TW201905250A - 抑制金屬沉積之方法 - Google Patents

Abstract

清潔電鍍裝置的方法可包括處理與電鍍裝置耦接的基板。基板可與電鍍裝置的基板保持器耦接。基板保持器可包括圍繞基板設置的環形部件。環形部件的表面可與基板一起曝露於電鍍溶液。處理可在環形部件上形成含金屬材料。方法可包括從電鍍裝置的基板保持器移除基板。方法還可包括將電鍍裝置的基板保持器的環形部件曝露於UV光。UV光可配置以改性含金屬材料。

Description

抑制金屬沉積之方法

本技術關於抑制半導體處理配備上的金屬沉積。更具體地，本技術關於抑制在基板保持器上的沉積並從基板保持器移除含金屬的材料。

通常藉由在基板或工件上產生複雜結構來形成半導體裝置。製造通常包括導電線或金屬化的形成物，導電線或金屬化的形成物沉積或形成含金屬材料在通過裝置的溝槽和通孔，以提供在層和結構之間的導電通路。

金屬層通常在電鍍處理器中藉由電化學電鍍而形成在基板上。典型的電鍍處理器包括用於保持電鍍溶液的容器或碗、在碗中與電鍍溶液接觸的一個或多個陽極及具有接觸環的頭部，接觸環具有接觸晶圓的多個電接點。還可在頭部周圍包括密封構件，以保持浴液遠離接點。晶圓的前表面可浸入電鍍溶液中，且電場可使電鍍溶液中的金屬離子鍍到晶圓上，形成含金屬層。

因為漏電流或允許電流通過基板保持器的特定耦合，沉積處理可能在基板保持器的部分上形成一定量的含金屬材料。當使用密封構件時，額外的形成物可能受限於基板保持器的這個區域。必須定期清潔密封件，以藉由在基板保持器而不是基板上發生形成物而有效地工作及避免從基板上偷取沉積材料。在某些情況下，這種唇封電鍍可能導致在密封件和基板之間的密封失效。

因此，存在有可用以生產高品質裝置和結構的改進系統和方法的需求。本技術解決了這些和其他需求。

清潔電鍍裝置的系統和方法可包括將電鍍裝置的基板保持器的至少一部分曝露於UV光。UV光可被配置為將基板保持器上的含金屬材料從第一氧化態調節到第二氧化態。

在一些實施例中，方法還可包括在曝露之前處理與基板保持器耦接的基板。處理可使含金屬材料形成在基板保持器的至少一部分上。方法還可包括在曝露之前從基板保持器移除基板。處理可包括藉由電化學沉積處理在基板上形成含金屬材料。含金屬材料可為或包括錫。第一氧化態可為+2，而第二氧化態可為+4。曝露基板保持器的至少一部分可在含氧環境中進行，且含氧環境可為進行電鍍的周圍環境，或處理室或設施的環境條件。錫可被氧化成氧化錫（IV）。UV光可在低於或約300nm的波長下操作。在基板保持器的至少一部分的每個不連續區段處，曝露於UV光可發生至少約10秒。

本技術還可包括清潔電鍍裝置的額外方法，且可包括處理與電鍍裝置耦接的基板。基板可與電鍍裝置的基板保持器耦接。基板保持器可包括圍繞基板設置的環形部件。環形部件的表面可與基板一起曝露於電鍍溶液。處理可在環形部件上形成含金屬材料。方法可包括從電鍍裝置的基板保持器移除基板。方法還可包括將電鍍裝置的基板保持器的環形部件曝露於UV光。UV光可配置以改性含金屬材料。

在一些實施例中，含金屬材料可為或包括錫。可藉由UV光改性錫以形成氧化錫（IV）。錫可在環境條件中改性。方法可進一步包括在曝露於UV光期間旋轉環形部件。環形部件的每個區段可曝露於UV光至少約5秒。UV光可在低於或約300nm的波長下操作。

