CN103898509B - 刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法 - Google Patents

刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法 Download PDF

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Abstract

本申请公开了刻蚀剂组合物，形成金属图案的方法以及制造用于有机发光显示器的阵列基板的方法。所述刻蚀剂组合物用于银（Ag）或银合金的单层膜，或包括所述单层膜和铟氧化物膜的多层膜，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包括：6.0～8.0wt%的硝酸；8.0～12.0wt%的硫酸；8.0～10.0wt%的过氧硫酸氢钾；0.5～3.0wt%的有机酸；以及余量的水。

Description

刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年12月24日递交的韩国专利申请10-2012-0151915的权益，因此，该申请通过引用而整体并入本申请。
技术领域
本申请涉及一种刻蚀剂组合物，所述刻蚀剂组合物用于银（Ag）或银合金的单层膜，或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜；本申请还涉及一种利用所述刻蚀剂组合物形成金属图案的方法；以及一种利用所述刻蚀剂组合物制造用于有机发光二极管的阵列基板的方法。
背景技术
有机发光二极管包括两个相对的电极以及具有半导体性能且布置在两个相对的电极之间的有机多层薄膜。这种有机发光二极管利用有机材料将电能转化成光能的有机发光现象。具体地，这种有机发光二极管是自发光显示器，该自发光显示器通过负极和正极而注入有机材料（单-分子/低分子或聚合物）薄膜的电子和空穴再结合以形成激子，且从激子发出作为能量的具有特定波长的光。
在平板显示器中，作为自发光显示器的有机发光显示器（下文，称为“OLED”），由于其并不需要在作为不发光显示器的液晶显示器（LCD）中使用的背光单元，所以能够较轻且较薄。OLED的优势在于：与LCD相比，具有卓越的视角和对比度；就能耗方面也具有优势，其能够通过直流低电压来驱动；具有快速的响应速度；由于其内部构造是固体所以抵抗外部冲击；并且其能够在广泛的温度区间使用。
同时，随着有机发光显示器（OLED）的显示面积的增加，与薄膜晶体管（TFT）连接的栅线和数据线变长，从而增加了布线的电阻。为此，当铬（Cr）、钼（Mo）、铝（Al）或它们的合金被用在栅线和数据线中时，难以增加平板显示器的尺寸且难以实现平板显示器的高分辨率。因此，为了解决电阻增加而带来的信号延迟的问题，需要用具有低电阻系数的材料来制造栅线和数据线。
为了该目的，已经进行了增加平板显示器的尺寸、实现平板显示器的高分辨率以及降低能耗的努力，该努力通过将银（Ag）膜、银合金膜或包括银膜和银合金膜的多层膜（这些膜具有低于其他金属膜的电阻系数（电阻系数：约1.59μΩ·cm）以及高于其他金属膜的亮度）应用于彩色过滤器的电极、OLED的布线以及反射板来进行。作为上述努力的一部分，已经开发了适用于在这些材料中使用的刻蚀剂。
然而，由于银对下基板的附着力非常低，银（Ag）不能容易地被沉积在下基板上，例如由玻璃制成的绝缘基板，或由纯无定形硅或掺杂的无定形硅制成的半导体基板。此外，银（Ag）布线容易翘起（lifted）或剥皮。而且，甚至在银（Ag）导电层被沉积在基板上的情况下，当使用常规刻蚀剂来使得银导电层形成图案时，银（Ag）导电层被过度或不均匀地刻蚀，因此引起布线翘起或剥皮现象，并且产生较差的布线横向轮廓。因此，进行了对用于解决上述问题的新型刻蚀剂的研究。
