CN113463099B - 一种银的细微图形化蚀刻方法 - Google Patents

一种银的细微图形化蚀刻方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113463099B
CN113463099B CN202010242731.2A CN202010242731A CN113463099B CN 113463099 B CN113463099 B CN 113463099B CN 202010242731 A CN202010242731 A CN 202010242731A CN 113463099 B CN113463099 B CN 113463099B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver
etching
oxide film
substrate
etching solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010242731.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113463099A (zh
Inventor
卢虎贲
李珍
范海文
李弋舟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CHANGSHA SHAOGUANG CHROME BLANK CO LTD
Original Assignee
CHANGSHA SHAOGUANG CHROME BLANK CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHANGSHA SHAOGUANG CHROME BLANK CO LTD filed Critical CHANGSHA SHAOGUANG CHROME BLANK CO LTD
Priority to CN202010242731.2A priority Critical patent/CN113463099B/zh
Publication of CN113463099A publication Critical patent/CN113463099A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113463099B publication Critical patent/CN113463099B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明公开了一种银的细微图形化蚀刻方法，包括抛光、清洁、镀氧化膜/银、旋涂光刻胶、分别用第1道的银蚀刻液和第2道银蚀刻液进行蚀刻、经去胶液清洗得到Ag金属网格。本发明工艺简单，可以得到线径小于5um的银图案，对银的蚀刻均匀，图形化线性度高，所得银金属网格附着好，网格不易发生漂移。

Description

一种银的细微图形化蚀刻方法
技术领域
本发明涉及银的蚀刻领域，尤其涉及一种银的细微图形化蚀刻方法。
背景技术
金属银具有良好的导电性和高的光反射率，可以广泛的应用于银金属网格和光学标定器件当中，在化学湿法工艺对银进行图形化加工过程中，由于银与衬底之间粘附力较差，在蚀刻过程中不能被均匀的蚀刻而常常发生布线的浮起或剥离，布线的侧面轮廓较差，无法得到线径小于5um的银线图案，限制了银金属网格的进一步发展。
柔性透明电极关键技术的研究(刘海燕.电子科技大学[J]，2014)中提出在柔性PET衬底蒸镀100nm厚的Ag薄膜，旋涂光刻胶后热烘，曝光显影后用7.25L去离子水、350ml冰乙醇、2Kg硝酸铈铵配得的溶液进行蚀刻，然后清洗后用去胶液去胶，得到线径为5um的银金属网格。由于银为容易被还原的金属，且银的蚀刻速度快，银蚀刻反应产物成分的溶解速度慢，难形成蚀刻后的锥角截面，蚀刻法现有银蚀刻液对银的蚀刻不均匀，线性度差，不能得到超低线径的银图案。
银蚀刻液组合物、利用它的蚀刻方法及金属图案形成方法(公开号：CN109750292A)中采用银蚀刻液组合物，包含40-70重量％的磷酸、2-9重量％的硝酸、0.1-9重量％的无机酸盐或有机酸盐化合物使组合物重量成为100重量％的余量的水，对银或银合金进行图案化腐蚀的方法。该专利的有益效果为在对由银或银合金组成的单层膜或由所述单层膜和氧化铟膜构成的多层膜进行蚀刻时，不会产生下部布线损失的问题，但是依然无法得到线径为5um以下的银金属网格。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：解决上述现有技术存在的问题，而提供一种银的细微图形化蚀刻方法，采用过渡层增加银的附着力的基础上，同时对银采用两步蚀刻法，实现银的高精细图案化。
本发明采用的技术方案是：
一种银的细微图形化蚀刻方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)将玻璃或石英基板进行抛光处理、清洁表面；
