CN104060267A - 一种用于金属钼片的化学蚀刻方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于金属钼片的化学蚀刻方法,涉及到特殊金属的化学蚀刻工艺领域,包括有静止蚀刻步骤及动中蚀刻步骤;所述的静止蚀刻步骤采用的蚀刻液由硫酸、硝酸、水及乙二胺四乙酸二钠组成,将金属钼片静置浸泡在上述各物质搅拌均匀后制得的蚀刻液中进行化学蚀刻,金属钼片需蚀刻区域腐蚀烂穿后停止;所述的动中蚀刻步骤是在装有三氯化铁蚀刻溶液的蚀刻机上完成;将静止蚀刻步骤从金属钼片上腐蚀烂穿后脱落的钼片材用水清洗后放入蚀刻机,蚀刻机内的三氯化铁蚀刻溶液进行流动蚀刻。流动的化学蚀刻溶液对钼片产品体的精密度,公差,坡度等精密技术条件有了更进一步的修正和巩固,保证产品的高质量。

Description

一种用于金属钼片的化学蚀刻方法
技术领域
本发明涉及到特殊金属的化学蚀刻工艺领域,特殊涉及一种适用金属钼片的蚀刻方法。
背景技术
化学蚀刻是通过化学反应利用化学溶液的腐蚀作用,将不需要的金属快速溶解除掉的过程。化学蚀刻的基本流程是;将初始金属体进行常规的清洗和除油,使表面清洁,进而在其表面涂复耐酸油墨,并按照加工图纸进行曝光,而后进行显影和坚膜处理,再利用化学蚀刻溶液腐蚀暴露的金属,待腐蚀过程结束后再将表面的油墨用强碱性溶液去掉,最后用水清洗干净得到蚀刻加工工件产品。
目前已有的化学蚀刻溶液在蚀刻机上主要是针对不锈钢、铜、铜镍合金等金属微细加工的化学蚀刻溶液。由于金属钼具有高耐蚀性,耐高温性,高导电性和高耐磨性,其作为特种功能材料的使用极为广泛,但由于其高硬度难于机械加工微细结构,而且前涉及微细加工的要求正逐渐增多,为此用于金属钼的化学蚀刻的要求也日益紧迫。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能对金属钼片进行化学蚀刻加工处理的一种用于金属钼片的化学蚀刻方法。
为解决本发明所提出的技术问题,采用的技术方案为:一种用于金属钼片的化学蚀刻方法,其特征在于所述方法包括有静止蚀刻步骤及动中蚀刻步骤;
所述的静止蚀刻步骤采用的蚀刻液由硫酸、硝酸、水及乙二胺四乙酸二钠组成,各物质含量分别为:硫酸150ml~300ml/L,硝酸150ml/L~250ml/L,水500ml~650ml/L,乙二胺四乙酸二钠0.1 g~0.8g/L;所述的硫酸的浓度为98%,硝酸的浓度66%;将金属钼片静置浸泡在上述各物质搅拌均匀后制得的蚀刻液中进行化学蚀刻,金属钼片需蚀刻区域腐蚀烂穿后停止;
所述的动中蚀刻步骤是在装有三氯化铁蚀刻溶液的蚀刻机上完成,三氯化铁浓度在35%~40%,比重1.40~1.50,温度48~54℃,酸度0.1~1.0N;将静止蚀刻步骤从金属钼片上腐蚀烂穿后脱落的钼片材用水清洗后放入蚀刻机,蚀刻机内的三氯化铁蚀刻溶液进行流动蚀刻。
所述的静止蚀刻步骤采用的蚀刻液温度控制在30℃~55℃。
本发明的有益效果为:本发明方法采用先在由硫酸、硝酸、水及乙二胺四乙酸二钠组成蚀刻液中进行静止蚀刻,金属钼片需蚀刻区域被快速腐蚀烂穿后,清洗后放入三氯化铁蚀刻溶液的蚀刻机,蚀刻机内的三氯化铁蚀刻溶液进行动中蚀刻,流动的化学蚀刻溶液对钼片产品体的精密度,公差,坡度等精密技术条件有了更进一步的修正和巩固,保证产品的高质量。本发明的方法可以广泛应用于电子工业,光学仪表工业,石化工业,制药设备工业,核工业,半导体加工业,燃料电池和军事装备等的重要元器件和结构件的金属钼片化学蚀刻加工过程中。
具体实施方式
以下以本发明具体的案例对本发明方法作进一步说明。
本发明包括有两个步骤,步骤一为静止蚀刻步骤,步骤二为动中蚀刻步骤:
步骤一:静止蚀刻液由硫酸、硝酸、水及乙二胺四乙酸二组成,它们的体积此范围为硫酸150ml/L~300ml/L,硝酸150ml/L~250ml/L,水500ml/L~650ml/L, 乙二胺四乙酸二钠0.1 g~0.8g/L;所述的硫酸浓度为98%,硝酸的浓度为66%。步骤一蚀刻时温度在30℃~50℃之间,具有腐蚀速度快,侧蚀小,溶液使用时间长和加工成本低等优点。在静止溶液中也可实现钼的快速蚀刻。加入乙二胺四乙酸二钠的目的是为了使蚀刻液稳定和延长使用寿命。
步骤二:将经步骤一从金属钼片上腐蚀烂穿后脱落的钼片材用水清洗后放入蚀刻机,蚀刻机中的蚀刻溶液是三氯化铁溶液;浓度在35%~40%;比重1.40~1.50,温度48℃~54℃,酸度0.1~1.0N。本步骤每天日常生产的蚀刻机不用更换化学蚀刻溶液,且本步骤流动的化学蚀刻溶液对钼片产品体的精密度,公差,坡度等精密技术条件有了更进一步的修正和巩固,保证产品的高质量。选择用三氯化铁作为蚀刻液原因是三氯化铁和盐酸在蚀刻机里作为蚀刻液后续再蚀刻用。因为蚀刻机里蚀刻溶液是流动,搅拌的液体,低压喷淋的压力在0.20~0.35MPa,对金属钼片产品体的精密度,公差,坡度等高精密技术有了更进一步的修正和巩固,保证产品的高质量。
具体实施案例步骤为:将300ml的硫酸(98%的溶液,密度1.84),倒入1200ml水里,再倒入500ml硝酸(66%的溶液,密度1.40),再加入1g乙二胺四乙酸二钠缓缓搅拌均匀,将所得的蚀刻溶液按现有的蚀刻工艺对金属钼片或金属钼板静置浸泡在该溶液中,进行化学蚀刻。蚀刻温度控制在30~50℃之间,操作时将0.2mm~0.3mm的金属钼片和金属钼板放入蚀刻溶液后,大约10分钟后腐蚀烂穿,该溶液的使用寿命可以达到每升溶解80克钼。
上述蚀刻过后的0.2mm~0.3mm钼片或钼板,用水清洗上面的蚀刻溶液。小心拿到装有三氯化铁蚀刻溶液的蚀刻机上的蚀刻;三氯化铁浓度在35%~40%,比重1.40~1.50,温度48~54℃,酸度0.1~1.0N。蚀刻机上三氯化铁溶液蚀刻是动中蚀刻;流动的化学蚀刻溶液对钼片产品体的精密度,公差,坡度等精密技术条件有了更进一步的修正和巩固,保证产品的高质量。

