CN100510187C - 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法 - Google Patents
蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100510187C CN100510187C CNB200510114837XA CN200510114837A CN100510187C CN 100510187 C CN100510187 C CN 100510187C CN B200510114837X A CNB200510114837X A CN B200510114837XA CN 200510114837 A CN200510114837 A CN 200510114837A CN 100510187 C CN100510187 C CN 100510187C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- weight ratio
- layer
- composition
- molybdenum
- hpo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Abstract
本发明公开了一种用于蚀刻金属层的组合物，该组合物包括：重量比为大约55%到大约80%的磷酸；重量比为大约3%到大约15%的硝酸；重量比为大约5%到大约20%的乙酸；重量比为大约0.5%到大约10%的磷酸盐；重量比为大约0.1%到大约5%的含氯化合物；重量比为大约0.01%到大约4%的偶氮化合物；以及水。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于蚀刻金属层的组合物，尤其涉及一种用于蚀刻金属层的组合物以及形成用于液晶显示器件的金属图案的方法。
背景技术
蚀刻工序是在基板上形成精细图案的步骤。通过蚀刻工序形成具有与通过显影获得的光刻胶(PR)图案形状相同的图案，例如金属线。蚀刻工序分类为湿蚀刻类型和干蚀刻类型。在湿蚀刻工序中，经由PR图案暴露的层与包括酸材料的组合物相互作用并且被其腐蚀以形成图案。在干蚀刻工序中，经由PR图案暴露的金属层被等离子体状态的离子去除以形成图案。干蚀刻工序比湿蚀刻工序更易于控制，并且通过干蚀刻工序获得的图案与通过湿蚀刻工序获得的图案相比，具有各向异性剖面(profile)。然而，用于干蚀刻工序的装置比较昂贵并且不容易应用于大尺寸基板。而且，由于干蚀刻工序的蚀刻速率很低，降低了干蚀刻工序的生产能力。另一方面，通过湿蚀刻工序处理更多基板并且大尺寸基板更易于采用湿蚀刻工序。另外，用于湿蚀刻工序的装置比较便宜并且由于湿蚀刻工序的蚀刻速率高而使湿蚀刻工序具有较大的生产能力。然而，湿蚀刻工序需要大量的蚀刻剂和去离子(DI)水，从而产生大量的废弃溶液。
通常，由于干蚀刻工序需要附加的等离子体灰化工序以去除固化的PR图案，形成图案的时间增加并且产量降低。因此，尤其在形成金属图案时，湿蚀刻工序得到了广泛应用。此外，根据用于形成精细金属图案的金属层的种类，可以使用各种各样的蚀刻剂。例如，申请号为2000-0047933的韩国专利申请以及专利号为No.4895617的美国专利公开一种用于蚀刻铝(Al)层的包括磷酸、硝酸、乙酸、表面活性剂和水的蚀刻剂。申请号为2000-0047933的韩国专利申请公开一种用于蚀刻钕化铝(AlNd)层的包括磷酸、硝酸、乙酸、水和氟碳表面活性剂的蚀刻剂。此外，申请号为2001-0030192的韩国专利申请公开一种用于蚀刻铝(Al)层和氧化铟锡(IT0)层的包括草酸、盐酸、磷酸、硝酸以及用于将蚀刻剂的PH值调整在3到4.5范围内的酸的蚀刻剂。申请号为2001-0065327的韩国专利申请公开一种用于蚀刻银(Ag)层和银(Ag)合金层的包括磷酸、硝酸、乙酸和氧硫化钾的蚀刻剂，并且申请号为2002-0010284的韩国专利申请公开一种用于蚀刻氧化铟锡(ITO)的包括盐酸、乙酸、阻断剂(blocker)和水的蚀刻剂。而且，申请号为2001-0018354的韩国专利申请公开一种用于蚀刻钼(Mo)层和钨化钼(MoW)层的包括磷酸、硝酸、乙酸、氧化控制剂和水的蚀刻剂。