(2)在清洁后的玻璃或石英基板上依次镀上氧化膜和银膜，氧化膜为氧化铟锡膜或铝掺杂的氧化锌膜，氧化膜的厚度为5～30nm，银膜的厚度为80～120nm，得到镀氧化膜/银的玻璃或石英基板；
(3)在镀氧化膜/银的玻璃或石英基板上旋涂光刻胶，光刻胶厚度500-1200nm，将涂胶后的基片烘烤去除溶剂，将匀胶烘烤后的基板进行曝光、显影后清洗干燥，并于100～130℃下坚膜；
(4)按硝酸铈铵500～900g、冰醋酸100～160ml、去离子水3000～4000ml配制得到第1道银蚀刻液，准备质量浓度为5～60％的磷酸作为第2道银蚀刻液；
(5)步骤3制得的基板冷却后依次经过用水稀释2～10倍的第1道的银蚀刻液、水洗、第2道银蚀刻液后水洗干燥，其中第1道蚀刻的时间为10～90s，第2道蚀刻的时间为1～2分钟，经去胶液清洗得到Ag金属网格。
进一步地，按硝酸铈铵600～800g、冰醋酸110～130ml、去离子水3000～3500ml配制得到第1道银蚀刻液。进一步地，按硝酸铈铵700～800g、冰醋酸120～130ml、去离子水3400～3500ml配制得到第1道银蚀刻液。
进一步地，第2道银蚀刻液磷酸的质量浓度为10～30％。进一步地，第2道银蚀刻液磷酸的质量浓度为20～30％。
进一步地，第1道的银蚀刻液的稀释倍数为2～5倍。
进一步地，氧化膜采用磁控、电子束或蒸发镀膜制得。
进一步地，氧化膜采用磁控镀膜制得，采用磁控溅射氧化铟锡膜，Ar流量80-85sccm，O2流量为2-3sccm，溅射电流2.2A，基板的加热温度180-200℃。
进一步地，银采用磁控溅射得到，磁控溅射的具体工艺参数为Ar流量30-40sccm，基板的加热温度150-180℃。
进一步地，第1道银蚀刻液提前10～14小时制得。
进一步地，将玻璃或石英基板抛光处理后获得表面粗糙度为0.5～1nm、平面度为±10μm的高质量表面。
进一步地，步骤1中清洁表面步骤包括将抛光后的玻璃或石英基板依次通过50-55℃的碱性溶剂、酸性溶剂和中性溶剂超声波清洗，去除表面脏污，纯水漂洗后干燥。其中超声频率为14-28kHz，时间为2～4分钟，接着依次进行8～10分钟的纯水漂洗，最后异丙醇脱水干燥。
本方案作用原理为：由于银为容易被还原的金属，且银的蚀刻速度快，银蚀刻反应产物成分的溶解速度慢，本发明提出一种对银的两步蚀刻法，首先用第1道银蚀刻液充分与银反应形成银盐，然后第2道银蚀刻液继续与银盐反应加快银盐的溶解。在第一步蚀刻步骤中需要均衡蚀刻液的浓度与进行的时间，保证不发生过腐或蚀刻不干净的现象。
本发明的优点为：在基板上镀氧化膜/银两层膜，通过增加氧化膜的过渡层增加银的附着力，同时对银采用两步蚀刻法，实现银的高精细图案化，制备得到线径小于5um的银金属网格。本发明工艺简单，对银的蚀刻均匀，图形化线性度高，所得银金属网格附着好，网格不易发生漂移。
具体实施方案
为了更好的理解上述技术方案，下面将结合具体的实施方式对上述技术方案做详细的说明。
实施例1
将玻璃或石英基板通过抛光处理后获得表面粗糙度为0.5nm、平面度为±10μm的高质量表面。将抛光后的玻璃或石英基板依次通过碱性溶剂、酸性溶剂和中性溶剂超声波清洗，碱性溶剂、酸性溶剂和中性溶剂的温度为50℃，去除表面脏污。其中超声频率为14kHz，超声时间为3分钟。接着依次进行9分钟的纯水漂洗，最后异丙醇脱水干燥。将清洁后的玻璃或石英基板通过磁控或电子束或蒸发镀膜等方式在基板表面镀一层铝掺杂的氧化锌膜(AZO)，厚度为5nm。采用磁控溅射AZO，Ar流量85sccm，O2流量为3sccm，溅射电流2.2A，基板的加热温度180℃。在镀AZO的基板上继续磁控溅射一层100nm的银，Ar流量30sccm，基板的加热温度150℃。接着在镀AZO/Ag的基板上旋涂光刻胶，光刻胶厚度700nm，将涂胶后的基片烘烤去除溶剂。将匀胶烘烤后的基板进行曝光、显影后清洗干燥，并进行120℃、30分钟的坚膜。提前12小时按硝酸铈铵700g(分析纯，99.8％)、冰醋酸122.5ml(分析纯，99.8％)、去离子水3500ml配制得到高浓度的第1道银蚀刻液，准备20％浓度的磷酸作为第2道银蚀刻液。将冷却的基板依次经过用水稀释2倍的第1道的银蚀刻液、水洗、第2道银蚀刻液后水洗干燥，其中第1道蚀刻的时间为10s，第2道蚀刻的时间为1分钟，经过去胶液清洗干燥后得到Ag金属网格。采用偏光显微镜拍照测量线径，两端法测量方阻，采用分光光度仪测量透光性，测得金属网格的线径为2.7μm，在不考虑基底时透光性和方阻分别可达到96.1％和5.4Ω/sq。
实施例2
本实施例与实施例1的区别在于银的蚀刻过程所用的第1道蚀刻液的稀释倍数为5倍，其中第1道蚀刻的时间为30s。采用偏光显微镜拍照测量线径，两端法测量方阻，采用分光光度仪测量透光性，测得Ag金属网格线径为2.57μm，透光性和方阻分别为96.7％和13Ω/sq。
实施例3
本实施例与实施例1的区别在于银的蚀刻过程所用的第1道蚀刻液的稀释倍数为10倍，其中第1道蚀刻的时间为85s。采用偏光显微镜拍照测量线径，两端法测量方阻，采用分光光度仪测量透光性，得到的Ag金属网格线径为2.1μm，透光性和方阻分别为97.1％和70Ω/sq。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种银的细微图形化蚀刻方法，其特征在于包括以下步骤：
