JP4074018B2 - 薄膜のパターニング方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェットエッチングによる薄膜のパターニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、アクティブマトリクス型表示装置のアレイ基板は、ガラス等の透明絶縁基板上に複数本の信号線とゲート配線とが格子状に配置され、各交点付近の活性層に非晶質シリコン(a−Si:H)等の半導体膜を用いた薄膜トランジスタ(TFT)が接続されて構成されている。
【0003】
また、近年では、駆動回路を同一基板上に一体的に形成することが検討され、活性層として非晶質シリコンよりも高移動度が確保できる多晶質シリコン(p−Si)等を用いる試みが成されている。
【0004】
これらTFTは、ゲート配線上にゲート絶縁膜を設け、その上に半導体膜、ソース・ドレイン電極を設けた逆スタガ型TFTが採用されることが多い。
ところで、TFTを作成するにあたり、各種薄膜のパターニング方法には、ウェットエッチングとドライエッチングによる方法がある。このうちウェットエッチングは装置が簡便で、単位時間あたりの処理能力が大きく、大面積にわたり均一なエッチングが見込まれるというメリットがあることなどから表示装置に多用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、逆スタガ型TFTのゲート配線を形成する場合、ゲート配線の端面をテーパー状に加工することが重要になる。端面がテーパー状になっていないと、このゲート絶縁膜の被覆形状が悪くなり、この部分で絶縁不良を起こしやすくなるためである。
【0006】
上記した技術課題を解決するために、特開平4−372934号公報および特開平9−064366号公報には、ゲート配線をAl膜とMo膜の積層構造にして、リン酸・酢酸・硝酸・水の混酸でエッチングを行い、エッチングレートの差を利用してテーパー状に形成する技術が開示される。
【0007】
つまり、積層膜を構成する各膜のエッチングレートの差を利用してゲート配線をテーパー状に加工することにより、比較的容易にゲート絶縁膜の絶縁不良を防止することができる。さらに、液浸漬によるウェットエッチングを行うことで、液粘度に左右されることなく液を十分に浸透させることができ、良好なテーパー加工が可能となる。
【0008】
しかしながら、上記のような製造方法において、液の粘度が高い場合には、基板が液面下に入る際に液中に侵入した空気からなる微少な気泡や、液と導電性薄膜との反応によって生成したガスからなる微少な気泡が、基板のパターン上から除去されずに残存する場合がある。この部分には液が侵入できないため、第1および第2導電性薄膜はエッチングされずに残り、特に高密度化を実現するためゲート配線間距離が短い部分では短絡を生じ、製品歩留を著しく低下させる恐れが生じることがわかった。
【0009】
そこで本発明では、上記技術問題に鑑み、ウェットエッチングにおける液の選定の自由度が高い薄膜のパターニング方法を提供することを目的としている。また、この発明の別の目的は、大面積にわたり均一にエッチングできる薄膜のパターン形成方法を提供することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、基板上に堆積された薄膜を前記薄膜上に配されるパターン層に基づいて所定形状にパターニングする薄膜パターニング方法において、エッチング液を希釈した希釈液を前記基板に噴射する希釈液散布工程と、前記希釈液散布工程に続き、前記基板を前記エッチング液の噴射する中を通過させた後、前記基板を前記エッチング液に浸漬し、前記薄膜を前記パターン層に基づいてエッチング除去する第1工程と、前記基板の前記薄膜に前記エッチング液を散布し、前記基板を洗浄する第2工程と、前記基板を前記エッチング液に浸漬し、前記薄膜を前記パターン層に基づいてエッチング除去する第3工程と、を備えたことを特徴とする薄膜パターニング方法にある。
【0011】
この発明によれば、第1工程により生じる基板上の微少な気泡は第2工程によって十分に除去され、しかる後に第3工程により十分なエッチング処理が施されるため、液の粘度に左右されることなく薄膜のエッチング残りによる短絡が発生することなくパターン形成を行うことができる。
【0012】
