TWI631205B - 銀蝕刻液組合物和使用該組合物的顯示基板 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及黏度為4~43cP、接觸角為24~61°的銀蝕刻液組合物。

Description

銀蝕刻液組合物和使用該組合物的顯示基板 發明領域
本發明涉及銀蝕刻液組合物和使用了該銀蝕刻液組合物的顯示基板，更詳細地說，涉及黏度為4~43cP、接觸角為24~61°的銀蝕刻液組合物和使用了該銀蝕刻液組合物的顯示基板。
發明背景
隨著進入真正的資訊化時代，對大量的資訊進行處理和顯示的顯示器領域急速發展，相應地開發了多種平板顯示器而受到關注。
作為這樣的平板顯示器裝置的例子，可列舉液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display device：LCD)、等離子體顯示裝置(Plasma Display Panel device：PDP)、場致發射顯示裝置(Field Emission Display device：FED)、電致發光顯示裝置(Electroluminescence Display device：ELD)、有機發光顯示器(Organic Light Emitting Diodes：OLED)等，這些平板顯示裝置不僅在電視、視頻等家電領域中使用，而且在筆記型電腦這樣的電腦和行動電話等多種 用途中使用。這些平板顯示裝置由於薄型化、輕量化和低耗電化等優異的性能，已迅速地替代了以往使用的陰極射線管(Cathode Ray Tube：CRT)。
特別地，OLED由於元件自身發光，即使以低電壓也能夠驅動，因此最近已在可擕式設備等小型顯示器市場中迅速應用。另外，OLED的狀態為超越小型顯示器、目前已進行大型電視的商用化。
另一方面，氧化錫銦(Indium Tin Oxide、ITO)和氧化鋅銦(Indium Zinc Oxide、IZO)這樣的導電性金屬對於光的透射率比較優異，具有導電性，因此在用於平板顯示裝置的濾色器的電極中已廣泛使用。但是，這些金屬也具有高電阻，對於回應速度的改善引起的平板顯示裝置的大型化和高解析度的實現而言成為了障礙。
另外，在反射板的情況下，以往主要將鋁(Al)反射板用於製品，但為了實現亮度的提高引起的低電力消耗，其狀態是在摸索向反射率更高的金屬材料的變化。因此，將與平板顯示裝置中應用的金屬相比具有低電阻率和高亮度的銀(Ag：電阻率約1.59μΩcm)膜、銀合金、或者包含其的多層膜應用於濾色器的電極、LCD或OLED配線和反射板，以實現平板顯示裝置的大型化和高解析度和低電力消耗等，要求開發用於適用該材料的蝕刻液。
但是，銀(Ag)對於玻璃等的絕緣基板、或者由真正無定形矽、經摻雜的無定形矽等構成的半導體基板等的下部基板，黏接性(adhesion)極其不良，蒸鍍不容易，容 易誘發配線的起皺(lifting)或剝離(Peeling)。另外，即使在將銀(Ag)導電層蒸鍍於基板的情況下，為了將其圖案化也要使用蝕刻液。作為這樣的蝕刻液，在使用以往的蝕刻液的情況下，銀(Ag)被過度地蝕刻，被不均勻地蝕刻，發生配線的起皺或剝離現象，配線的側面輪廓變得不良。特別地，銀(Ag)存在蝕刻後的錐角(taper angle)的形成困難的問題，所以其靈活應用於配線具有眾多的限制。這樣銀(Ag)的錐角(taper angle)的形成困難的理由在於：由於銀固有的特性分子的大小和要被還原的性質，錐角的形成困難，在短時間內在縱向上被蝕刻，因此不能在橫向上被蝕刻，不能使其具有蝕刻的方向性。