随着薄膜晶体管-液晶显示(TFT-LCD)器件的不断扩大，TFT-LCD器件中传输信号的金属线也延长。因此，金属线的阻抗增加并且该阻抗的增加产生信号延迟。为了防止信号延迟，提出了一种多金属层，并且研究了一种用于同时蚀刻多层的蚀刻剂以提高装置和工序的效率。例如，申请号为2000-0002886和2001-0072758的韩国专利申请公开一种用于蚀刻钼/铝(Mo/Al)层、钼/钕化铝(Mo/AlNd)层以及钨化钼/钕化铝(MoW/AlNd)层的包括磷酸、硝酸、乙酸和氧化控制剂的蚀刻剂。此外，申请号为2000-0013867的韩国专利申请公开一种用于蚀刻铝/铝/钼(Mo/Al/Mo)层和钼/钕化铝/钼(Mo/AlNd/Mo)层的包括磷酸、硝酸、乙酸和氧化控制剂的蚀刻剂，并且申请号为2002-0017093的韩国专利申请公开一种用于蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)层、钨化钼/钕化铝(MoW/AlNd)层、钼/钕化铝/钼(Mo/AlNd/Mo)层、钨化钼/钕化铝/钨化钼(MoW/AlNd/MoW)层、钼(Mo)层和钨化钼(MoW)层的包括磷酸、硝酸、乙酸、钼蚀刻抑制剂(铵盐)和水的蚀刻剂。
然而，当LCD器件的栅线、数据线和像素电极具有多金属层时，使用现有技术的蚀刻剂很难获得良好的剖面。为了获得良好的剖面，重复执行干蚀刻工序和湿蚀刻工序。干蚀刻工序和湿蚀刻工序的重复执行会使产量降低并且增加生产成本。
发明内容
因此，本发明涉及一种用于蚀刻多金属层的组合物，其基本上克服了因现有技术的局限和缺点带来的一个或多个问题。
本发明的优点在于提供一种蚀刻多金属层以形成具有良好剖面的多金属图案的组合物。
本发明的另一优点在于提供一种能够蚀刻用于形成栅线的钼/钕化铝(Mo/AlNd)层、用于形成数据线的钼(Mo)层和用于形成像素电极的氧化铟锡(ITO)层的组合物。
本发明的再一优点在于提供一种使用用于蚀刻多金属层的组合物形成具有良好剖面的金属图案的方法。
本发明的又一优点在于提供一种采用湿蚀刻工序而不需要干蚀刻工序的形成多金属图案的方法。
本发明的另一优点在于提供一种使用具有相对低的表面张力的组合物形成均匀的金属图案的方法。
本发明的附加优点和特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使它们对于本领域普通技术人员在某种程度上显而易见，或者可通过实践本发明来认识它们。本发明的这些和其他优点可通过书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现这些和其它优点，按照本发明的目的，作为具体和广义的描述，一种用于蚀刻金属层的组合物包括：重量比为大约55％到大约80％的磷酸；重量比为大约3％到大约15％的硝酸；重量比为大约5％到大约20％的乙酸；重量比为大约0.5％到大约10％的磷酸盐；重量比为大约0.1％到大约5％的含氯化合物；重量比为大约0.01％到大约4％的偶氮化合物；以及水。
按照本发明的另一方面，一种制造液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：在基板上形成栅线和连接到该栅线的栅极；在栅线和栅极上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上对应于栅极处形成半导体层；在栅绝缘层上形成数据线，并且在半导体层上形成源极和漏极；在数据线和源极以及漏极上形成钝化层，该钝化层具有暴露漏极的接触孔；以及在钝化层上形成像素电极，该像素电极通过漏极接触孔连接到漏极，其中所述栅线、数据线和像素电极的至少其中之一采用用于蚀刻金属层的组合物形成，该组合物包括：重量比为大约55％到大约80％的磷酸；重量比为大约3％到大约15％的硝酸；重量比为大约5％到大约20％的乙酸；重量比为大约0.5％到大约10％的磷酸盐；重量比为大约0.1％到大约5％的含氯化合物；重量比为大约0.01％到大约4％的偶氮化合物；以及水。
按照另一方面，一种形成金属图案的方法，包括：在绝缘层上形成金属层；在金属层上形成光刻胶图案；以及通过用于蚀刻金属层的组合物蚀刻该金属层，该组合物包括：重量比为大约55％到大约80％的磷酸；重量比为大约3％到大约15％的硝酸；重量比为大约5％到大约20％的乙酸；重量比为大约0.5％到大约10％的磷酸盐；重量比为大约0.1％到大约5％的含氯化合物；重量比为大约0.01％到大约4％的偶氮化合物；以及水。
应该理解，上面的概括性描述和下面的详细描述都是示意性和解释性的，意欲对本发明的权利要求提供进一步的解释。
附图说明
本申请所包含的附图用于进一步理解本发明，其与说明书结合并构成说明书的一部分，所述附图表示本发明的实施方式并与说明书一起解释本发明的原理。
在附图中：
图1示出了通过采用按照本发明的示例性组合物蚀刻氧化铟锡(ITO)层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图；
图2示出了通过采用按照本发明的示例性组合物蚀刻钼(Mo)单层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图；
图3示出了通过采用按照本发明的示例性组合物蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图；