本技術還可包括清潔電鍍裝置的方法。方法可包括處理與電鍍裝置耦接的基板。基板可與電鍍裝置的基板保持器耦接。基板保持器可包括圍繞基板設置的環形部件。環形部件的表面可與基板一起曝露於電鍍溶液。處理可在環形部件上形成含金屬材料。方法還可包括從電鍍裝置的基板保持器移除基板。方法可包括旋轉環形部件。當旋轉環形部件時，方法還可包括將電鍍裝置的基板保持器的環形部件曝露於產生UV光的固定UV光源。UV光可配置以改性含金屬材料。在一些實施例中，曝露環形部件可在含氧環境中進行。含金屬材料可為或包括錫，並可藉由UV光改性錫以形成氧化錫（IV）。

這種技術可提供優於傳統技術的許多益處。例如，本裝置可減少工件保持器上的沉積。另外，改進的方法可藉由提供移除工件保持器上的污染物的改進方法來減少排隊時間。結合以下的實施方式和附隨的圖式更詳細地描述這些和其他實施例以及許多它們的優點和特徵。

電鍍處理可用以沿半導體基板的各種特徵形成導電材料並通過半導體基板的各種特徵。電鍍操作的一種類型在基板上形成錫材料和錫的合金，諸如錫-銀合金。電鍍浴可包括許多金屬離子，這些金屬離子由電鍍裝置電激活，以形成或沉積在基板上。然而，這種形成物中的常見問題是也可能在也曝露於電鍍浴的電鍍裝置的基板保持器上發生形成物。這種形成物可能引起許多問題，因為意圖在基板上形成的金屬可能在保持器上形成。這可能導致與基板保持器的曝露部分相鄰的基板區域上的含金屬材料的空隙或不完全塗佈，諸如沿著外邊緣。這種微負載效應可能導致基板上的材料不足，這可能限制對電路板或其他結構的附著。

隨著處理從基板繼續到基板，基板保持器上的這種電鍍可能增加。增加可能不是線性的，且因此在當材料在保持器上可見時，問題可能擴大到足以使得因不完全覆蓋而發生模具故障。該問題可能不易於再加工，且因此製造的基板的部分或整個裝置可能不可用。另外，來自先前基板在基板保持器上形成的材料可能在隨後的基板處理期間增加在保持器上的形成物。在一種形成物的潛在機制中，金屬離子或氧化物可能在基板保持器上形成。這種材料可與來自基板的表面的雜散電子相互作用，藉由下面的接點或沿著保持器的雜散電流可進入接近該材料，這可使其在保持器的表面上還原到金屬態。

傳統技術可藉由在基板保持器上執行清潔操作來解決該問題。例如，在處理了一定數量的基板之後，或在分析決定可能需要清潔之後，可將清潔溶液施加到基板保持器。然而，這種清潔溶液可能是不合適的。噴塗處理可能無法完全移除含金屬材料，這可能需要更頻繁的清潔。另外，清潔溶液可能在清潔之後保留在基板保持器上，這可能污染電鍍溶液及隨後的基板處理。另一種清潔技術包括利用反向電流來移除沉積的材料。這種處理可能需要額外的時間，因為必須施加電流直到退鍍所有金屬。該處理也可能無法完全地移除金屬，因為殘餘材料可能保留在保持器的表面粗糙度中，這可能在處理期間中不能保持電接觸。這可能會再次增加排隊時間，由於更長、更頻繁地退鍍。

本技術藉由利用UV光來改性基板保持器上的形成材料而克服這些問題。UV光可形成不太可能保留在基板保持器上的材料，且可從電鍍溶液中過濾掉。該處理可不使用可能損害浴的清潔材料，且相較於傳統技術可減少排隊時間。在描述可使用本技術的示例性處理系統之後，實施方式將覆蓋根據本技術執行清潔處理的方法。

