约10-30％醋酸和约1-10％乙二醇的蚀刻液或包括约40-60％磷酸、约1-10％硝酸、约5-15％醋酸和约1-5％过氧一硫酸钾和余量为超纯水的蚀刻液实现的。
在一个实验中，沉积形成厚约2000的纯银层，用包括约50％磷酸、约5％硝酸、约10％醋酸和约1-3％的过氧一硫酸钾的蚀刻液形成图案。测得目标层的蚀刻率约为40/秒，锥形角θ约为70-80°，临界尺寸约为1.2-1.4微米，临界尺寸的均匀性约为3-4％，无残余物。
在另一个实验中，沉积形成厚度为1500的银-钯-铜(Ag-Pd-Cu)的银合金层，并通过湿蚀刻法在室温下用包括磷酸、硝酸、醋酸和乙二醇的蚀刻液用30-90秒形成图案。生成的TFT阵列板用在2.04″或3.5″反射模式的LCD中，基板的大小设定成300mm×400mm。测得蚀刻率约为15-20/秒，锥形角θ约为30-80°，临界尺寸(d)约为0.1-0.5微米，临界尺寸的均匀性约为1-4％，无残余物。
厚约300-600的银或银合金的反射层82同时具有反射和透射性能，因此该反射层非常适合于同时以反射模式和透射模式显示图像的透反射LCD。
在制造用于LCD的TFT阵列板方法中，棒状的薄膜或含有十字形区域(space)的薄膜形成在基板10上，使用包括醋酸、硝酸、磷酸和乙二醇的蚀刻液，测量临界尺寸。下文中将依照图对此作详细描述。
图13和14是根据本发明的实施方案用于测量临界尺寸所形成的薄膜的平面图，图15是根据本发明的实施方案阐述在TFT阵列板中临界尺寸的测量结果的表。测量是在图5所示的位置处进行的。
如图13所示，薄膜800是以棒状形成的，测量其宽度d1。如图14所示，形成薄膜800，同时获得十字形界面。分别测量相邻的薄膜800在水平方向和垂直方向上的距离d2和d3。
如图15所示，测得薄膜800的宽度d1在有利的范围8.5-9.5微米之内。测得相邻的薄膜800在水平方向和垂直方向上的距离d2和d3在有利范围4.5-5.5微米之内。
将在下文中详细解释根据本发明的实施方案，在制造TFT阵列板的方法中，以时间为函数的蚀刻液组成的变化。
图16～18是根据本发明的实施方案阐述在制造TFT阵列板方法中，磷酸、硝酸和醋酸含量的变化以时间为函数的曲线图。在实验中，使用厚为1500的银-钯-铜层。
如图16～18所示，磷酸和硝酸含量随着时间延长而增加，而醋酸含量随着时间延长而降低。
下文中将依照附图详细解释由银或银合金形成的反射层的反射率和电阻率(resistance)。
图19是阐述银-钕，银，银-铜-金和银-钯-铜的反射率与波长的函数关系图。图20是阐述电阻率以银-钯-铜的溅镀压力为函数的曲线图。在图20中，50℃和150℃是指沉积温度。
如图19所示，银或银合金反射层的反射率确实要比铝合金反射层的反射铝高15％。
如图20所示，而且测得银-钯-铜的电阻率为2.02-3.51μΩcm，50℃的电阻率比150℃的电阻率高。与电阻率为5μΩcm的铝合金反射层相比，银合金反射层的平均电阻率为2.5μΩcm，这是铝合金的50％。
如上所述，用含有磷酸、硝酸、醋酸、过氧一硫酸钾和超纯水的蚀刻液或含有磷酸、硝酸、醋酸和乙二醇的蚀刻液在银或银合金导电层上形成图案。因此得到具有优越蚀刻率、锥形角和均匀性的薄膜，生成低电阻率和高反射率的反射层。
尽管依照优选实施方案详细描述了本发明，但是本领域的技术人员应当理解可对本发明的实施方案作出任何修改和替换，而不会偏离在附加权利要求中所提出的本发明的精神和范围。
Claims (13)