（1）将玻璃或石英基板进行抛光处理、清洁表面；
（2）在清洁后的玻璃或石英基板上依次镀上氧化膜、银膜，氧化膜为氧化铟锡膜或铝掺杂的氧化锌膜，氧化膜的厚度为5~30nm，银膜的厚度为80~120nm，得到镀氧化膜/银的玻璃或石英基板；
（3）在镀氧化膜/银的玻璃或石英基板上旋涂光刻胶，光刻胶厚度500-1200nm，将涂胶后的基片烘烤去除溶剂，将匀胶烘烤后的基板进行曝光、显影后清洗干燥，并于100~130℃下坚膜；
（4）按硝酸铈铵500~900g、冰醋酸 100~160ml、去离子水3000~4000ml配制得到第1道银蚀刻液，准备质量浓度为5~60%的磷酸作为第2道银蚀刻液；
（5）步骤3制得的基板冷却后依次经过用水稀释2~5倍的第1道的银蚀刻液、水洗、第2道银蚀刻液后水洗干燥，其中第1道蚀刻的时间为10~85s，第2道蚀刻的时间为1~2分钟，经去胶液清洗得到Ag金属网格；
第1道银蚀刻液提前10~14小时制得。
2.根据权利要求1所述的银的细微图形化蚀刻方法，其特征在于：按硝酸铈铵600~800g、冰醋酸 110~130ml、去离子水3000~3500ml配制得到第1道银蚀刻液。
3.根据权利要求1所述的银的细微图形化蚀刻方法，其特征在于：第2道银蚀刻液磷酸的质量浓度为10~30%。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的银的细微图形化蚀刻方法，其特征在于：氧化膜采用磁控、电子束或蒸发镀膜制得。
5.根据权利要求4所述的银的细微图形化蚀刻方法，其特征在于：氧化膜采用磁控镀膜制得，采用磁控溅射氧化铟锡膜，Ar流量80-85sccm，O2流量为2-3sccm，溅射电流2.2A，基板的加热温度180-200℃。
6.根据权利要求1至3任意一项所述的银的细微图形化蚀刻方法，其特征在于：银采用磁控溅射得到，磁控溅射的具体工艺参数为Ar流量30-40sccm，基板的加热温度150-180℃。
7.根据权利要求1至3任意一项所述的银的细微图形化蚀刻方法，其特征在于：将玻璃或石英基板抛光处理后获得表面粗糙度为0.5~1nm、平面度为±10μm的高质量表面。
8.根据权利要求1至3任意一项所述的银的细微图形化蚀刻方法，其特征在于：步骤1中清洁表面步骤包括将抛光后的玻璃或石英基板依次通过50-55℃的碱性溶剂、酸性溶剂和中性溶剂超声波清洗，去除表面脏污，纯水漂洗后干燥。
CN202010242731.2A 2020-03-31 2020-03-31 一种银的细微图形化蚀刻方法 Active CN113463099B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010242731.2A CN113463099B (zh) 2020-03-31 2020-03-31 一种银的细微图形化蚀刻方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010242731.2A CN113463099B (zh) 2020-03-31 2020-03-31 一种银的细微图形化蚀刻方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113463099A CN113463099A (zh) 2021-10-01
CN113463099B true CN113463099B (zh) 2023-08-29

Family

ID=77865406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010242731.2A Active CN113463099B (zh) 2020-03-31 2020-03-31 一种银的细微图形化蚀刻方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113463099B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102473370A (zh) * 2009-06-30 2012-05-23 3M创新有限公司 电子显示器和具有图形的金属微图案化基材
CN102803562A (zh) * 2009-06-25 2012-11-28 3M创新有限公司 湿式蚀刻自组装单层图案化基材和金属图案化制品的方法
CN103898509A (zh) * 2012-12-24 2014-07-02 东友Fine-Chem股份有限公司 刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法
CN107003787A (zh) * 2014-11-12 2017-08-01 株式会社东进世美肯 电极图案的形成方法及电极图案
CN109148143A (zh) * 2018-07-24 2019-01-04 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种平面线圈的制作方法