韓國註冊專利第10-0579421號中提出的銀蝕刻液在磷酸、硝酸、醋酸中作為添加劑使用了輔助氧化物溶解劑和含氟型碳系表面活性劑。但是，作為輔助氧化物溶解劑使用的SO4 2-化合物存在與銀(Ag)進行反應而以硫化銀(Ag2S)的形態在基板內作為殘渣殘留的缺點，ClO4 -化合物現在被規定為環境管制物質，在使用中存在困難。另外，在使用所述組合物蝕刻含銀金屬膜的情況下，依然存在蝕刻後的錐角(taper angle)的形成困難的問題。
現有技術文獻 專利文獻
專利文獻1：韓國註冊專利第10-0579421號
本發明的目的在於提供在含銀金屬膜蝕刻後可以形成錐角(taper angle)的銀蝕刻液組合物。
另外，本發明的目的在於提供使用了所述銀蝕刻液組合物的顯示基板和配線。
為了實現上述目的，本發明提供黏度為4~43cP、接觸角為24~61°的銀蝕刻液組合物。
另外，本發明提供包含用所述銀蝕刻液組合物蝕刻的金屬膜的顯示基板。
進而，本發明提供用所述銀蝕刻液組合物蝕刻的配線。
本發明的銀蝕刻液組合物在含銀金屬膜的蝕刻後可以形成錐角(taper angle)。由此，通過對於以往只適用於反射膜的含銀金屬膜形成錐角，具有可靈活用作配線的效果。
圖1為用實施例9的蝕刻液將Ag配線蝕刻後形成了錐角的圖像。
以下更詳細地說明本發明。
本發明涉及黏度為4~43cP(centi poise；1cP=1mPa‧s)、接觸角為24~61°的銀蝕刻液組合物。本發明人在實驗上確認：在使用具有所述特定範圍的黏度和特定範圍的 接觸角的蝕刻液組合物蝕刻含銀金屬膜的情況下可以形成蝕刻後的錐角(taper angle)。本發明發現與蝕刻液組合物的特性關聯、以往完全沒有考慮的黏度和接觸角與蝕刻液的蝕刻後的錐角(taper angle)的形成存在密切的關係，特別是最先弄清了具有4~43cP的黏度和24~61°的接觸角的特定範圍的蝕刻液組合物對於錐角(taper angle)的形成的效果，具有本發明的特徵。
本發明的黏度可以在恒溫槽內採用使用了Ostwald黏度計的方法來測定，對本發明的接觸角而言，可以是使蝕刻液組合物在常溫(約25℃)下滴到要獲知接觸角的基板上、使用接觸角測定裝備測定滴下的液滴與基板所成的角度的方法。
作為本發明的黏度為4~43cP、接觸角為24~61°的銀蝕刻液組合物的一例，可以是包含磷酸、硝酸、醋酸、唑系化合物、和脫離子水的銀蝕刻液組合物，更具體地，包括相對於銀蝕刻液組合物的總重量，含有30~60重量%的磷酸、0.5~10重量%的硝酸、33~50重量%的醋酸、0.01~10重量%的唑系化合物、和餘量的脫離子水以使組合物的總重量成為100重量%的銀蝕刻液組合物。
本發明的銀蝕刻液組合物的特徵在於，能夠蝕刻由銀(Ag)或銀合金構成的單一膜、或者由所述單一膜和透明導電膜構成的多層膜，所述多層膜可以同時蝕刻。
所述銀合金可以為以銀作為主成分、包含In、P、Nd、Cu、Pd、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W、和Ti等其他 金屬的合金的形態、以及銀的氮化物、矽化物、碳化物、和氧化物的形態等多種形態，但並不限定於這些。
另外，所述透明導電膜一般如IZO和a-ITO那樣，具有在可見光區域中透射率為約90%以上、電阻率為1×10-4Ωcm以下的特性。由於透明導電膜為透明，一般傳導電子必須少，為了電導率變大，傳導電子必須多。在透明導電膜的情況下，必須滿足這樣相反的2個條件。在蒸鍍IZO和a-ITO的方法中，一般使用濺射(Sputtering)，其與CVD(Chemical Vapor Deposition)方法相比具有如下優點：容易調節蒸鍍條件，在使用大型的基板製造的情況下，容易實現薄膜的厚度和薄膜特性的均一化。在採用濺射方法製造的情況下，存在使用氧化物靶或合金靶(alloy target)的2種方法，在使用合金靶的情況下，具有如下優點：蒸鍍速度快，靶壽命也相當長，可以實現靶製造的容易性和再利用，但具有對程序變數顯示敏感的特性變化的缺點。