ところで、液浸漬によるエッチングと液散布による洗浄を併用する際、それぞれを一回のみ行うという方法が考えられるが、浸漬のあと散布という順序の場合には基板上の微少な気泡は除去されるが、その部分はエッチング不足となり、逆の順序の場合には、微少な気泡が残存するため、これらの方法では、配線間の短絡を生じるおそれや、ゲート配線がテーパー状に形成されない恐れがある。しかしながら、本発明の場合には、上述した方法によるため、エッチング不足やエッチング残りが生ずることはない。
【0013】
上述した散布される第2工程のエッチング液は、薄膜に対してのエッチング能を有するものであり、これにより第3工程のエッチング液の浸透を阻害することがなく、より良好なパターニングが可能となる。
【0014】
この場合、特に第1工程および第3工程のそれぞれのエッチング時間を第2工程より長い時間とする、即ち、液浸漬によるウェットエッチングを主とすることで、液の粘度が高い場合、例えば24±5[×10-2P]以上の場合にも、極めて良好なパターニングが可能となる。
【0015】
この発明の方法を薄膜トランジスタのゲート配線を形成する場合、例えば薄膜を第1乃至第2の導電性薄膜を含む構成とし、それぞれの薄膜のエッチングレートが異なる構成とすることにより、より容易にゲート配線をテーパー状に加工することが可能になる。
以下、発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例についてTFTが用いられたアクティブマトリクス型表示装置用アレイ基板を例にとり、図面を参照して説明する。
この実施例のアクティブマトリクス型表示装置用アレイ基板は、図1(e)に示されるように、ガラス等の透明絶縁基板101上にほぼ平行に等間隔に配置された信号線512と、それにほぼ直交し信号線512と絶縁膜508で電気的に絶縁されたゲート配線線405と、それらの交点付近に配置されるスイッチ素子として逆スタガ構造のTFTを介してITO(Indium Tin Oxide)膜から成る画素電極510がマトリクス状に配置されている。
【0017】
ゲート配線405は、透明絶縁基板101上に少なくとも2種類の導電性薄膜が積層されて形成されている。下層の第1導電性薄膜302は、Ndを2%含有するAl合金(以下、Al−Nd合金と略称)からなり、また、上層の第2導電性薄膜303は、Moからなる。このゲート配線405上には、SiOまたはSiNx等からなるゲート絶縁膜508を介して、a−Si: H薄膜等からなる半導体膜509が形成されている。
【0018】
さらにこのa−Si:H膜の上部には、SiNx等からなるチャネル保護膜513が形成され、このチャネル保護膜513の両側には、不純物としてリンを含むn+型a−Si:H等の低抵抗半導体からなるコンタクト層514が形成され、前記半導体膜509と電気的に接続されている。このコンタクト層514の上には、ソース電極511およびドレイン電極512、ドレイン電極512に電気的に接続された信号線(図示せず)が形成されている。
【0019】
さらに、上記ソース電極511、ドレイン電極512、半導体膜509上には、SiNx膜等からなる保護絶縁膜515が形成されている。
また、液晶表示装置の場合には、ソース電極511と電気的に接続されたITO等からなる画素電極510が形成されている。
【0020】
ところで、この実施例のアクティブマトリクス型表示装置用アレイ基板は、次のように形成される。以下、図1の製造工程に沿って説明する。
まず、図1(a)に示すように、550mm×650mm□のガラスから成る透明絶縁基板101上にAl−Nd合金を膜厚300nmに、Al−Nd合金よりも後述の薬液に対してエッチングレートの大きいMoを膜厚50nmになるようにそれぞれスパッタ成膜により積層し、Al−Nd合金膜とMo膜とを形成する。第1導電性薄膜102であるAl−Nd合金膜は、ゲート配線の低抵抗化が達成できるように300nmの膜厚で構成されている。また、第2導電性薄膜103であるMo膜は、ゲート配線をテーパー状に形成するためには少なくとも20nmより大きい膜厚であることが望ましいが、本発明者らの実験により、50nmの膜厚で所望のテーパー角を十分満たすことが確認されている。
【0021】
この後、図1(b)に示すように、フォトレジストを塗布し、所望の形状に露光し現像してレジストパターン204を形成する。