图4示出了通过采用比较组合物1蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图；
图5示出了通过采用比较组合物2蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图；
图6示出了通过采用比较组合物3蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图；
图7示出了通过采用比较组合物4蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图；
图8示出了通过采用比较组合物5蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图；以及
图9示出了通过采用比较组合物6蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图。
具体实施方式
下面将详细说明本发明的实施方式，其实施例示于附图中。尽可能的，在附图中使用相似的附图标记表示相同或者相似的部分。
按照本发明用于蚀刻多金属层的示例性组合物可以用于形成用于诸如液晶显示(LCD)器件、等离子体显示面板(PDP)器件、电致发光显示(ELD)器件和场发射显示(FED)器件等显示器件的多金属图案。下面将以LCD器件为例进行说明。
按照本发明的用于蚀刻金属层的示例性组合物包括：重量比为大约55％到大约80％的磷酸(H3PO4)、重量比为大约3％到大约15％的硝酸(HNO3)、重量比为大约5％到大约20％的乙酸(CH3COOH)、重量比为大约0.5％到大约10％的磷酸盐、重量比为大约0.1％到大约5％的含氯化合物、重量比为大约0.01％到大约4％的偶氮(azolic)化合物以及水。在本发明中，诸如磷酸、硝酸、乙酸和水的材料可以具有适于半导体制造工序的纯度，或者可以通过净化步骤之后使用诸如磷酸、硝酸、乙酸和水等材料。
按照本发明的用于蚀刻金属图案的示例性组合物可以包括按重量比为大约55％到大约80％并且优选地为重量比为大约65％到大约75％的磷酸(H3PO4)。该磷酸(H3PO4)溶解由硝酸(HNO3)和铝(Al)反应生成的氧化铝(AL2O3)。因此，增加了蚀刻速率并且提高了生产能力。
按照本发明用于蚀刻金属图案的示例性组合物可以包括按重量比为大约3％到大约15％并且优选地为重量比为大约5％到大约10％的硝酸(HNO3)。该硝酸(HNO3)与铝发生反应以产生氧化铝(AL2O3)。例如，当按照本发明的组合物用于蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层时，通过重量比在大约3％到大约15％范围内的硝酸(HNO3)有效调整钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层和其他层之间的蚀刻比。当组合物包括重量比小于3％的硝酸(HNO3)时，会产生底切，其中下层的钕化铝(AlNd)层比上层的钼(Mo)层蚀刻得更多。
按照本发明用于蚀刻金属图案的示例性组合物可以包括按重量比为大约5％到大约20％并且优选地重量比为大约8％到大约15％的乙酸(CH3COOH)。该乙酸(CH3COOH)用作最佳地调节反应速度的缓冲剂。因此，增加了蚀刻速率并且提高了生产能力。
按照本发明用于蚀刻金属图案的示例性组合物可以包括按重量比为大约0.5％到大约10％并且优选地为重量比为大约1％到大约5％的磷酸盐。该磷酸盐调节钼(Mo)的蚀刻速率并且溶解由硝酸(HNO3)和铝(Al)反应产生的氧化铝(AL2O3)。例如，当按照本发明的组合物用于蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层时，防止了其中下层的钕化铝(AlNd)层比上层的钼(Mo)层蚀刻得更多的底切产生。此外，即使按照本发明的组合物用于蚀刻钼(Mo)单层时，也可以形成具有良好剖面的金属图案。例如，磷酸盐可以包括NaH2PO4、Na2HPO4、Na3PO4、NH4H2PO4、(NH4)2HPO4、(NH4)3PO4、KH2PO4、K2HPO4、K3PO4、Ca(H2PO4)2、Ca2HPO4和Ca3PO4其中之一，优选地为NH4H2PO4和KH2PO4。