第 1 圖 顯示了根據本技術的實施例的示例性處理系統100的示意圖。處理系統100可包括可在整個本揭露書中討論的清潔技術中所使用的一些部件。如圖所示，處理系統100可包括用於電鍍半導體基板或晶圓25的基板保持器20。基板保持器20可包括環形構件24和背板組件22。基板保持器20可經由機器人200從裝載/卸載模組移動到處理器202。基板保持器20可經由與轉子上的配件嚙合的轂30而附接到處理器202的轉子206。在處理期間，可藉由配件（連接到內部電接點、背板匯流條、卡盤接點、環形匯流條及連接到接觸晶圓的電接觸指）而提供從處理器202到晶圓25的電流路徑，電流路徑可為處理器中的陰極。如下面將要指出的，卡盤接點可在背板組件22和環形匯流條之間形成電連接。

處理器202的處理器頭204可將保持在基板保持器20中的晶圓25移動到處理器202的容器210中的電解質浴中，並可使電流通過電解質以將金屬或導電膜電鍍到晶圓25上。在電鍍完成之後，可顛倒這一系列的操作。裝載/卸載模組中的提升銷可向上延伸穿過背板中的提升銷間隙孔，以允許機器人拾取電鍍晶圓，且可從電鍍系統220移除電鍍晶圓25以進行進一步處理。可接著一起或單獨地清潔背板組件22和環形構件24，並可在電鍍系統220內部或外部的清潔/退鍍模組中退鍍環形構件24，同時處理器202使用另一個基板保持器20來電鍍後續的晶圓。如將於後文所解釋的，清潔處理可包括將環形構件24曝露於UV光源。

第 2 圖 顯示了根據本技術的實施例的示例性基板保持器20的示意性底部透視圖。另外，第 3 圖 顯示了第2圖的示意性底部分解圖，顯示了根據本技術的實施例的基板保持器20的部件。如圖所示，基板保持器20可包括環形構件24和背板組件22，它們可彼此接合或耦接。環形構件24可包括晶圓密封件92，晶圓密封件92可覆蓋多個部件，多個部件可包括電接觸指、環形匯流條、密封件保持器、卡盤密封件、晶圓引導件以及在環形構件24的周邊處間隔開並在環形構件24下方延伸以嚙合背板組件22的定心銷108。

晶圓密封件92可提供屏障以保持電鍍液遠離電接觸指。電接觸指可在晶圓25上提供均勻的物理接觸，以便將材料均勻地電鍍到晶圓25上。為了電鍍300mm直徑的晶圓，環形構件24可具有（例如）多達720個電接觸指包括在多個區段中，諸如4-8個區段。電接觸指可相對於晶圓密封件92的內徑93而精確地定位，晶圓密封件92的內徑93可為晶圓密封件92與晶圓25物理接觸的部分。這個內徑可根據將被處理的基板而調整尺寸，諸如高達、約或大於150mm、300 mm、450 mm、600 mm或更大。為了使環形構件24與處理器202的轉子206對準，且具體地將晶圓密封件92的內徑93與轉子206對準，環形構件24上的定心銷108可穿過背板組件22中的間隙孔，並嚙合到第1圖中所示的轉子206中的對準孔208中。定心銷108可確保晶圓密封件92與處理器202的旋轉軸同心。

背板組件22可包括支撐在底座板26上的晶圓板44。晶圓板44可支撐在底座板26上並且密封抵住底座板26。底座板26上的環定位銷38可確保環形構件24到背板組件22的正確定向。背板組件22還可包括卡盤接點40，用於將電流接收到基板保持器20中。如第3圖所示，晶圓板44可具有從晶圓提取密封件52徑向向外延伸的凸緣46。晶圓提取密封件52可為晶圓25的背側表面提供密封。可從電鍍系統220中的真空源或連接到電鍍系統220的真空源將真空施加到真空埠並通過晶圓板44中的真空通道。如第1圖所示，真空感測器205可測量在晶圓25的背側和晶圓板44之間的空間中的壓力。感測的壓力可用以確認基板保持器20中晶圓25的存在。真空也可為在卡盤組件打開序列的不同操作中應用，以監視基板保持器20中的晶圓狀態。當初始真空測量值P1超過隨後的測量值P2時（這可在系統控制電腦207指示晶圓已被抬起離開晶圓提取密封件52一預定值之後進行），則可通知系統控制電腦207未成功提取晶圓25。若差值低於預定值，則可通知系統控制電腦207成功提取晶圓25。