如果使用氧化物靶，能夠具有再現性地控制薄膜的化學計量比，但與合金靶相比，蒸鍍速度慢，有時在蒸鍍中途在靶中產生物理的龜裂，存在在靶中產生電弧的缺點。在採用濺射蒸鍍銦-主成分系氧化物的情況下，與O2反應，具有In2O3的形態，但為了提高電導率，作為摻雜劑，使用Ga、Ge、Si、Ti、Sb、Zr、Sn、和Zn等。本發明中，ITO意味著將In2O3和SnO2分別以適當比率混合而成的透明導電膜，但並不限定於此。例如，只使用作為摻雜劑使用的Ga和Zn製作的GZO的膜質等也 可適用。
進而，所述多層膜可以是由透明導電膜/銀、透明導電膜/銀合金、透明導電膜/銀/透明導電膜、或透明導電膜/銀合金/透明導電膜形成的多層膜，在使用本發明的銀蝕刻液組合物的情況下，能夠在不損傷下部膜的情況下顯示蝕刻均一性，可以在濕式蝕刻中有用地使用。
本發明的銀蝕刻液組合物中所含的磷酸(H3PO4)為主蝕刻劑，在蝕刻單一膜或多層膜時，與銀(Ag)或銀合金引起氧化還原反應，發揮使透明導電膜解離、進行濕式蝕刻的作用。
所述磷酸，相對於銀蝕刻液組合物的總重量，含有30~60重量%，優選含有40~50重量%。
如果以不到30重量%含有所述磷酸，有時蝕刻能力不足，無法進行充分的蝕刻。另外，在程序的進行中如果一定量以上的銀(Ag)溶解到銀蝕刻液組合物中，則出現銀(Ag)再吸附或銀(Ag)析出物，在後續程序中可發生電短路，可成為不良發生的原因。
在所述磷酸超過60重量%的情況下，有時透明導電膜的蝕刻速度降低，銀或銀合金的蝕刻速度過度地加速而產生過蝕刻，由此有時產生無法發揮配線作用的蝕刻量。另外，在將透明導電膜層疊於銀或銀合金而成的多層膜的情況下，有時產生銀或銀合金與透明導電膜的蝕刻速度之差引起的尖端(Tip)，在後續程序中產生問題。
本發明的銀蝕刻液組合物中所含的硝酸(HNO3)是發 揮輔助蝕刻劑的作用的成分，單一膜或多層膜的蝕刻時發揮使銀(Ag)或銀合金與透明導電膜氧化而進行濕式蝕刻的作用。
所述硝酸相對於銀蝕刻液組合物的總重量，含有0.5~10重量%，優選含有2~10重量%。
在所述硝酸的含量不到0.5重量%的情況下，有時出現銀或銀合金與透明導電膜的蝕刻速度的下降，由於銀殘渣，伴隨後續程序的進行而產生電短路和殘渣殘留的區域看起來暗的現象，即暗點不良。另外，在硝酸的含量超過10重量%的情況下，由於過度的蝕刻速度，程序上對蝕刻的調節困難，產生過蝕刻，無法發揮作為配線的作用。
本發明的銀蝕刻液組合物中所含的醋酸(CH3COOH)為了調節反應速度等作為緩衝劑發揮作用，不僅如此，對於Ag單一或合金形成錐角(taper angle)起到非常重要的作用。
所述醋酸相對於銀蝕刻液組合物的總重量，含有33~50重量%，優選含有33~40重量%。
如果所述醋酸的含量不到33重量%，存在在配線的蝕刻斜面沒有形成錐角的間題。如果超過50重量%，成為揮發性非常強的組合物，程序適用時，由於組合物的揮發，在3小時以內出現組合物的含量變化，出現蝕刻速度隨著時間而改變的問題。
本發明的銀蝕刻液組合物中所含的唑系化合物是發 揮起到減緩銀(Ag)或銀合金的蝕刻速度的作用的防腐蝕劑的作用的成分，在多層膜的蝕刻時能夠在相對地透明導電膜的速度不變慢的情況下控制透明導電膜的尖端(Tip)的產生，在程序上調節蝕刻時間。另外，能夠防止銀(Ag)的過蝕刻，形成窄的圖元電極(Pixel)的配線，能夠作為添加劑在形成圖案微細的配線的蝕刻液組合物等中使用。
另外，以往，如果用蝕刻液組合物蝕刻不具有透明導電膜等阻隔(Barrier)膜的銀或銀合金的單一膜，則產生了過蝕刻。為了防止這情況，在單一膜的上下部應用了阻隔膜，這成為了程序上費用増加的原因。