按照本发明用于蚀刻金属图案的示例性组合物可以包括按重量比为大约0.1％到大约5％并且优选地为重量比为大约0.5％到大约2％的含氯化合物。该含氯化合物调节氧化铟锡(ITO)和钼(Mo)的蚀刻速率。此外，含氯化合物调节钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层和其他层之间的蚀刻比。例如，当按照本发明的组合物用于蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层时，通过其重量比在大约0.1％到大约5％范围内的含氯化合物可以有效调节钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层和其他层之间的蚀刻比，以防止产生其中下层的钕化铝(AlNd)层比上层的钼(Mo)层蚀刻得更多的底切。此外，即使按照本发明的组合物用于蚀刻钼(Mo)单层和氧化铟锡(ITO)单层时，也可以通过适当地调节蚀刻速率而形成具有良好剖面的金属图案。例如，含氯化合物可以包括HCl、NH4Cl、KCl和FeCl3其中之一，优选地为NH4Cl和KCl其中之一。
按照本发明用于蚀刻金属图案的示例性组合物可以包括按重量比为大约0.01％到大约4％并且优选地为重量比为大约0.05％到大约1％的偶氮化合物。该偶氮化合物调节钼(Mo)和钕化铝(AlNd)的蚀刻速率。例如，当按照本发明的组合物用于蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层时，通过其重量比在大约0.01％到大约4％范围内的偶氮化合物可以有效调节上层的钼(Mo)层和下层的钕化铝(AlNd)层的蚀刻速率。因此，可以防止产生在钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层中上层的钼(Mo)层与下层的钕化铝(AlNd)层倾角不同的台阶锥形剖面，从而在整个钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层中具有小于大约60°倾角的良好剖面。此外，由于减少了临界尺寸(CD)损失，可以提高处理容限。例如，偶氮化合物可以包括苯并三唑、氨基苯甲酸、氨基苯甲酰胺、2-氨基-5-硝基苯甲酸、1，2，3-苯并三氮-4(3H)-酮(benzazimide)、甲基苯并三唑、氨基四唑、甲氨基苯甲酸脂、苯并三唑羧酸、CobraTec98、CobraTec99以及CobraTec928，优选地为氨基四唑。
按照本发明用于蚀刻金属图案的示例性组合物可以包括水。该水溶解由硝酸(HNO3)和铝(Al)反应产生的氧化铝(AL2O3)，并且稀释该组合物。例如，该水可以包括通过离子交换树脂过滤的去离子(DI)水，优选地，该DI水具有大于大约18兆欧·厘米(MΩ·cm)的电阻率。
本发明提供一种采用用于蚀刻金属层的组合物形成液晶显示器件的金属图案的方法，以及采用用于蚀刻金属层的组合物制造液晶显示器件的方法。
液晶显示(LCD)器件包括第一基板、第二基板以及夹在第一和第二基板之间的液晶层。在第一基板上形成栅线和数据线。栅线和数据线彼此交叉以限定像素区。在第一基板的像素区形成像素电极和用作开关元件的薄膜晶体管(TFT)。像素电极由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料形成。TFT“T”连接到栅线和数据线。在第二基板上形成黑矩阵并且在黑矩阵上形成包括红、绿和蓝子滤色片的滤色片层。在滤色片层上形成公共电极。这里，至少栅线、数据线和像素电极通过采用按照本发明的组合物的湿蚀刻工序而不需附加的干蚀刻工序由诸如金属的导电材料形成。例如，栅线可以由钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层形成并且数据线可以由钼(Mo)单层形成。此外，像素电极可以由氧化铟锡(ITO)层形成。
由钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层构成的栅线通过采用按照本发明的组合物的湿蚀刻工序形成，而不会产生其中下层的钕化铝(AlNd)层比上层的钼(Mo)层蚀刻得更多的底切。而且，由钼(Mo)单层构成的数据线以及由氧化铟锡(ITO)层构成的像素电极通过采用按照本发明的组合物的湿蚀刻工序形成，以具有良好的锥形形状。因此，防止在包括栅线和像素电极的金属图案上方的后续导电层中的电路断路和在诸如数据线的金属图案与该金属图案上方的后续导电层之间的电短路产生。此外，由于由钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层构成的栅线、由钼(Mo)单层构成的数据线以及由氧化铟锡(ITO)层构成的像素电极采用按照本发明的相同的组合物形成，可以简化制造工序、提高装置效率并且降低生产成本。而且，由于按照本发明的组合物的表面张力降低，可以很好地扩散该组合物并且提高了大尺寸基板中的蚀刻均匀性。
采用按照本发明的示例性组合物以及六种比较组合物形成金属图案，并且下面解释这些组合物以及诸如横截剖面的结果。
按照本发明的示例性组合物包括按重量比为：大约65％的磷酸(H3PO4)、大约8％的硝酸(HNO3)、大约12％的乙酸(CH3COOH)、大约2％的磷酸盐、大约1％的含氯化合物、大约0.1％的偶氮化合物以及水。此外，六种比较组合物包括按重量比为：大约50％到大约65％的磷酸(H3PO4)、大约2％到大约8％的硝酸(HNO3)、大约12％到大约25％的乙酸(CH3COOH)、大约2％的磷酸盐、大约1％的含氯化合物、大约0.1％到大约5％的偶氮(azolic)化合物以及水。