當基板保持器20閉合時，晶圓板44可向晶圓25的背側提供足以使電接觸指和晶圓密封件92嚙合晶圓25的嚙合力。背板26也可包括彈簧54，彈簧54可向晶圓25的背側提供預加載的力，以嚙合晶圓密封件92和電接觸指98。基板保持器20可在所示的處理系統中或在任何數量的其他系統中操作。在使用中，晶圓25可經由處理系統的晶圓裝載/卸載模組中的裝載/卸載機器人而放置在背板組件22的晶圓板44上。在裝載/卸載期間，環形構件24可被移除並與背板組件22分離，或環形構件24可經由裝載/卸載模組中的環分離銷向上延伸通過背板組件22的周邊中的環分離間隙孔而與背板間隔開。

在裝載之後，環分離銷可縮回，且環形構件24可經由磁吸引力而移動到與背板嚙合，以提供現在裝載有待電鍍的晶圓25的封閉的基板保持器20。電鍍處理系統可接著定向晶圓，並可操作以沿多個平面和方向調整。例如，處理系統可升高和降低晶圓或基板，且還可在電鍍操作之前、期間或之後傾斜和旋轉晶圓。

轉到第 4 圖 顯示了根據本技術的實施例的清潔電鍍裝置的方法400的示例性操作。可執行先前描述的電鍍處理以在基板上提供導電或金屬材料。金屬材料可包括熟悉本領域者將理解的任何金屬或含金屬材料，且在一些實施例中可包括過渡金屬或元素週期表中的第13族、第14族或第15族金屬。不意欲限制本技術的示例性材料可包括錫或含錫材料。例如，錫-銀合金可在根據本技術的一些方法中使用。錫和銀可作為離子包括在電鍍溶液中，且可在電鍍操作期間形成或沉積到基板上。

如前所討論的，某些電鍍處理的問題可包括在先前描述的環形構件24上的額外電鍍。電鍍可在基板保持器上而不是在將處理的基板上發生，這可能降低基板上的沉積的均勻性且不利地影響基板產量。本技術可利用UV光來改性這種沉積的材料，以便克服如前所述的傳統清潔的問題。

如第4圖所示，方法400可包括一個或多個操作，且可包括如虛線所示的任選操作。可在任選操作410處執行諸如包括錫或一些其他金屬的電鍍操作的處理操作。可在與諸如先前描述的電鍍裝置耦接的基板上執行操作，其中基板可與基板保持器（諸如基板保持器20）耦接。處理可在基板上形成或沉積錫、含錫材料或其他含金屬材料，並可在基板保持器的至少一部分上形成附加的含金屬材料，諸如，如前所述的環形構件24。因為環形構件24的表面也可在電位下與基板一起曝露於電鍍溶液，所以也可能在這個部件上發生沉積或金屬形成物。與基板上的形成物相比，環形構件24上的形成物可為較小的，且在實施例中，可發生在沒有後續分析的情況下不可見的形成物。環形構件24上的形成物也可為實質的，諸如可立即觀察，或在它們之間中的某種程度的形成物。

後續處理基板，可在任選操作420中從電鍍裝置的基板保持器移除基板。在一些實施例中，可在任選操作430中清潔基板保持器。清潔可涉及漂洗步驟，且也可包括擦拭保持器。漂洗及/或擦拭基板保持器可允許從保持器上移除過量的沉積材料。可在任選操作440處執行另外的乾燥操作。可在進行處理操作之前乾燥保持器以減少、限制或最小化保持器的表面上的液體。例如，利用如下所討論的UV操作，乾燥具有過量液體的基板保持器可增加UV處理的有效性。基板保持器上的殘留流體可能阻礙金屬離子物種的轉化，且因此移除可增強所執行的操作。