例如，韩国专利10-0579421公开了一种刻蚀剂组合物，所述刻蚀剂组合物含有硝酸、磷酸、乙酸、辅助氧化物溶剂、含氟碳类表面活性剂和水。然而，该刻蚀剂组合物的问题在于：尽管该组合物刻蚀透明电极的银/银/透明电极膜组件的银，并且防止其透明电极膜的腐蚀，但是该组合物中含有的磷酸损坏下部数据线（lower data line）。因此，需要开发一种用于解决上述问题的刻蚀剂组合物。
发明内容
因此，已经提出了用来解决上述问题的本发明，且本发明的目的是提供一种刻蚀剂组合物，所述刻蚀剂组合物降低银（Ag）或银合金的单层膜，或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的侧刻蚀速率，该刻蚀剂组合物在不损坏下部数据线且不产生残渣的情况下具有均匀刻蚀的性质，并且该刻蚀剂组合物具有改善的长期储存性；本发明的目的还在于提供一种利用该刻蚀组合物形成金属图案的方法以及一种利用该刻蚀剂组合物制造用于有机发光显示器的阵列基板的方法。
为了实现上述目的，本发明的一个方面为提供一种刻蚀剂组合物，所述刻蚀剂组合物用于银（Ag）或银合金的单层膜，或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包括：6.0～8.0wt%的硝酸；8.0～12.0wt%的硫酸；8.0～10.0wt%的过氧硫酸氢钾；0.5～3.0wt%的有机酸，以及余量的水。
本发明的另一方面为提供一种形成金属图案的方法，所述方法包括以下步骤：（i）在基板上形成选自银或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物组成的多层膜的至少一种膜；以及（ii）利用所述刻蚀剂组合物刻蚀所述至少一种膜。
本发明的又一个方面为提供一种制造用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板的方法，所述方法包括以下步骤：a）在基板上形成栅极；b）在包括所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c）在所述栅绝缘层上形成半导体层；d）在所述半导体层上形成源极和漏极；以及e）形成待与所述漏极连接的像素电极，其中，所述步骤a）、d）和e）中的至少一个步骤包括以下步骤：形成选自银或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的至少一种膜；以及利用所述刻蚀剂组合物刻蚀所述至少一种膜以形成各个电极。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中将更清楚地理解本发明的上述和其他目的、特征和优点，其中：
图1为示出了a-ITO-Ag-ITO三层膜的SEM照片，该三层膜利用实施例4的刻蚀剂组合物进行刻蚀；
图2为示出了基板的表面的SEM照片，在该基板上，利用实施例4的刻蚀剂组合物进行刻蚀a-ITO-Ag-ITO三层膜，且从该基板上剥离了光刻胶；
图3为示出了a-ITO-Ag-ITO三层膜的SEM照片，该三层膜利用比较例3的刻蚀剂组合物进行刻蚀；
图4为示出了基板的表面的SEM照片，在该基板上，利用比较例3的刻蚀剂组合物进行刻蚀a-ITO-Ag-ITO三层膜，且从该基板上剥离了光刻胶；
图5为示出了a-ITO-Ag-ITO三层膜的SEM照片，该三层膜利用实施例4的刻蚀剂组合物进行刻蚀，且观察其下层膜的损坏；以及
图6为示出了a-ITO-Ag-ITO三层膜的SEM照片，该三层膜利用比较例3的刻蚀剂组合物进行刻蚀，且从基板观察到其下层膜的损坏。
具体实施方式
以下，将详细描述本发明。
本发明提供一种刻蚀剂组合物，该刻蚀剂组合物用于银或银合金的单层膜，或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜，基于该刻蚀剂组合物的总重量，该刻蚀剂组合物包括：6.0～8.0wt%的硝酸；8.0～12.0wt%的硫酸；8.0～10.0wt%的过氧硫酸氢钾；0.5～3.0wt%的有机酸，以及余量的水。