表1示出了按照本发明的组合物以及六种比较组合物。
【表1】
在基板上形成诸如钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层、钼(Mo)单层和氧化铟锡(ITO)层的金属层之后，在金属层上形成光刻胶(PR)图案。接着，采用按照本发明的示例性组合物以及六种比较组合物对该金属层构图以形成金属图案。通过喷射方法蚀刻该金属层。然后，通过扫描电子显微镜(SEM)检测该金属图案的横截剖面。
表2示出了采用示例性组合物以及六种比较组合物的蚀刻工序的结果。
如表2所示，当诸如钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层、钼(Mo)单层和氧化铟锡(ITO)层的金属层通过按照本发明的示例性组合物蚀刻时，总是能够获得具有良好剖面的金属图案。
【表2】
图1到图3示出了通过采用按照本发明的示例性组合物分别蚀刻氧化铟锡(ITO)层、钼(Mo)单层和钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图。左侧图片示出了在金属图案上具有光刻胶(PR)图案的金属图案，而右侧图片示出了去除PR图案之后没有PR图案的金属图案。
在图1中，由氧化铟锡(ITO)层形成的金属图案具有大约30°到大约60°倾角的良好剖面，并且在图2中，由钼(Mo)单层形成的金属图案具有大约45°到大约70°倾角的良好剖面。此外，由钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层形成的金属图案不具有其中下层的钕化铝(AlNd)层比上层的钼(Mo)层蚀刻得更多的底切。
图4到图9分别示出了通过采用比较组合物1到6蚀刻钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层获得的金属图案的扫描电子显微镜(SEM)图片的截面图。
如图4和图5所示，当采用不包括磷酸盐的比较组合物1和包括重量比小于大约65％的磷酸(H3PO4)的比较组合物2对钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层进行构图时，该金属图案具有底切。此外，即使图4和图5中没有示出，由钼(Mo)单层形成的金属图案具有较差的剖面。
如图6所示，当采用包括重量比小于大约3％的硝酸(HNO3)的比较组合物3对钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层进行构图时，该金属图案具有底切。此外，即使图6中没有示出，由于钼(Mo)单层的蚀刻速率高，很难获得金属图案均匀一致的临界尺寸(CD)。随机的CD会使生产管理变得困难。
而且，如图7、8和9所示，当采用包括重量比大于大约20％的乙酸(CH3COOH)的比较组合物4、不包括偶氮化合物的比较组合物5和包括重量比多于大约4％的偶氮化合物分别对钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层进行构图时，该金属图案具有底切。
因此，通过采用按照本发明的组合物对钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层进行湿蚀刻而不需干蚀刻步骤，液晶显示(LCD)器件的栅线具有良好的剖面而没有底切。同时，通过采用按照本发明的组合物分别对钼(Mo)单层和氧化铟锡(ITO)层进行蚀刻，液晶显示(LCD)器件的数据线和像素电极具有良好的剖面。由于由钼/钕化铝(Mo/AlNd)双层形成的栅线、由钼(Mo)单层形成的数据线以及由氧化铟锡(ITO)层形成的像素电极采用按照本发明的相同组合物形成，因此简化了制造工序、提高了装置效率并且降低了制造成本。此外，由于金属图案具有良好的剖面而没有诸如底切的恶化，形成在该金属图案上的后续层不会断裂。
很明显，本领域技术人员在不脱离本发明精神或范围的情况下可对本发明进行修改和变化。因此，本发明意欲覆盖落入本发明所附权利要求及其等效物限定的范围内的各种修改和变化。
Claims (12)
1、一种用于蚀刻金属层的组合物，包括：
重量比为55％到80％的磷酸；
重量比为3％到15％的硝酸；
重量比为5％到20％的乙酸；
重量比为0.5％到10％的磷酸盐；
重量比为0.1％到5％的含氯化合物；
重量比为0.01％到4％的偶氮化合物；以及
水，
其中，所述磷酸盐包括NaH2PO4、Na2HPO4、Na3PO4、NH4H2PO4、(NH4)2HPO4、(NH4)3PO4、KH2PO4、K2HPO4、K3PO4、Ca(H2PO4)2、Ca2HPO4和Ca3PO4其中之一；