Claims (2)

1.一种用于金属钼片的化学蚀刻方法,其特征在于所述方法包括有静止蚀刻步骤及动中蚀刻步骤; 所述的静止蚀刻步骤采用的蚀刻液由硫酸、硝酸、水及乙二胺四乙酸二钠组成,各物质含量分别为:硫酸150ml~300ml/L,硝酸150ml/L~250ml/L,水500ml~650ml/L,乙二胺四乙酸二钠0.1 g~0.8g/L;所述的硫酸的浓度为98%,硝酸的浓度66%;将金属钼片静置浸泡在上述各物质搅拌均匀后制得的蚀刻液中进行化学蚀刻,金属钼片需蚀刻区域腐蚀烂穿后停止; 所述的动中蚀刻步骤是在装有三氯化铁蚀刻溶液的蚀刻机上完成,三氯化铁浓度在35%~40%,比重1.40~1.50,温度48~54℃,酸度0.1~1.0N;将静止蚀刻步骤从金属钼片上腐蚀烂穿后脱落的钼片材用水清洗后放入蚀刻机,蚀刻机内的三氯化铁蚀刻溶液进行流动蚀刻。
2.根据权利要求1所述的一种用于金属钼片的化学蚀刻方法,其特征在于:所述的静止蚀刻步骤采用的蚀刻液温度控制在30℃~55℃。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111876781A (zh) * 2020-06-22 2020-11-03 成都虹波实业股份有限公司 一种厚钼板的蚀刻液及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1501176A (zh) * 2002-11-15 2004-06-02 Necһ��������ʽ���� 用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法及系统
CN1743509A (zh) * 2005-09-21 2006-03-08 中国海洋大学 用于钼的化学蚀刻溶液
CN1891862A (zh) * 2005-06-28 2007-01-10 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于去除导电材料的组合物及使用其制造阵列基板的方法
CN1966772A (zh) * 2005-11-17 2007-05-23 Lg.菲利浦Lcd株式会社 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法
CN101225520A (zh) * 2008-01-29 2008-07-23 电子科技大学 一种印制电路蚀刻液
CN102597163A (zh) * 2009-11-03 2012-07-18 东友Fine-Chem股份有限公司 蚀刻液组成物
CN102618872A (zh) * 2011-01-25 2012-08-01 关东化学株式会社 以铜为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物
CN103572292A (zh) * 2012-07-24 2014-02-12 攀时欧洲公司 蚀刻剂组合物以及用于蚀刻多层金属膜的方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1501176A (zh) * 2002-11-15 2004-06-02 Necһ��������ʽ���� 用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法及系统
CN1891862A (zh) * 2005-06-28 2007-01-10 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于去除导电材料的组合物及使用其制造阵列基板的方法
CN1743509A (zh) * 2005-09-21 2006-03-08 中国海洋大学 用于钼的化学蚀刻溶液
CN1966772A (zh) * 2005-11-17 2007-05-23 Lg.菲利浦Lcd株式会社 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法
CN101225520A (zh) * 2008-01-29 2008-07-23 电子科技大学 一种印制电路蚀刻液
CN102597163A (zh) * 2009-11-03 2012-07-18 东友Fine-Chem股份有限公司 蚀刻液组成物
CN102618872A (zh) * 2011-01-25 2012-08-01 关东化学株式会社 以铜为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物
CN103572292A (zh) * 2012-07-24 2014-02-12 攀时欧洲公司 蚀刻剂组合物以及用于蚀刻多层金属膜的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111876781A (zh) * 2020-06-22 2020-11-03 成都虹波实业股份有限公司 一种厚钼板的蚀刻液及其制备方法

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