本发明的刻蚀剂组合物的特征为：该刻蚀剂组合物能够同时刻蚀银或银合金的单层膜，或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜。
在本发明中，由银或银合金的单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜可为铟氧化物膜/银膜的双层膜，铟氧化物膜/银膜/铟氧化物膜的三层膜等等。此外，铟氧化物可为氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）等等。
在上述刻蚀剂组合物中，被用作主氧化剂成分的硝酸通过使银金属膜和铟氧化物膜氧化而用于湿刻蚀银金属膜和铟氧化物膜。基于该刻蚀剂组合物的总重量，硝酸的量为6.0～8.0wt%。当硝酸的量少于6.0wt%时，银膜的刻蚀速率会降低，且银膜的刻蚀轮廓会变差。此外，当硝酸的量超过8.0wt%时，在刻蚀铟氧化物膜/银膜/铟氧化物膜的三层膜的情况中，由于铟氧化物膜的过度刻蚀，使得银膜的表面层暴露，从而引起银与基板表面分离且随后通过后续工艺的热处理而再吸附至基板上的问题。
在上述刻蚀剂组合物中，基于该刻蚀剂组合物的总重量，加入8.0～12.0wt%的用作辅助氧化物溶剂的硫酸。当加入硫酸的量超过12wt%时，由于高刻蚀速率而使得刻蚀长度增加，从而阻碍该工艺。此外，当加入的硫酸的量少于8wt%时，不容易刻蚀银膜。
在上述刻蚀剂组合物中，用作氧化剂和反应引发剂的过氧硫酸氢钾（过氧单硫酸氢钾）用于解决过氧化氢的常规老化改变问题。
在上述刻蚀剂组合物中，基于该刻蚀剂组合物的总重量，可包括8.0～10.0wt%的过氧硫酸氢钾。当过氧硫酸氢钾的量超过10.0wt%时，铟氧化物膜会被过度刻蚀。此外，当过氧硫酸氢钾的量少于8.0wt%时，银膜的刻蚀速率会降低且银膜的刻蚀轮廓会变差。
在上述刻蚀剂组合物中，由于有机酸与水相比具有较低的介电常数，通过增加该刻蚀剂组合物对银膜的润湿性，有机酸用于更加均匀和快速地刻蚀银膜，且有机酸用于防止下部数据布线的腐蚀。基于该刻蚀剂组合物的总重量，加入的有机酸的量为0.5～3.0wt%。当有机酸的量超过3.0wt%时，铟氧化物膜会被过度刻蚀。此外，当有机酸的量少于0.5wt%时，银膜的刻蚀速率降低，且银膜的刻蚀轮廓会变差。
在上述刻蚀剂组合物中，有机酸可为选自由乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、甘醇酸、丙二酸、甲基磺酸、戊酸、草酸和它们的混合物所组成的组中的任意一种。在这些有机酸中，优选地，乙酸被用作有机酸。
本发明的刻蚀剂组合物中，水不受特别的限制，但是去离子水是优选的。具体地，更优选地是具有18MΩ/cm或大于18MΩ/cm的电阻系数（即，从水中去除离子的程度）的去离子水。本发明中所使用的水可以以余量而被包括，从而使刻蚀剂组合物的总量为100%。
本发明的刻蚀剂组合物可进一步包括唑类化合物。唑类化合物用于防止源布线和漏布线的腐蚀，且基于该刻蚀剂组合物的总重量，唑类化合物的量为0.1～1.5wt%。当唑类化合物的量少于0.1wt%时，源布线和漏布线被腐蚀而产生工艺缺陷。此外，当唑类化合物的量超过1.5wt%时，主氧化剂的氧化能力变弱，因此刻蚀过程不能容易地进行。
唑类化合物为选自由氨基四唑、苯并三唑、甲苯三唑、吡唑、吡咯、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑以及4-丙基咪唑所组成的组中的至少一种，但是并不限于此。
由于本发明的刻蚀剂组合物并不包括三价铁盐，所以具有长期储存性。
除上述成分外，上述刻蚀剂组合物可进一步包括常规添加剂。可使用表面活性剂、螯合剂或抗腐蚀剂作为添加剂。
在上述刻蚀剂组合物中，可通过常规已知方法来制备硝酸、硫酸、过氧硫酸氢钾以及有机酸。具体地，优选它们具有用于半导体工艺的纯度。
此外，本发明提供一种形成金属图案的方法，包括以下步骤：（i）在基板上形成选自银或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的至少一种膜；以及（ii）利用本发明的刻蚀剂组合物刻蚀所述至少一种膜。