所述含氯化合物包括HCl、NH4Cl、KCl和FeCl3其中之一；
所述偶氮化合物包括苯并三唑、氨基苯甲酸、氨基苯甲酰胺、2-氨基-5-硝基苯甲酸、1，2，3-苯并三氮-4(3H)-酮、甲基苯并三唑、氨基四唑、甲氨基苯甲酸脂以及苯并三唑羧酸其中之一。
2、根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述金属层包括钼/钕化铝双层。
3、根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述金属层包括钼单层。
4、根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述金属层包括氧化铟锡单层。
5、根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述水包括去离子水。
6、根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述苯并三唑包括CobraTec98、CobraTec99以及CobraTec928其中之一。
7、一种制造液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：
在基板上形成栅线和连接到栅线的栅极；
在栅线和栅极上形成栅绝缘层；
在栅绝缘层上对应于栅极处形成半导体层；
在栅绝缘层上形成数据线，并且在半导体层上形成源极和漏极；
在数据线和源极以及漏极上形成钝化层，该钝化层具有暴露漏极的接触孔；以及
在钝化层上形成像素电极，该像素电极通过漏极接触孔连接到漏极，
其中所述栅线、数据线和像素电极的至少其中之一采用用于蚀刻金属层的组合物形成，该组合物包括：重量比为55％到80％的磷酸；重量比为3％到15％的硝酸；重量比为5％到20％的乙酸；重量比为0.5％到10％的磷酸盐；重量比为0.1％到5％的含氯化合物；重量比为0.01％到4％的偶氮化合物；以及水，
其中，所述磷酸盐包括NaH2PO4、Na2HPO4、Na3PO4、NH4H2PO4、(NH4)2HPO4、(NH4)3PO4、KH2PO4、K2HPO4、K3PO4、Ca(H2PO4)2、Ca2HPO4和Ca3PO4其中之一；
所述含氯化合物包括HCl、NH4Cl、KCl和FeCl3其中之一；
所述偶氮化合物包括苯并三唑、氨基苯甲酸、氨基苯甲酰胺、2-氨基-5-硝基苯甲酸、1，2，3-苯并三氮-4(3H)-酮、甲基苯并三唑、氨基四唑、甲氨基苯甲酸脂以及苯并三唑羧酸其中之一。8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述栅线包括下层的钕化铝层和上层的钼层。
8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述数据线包括钼层。
9、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述像素电极包括氧化铟锡层。
10、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述苯并三唑包括CobraTec98、CobraTec99以及CobraTec928其中之一。
11、一种形成金属图案的方法，包括：
在绝缘层上形成金属层；
在金属层上形成光刻胶图案；以及
通过用于蚀刻金属层的组合物蚀刻该金属层，该组合物包括：重量比为55％到80％的磷酸；重量比为3％到15％的硝酸；重量比为5％到20％的乙酸；重量比为0.5％到10％的磷酸盐；重量比为0.1％到5％的含氯化合物；重量比为0.01％到4％的偶氮化合物；以及水，
其中，所述磷酸盐包括NaH2PO4、Na2HPO4、Na3PO4、NH4H2PO4、(NH4)2HPO4、(NH4)3PO4、KH2PO4、K2HPO4、K3PO4、Ca(H2PO4)2、Ca2HPO4和Ca3PO4其中之一；
所述含氯化合物包括HCl、NH4Cl、KCl和FeCl3其中之一；
所述偶氮化合物包括苯并三唑、氨基苯甲酸、氨基苯甲酰胺、2-氨基-5-硝基苯甲酸、1，2，3-苯并三氮-4(3H)-酮、甲基苯并三唑、氨基四唑、甲氨基苯甲酸脂以及苯并三唑羧酸其中之一。
(2)上述药渣与其余原料加水煎煮1-3次，每次1-3小时，合并煎液，滤过，得滤液备用；
