KR20110046992A

KR20110046992A - 식각액 조성물

Info

Publication number: KR20110046992A
Application number: KR1020090103731A
Authority: KR
Inventors: 이석준; 양승재; 권오병; 이유진
Original assignee: 동우 화인켐 주식회사
Priority date: 2009-10-29
Filing date: 2009-10-29
Publication date: 2011-05-06
Also published as: CN102648270A; WO2011052987A3; WO2011052987A2

Abstract

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, H₃PO₄ 25 내지 50 중량%; HNO₃ 0.1 내지 7 중량%; CH₃COOH 10 내지 50 중량%; 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%;및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물에 관한 것이다.

구리, 몰리브덴, 식각액 조성물

Description

식각액 조성물{AN ETCHING SOLUTION COMPOSITION}

본 발명은 구리를 포함하는 금속막 및 몰리브덴을 포함하는 금속막으로 이루어진 이중막 또는 다중막을 효과적으로 식각할 수 있는 식각액 조성물에 관한 것이다.

평판표시장치에서 기판 상에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링에 의해 금속막을 형성하는 공정, 금속막 상에 포토레지스트를 도포하고 노광하고 현상하여 선택적인 영역에 포토레지스트를 형성하는 공정 및 금속막을 식각하는 공정으로 구성된다. 또한, 개별적인 단위 공정 전후의 세정공정 등을 포함한다. 이러한 식각공정은 포토레지스트를 마스크로 사용하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미한다. 식각공정으로는 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식 식각 또는 식각액을 이용하는 습식 식각이 사용된다.

한편, 평판표시장치에서 소스/드레인 전극 및/또는 게이트 전극으로 구리를 포함하는 금속막 및/또는 몰리브덴을 포함하는 금속막이 주로 사용된다. 이들 금속막 각각을 식각하면 공정이 번거롭고 비경제적이므로, 이들 금속막들을 일괄식각하기 위하여 식각액 조성물에 대한 연구가 진행 중이다. 예를 들면, 대한민국등 록특허 10-0718529에서는 구리/몰리브덴 이중막을 일괄 식각하는 식각액 조성물이 개시되어 있다. 하지만, 상기 식각액 조성물을 이용하면, 전지반응에 의한 구리막의 과식각으로 패턴을 형성하기 어렵고 고농도의 인산을 사용함으로써 점도가 높아 장비를 이용할 때 불리하였다. 그리고 일반적으로 구리 관련 식각액으로 사용되는 과산화수소 타입의 식각액의 경우 과산화수소를 사용하기 때문에 식각액 조성물이 불안정하였다.

따라서, 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 구리막을 일괄식각할 수 있으면서, 안정적이고 식각프로파일이 우수하고 장비이용이 용이한 식각액 조성물에 대한 개발이 시급하다.

본 발명의 목적은 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막을 일괄 식각할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 목적은 구리와 몰리브덴의 전지반응을 억제시켜 구리의 과식각에 의한 패턴 불량이 발생하지 않는 식각액 조성물을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 목적은 안정적이고 유리기판과 각종 실리콘층을 식각시키지 않는 식각액 조성물을 제공하는 것이다.

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, H₃PO₄ 25 내지 50 중량%; HNO₃ 0.1 내지 7 중량%; CH₃COOH 10 내지 50 중량%; 고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%;및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물을 제공한다.

본 발명의 식각액 조성물은 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막을 일괄 식각할 수 있다. 또한, 본 발명의 식각액 조성물은 고리형 아민 화합물을 사용하여 구리와 몰리브덴의 전지 반응을 억제시켜 구리의 과식각에 의한 패턴 불량이 발생하지 않는다. 또한, 본 발명의 식각액 조성물은 기존의 식각액 조성물에 사용되던 과산화 수소를 사용하지 않으므로 안정적이다. 또한, 본 발명의 식각액 조성물은 플로오린 이온을 사용하지 않으므로 유리 기판 및 각종 실리콘층 을 식각시키지 않는다.

이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.

본 발명은 H₃PO₄, HNO₃, CH₃COOH, 고리형 아민 화합물및 물 잔량을 포함한다.

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 H₃PO₄는 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막의 산화제이다. 조성물 총 중량에 대하여, H₃PO₄ 25 내지 50 중량%로 포함된다. 상술한 범위를 만족하면, 과식각되지 않고 적정량으로 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막이 식각된다.

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 HNO₃은 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막의 산화제이다.

조성물 총 중량에 대하여, 상기 HNO₃ 0.1 내지 7 중량%로 포함된다. 상술한 범위를 만족하면, 과식각되지 않고 적정량으로 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막이 식각된다.

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 CH₃COOH은 반응속도를 조절하는 완충 제이다. 조성물 총 중량에 대하여, 상기 CH₃COOH은 10 내지 50 중량%로 포함된다. 상술한 범위로 포함되면, 반응속도를 적절히 조절하여 식각능력을 향상시킬 수 있다.