在一些實施例中可類似地處理額外的基板，且在每個基板的移除之後，或在處理了一定數量的基板之後，在操作450中，基板保持器的至少一部分可曝露於UV光。曝露於UV光可改性或調節位於基板保持器上的金屬或含金屬材料，以產生不為隨後的金屬材料的形成物提供成核位點的材料。例如，UV光可將含金屬材料從第一氧化態調節到第二氧化態，這可在基板保持器的表面上產生不太可能還原到金屬態的材料。例如，增加殘餘顆粒的氧化態可能增加能量以將材料還原成金屬態。因此，基板保持器上的多餘材料可能曝露的電流可能不足以完全地還原隨後的沉積操作中可能存在的離子物種、金屬氧化物或金屬氫氧化物。以這種方式，可促進從基板保持器的表面移除殘留物種。另外，藉由減少基板保持器上的金屬殘留物的量，可保持、減少或防止從基板進一步竊取金屬。

不希望將本揭露書內容與任何特定機制綁定，對含錫電解質溶液中的可能反應的討論可有助於理解本技術。應當理解不同的含金屬材料的形成物也可藉由類似的處理進行，或藉由可仍然受益於本技術的不同處理進行。電解質浴可包括錫離子，諸如Sn⁺² 。在電鍍操作期間，這些離子可吸附到基板保持器的表面上，諸如吸附到環形構件24上。另外，包括這些離子的化合物也可吸附到基板保持器的表面，諸如氧化錫（II）或SnO及氫氧化錫（II）或Sn（OH）₂ 。來自基板保持器或基板的一定量的漏電流或電流可能還原基板保持器上的這些離子或化合物，並可形成金屬錫。藉由額外的金屬或含金屬的材料（諸如銀、銅或可在基板上曝露或包括在電鍍溶液中的其他金屬）的存在，也可加速金屬沉積。這些金屬可充當可吸引額外錫離子的另外的成核位點和催化劑，加劇基板保持器上的形成物，而不是基板。

當這些沉積的材料曝露於UV光時，Sn⁺² 和其他化合物（諸如氧化錫）可轉化為其他物種，諸如Sn⁺⁴ 或其他化合物（諸如氧化錫（IV），或SnO₂ ，或氫氧化錫（IV），或Sn（OH）₄ ）。氧化錫（IV）或二氧化錫以及氫氧化錫（IV）在溶液中可比氧化錫（II）更穩定，且在曝露於雜散電流源時可較不可能還原。藉由限制或防止轉化成金屬錫，可接著藉由如前所討論的產生成核位點來從保持器清潔材料而不進一步影響在基板上的沉積。藉由將錫從+2的氧化態氧化成+4的氧化態，可減少或限制在基板保持器上的後續電鍍的形成物。

如前所解釋的，在基板保持器上金屬或含金屬材料的形成物最初可作為少量離子發生，這些離子最初可能在基板保持器或環形構件上不可見。若不移除這種材料，則其可能不會線性膨脹，且可能快速形成金屬或含金屬的沉積物，當曝露於可能導致還原成金屬態的處理電流時，金屬或含金屬的沉積物會影響基板產量和裝置品質。因此，可在處理每個基板之後，執行環形構件或其上可能發生形成物的基板保持器的一些其他部分的曝露於UV光。在其他實施例中，可在處理兩個基板之後，或者在電化學沉積處理中處理大於或約3、4、5、6、7、8、9、10或更多個基板之後執行曝露於UV光。

在一些實施例中，曝露於UV光可在含氧環境中執行。含氧環境可為對環境條件開放的處理，其可對未處理的空氣開放，或可在UV光曝露期間將含氧材料輸送到處理系統以增強金屬或含金屬材料的轉變。例如，在一些實施例中，氧氣、臭氧或一些含氧化合物可朝向環形構件流動，但在一些實施例中，在環境條件下的空氣中的氧氣量可能是足夠的。