但是，本發明的銀蝕刻液組合物通過使用唑系化合物，可以預防過蝕刻，可不使用阻隔膜，由此，具有能夠實現減少程序時間和節省原材料、能夠減少生產費用的優點。
本發明的唑系化合物可以是選自甲基四唑(Methyltetrazole、MTZ)、胺基四唑(5-aminotetrazole)、和苯并三唑中的1種以上，特別優選為甲基四唑(Methyltetrazole、MTZ)。
所述唑系化合物相對於銀蝕刻液組合物的總重量，含有0.01~10重量%。如果所述唑系化合物的含量不到0.01重量%，則無法正經地發揮減緩蝕刻速度的作用，用於形成具有微細的圖案的配線時，有時產生過蝕刻引起的配線消失的不良。另外，如果超過10重量%，銀或銀合 金的蝕刻速度顯著減小，沒有將不需要的部分完全地蝕刻，可發生電短路，成為不良發生的原因。進而，由於蝕刻速度的降低，殘留物殘留，有時在進行後續程序後、製品生產時誘發一部分區域看起來黑的暗點這樣的不良現象。
本發明的銀蝕刻液組合物中所含的脫離子水使用半導體程序用脫離子水，優選使用18MΩ/cm以上的水。
本發明的銀蝕刻液組合物除了以上提及的成分以外，可以進一步包含在該領域中通常使用的蝕刻調節劑和pH調節劑中的1種以上。
作為所述附加地含有的蝕刻調節劑，其為包含醋酸鉀或醋酸鈉中的1種醋酸鹽的化合物；作為附加地含有的pH調節劑，其為包含乙醇酸、谷胺酸、或甘胺酸中的1種有機酸的化合物。
本發明的銀蝕刻液組合物能夠作為在顯示器(OLED、LCD等)的TFT陣列基板、TSP Trace配線、和Flexible用納米線配線形成用中大量使用的銦氧化膜、使用了銀、銀合金的單一膜、或者使用了2種以上的多層結構的蝕刻液使用。不僅如此，在所述明示的顯示器、TSP以外，也能夠在半導體等使用了所述金屬膜質的電子部件原料中使用。
另外，本發明能夠提供包含用本發明的銀蝕刻液組合物蝕刻的金屬膜的顯示基板。
更詳細地說，所述顯示裝置可以為液晶顯示裝置 (LCD)或有機發光元件(OLED)的薄膜電晶體(TFT)基板。
另外，所述OLED能夠將金屬膜層疊於上部和下部，能夠用本發明的蝕刻液組合物蝕刻金屬膜。通過調節金屬膜的厚度、層疊於上部和下部，在OLED中，所述金屬膜能夠發揮反射膜和半透膜的作用。
所述反射膜必須為幾乎不透光的厚度，所述半透膜必須為光幾乎全透過的厚度。因此，所述金屬膜的厚度優選為50~5000Å。
所述金屬膜為由銀(Ag)或銀合金構成的單一膜、或者由所述單一膜和透明導電膜構成的多層膜。
所述銀合金可為以銀作為主成分、包含In、P、Nd、Cu、Pd、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W、和Ti等其他金屬的合金的形態以及銀的氮化物、矽化物、碳化物、和氧化物的形態等多樣的形態，但並不限定於這些。
另外，所述透明導電膜一般如IZO和a-ITO那樣，具有在可見光區域中透射率為約90%以上、電阻率為1×10-4Ωcm以下的特性。由於透明導電膜為透明，一般傳導電子必須少，為了電導率變大，傳導電子必須多。在透明導電膜的情況下，必須滿足這樣相反的2個條件。在蒸鍍IZO和a-ITO的方法中，一般使用濺射(Sputtering)，其與CVD(Chemical Vapor Deposition)方法相比具有如下優點：容易調節蒸鍍條件，在使用大型的基板製造的情況下，容易實現薄膜的厚度和薄膜特性的均一化。在採用濺射方法製造的情況下，存在使用氧化物靶或合金靶 (alloy target)的2種方法，在使用合金靶的情況下，具有如下優點：蒸鍍速度快，靶壽命也相當長，可以實現靶製造的容易性和再利用，但具有對程序變數顯示敏感的特性變化的缺點。如果使用氧化物靶，能夠具有再現性地控制薄膜的化學計量比，但與合金靶相比，蒸鍍速度慢，有時在蒸鍍中途在靶中產生物理的龜裂，存在在靶中產生電弧的缺點。在採用濺射蒸鍍銦-主成分系氧化物的情況下，與O2反應，具有In2O3的形態，但為了提高電導率，作為摻雜劑，使用Ga、Ge、Si、Ti、Sb、Zr、Sn、和Zn等。本發明中，ITO意味著將In2O3和SnO2分別以適當比率混合而成的透明導電膜，但並不限定於此。例如，只使用作為摻雜劑使用的Ga和Zn製作的GZO的膜質等也可適用。