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 고리형 아민 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 5 중량%로 포함된다. 상술한 범위를 만족하면, 구리를 포함하는 금속막에 대한 식각을 조절하고, 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막의 전지반응을 억제한다.

상기 고리형 아민 화합물은 아미노테트라졸, 벤조트리아졸, 이미다졸, 인돌, 퓨린, 피라졸, 피리딘, 피리미딘, 피롤, 피롤리딘 및 피롤린으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 상기 고리형 아민화합물은 상술한 물질 이외에 수용성 헤테로 시클릭 아민 화합물 (heterocyclic amine compound) 계열이면 적용가능하다.

본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 탈이온수를 의미하며 반도체 공정용을 사용하며, 바람직하게는 18㏁/㎝ 이상의 물을 사용한다. 조성물 총 중량에 대하여, 상기 물은 본 발명의 식각액 조성물의 총 중량이 100중량%가 되도록 잔량 포함된다.

본 발명의 식각액 조성물은 상기에 언급된 성분들 외에 식각조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제 및 pH 조절제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다.

본 발명에서 구리를 포함하는 금속막은 구리막 또는 구리합금막을 의미하고, 몰리브덴을 포함하는 금속막은 몰리브덴막 또는 몰리브덴합금막을 의미한다. 상기 구리를 포함하는 금속막 및/또는 몰리브덴을 포함하는 금속막은 평판표시장치 또는 반도체 장치의 구성요소인 게이트 전극 또는 소스/드레인 전극일 수도 있다. 본 발명의 식각액 조성물은 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막으로 이루어진 이중막 또는 다중막에 보다 효과적이다.

이하에서, 실시예 및 시험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 하기의 실시예 및 시험예에 의하여 한정되는 것은 아니다.

실시예1 내지 실시예5, 비교예1 내지 비교예3: 식각액 조성물의 제조

하기 표 1에 기재된 성분 및 조성비에 따라 식각액 조성물이 180kg이 되도록 제조하였다.

	인산(중량%)	질산(중량%)	초산(중량%)	BTA(중량%)	탈이온수(중량%)
실시예1	45	3	35	0.5	잔량
실시예2	40	3	35	0.5	잔량
실시예3	35	3	40	0.5	잔량
실시예4	30	3	45	0.5	잔량
실시예5	25	3	50	0.5	잔량
비교예1	60	3	10	0.5	잔량
비교예2	40	11	35	0.5	잔량
비교예3	40	3	35	7	잔량

BTA: 벤조트리아졸

시험예: 식각액 조성물의 특성 평가

<식각특성평가>

글래스 위에 구리/몰리브데늄층이 증착되어 있고 일정한 형태의 모양으로 포토레지스트가 패터닝된 기판을 준비하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비(K,C Tech사 제조, 모델명:ETCHER(TFT)) 내에 실시예1 내지 실시예5, 비교예1 내지 비교예3의 식각액 조성물을 넣고 온도를 40℃로 설정하여 가온한 후, 온도가 40±0.1℃에 도달하면 식각공정을 수행하였다. 총 식각시간(Total Etch Time)을 EPD를 기준으로 하여 30%를 주어 실시하였다. 유리를 넣고 분사를 시작하여 식각이 다 되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍(熱風)건조장치를 이용하여 건조하고, 포토레지스트(PR) 박리기(stripper)를 이용하여 포토레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경(SEM; HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 식각 프로파일을 평가하였다. 그 결과를 표 2에 나타내었다.

	Etch 특성
실시예1	양호
실시예2	양호
실시예3	양호
실시예4	양호
실시예5	양호
비교예1	구리 과식각
비교예2	구리 과식각
비교예3	식각 안됨

표 2를 참조하면, 실시예1 내지 실시예5의 식각액 조성물을 구리/몰리브덴 이중막 기판에 적용하면 양호한 식각프로파일을 얻을 수 있었다. 또한 과산화수소계 식각액에서 일어나는 메탈에 의한 과산화수소의 분해반응과는 달리 매우 안정한 상태를 보였다. 반면에 비교예1 내지 비교예3의 식각액 조성물을 구리/몰리브덴 이중막 기판에 적용하면 구리가 과식각되거나, 아예 식각되지 않았다.

Claims

조성물 총 중량에 대하여,

H₃PO₄ 25 내지 50 중량%;

HNO₃ 0.1 내지 7 중량%;

CH₃COOH 10 내지 50 중량%;

고리형 아민 화합물 0.1 내지 5 중량%;및

물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
청구항 1에 있어서,

상기 고리형 아민 화합물은 아미노테트라졸, 벤조트리아졸, 이미다졸, 인돌, 퓨린, 피라졸, 피리딘, 피리미딘, 피롤, 피롤리딘 및 피롤린으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
청구항 1에 있어서,

식각조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제 및 pH 조절제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
청구항 1에 있어서,

상기 식각액 조성물은 구리를 포함하는 금속막과 몰리브덴을 포함하는 금속막으로 이루어진 이중막 또는 다중막용인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.