可在任選操作460處執行額外的清潔操作，其中可進一步清潔環形構件或基板保持器的一部分。例如，可執行接觸清潔操作，其中可擦拭或擦洗基板保持器上的殘餘材料。儘管可使用傳統的清潔溶液，但是在一些實施例中，可用包括水或水溶液的海綿、布或清潔墊執行額外的清潔操作。與可能影響浴的一些傳統清潔劑不同，本技術可使用用水潤濕的墊以移除殘留顆粒。另外，可比傳統的清潔技術更快地執行額外的清潔操作。因為曝露於UV光可改性所有殘餘材料（諸如從錫（II）到錫（IV）化合物），在額外的清潔操作中未完全移除的顆粒或材料可不產生類似於沒有藉由UV曝露而處理的殘留材料的問題，這可能更容易還原到金屬態。

例如，傳統技術中的清潔操作可能無法完全移除含金屬材料，這可能加劇如前所討論的在基板保持器上的進一步的形成物。因此，可能需要使用更具反應性的材料進行更徹底和更頻繁的清潔。在本技術中，藉由用UV光轉換含金屬材料，若額外的清潔操作不能從基板保持器上完全移除顆粒，則這些材料可簡單地解吸到電解浴中用於過濾。例如，當錫或氧化錫（II）氧化成氧化錫（IV）時，氧化錫（IV）可較不可能以可與基板保持器相互作用的可用電流量而還原為金屬錫。同樣的情況也可能發生於將被氧化的氫氧化錫（II）轉化成氫氧化錫（IV）時。因此，在額外的清潔操作之後的基板保持器上的殘留氧化錫（IV）可從基板保持器清潔、漂洗或擦拭，而不需要退鍍操作來氧化金屬錫以允許移除。

額外的清潔操作可接著比操作中的UV曝露更不頻繁地執行。例如，在一些實施例中，可在處理每個基板之後執行UV曝露，以減少殘餘材料的複合效應。所討論的額外的清潔操作可較不頻繁地執行，且可在每個處理操作之後執行，或可在大於或約2個處理操作、大於或約3個處理操作、大於或約5個處理操作、大於或約7個處理操作、大於或約10個處理操作或更多之後執行，取決於基板保持器上的殘餘材料的量。可藉由較不頻繁或較不強烈地執行清潔操作來接著改善排隊時間。

可用任何類型的UV光進行UV光曝露。例如，可使用產生低於或約400nm波長的任何光提供裝置。UV光源可在多個範圍內，諸如在高達約300nm的遠紫外光譜和中紫外光譜內，到高達約400nm的近紫外光譜。UV光源可向殘留的含金屬材料提供UVA、UVB或UVC光。 UV光可在較低波長下提供更多能量，並因此在一些實施例中，UV光可在低於或約380nm、低於或約360nm、低於或約340nm、低於或約320nm、低於或約300nm、低於或約280nm、低於或約260nm、低於或約240nm、低於或約220nm、低於或約200nm、低於或約180nm或更低的波長下操作。在一些實施例中，UV光可在約150和約380nm之間、在約200和約360nm之間、在約220和約340nm之間或在約200和約300nm之間的波長下操作，儘管可在所討論的任何波長下操作光源。 UV光源可為任何已知的光源，包括基於汞的燈、含稀有氣體的燈、UV發光二極體或能夠產生所述範圍內的UV光的其他光源。

所使用的UV裝置的類型和產生的波長可影響曝露的時間量。例如，UV光源可足夠大以一次曝露整個基板保持器或整個環形構件。在一些實施例中，因為基板保持器可旋轉，所以環形構件或基板保持器的部分可跨越UV光源旋轉。環形構件或基板保持器的任何特定部分的曝露可執行大於或約1秒的時間週期，並可執行大於或約5秒、大於或約10秒、大於或約20秒、大於或約40秒、大於或約1分鐘、大於或約2分鐘、大於或約5分鐘、大於或大約10分鐘或更多的時間週期。例如，在實施例中，較低波長源可施加比較高波長源更短的時間量。而且，跨越UV源的旋轉環形構件可被處理的時間週期長於可一次曝露整個基板保持器或環形構件的源，但是在實施例中，在基板保持器或環形構件的任何不連續區段處的曝露能量可為相似的、更大的或更小的。

本技術利用UV光曝露來改性基板保持器上的含金屬材料。這種改性可允許改性材料自然地釋放到電解質溶液中用於過濾，或可促進減少的清潔操作。藉由利用本技術，可沿著基板的邊緣區域以更均勻和減少的缺陷來執行電沉積操作。另外，可藉由用UV光轉換材料來抑制沿基板保持器的進一步形成或沉積。

在前面的實施方式中，出於解釋的目的，已經闡述了許多細節以便提供對本技術的各種實施例的理解。然而，對於熟悉本領域者顯而易見的是，某些實施例可在沒有這些細節中的一些或具有額外細節的情況下實施。

已經揭露了若干實施例，熟悉本領域者將認識到在不背離實施例的精神的情況下，可使用各種修改、替代構造和等效元件。另外，尚未描述許多眾所周知的處理和元件，以避免不必要地模糊本技術。因此，以上的實施方式不應被視為限制本技術的範圍。

在提供值的範圍的情況下，應當理解除非上下文另有明確指出，否則還具體地揭露了在那個範圍的上限和下限之間的每個中間值（至下限單位的最小部分）。涵蓋了在所述範圍中的任何所述值或非所述的中間值與所述範圍中的任何其他所述或中間值之間的任何較窄範圍。那些較小範圍的上限和下限可獨立地包括在該範圍內或排除在該範圍內，且本技術內也涵蓋了包括在較小範圍中的上下限的任一個或兩個，不包括在較小範圍中的上下限的兩個的每個範圍，受制於在所述範圍中任何特別排除的限制。當所述範圍包括上下限的一個或兩個時，則還包括排除那些所包括的限制的任一個或兩個的範圍。

如於此和所附隨的申請專利範圍中所使用的，單數形式「一（a）」、「一（an）」和「該（the）」包括複數指代，除非上下文另有明確說明。因此，例如，提及「一材料」包括複數個這樣的材料，且提及「該試劑」包括提及一個或多個試劑及熟悉本領域者已知的其等效元件等等。

此外，當在這份說明書和以下的申請專利範圍中使用時，詞語「包含（comprise(s)）」、「包含（comprising）」、「含有（contain(s)）」、「含有（containing）」、「包括（include(s)）」和「包括（including）」旨在指定所述的特徵、整數、部件或操作的存在，但它們不排除一個或多個其他特徵、整數、部件、操作、動作或群組的存在或增加。

20‧‧‧基板保持器

22‧‧‧背板組件

24‧‧‧環形構件

25‧‧‧晶圓

26‧‧‧底座板/背板

38‧‧‧環定位銷

40‧‧‧卡盤接點

44‧‧‧晶圓板

46‧‧‧凸緣

52‧‧‧晶圓提取密封件

54‧‧‧彈簧

92‧‧‧晶圓密封件

93‧‧‧內徑

100‧‧‧處理系統

108‧‧‧定心銷

200‧‧‧機器人

202‧‧‧處理器

204‧‧‧處理器頭

205‧‧‧真空感測器

206‧‧‧轉子

207‧‧‧系統控制電腦

208‧‧‧對準孔

210‧‧‧容器

400‧‧‧方法

410‧‧‧操作

420‧‧‧操作

430‧‧‧操作

440‧‧‧操作

450‧‧‧操作

460‧‧‧操作

藉由參考說明書的剩餘部分和圖式，可實現對所揭露的實施例的本質和優點的進一步理解。

第1圖顯示了根據本技術的實施例的示例性處理系統的示意圖。

第2圖顯示了根據本技術的實施例的示例性基板保持器的示意性底部透視圖。

第3圖顯示了根據本技術的實施例的示例性基板保持器的部件的示意性底部分解圖。

第4圖顯示了根據本技術的實施例的清潔電鍍裝置的方法的示例性操作。

包括若干圖式作為示意圖。將理解圖式僅用於說明目的，且除非特別說明為成比例，否則不應視為成比例。另外，作為示意圖，提供圖式是為了幫助理解，且可能不包括與實際表示相比的所有態樣或資訊，並可能包括用於說明目的的誇大材料。

在圖式中，類似的部件及/或特徵可具有相同的元件符號。此外，可藉由在元件符號之後用區分相似部件及/或特徵的字母來區分相同類型的各種部件。若在說明書中僅使用第一元件符號，則描述適用於具有相同的第一元件符號的類似部件及/或特徵的任一個，而與字母后綴無關。

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Claims (20)

1. 一種清潔一電鍍裝置的方法，包含以下步驟： 將該電鍍裝置的一基板保持器的至少一部分曝露於UV光，其中該UV光被配置為將該基板保持器上的含金屬材料從一第一氧化態調節到一第二氧化態。
2. 如請求項1所述之清潔一電鍍裝置的方法，進一步包含以下步驟： 在該曝露之前處理與該基板保持器耦接的一基板，其中該處理使得該含金屬材料形成在該基板保持器的至少一部分上；及在該曝露之前從該基板保持器移除該基板。
3. 如請求項2所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該處理之步骤包含以下步驟：藉由一電化學沉積處理在該基板上形成該含金屬材料。
4. 如請求項1所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該含金屬材料包含錫。
5. 如請求項4所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該第一氧化態包含+2，而該第二氧化態包含+4。
6. 如請求項4所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中曝露該基板保持器的至少一部分在一含氧環境中進行。
7. 如請求項6所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該含氧環境包含多個環境條件。
8. 如請求項6所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該錫被氧化成氧化錫（IV）。
9. 如請求項1所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該UV光在低於或約300nm的一波長下操作。
10. 如請求項1所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中在該基板保持器的至少一部分的每個不連續區段處，該曝露於UV光發生至少約10秒。
11. 一種清潔一電鍍裝置的方法，包含以下步驟： 處理與該電鍍裝置耦接的一基板，其中該基板與該電鍍裝置的一基板保持器耦接，其中該基板保持器包含圍繞該基板設置的一環形部件，其中該環形部件的一表面可與該基板一起曝露於一電鍍溶液，且其中該處理在該環形部件上形成一含金屬材料；從該電鍍裝置的該基板保持器移除該基板；及將該電鍍裝置的該基板保持器的該環形部件曝露於UV光，其中該UV光配置以改性該含金屬材料。
12. 如請求項11所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該含金屬材料包含錫。
13. 如請求項12所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該錫藉由該UV光改性以形成氧化錫（IV）。
14. 如請求項13所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該錫在多個環境條件中改性。
15. 如請求項11所述之清潔一電鍍裝置的方法，進一步包含以下步驟：在該曝露於該UV光期間旋轉該環形部件。
16. 如請求項15所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該環形部件的每個區段曝露於該UV光至少約5秒。
17. 如請求項11所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該UV光在低於或約300nm的一波長下操作。
18. 一種清潔一電鍍裝置的方法，包含以下步驟： 處理與該電鍍裝置耦接的一基板，其中該基板與該電鍍裝置的一基板保持器耦接，其中該基板保持器包含圍繞該基板設置的一環形部件，其中該環形部件的一表面與該基板一起曝露於一電鍍溶液，其中該處理在該環形部件上形成一含金屬材料；從該電鍍裝置的該基板保持器移除該基板；旋轉該環形部件；及當旋轉該環形部件時，將該電鍍裝置的該基板保持器的該環形部件曝露於產生UV光的一固定UV光源，其中該UV光配置以改性該含金屬材料。
19. 如請求項18所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該曝露該環形部件在一含氧環境中進行。
20. 如請求項19所述之清潔一電鍍裝置的方法，其中該含金屬材料包含錫，且其中該錫藉由該UV光改性以形成氧化錫（IV）。