そして、図2に示すエッチング装置を用いてエッチングする。このエッチング装置は、液の入る水槽725の中に、基板を移動させるためのローラー729と、液が基板全体にわたり略均一に散布されるよう配置される複数のシャワーノズル726を備えている。そして液の散布及び浸漬中、まんべんなく液を行き渡らせるために、ローラー729は回転方向の反転を繰りかえし、エッチング中に基板を小刻みに往復運動するよう構成されている。
【0022】
そして、本実施例で用いられる装置は、互いに連結された、エッチングのための液を純水で希釈した液を散布する槽600、2つのエッチング槽700,800を備えている。エッチングのための液を純水で希釈した液を散布する槽600は、混酸との反応によって生ずるMoの反応生成物が基板表面に堆積して、後工程でのエッチングに支障をきたすのを抑制するための前処理に用いるものである。第1エッチング槽700にはエッチング終了を検知するためのEPM(End Point Monitor )が設けられ、これにより浸漬によるジャストエッチングを可能にする。第2エッチング槽800は、残留した不所望な膜の除去、そしてテーパー形状を実現するため更にエッチングを行うものである。このように2つのエッチング槽を用いるインライン処理により、生産性が向上される。
【0023】
ここで、液としては、リン酸、硝酸、酢酸、水の混酸液を、40℃に加温されたものを用いた。尚、この液の粘度は、24±5[×10-2P](40℃)であった。
【0024】
フォトレジスト204をマスクとして、図1(c)に示すようにAl−Nd合金膜302とMo膜303の2層を一括してウェットエッチングする。
まず、上記した基板を、基板挿入口621からエッチングのための液を純水で50%の濃度に希釈した液を散布する槽600に投入し、前記希釈液と同じ組成の液を噴射する入り口シャワー631を通過させる。この入り口シャワー631のノズルは基板幅より大きな幅の液噴射口を有しており、この入り口シャワー631に基板を通過させることにより、前記希釈液を均一に基板全面に行き渡らせることが可能になる。この基板は、入り口シャッター622を通過してローラー628上を進み、内部槽623に基板が完全に入ったところで停止する。この後、シャワーノズル626から前記希釈液を基板上に10秒間散布する。この工程を行わず、直接エッチング工程を行った場合には、濃度の高い混酸とMoとの反応によって生成する、エッチング除去できない不動態膜が発生し、エッチング残りや残さが発生した。そこで本発明者らは、エッチング工程の前に、この前記希釈液散布工程を10秒以上行い、Moの不動態膜によるエッチング残りの発生を抑制することが出来た。しかる後に再び基板はローラー628によって搬送され、エアナイフ632を通過することで基板上面および下面に付着した前記希釈液が除去され、次のエッチング工程へと進む。
【0025】
続けて、基板を基板挿入口721からエッチング槽700に投入し、後工程のエッチングのための液と同じ組成の液を噴射する入り口シャワー731を通過させる。この入り口シャワー731は前記入り口シャワー631と同じく、この入り口シャワー731を通過することにより、エッチングのための液が均一に基板全面に行き渡るように構成されている。入り口シャワー731を用いることで、基板は流れる液の間を最初に通過することになり、上部シャワーノズル726のみにて前記エッチングのための液を直接散布した場合と比較して、前記エッチングのための液が基板に均一にのりやすくなる。これによってMoと混酸の反応が基板面内でより均一になり、前記希釈液散布工程と併用することで、エッチング残りの発生をさらに少なくすることができた。
【0026】
この基板は、入り口シャッター722を通過してローラー728上を進み、内部層723に基板が完全に入ったところで停止し、シャワーノズル726から上記したエッチングのための液が基板上に散布される。ここで6秒間液散布によるエッチングを行う。引き続いて、この後液散布によるエッチングを連続して行いつつ、15秒間かけて基板300を水槽725内に満たされる液中に完全に浸す。基板300が液中に完全に浸漬した時点で液散布を終了し、1回目の液浸漬によるエッチングをジャストエッチングまでの時間、すなわち33〜35秒間実施する。本実施例では、ジャストエッチングまでの時間は、上記したEPMを用いて管理される。このEPMは、基板の表面から光を当て、その反射光量を検知するよう構成され、薄膜の有無による反射光量の変化に基づいてジャストエッチングとするものである。この実施例では、薄膜が金属膜であるため、薄膜が除去され下地が露出した時点で反射光量は急激に減少する。例えば、この反射光量が所定の光量以下となった時点をジャストエッチングと判定する。EPMとしては、この他にも反射光量の変化量、即ち微分値をもって判定する等であってもかまわない。また、反射光ではなく、基板を透過する光量によって判定するものであってもかまわない。