14、根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述苯并三唑包括CobraTec98、CobraTec99以及CobraTec928其中之一。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB200510114837XA CN100510187C (zh) | 2005-11-17 | 2005-11-17 | 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB200510114837XA CN100510187C (zh) | 2005-11-17 | 2005-11-17 | 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1966772A CN1966772A (zh) | 2007-05-23 |
| CN100510187C true CN100510187C (zh) | 2009-07-08 |
Family
ID=38075742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB200510114837XA Expired - Fee Related CN100510187C (zh) | 2005-11-17 | 2005-11-17 | 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100510187C (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20110046992A (ko) * | 2009-10-29 | 2011-05-06 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 |
| KR101256276B1 (ko) * | 2010-08-25 | 2013-04-18 | 플란제 에스이 | 다중막의 식각액 조성물 및 그 식각방법 |
| CN105264669A (zh) * | 2013-06-06 | 2016-01-20 | H·C·施塔克公司 | 用于在电子装置中金属化的铜合金阻挡层和覆盖层 |
| US20170060282A1 (en) * | 2014-03-25 | 2017-03-02 | 3M Innovative Properties Company | Method of selectively etching a metal layer from a microstructure |
| CN104060267A (zh) * | 2014-07-17 | 2014-09-24 | 深圳市卓力达电子有限公司 | 一种用于金属钼片的化学蚀刻方法 |
| KR102331036B1 (ko) * | 2014-10-10 | 2021-11-26 | 삼영순화(주) | 에칭액 조성물 및 이를 이용하는 다층막의 에칭 방법 |
| KR102400258B1 (ko) * | 2017-03-28 | 2022-05-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
| JP2022502835A (ja) * | 2018-09-12 | 2022-01-11 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド | エッチング組成物 |
| CN111286334A (zh) * | 2020-03-19 | 2020-06-16 | 厦门思美科新材料有限公司 | 一种用于ITO/Ag/ITO薄膜一步刻蚀的蚀刻液 |
-
2005
- 2005-11-17 CN CNB200510114837XA patent/CN100510187C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1966772A (zh) | 2007-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100510187C (zh) | 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法 | |
| US7977128B2 (en) | Etchant for etching double-layered copper structure and method of forming array substrate having double-layered copper structures | |
| US8052889B2 (en) | Etchant composition, and methods of patterning conductive layer and manufacturing flat panel display device using the same | |