CN109417023A (zh) * 2016-08-09 2019-03-01 海安科技株式会社 利用光刻胶凹刻图案及表面改性的金属网类型透明导电膜制造方法及由此制造而成的透明导电膜

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102803562A (zh) * 2009-06-25 2012-11-28 3M创新有限公司 湿式蚀刻自组装单层图案化基材和金属图案化制品的方法
CN102473370A (zh) * 2009-06-30 2012-05-23 3M创新有限公司 电子显示器和具有图形的金属微图案化基材
CN103898509A (zh) * 2012-12-24 2014-07-02 东友Fine-Chem股份有限公司 刻蚀剂组合物、金属图案的形成方法和阵列基板的制法
CN107003787A (zh) * 2014-11-12 2017-08-01 株式会社东进世美肯 电极图案的形成方法及电极图案
CN109417023A (zh) * 2016-08-09 2019-03-01 海安科技株式会社 利用光刻胶凹刻图案及表面改性的金属网类型透明导电膜制造方法及由此制造而成的透明导电膜
CN109148143A (zh) * 2018-07-24 2019-01-04 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种平面线圈的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113463099A (zh) 2021-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6127052A (en) Substrate and method for producing it
TW200533787A (en) Etching composition for laminated film including reflective electrode and method for forming laminated wiring structure
KR20080009866A (ko) 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액
CN109254423B (zh) 一种铌酸锂电光器件厚膜导线电极的制作方法
KR20140063283A (ko) 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법
KR20090081546A (ko) 은 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴형성방법
CN113463099B (zh) 一种银的细微图形化蚀刻方法
CN103715070A (zh) 一种带胶磁控溅射厚膜的方法
JP3611618B2 (ja) 非晶質導電膜のパターニング方法
KR101302827B1 (ko) 은 또는 은합금의 배선 및 반사막 형성을 위한 식각용액
CN113862770A (zh) 一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法
KR102599939B1 (ko) 은 박막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법
KR20080004894A (ko) 금속배선 형성을 위한 저점도 식각용액
JP2003213436A (ja) 金属膜パターンおよびその製造方法
CN110016667B (zh) Mo-Nb合金薄膜蚀刻液组合物及利用其的显示装置用基板的制造方法
KR101345022B1 (ko) 적층 구조 및 그것을 이용한 전기 회로용 전극
JPH11330652A (ja) 基板及びその製造方法
KR100555896B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 금속 버스 전극 제조방법
JPH026833B2 (zh)
CN114597287B (zh) 一种室温红外敏感薄膜的图案化方法
KR101406671B1 (ko) 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법
KR20090081548A (ko) Ａｌ 박막 및 Ｍｏ 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한금속 패턴 형성 방법
JP2907318B2 (ja) 電極埋設基板及びその製造方法
CN117238766A (zh) 一种特殊半导体器件的钛铝腐蚀方法
JP2872940B2 (ja) 基板金属化法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant