CN103472968A - 一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其包括如下步骤：A.采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡材料，然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸。B.在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻，得到氧化铟锡图形。C.在PET膜的两面丝印导电银浆，得到非可视区的走线线路。本发明在单层PET膜上进行双面蚀刻、印刷，实现电容屏多点触控，降低了电容屏的总厚度，同时减少了工艺制程，成本较双层膜结构可以降低50%。

Description

一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺
技术领域
本发明涉及电容屏技术领域，尤其涉及一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺。
背景技术
目前行业内传统膜结构的多点触控方案是采用盖板玻璃+双层膜结构，分别在两层PET膜上进行蚀刻、银浆印刷，再将两层PET膜用光学胶粘贴在一起，组成我们所需的双层膜结构的功能片。但是，由于需要在两层PET膜上分别进行蚀刻和印刷，最小厚度为0.45mm，导致电容屏总体厚度较大，成本也远高于单层膜结构的产品，在一些低成本但是需要多点触控的电容屏上难以量产。
发明内容
本发明的目的在于通过一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺，来解决以上背景技术部分提到的问题。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其包括如下步骤：
A、采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡材料，然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸；
B、在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻，得到氧化铟锡图形；
C、在PET膜的两面丝印导电银浆，得到非可视区的走线线路。
特别地，所述步骤A具体包括：将单层PET膜作为衬底，选用铟锡作为靶材，然后通入氧气，在高温高压的条件下，氧离子加速轰击靶材，与铟锡结合为铟锡氧化物，沉积在衬底上得到氧化铟锡材料，然后将两面均镀好氧化铟锡材料的PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸大小。
特别地，所述步骤B具体包括：在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后，将PET膜放入配比好的硝酸与盐酸溶液中，反应一段时间后，蚀刻掉不需要的膜层，得到所需氧化铟锡图形。
本发明提供的单层膜实现多点触控的电容屏工艺在单层PET膜上进行双面蚀刻、印刷，实现电容屏多点触控，降低了电容屏的总厚度，同时减少了工艺制程，成本较双层膜结构可以降低50%。
附图说明
图1为本发明实施例提供的单层膜实现多点触控的电容屏工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
请参照图1所示，图1为本发明实施例提供的单层膜实现多点触控的电容屏工艺流程图。
本实施例中单层膜实现多点触控的电容屏工艺具体包括如下步骤：
步骤S101、采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡（ITO）材料，然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸。
将单层PET膜作为衬底，选用铟锡作为靶材，然后通入一定量的氧气，在高温高压的条件下，氧离子加速轰击靶材，与铟锡结合为铟锡氧化物，沉积在衬底上得到氧化铟锡材料，然后将两面均镀好氧化铟锡材料的PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸大小。
步骤S102、在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻，得到氧化铟锡图形。
在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后，将PET膜放入一定配比的硝酸与盐酸溶液中，反应一段时间后，蚀刻掉不需要的膜层，得到所需ITO图形。
步骤S103、在PET膜的两面丝印导电银浆，得到非可视区的走线线路。
本发明的技术方案在单层PET膜上进行双面蚀刻、印刷，实现电容屏多点触控，降低了电容屏的总厚度，同时减少了工艺制程，成本较双层膜结构可以降低50%。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (3)

1.一种单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其特征在于，包括如下步骤：
A、采用磁控溅射的方法在单层PET膜的两面均镀上氧化铟锡材料，然后将该PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸；
B、在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后采用湿法蚀刻工艺对PET膜进行蚀刻，得到氧化铟锡图形；
C、在PET膜的两面丝印导电银浆，得到非可视区的走线线路。
2.根据权利要求1所述的单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其特征在于，所述步骤A具体包括：将单层PET膜作为衬底，选用铟锡作为靶材，然后通入氧气，在高温高压的条件下，氧离子加速轰击靶材，与铟锡结合为铟锡氧化物，沉积在衬底上得到氧化铟锡材料，然后将两面均镀好氧化铟锡材料的PET膜裁切成丝印机台需要的尺寸大小。
3.根据权利要求1或2任一项所述的单层膜实现多点触控的电容屏工艺，其特征在于，所述步骤B具体包括：在单层PET膜的两面丝印耐酸保护层，进行烘烤之后，将PET膜放入配比好的硝酸与盐酸溶液中，反应一段时间后，蚀刻掉不需要的膜层，得到所需氧化铟锡图形。
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