在根据本发明的形成金属图案的方法中，步骤（i）包括以下步骤：提供基板；以及在所述基板上形成选自银或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的至少一种膜。
对于基板，可使用能够通过常规方法清洗的晶片、玻璃基板、不锈钢基板、塑料基板或石英基板。可通过本领域技术人员已知的多种方法进行在该基板上形成银或银合金的单层膜或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的过程。优选地，通过真空沉积或溅射形成这些膜。
在步骤（ii）中，在步骤（i）中形成的至少一种膜上形成光刻胶，利用掩模选择性地使形成的光刻胶曝光；后烘培经曝光的光刻胶；且随后使经后烘培的光刻胶显影以形成光刻胶图案。
利用本发明的刻蚀剂组合物刻蚀提供有光刻胶图案的至少一种膜，从而完成金属图案。
此外，本发明提供一种制造用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板的方法，所述方法包括以下步骤：a）在基板上形成栅极；b）在包括所述栅极的基板上形成栅绝缘层；c）在所述栅绝缘层上形成半导体层；d）在所述半导体层上形成源极和漏极；以及e）形成待与所述漏极连接的像素电极，其中，步骤a）、d）和e）中的至少一个步骤包括以下步骤：形成选自银或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的至少一种膜；以及利用本发明的刻蚀剂组合物刻蚀所述至少一种膜以形成各个电极。
用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板可为用于薄膜晶体管的阵列基板。
在根据本发明的制造用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板的方法中，步骤a）包括以下步骤：a1）利用气相沉积或溅射，在基板上沉积选自银或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜中的至少一种膜；以及a2）利用本发明的刻蚀剂组合物刻蚀所述至少一种膜以形成栅极。在本文中，形成至少一种膜的工艺并不限于此。
在根据本发明的制造用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板的方法中，在步骤b）中，将硅氮化物（SiNx）沉积在形成在基板上的栅极上以形成栅绝缘层。在本文中，形成栅绝缘层中所使用的材料并不限于硅氮化物（SiNx），栅绝缘层可利用选自多种含有二氧化硅（SiO2）的无机绝缘材料中的任何一种来形成。
在根据本发明的制造用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板的方法中，在步骤c）中，利用化学气相沉积法（CVD）在栅绝缘层上形成半导体层。即，依次地形成有源层（activelayer）和欧姆接触层，然后通过干刻蚀将有源层和欧姆接触层进行图案化。本文中，有源层通常由纯无定形硅（a-Si:H）形成，而欧姆接触层通常由含杂质的无定形硅（n+a-Si:H）形成。利用化学气相沉积法可形成这些有源层和欧姆接触层，但是形成这些层的方法并不限于此。
在根据本发明的制造用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板的方法中，步骤d）包括以下步骤：d1）在半导体层上形成源极和漏极；以及d2）在所述源极和漏极上形成绝缘层。在步骤d1）中，利用溅射在欧姆接触层上沉积选自银或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜中的至少一种膜，且随后，利用本发明的刻蚀剂组合物刻蚀所述至少一种膜以形成源极和漏极。在本文中，在基板上形成至少一种膜的方法并不限于上述方法。在步骤d2）中，利用含有硅氮化物（SiNx）和二氧化硅（SiO2）的无机绝缘材料或含有苯并环丁烯（BCB）和丙烯酸树脂的有机绝缘材料在源极和漏极上形成单层的绝缘层或双层的绝缘层。本文中，绝缘层的原材料并不限于上述原材料。
在根据本发明的制造用于有机发光显示器（OLED）的阵列基板的方法中，在步骤e）中，形成待与漏极连接的像素电极。例如，通过溅射来沉积选自银或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜中的至少一种膜，且然后利用根据本发明的刻蚀剂组合物来刻蚀所述至少一种膜以形成像素电极。沉积该铟氧化物膜的方法并不限于溅射。
以下，将参照下列实施例进一步详细地描述本发明。然而，这些实施例用于解释本发明，且本发明的范围并不限于此。
实施例1至实施例5以及比较例1至比较例4
通过下表1中示出的组成比来制备重量为10kg的刻蚀剂组合物。
[表1]
（单位：wt%）
唑类：5-ATZ(5-氨基四唑)
测试例1：刻蚀特性的评估
在基板上形成a-ITO/Ag/a-ITO三层膜，且然后利用金刚石切割刀切割成10×10mm大小以制备测试样品。
将实施例1至实施例5以及比较例1至比较例4的刻蚀剂组合物引入至注射型刻蚀测试装置（SEMES公司制造），且然后基于40℃的设定温度加热至40±0.1℃，且随后进行测试样品的刻蚀过程。刻蚀过程是这样进行的：基于端点检测（EPD），总刻蚀时间包括50%的过刻蚀时间。
将经刻蚀的测试样品从测试装置中取出，用去离子水清洗，然后利用热风烘干机干燥，且随后利用光刻胶（PR）剥离剂从测试样品上去除光刻胶。此后，利用扫描电子显微镜（SEM）（S-4700，Hitachi公司制造）来评估测试样品的刻蚀特性，例如侧刻蚀速率、下层膜的损坏以及刻蚀残渣的形成速率。
测试例2：下部数据布线损坏的评估
在基板上形成Mo/Al/Mo三层膜，且然后利用金刚石切割刀切割成10×10mm大小以制备测试样品。
将实施例1至实施例5以及比较例1至比较例4的刻蚀剂组合物引入至注射型刻蚀测试装置（SEMES公司制造），且然后基于40℃的设定温度加热至40±0.1℃，且随后进行测试样品的刻蚀过程。总刻蚀时间设定为5分钟。
将刻蚀的测试样品从测试装置中取出，用去离子水清洗，且然后利用热风烘干机干燥，且随后利用光刻胶（PR）剥离剂从测试样品上去除光刻胶。此后，利用扫描电子显微镜（SEM）（S-4700，Hitachi公司制造）来评估测试样品的刻蚀特性，例如下部数据布线的损坏程度。
下表2中给出了该测试的结果。
[表2]
组合物 侧刻蚀(μm) 对下部数据布线的损坏 银的残渣
测试例1 实施例1 0.12 无 无
测试例2 实施例2 0.10 无 无
测试例3 实施例3 0.29 无 无
测试例4 实施例4 0.53 无 无
测试例5 实施例5 0.97 无 无
测试比较例1 比较例1 0.07 有 有
测试比较例2 比较例2 0.05 有 有
测试比较例3 比较例3 0.00 有 有
测试比较例4 比较例4 0.00 有 有
如上表2中所示，能够确定的是，当利用实施例1至实施例5的刻蚀剂组合物刻蚀a-ITO/Ag/a-ITO基板时，就侧刻蚀速率和银残渣的形成速率而言呈现出良好的刻蚀特性，并且当利用这些刻蚀剂组合物刻蚀Mo/Al/Mo基板时，就下部数据布线的损坏而言也呈现出良好的刻蚀特性。
图1为示出了a-ITO-Ag-ITO三层膜的SEM照片，该a-ITO-Ag-ITO三层膜利用实施例4的刻蚀剂组合物刻蚀。图2为示出了基板的表面的SEM照片，在该基板上，利用实施例4的刻蚀剂组合物进行刻蚀a-ITO-Ag-ITO三层膜，且从该基板上剥离了光刻胶。图5为示出了a-ITO-Ag-ITO三层膜的SEM照片，该三层膜利用实施例4的刻蚀剂组合物进行刻蚀，且观察其下层膜的损坏。从图5中能够证实下层膜未被损坏。
如上表2所示，可以证实的是，当使用比较例1至比较例4的刻蚀剂组合物时，下部数据布线被损坏。
图3为示出了a-ITO-Ag-ITO三层膜的SEM照片，该三层膜利用比较例3的刻蚀剂组合物进行刻蚀。图4为示出了基板的表面的SEM照片，在该基板上，利用比较例3的刻蚀剂组合物进行刻蚀a-ITO-Ag-ITO三层膜，且从该基板上剥离了光刻胶。
图6为示出了a-ITO-Ag-ITO三层膜的SEM照片，该三层膜利用比较例3的刻蚀剂组合物进行刻蚀，且从基板观察到下层膜的损坏。从图6中能够证实下层膜被损坏。
有益效果
如上所述，由于本发明的刻蚀剂组合物具有均匀的刻蚀特性，且在不损坏下部数据布线且不形成残渣的同时，降低银或银合金的单层膜或由所述单层膜和铟氧化物膜形成的多层膜的侧刻蚀速率，所以本发明的刻蚀剂组合物在实现高分辨率、大尺寸且低能耗的有机发光显示器中起到重要的作用。此外，本发明的刻蚀剂组合物能够解决传统氧化剂损坏下布线膜的不足，且由于该组合物未使用三价铁盐作为主氧化剂而能够具有改进的长期储存性。进一步说，因为本发明的刻蚀剂组合物包括过硫酸氢钾，该组合物能够解决由于用作常规的反应引发剂的过氧化氢的自由基反应的快速增加而导致的累积片材（accumulative sheet）的问题。
尽管已经公开了用于解释目的的本发明的优选的实施方式，本领域技术人员将知晓的是，在不背离后附权利要求所公开的本发明的范围和精神的情况下，多种改动、增加和替代是可能的。

Claims (8)

1.一种刻蚀剂组合物，所述刻蚀剂组合物用于银或银合金的单层膜，或由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜，基于所述刻蚀剂组合物的总重量，所述刻蚀剂组合物包括：
6.0～8.0wt％的硝酸；
8.0～12.0wt％的硫酸；
8.0～10.0wt％的过氧单硫酸氢钾；
0.5～3.0wt％的有机酸；以及
余量的水；
其中，所述有机酸为选自由乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、甘醇酸、丙二酸、甲基磺酸、戊酸、草酸和它们的混合物所组成的组中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的刻蚀剂组合物，进一步包括唑类化合物。
3.根据权利要求2所述的刻蚀剂组合物，其中，基于该组合物的总量，所述刻蚀剂组合物包括0.1～1.5wt％的所述唑类化合物。
4.根据权利要求2所述的刻蚀剂组合物，其中，所述唑类化合物为选自由氨基四唑、苯并三唑、甲苯三唑、吡唑、吡咯、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑以及4-丙基咪唑所组成的组中的至少一种。
5.一种形成金属图案的方法，包括以下步骤：
(i)在基板上形成选自银或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的至少一种膜；以及
(ii)利用权利要求1至4中任一项所述的刻蚀剂组合物刻蚀所述至少一种膜。
6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括在所述至少一种膜上形成光刻胶图案的步骤。
7.一种制造用于有机发光显示器的阵列基板的方法，所述方法包括以下步骤：
a)在基板上形成栅极；
b)在包括所述栅极的基板上形成栅绝缘层；
c)在所述栅绝缘层上形成半导体层；
d)在所述半导体层上形成源极和漏极；
e)形成与所述漏极连接的像素电极，
其中，所述步骤a)、d)和e)中的至少一个步骤包括以下步骤：形成选自银或银合金的单层膜以及由所述单层膜和铟氧化物膜组成的多层膜的至少一种膜；以及利用权利要求1至4中任一项所述的刻蚀剂组合物刻蚀所述至少一种膜以形成各个电极。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述用于有机发光显示器的阵列基板为用于薄膜晶体管的阵列基板。
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