1.用于信号线路的蚀刻液，该蚀刻液包括选自下列的一种：包括硝酸、醋酸和过氧一硫酸钾的组合物和包括硝酸、醋酸、磷酸和乙二醇的组合物。
2.根据权利要求1的蚀刻液，其中包括硝酸、醋酸和过氧一硫酸钾的组合物的含量是40-60％磷酸、1-10％硝酸、5-15％醋酸、1-5％过氧一硫酸钾以及余量为超纯水，包括硝酸、醋酸、磷酸和乙二醇的组合物的含量是10-30％磷酸、5-15％硝酸、10-30％醋酸、1-10％乙二醇以及余量为超纯水。
3.根据权利要求1的蚀刻液，其中蚀刻液用于蚀刻由银或银合金形成的导电层。
4.形成信号线路的方法，该法包括：
将由银或银合金形成的导电层沉积在基板上；和
用包括选自：包括硝酸、醋酸、磷酸和乙二醇的组合物和包括磷酸、硝酸、醋酸和过氧一硫酸钾的组合物中的一种的蚀刻液在导电层上形成图案。
5.根据权利要求4的方法，其中包括硝酸、醋酸和过氧一硫酸钾的组合物的含量是40-60％磷酸、1-10％硝酸、5-15％醋酸、1-5％过氧一硫酸钾以及余量为超纯水，包括硝酸、醋酸、磷酸和乙二醇的组合物的含量是10-30％磷酸、5-15％硝酸、10-30％醋酸、1-10％乙二醇以及余量为超纯水。
6.根据权利要求4的方法，其中银合金包括作为基本材料的银和选自Pd、Cu、Mg、Al、Li、Pu、Np、Ce、Eu、Pr、Ca、La、Nb、Nd和Sm中的一种或两种附加组分，附加组分的含量为0.01-20％(原子)。
7.制造TFT阵列板的方法，该法包括：
在绝缘基板上形成栅线路，该栅线路包括多个栅线和多个与栅线相连的栅电极；
沉积形成栅绝缘层；
形成半导体层；
形成包括多个与栅线交叉的数据线、多个与数据线相连并位于栅电极附近的源电极、多个依照栅电极与源电极正对的漏电极的数据线路；
沉积形成保护层；
在保护层上形成图案以形成多个使漏电极暴露的第一接触孔；
在保护层上沉积银或银合金导电层；
用包括选自下列的一种的蚀刻液：包括磷酸、硝酸、醋酸、过氧一硫酸钾和超纯水的组合物和包括硝酸、醋酸、磷酸、乙二醇和超纯水的组合物，使导电层形成图案，以形成通过第一接触孔连接到漏电极的反射层。
8.根据权利要求7的方法，其中包括硝酸、醋酸和过氧一硫酸钾的组合物的含量是40-60％磷酸、1-10％硝酸、5-15％醋酸、1-5％过氧一硫酸钾以及余量为超纯水，包括硝酸、醋酸、磷酸和乙二醇的组合物的含量是10-30％磷酸、5-15％硝酸、10-30％醋酸、1-10％乙二醇以及余量为超纯水。
9.根据权利要求7的方法，其中银合金包括作为基本材料的银和选自Pd、Cu、Mg、Al、Li、Pu、Np、Ce、Eu、Pr、Ca、La、Nb、Nd和Sm中的一种或两种附加组分，附加组分的含量为0.01-20％(原子)。
10.根据权利要求4的方法，其中导电层的厚度在1000～3000之间。
11.根据权利要求7的方法，其中导电层的厚度在300～600之间。
12.根据权利要求7的方法，其中保护层是由感光有机材料形成的。
13.根据权利要求7的方法，其中栅线路还包括多个用于接收来自外部的扫描信号并传输该扫描信号至栅线中的栅垫，数据线路还包括多个用于接收来自外部的图像信号并传输该图像信号至数据线的数据垫，保护层含有多个分别使数据垫和栅垫连同栅绝缘层暴露的第二和第三接触孔；
该方法还包括形成由与反射层相同的层形成的辅助栅垫和数据垫，辅助栅垫和数据垫分别通过第二和第三接触孔与栅垫和数据垫电连接。
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