進而，所述多層膜可以是由透明導電膜/銀、透明導電膜/銀合金、透明導電膜/銀/透明導電膜、或透明導電膜/銀合金/透明導電膜形成的多層膜，在使用本發明的銀蝕刻液組合物的情況下，能夠在不損傷下部膜的情況下顯示蝕刻均一性，可以在濕式蝕刻中有用地使用。
另外，本發明能夠提供用本發明的銀蝕刻液組合物蝕刻的配線。
更詳細地，該配線可以是觸控式螢幕面板(Touch screen panel、TSP)中主要讀取在X、Y座標感測的信號的示蹤(Trace)配線或柔性銀納米線配線。
另外，所述配線為由銀(Ag)或銀合金構成的單一 膜、或者由所述單一膜和透明導電膜構成的多層膜。
所述銀合金可為以銀作為主成分、包含In、P、Nd、Cu、Pd、Nb、Ni、Mo、Ni、Cr、Mg、W和Ti等其他金屬的合金的形態以及銀的氮化物、矽化物、碳化物和氧化物的形態等多樣的形態，但並不限定於這些。
另外，所述透明導電膜一般如IZO和a-ITO那樣，具有在可見光區域中透射率為約90%以上、電阻率為1×10-4Ωcm以下的特性。由於透明導電膜為透明，一般傳導電子必須少，為了電導率變大，傳導電子必須多。在透明導電膜的情況下，必須滿足這樣相反的2個條件。在蒸鍍IZO和a-ITO的方法中，一般使用濺射(Sputtering)，其與CVD(Chemical Vapor Deposition)方法相比具有如下優點：容易調節蒸鍍條件，在使用大型的基板製造的情況下，容易實現薄膜的厚度和薄膜特性的均一化。在採用濺射方法製造的情況下，存在使用氧化物靶或合金靶(alloy target)的2種方法，在使用合金靶的情況下，具有如下優點：蒸鍍速度快，靶壽命也相當長，可以實現靶製造的容易性和再利用，但具有對程序變數顯示敏感的特性變化的缺點。如果使用氧化物靶，能夠具有再現性地控制薄膜的化學計量比，但與合金靶相比，蒸鍍速度慢，有時在蒸鍍中途在靶中產生物理的龜裂，存在在靶中產生電弧的缺點。在採用濺射蒸鍍銦-主成分系氧化物的情況下，與O2反應，具有In2O3的形態，但為了提高電導率，作為摻雜劑，使用Ga、Ge、Si、Ti、Sb、Zr、Sn、 和Zn等。本發明中，ITO意味著將In2O3和SnO2分別以適當比率混合而成的透明導電膜，但並不限定於此。例如，只使用作為摻雜劑使用的Ga和Zn製作的GZO的膜質等也可適用。
進而，所述多層膜可以是由透明導電膜/銀、透明導電膜/銀合金、透明導電膜/銀/透明導電膜、或透明導電膜/銀合金/透明導電膜形成的多層膜，在使用本發明的銀蝕刻液組合物的情況下，能夠在不損傷下部膜的情況下顯示蝕刻均一性，可以在濕式蝕刻中有用地使用。
以下通過實施例更詳細地說明本發明。但是，下述的實施例用於對本發明更具體地說明，本發明的範圍並不由下述的實施例限定。下述的實施例在本發明的範圍內對於本領域技術人員而言可適當地修正、改變。
<銀蝕刻液組合物的製造>
實施例1~9和比較例1~9
將下述表1中記載的成分以該含量混合，製造銀蝕刻液組合物。
實驗例1.銀蝕刻液組合物的性能試驗
使用所述實施例和比較例的銀蝕刻液組合物，以濕式蝕刻方式進行蝕刻，採用用電子顯微鏡進行銀配線分析的方法進行有關錐角的有無形成的實驗，將其結果示於表1。在T/A(°)值為25°-60°的情況下，能夠視為形成了錐角而優選。
另外，通過對所述實施例和比較例的銀蝕刻液組合 物、在作為蝕刻溫度的40℃的恒溫槽內使用Ostwald黏度計測定黏度，結果示於表1中。
進而，接觸角通過將所述實施例和比較例的銀蝕刻液組合物在常溫(約25℃)下滴到銀基板上，使用接觸角測定裝備(KRUSS社DSA100)測定，將其結果示於表1。
因此，通過實驗可知，本發明的黏度4~43cP和接觸角24~61°的蝕刻液組合物在含銀金屬膜的蝕刻時形成蝕刻後的錐角(taper angle)。

Claims (17)

  1. 一種銀蝕刻液組合物，相對於銀蝕刻液組合物的總重量，其包含30~60重量%的磷酸、0.5~10重量%的硝酸、33~50重量%的醋酸、0.01~10重量%的唑系化合物、和餘量的脫離子水以使組合物的總重量成為100重量%；其黏度為4~43cP，接觸角為24~61°，其中該接觸角係於一銀基板上量測；其中該唑系化合物係選自一或多個選自由5-甲基四唑(Methyltetrazole、MTZ)、胺基四唑(5-aminotetrazole)、及苯并三唑所組成的群組；及其具有錐角為25至60°，其係藉由以該銀蝕刻液蝕刻所形成。
  2. 如請求項1之銀蝕刻液組合物，其中，銀蝕刻液組合物能夠同時蝕刻由銀或銀合金構成的單一膜、或者由該單一膜和透明導電膜構成的多層膜。
  3. 如請求項2之銀蝕刻液組合物，其中，該透明導電膜為選自氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦(IZO)、氧化錫鋅銦(ITZO)、氧化鎵鋅膜(GZO)、和氧化鎵鋅銦(IGZO)中的1種以上。
  4. 如請求項2之銀蝕刻液組合物，其中，由該單一膜和透明導電膜構成的多層膜為透明導電膜/銀、透明導電膜/銀合金、透明導電膜/銀/透明導電膜、或者透明導電膜/銀合金/透明導電膜。
  5. 如請求項1之銀蝕刻液組合物，其中，該銀蝕刻液組合物附加地包含蝕刻調節劑或pH調節劑。
  6. 一種顯示基板，其包含用如請求項1至5中任一項之銀蝕刻液組合物蝕刻的金屬膜。
  7. 如請求項6之顯示基板，其中，該顯示基板為液晶顯示裝置(LCD)或有機發光元件(OLED)的薄膜電晶體(TFT)基板。
  8. 如請求項7之顯示基板，其中，對於該有機發光元件，該金屬膜被層疊於有機發光元件的上部和下部。
  9. 如請求項6之顯示基板，其中，該金屬膜為由銀或銀合金構成的單一膜、或者由該單一膜和透明導電膜構成的多層膜。
  10. 如請求項9之顯示基板，其中，該透明導電膜為選自氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦(IZO)、氧化錫鋅銦(ITZO)、氧化鎵鋅膜(GZO)、和氧化鎵鋅銦(IGZO)中的1種以上。
  11. 如請求項9之顯示基板，其中，由該單一膜和透明導電膜構成的多層膜為透明導電膜/銀、透明導電膜/銀合金、透明導電膜/銀/透明導電膜、或者透明導電膜/銀合金/透明導電膜。
  12. 一種配線，其係使用如請求項1至5中任一項之銀蝕刻液組合物蝕刻。
  13. 如請求項12之配線，其中，該配線為觸控式螢幕面板用示蹤配線。
  14. 如請求項12之配線，其中，該配線為柔性銀納米線。
  15. 如請求項12之配線，其中，該配線為由銀或銀合金構成的單一膜、或者由該單一膜和透明導電膜構成的多層膜。
  16. 如請求項15之配線，其中，該透明導電膜為選自氧化錫銦(ITO)、氧化鋅銦(IZO)、氧化錫鋅銦(ITZO)、氧化鎵鋅膜(GZO)、和氧化鎵鋅銦(IGZO)中的1種以上。
  17. 如請求項15之配線，其中，由該單一膜和透明導電膜構成的多層膜為透明導電膜/銀、透明導電膜/銀合金、透明導電膜/銀/透明導電膜、或者透明導電膜/銀合金/透明導電膜。
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