【0027】
その後一度基板を液面上に出した後に、基板はローラー728により搬送され、エアナイフ732を通過して基板に付着した薬液を除去した後、エッチング槽800に進む。そして、同じように動作する2つめのエッチング槽800でさらに6秒間液散布によるエッチングを行い、この後液散布によるエッチングを連続して行いつつ、15秒かけて基板300を液中に浸す。基板300が液中に完全に浸漬した時点で、液散布を終了し、2回目の液浸漬によるエッチングを1回目の浸漬時間の160〜170%の時間、すなわち53〜60秒間実施する。
【0028】
気泡のために1回目の液浸漬ではエッチングされなかった部分を十分にエッチングし、かつ液をレジストパターン204と第1導電性薄膜302との間に十分浸透させるためにも、2回目の浸漬時間は1回目よりも長くするほうが好ましい。
【0029】
しかる後に、基板300を液の液面上にだし、エッチング槽700の場合と同様に搬送し、水洗槽900へ進み純水で洗浄し乾燥させ、図1(c)の構造を得る。
【0030】
この後フォトレジスト204を剥離し、図1(d)に示すような2層構造のゲート配線405を形成した。
ここで、ゲート配線405は端面段差によるゲート絶縁膜の絶縁不良を軽減するためテーパー角θが30°となるよう形成されている。ゲート絶縁膜のテーパー角θは40°以下に設定することで絶縁不良の発生が抑制される。
【0031】
次に図1(e)に示すように、ゲート配線405上に、CVD法により膜厚330nmのSiO膜506を堆積した後、さらに膜厚50nmのSiNx膜507を堆積させる。このようにして、SiO膜506とSiNx膜507との積層構造のゲート絶縁膜508をゲート配線405上に堆積する。更に、基板を大気に晒すことなく同一反応炉内で膜厚50nmのa−Si:Hからなる半導体膜509およびチャネル保護膜513となる膜厚330nmのSiNx膜をCVD法により連続成膜する。
【0032】
このあと、基板を反応炉内から取り出し、ゲート配線405をマスクとした裏面露光技術により、ゲート配線405に自己整合的にチャネル保護膜513をパターニングし、さらにTFT領域に対応するように所定のマスクパターンを用いて露光、現像を行い、フッ酸によるウェットエッチング、フォトレジストの剥離を経て、島状のチャネル保護膜513を作成する。
【0033】
この後、良好なオーミックコンタクトが得られるように、露出する半導体膜表面をフッ酸で処理し、CVD法により不純物としてリンを含む膜厚50nmのn+ a−Si:Hからなる低抵抗半導体膜を堆積する。そして、所定のマスクパターンを用いて露光、現像し、四フッ化炭素CF4 、酸素O2 の混合ガスを用いたCDE法によるドライエッチングを行い、さらにフォトレジストの剥離を経て、チャネル部となる半導体膜509を作成する。また、この後、ITOをスパッタリングにより堆積し、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離の工程を経て画素電極510を作製した。
【0034】
この後、Mo,Al,Moの順で、それぞれ25nm、250nm、30nmの膜厚となるようにスパッタリングにより堆積し、所定のマスクパターンを用いて、信号線、ソース電極511およびドレイン電極512のパターンを露光し、現像を行った後、液としてリン酸、硝酸、酢酸、水から成る混酸を用い、ウェットエッチングによりMo,Al,Moの3層を一括して加工する。
【0035】
さらにこのソース、ドレイン電極511、512をマスクとして、チャネル保護膜513上に残存している低抵抗半導体膜を六フッ化硫黄SF6 、塩化水素HCl、酸素O2 、ヘリウムHeの混合ガスを用いてPE法によりドライエッチングし、フォトレジスト剥離を経て、所定のマスクパターンを用いて露光、現像し、SF6 、N2 、He,O2 の混合ガスを用いてPE法によりドライエッチングし、フォトレジストの剥離を経てパターンを形成し、図1(e)に示す薄膜トランジスタを含むアクティブマトリクス型表示装置用アレイ基板を作製した。
【0036】
以上説明したように、このパターニング方法によれば、基板上の微少な気泡は液散布によって除去され、導電性薄膜のエッチング残りによる短絡が発生することなくパターン形成を行うことができ、これによりゲート配線間の短絡不良が解消された。
【0037】
さらに、液浸漬によるエッチング時間を液散布による洗浄時間よりも長くして、液浸漬をエッチングの主たる方法としたことで、フォトレジストと第1導電性薄膜間の空間にまで十分液が浸透し、ゲート配線を30°の均一なテーパー状に加工することができ、層間不良も改善された。
【0038】
なお、本発明は、上述した実施例の構造に限定されるものではない。
上述した実施例では、ゲート配線の第1導電性薄膜としてAl−Nd合金を用いる場合について説明したが、Al−Nd合金以外では、純Alや他のAl合金等であってもよく、また第2導電性薄膜としてMo以外にもエッチングレートに差をもたせることができる材料、好ましくは金属材料が各種利用できる。
【0039】
また、上述の実施例では、半導体膜としてa−Si:Hを用いたが、多結晶性シリコン膜や微結晶性シリコン膜等であってもよい。
本実施例のエッチングでは24±5[×10-2P]の粘度の液を用いたが、35[×10-2P]の液粘度であっても、十分エッチングできることが確認されている。
【0040】
さらに、エッチングに用いた液は、エッチング槽ごとに変えることが可能である。ただし同じ組成の液である上、後のエッチング槽の液の方が濃度が濃い場合は上記実施例の通りであるが、組成の異なる液を用いる時は、槽間移動の前に基板を洗浄することが望ましい。また、同じ液を第1工程、第2工程、第3工程で使用するときは、エッチング槽は最低1槽あればよい。
【0041】
【発明の効果】
この発明の薄膜のパターン形成方法によれば、薄膜のエッチング残りによる短絡不良が十分に防止され、製造歩留りを大幅に向上されることができる。また、液浸漬によるエッチングを主として行うことで、液粘度の選定の自由度を大きくすることができる。これにより薄膜をテーパー状に加工することが可能となり、層間不良等による製品歩留の低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の一実施例のアレイ基板の製造工程を示す概略断面図である。
【図2】図2は、本発明の一実施例のウェットエッチング装置の概略断面図である。
【符号の説明】
101…ガラス基板
102…Al−Nd合金膜
103…Mo膜
204…フォトレジスト
405…ゲート配線
723…内部槽
724…外部槽
726…シャワーノズル
729…ローラー
Claims (5)
- 基板上に堆積された薄膜を前記薄膜上に配されるパターン層に基づいて所定形状にパターニングする薄膜パターニング方法において、
エッチング液を希釈した希釈液を前記基板に噴射する希釈液散布工程と、
前記希釈液散布工程に続き、前記基板を前記エッチング液の噴射する中を通過させた後、前記基板を前記エッチング液に浸漬し、前記薄膜を前記パターン層に基づいてエッチング除去する第1工程と、
前記基板の前記薄膜に前記エッチング液を散布し、前記基板を洗浄する第2工程と、
前記基板を前記エッチング液に浸漬し、前記薄膜を前記パターン層に基づいてエッチング除去する第3工程と、
を備えたことを特徴とする薄膜のパターニング方法。 - 前記薄膜が、第1の薄膜及び前記第1の薄膜上に配置される第2の薄膜とを含むことを特徴とする請求項1記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記薄膜のうち、少なくとも一方が導電性薄膜であることを特徴とする請求項2記載の薄膜のパターニング方法。
- 所定形状にパターニングされた前記薄膜は、テーパー角が40°以下に設定されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜のパターニング方法。
- 前記第3工程に引き続いて、前記薄膜を被覆するゲート絶縁膜を堆積する工程と、前記薄膜上に前記ゲート絶縁膜を介して半導体膜を配置する工程と、前記半導体膜に電気的に接続されるソース電極とドレイン電極とを形成する工程と、を備えたことを特徴とする請求項2又は請求項3記載の薄膜のパターニング方法。
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