| KR101216651B1 (ko) | 에칭 조성물 | |
| KR20060042256A (ko) | 반사 전극을 포함하는 라미네이트 필름용 에칭 조성물 및라미네이트 배선 구조의 형성 방법 | |
| KR20070055259A (ko) | 구리 몰리브덴합금막의 식각용액 및 그 식각방법 | |
| CN101307444A (zh) | 蚀刻剂和利用其制造包括薄膜晶体管的电子装置的方法 | |
| CN102576170A (zh) | 制造用于液晶显示器的阵列基板的方法 | |
| KR20070000850A (ko) | 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한식각액 | |
| US20150259598A1 (en) | Etchant composition and method of forming metal wire and thin film transistor array panel using the same | |
| KR101294968B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 | |
| CN101497793A (zh) | 用于蚀刻铟锡氧化物层的蚀刻剂组合物及用其蚀刻的方法 | |
| KR100532080B1 (ko) | 비정질 인듐 틴 옥사이드 식각용액 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법 | |
| JP2007150107A (ja) | 薄膜トランジスタ液晶表示装置用エッチング組成物 | |
| KR101026983B1 (ko) | 박막트랜지스터 액정표시장치의 에칭 조성물 | |
| KR100459271B1 (ko) | 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법 | |
| KR101374535B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법 | |
| KR101284390B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| TWI292932B (en) | Composition for etching metal layer and method of forming metal pattern using the same | |
| KR101157208B1 (ko) | 금속배선막 식각 조성물 및 이를 이용한 금속배선막의 패터닝 방법 | |
| TWI666302B (zh) | 用於氧化銦層的蝕刻劑組合物，蝕刻方法，使用它們的液晶顯示器陣列基板及其製造方法 | |
| KR102068964B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR101473964B1 (ko) | 알루미늄, 몰리브덴, 인듐-틴-옥사이드를 식각하기 위한식각액 | |
| KR20080020141A (ko) | 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 그 식각방법과 이를이용한 액정표시장치용 ｔｆｔ어레이기판 제조방법 | |
| KR20090081543A (ko) | 평판표시장치의 제조방법, 및 상기 방법에 이용되는 식각액조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Free format text: FORMER OWNER: DONGJIN SEMICHEM CO., LTD. Effective date: 20140320 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140320 Address after: Seoul, South Kerean Patentee after: LG Display Co., Ltd. Address before: Seoul, South Kerean Patentee before: LG Display Co., Ltd. Patentee before: Dongjin Semichem Co., Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090708 Termination date: 20171117 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |