TWI473192B - 具有側面保護之半導體晶圓製程方法及系統 - Google Patents

Description

具有側面保護之半導體晶圓製程方法及系統

本發明之範例實施例係關於半導體晶圓的製程，且更具體而言，是與於製程中保護晶圓側面之方法與系統相關。

在半導體產業中，一半導體裝置的製造包括對一晶圓的製程，其包括前段製程及後段製程以將電子元件(例如電晶體、電阻、電容等)於晶體中圖案化且形成內連線以構成積體電路。於晶圓製程結束之後，此晶圓被切割成單獨的晶粒然後進行封裝。

於前段製程中的一部份，此晶圓可以進行嵌鑲製程以形成例如是導線、接觸窗或是介層孔的電子內連線。為了形成嵌鑲結構，介電層形成於具有導電區域於其中的一基板之上。然後形成一開口於介電層中。此開口可以是接觸窗開口、介層孔開口、導線溝渠或是嵌鑲開口。此開口將此基板中的導電區域一部分裸露出來。一層金屬層然後形成於基板之上且完全覆蓋此開口。許多合適的金屬材料做以作為此金屬層，但此處所描述的係根據一範例，此金屬層是使用銅或是銅合金(通常稱為銅)。在一範例中，此金屬層可以先形成一層薄的銅種子層然後再形成一層厚的金屬層，其通常被稱為"嵌鑲層"。在一範例中，此層薄的銅種子層可以使用物理氣相沈積(PVD)、或是化學氣相沈積(CVD)形成，而銅嵌鑲層可以使用電化學鍍(ECD)方式形成。

在施加金屬層於基板上之後，此晶圓可以藉由將其浸泡於溶液中來清潔以除去於施加此銅層時所產生的微粒。此清潔後的晶圓也可以利用例如是藉由旋轉此晶圓的方式加以乾燥。最後，進行退火及化學機械研磨(CMP)以除去開口外的多餘金屬材料。

此晶圓通常包括相對的主要前表面及後表面，其由一側邊連接在一起，此側邊通常是傾斜的。在嵌鑲製程中，通常希望電鍍沈積的金屬層次靠近晶圓的側邊但不會覆蓋其側邊。類似地，通常也不希望電鍍沈積的金屬層次延伸於晶圓的側邊。因此，某些技術被開發以除去形成於晶圓側邊的電鍍沈積金屬層的部分，但仍希望對現存的技術做進一步的改進。

根據之前背景段落中所描述的，本發明之範例實施例提供於形成電鍍層的製程中保護晶圓側面之方法與系統。根據本發明之一目的係提供一種積體電路製造系統，包含：一電源供應可與一半導體晶圓連接，該晶圓具有相對的主要前表面及後表面，其由一側邊連接在一起，該晶圓可以進行包括電鍍一嵌鑲層於該晶圓上的前段製程。此系統也包含一安排組態為可以於電鍍該嵌鑲層之前施加一高分子塗佈於該晶圓的該側邊，該高分子塗佈施加於該晶圓的該主要前表面及後表面之一部分以及該側邊，其中該系統係組態為由一電源所驅動之一電泳技術來施加該高分子塗佈層。該高分子塗佈係作為防止該嵌鑲層形成於該晶圓的該側邊之一阻障層。

更具體而言，高分子塗佈係施加於該晶圓的該主要前表面及後表面之一部分以及該側邊，即高分子塗佈係施加於該晶圓的側邊，且可以選擇性地施加於該晶圓的該主要前表面及後表面之一部分，而不是施加於整個晶圓的該主要前表面及後表面上。在一範例中，施加於該晶圓的該主要前表面及後表面之該高分子塗佈的寬度介於3~5mm，且該主要前表面及後表面具有大於3~5mm之半徑。

在一範例中，該安排包含一基座以及一熱源。該基座以組態為將該晶圓與一高分子液體接觸使得該高分子塗佈於該晶圓的該主要前表面及後表面之外以及該側邊。且該熱源組態為熱固化該晶圓的該側邊之該高分子液體塗佈以形成該高分子塗佈。

在一範例中，該安排包含組態為施加該高分子塗佈係在於形成一薄的銅種子層之後及在電鍍形成該嵌鑲層之前所施加。在此範例中，該系統更包含一反應室，在其中可將該晶圓密封以進行該熱源的熱固化該高分子塗佈。而且在此範例中，該反應室具有降低壓力或惰性氣體的環境，以至少降低該種子層於該高分子液體固化時被氧化。

在一範例中，該安排更包括充滿一高分子液體的一承載容器。在此範例中，其中該承載容器具有一個多個滾輪組態為將該晶圓支撐於該承載容器之上使得該晶圓的該主要前表面及後表面大致與該高分子液體一上表面之平面垂直，且使得該側邊的至少一部分以及該主要前表面及後表面的一部分浸入該高分子液體中；以及其中該一個多個滾輪組態為將該晶圓在大致與該主要前表面及後表面垂直之一軸向上旋轉以將該晶圓的該側邊連續接觸部分可以被浸入及移出該高分子液體中。

根據本發明之另一目的係提供一種積體電路電鍍系統，包含一第一機台組態為施加一高分子塗佈於一半導體晶圓上。在不同的實施例中，此第一機台可以是前述之系統或是包含前述系統中的元件。在此範例中，此積體電路電鍍系統更包含一第二機台組態為自該第一機台接收該晶圓。此第二機台組態為自該第一機台接收該晶圓，該第二機台組態為電鍍一嵌鑲層於晶圓上，該高分子塗佈係作為防止該嵌鑲層形成於該晶圓的該側邊之一阻障層。在此範例中，此積體電路電鍍系統更包含一機械手臂以將晶圓自第一機台傳送至第二機台。

在一範例中，此積體電路電鍍系統更包含一第三機台組態為自該第二機台接收該晶圓，該第三機台用來在該電鍍之後清潔及乾燥該晶圓；以及一第四台組態為自該第三機台接收該晶圓，該第四機台用來對該晶圓退火。在此範例中，此積體電路電鍍系統更包含該機械手臂以將晶圓自第二機台傳送至第三機台以及自第三機台傳送至第四機台。

本發明之某些實施例，會在下列實施方式的章節中搭配圖式被描述，其中僅顯示某些而並非全部的實施例。然而，本發明不同的實施例可以具有不同的型態且不應視為限制本發明；而是這些實施例之提供係為使本說明書之揭露滿足專利法之要求。

請參閱第1圖，其顯示根據本發明一範例實施例之半導體晶圓10的上視及剖面(係沿著虛線)圖。如圖中所示，此晶圓包括相對的主要前表面12及後表面14，其由一側邊16連接在一起，此側邊可以是傾斜或不傾斜的(圖中顯示傾斜的側邊)。此側邊因此在某些時候被稱為傾斜的側邊、傾斜的邊緣、斜邊或側邊。此晶圓可以進行前段製程或後段製程以將電子元件(例如電晶體、電阻、電容等)於晶體中圖案化且形成內連線以構成積體電路。

以類似於在背景段落中解釋過的方式，於前段製程中的一部份，此晶圓10可以進行嵌鑲製程以形成例如是導線、接觸窗或是介層孔的電子內連線。為了形成嵌鑲結構，介電層形成於具有導電區域於其中的一基板之上。然後形成一開口於介電層中。此開口可以是接觸窗開口、介層孔開口、導線溝渠或是嵌鑲開口。此開口將此基板中的導電區域一部分裸露出來。一層金屬層然後形成於基板之上且完全覆蓋此開口。許多合適的金屬材料做以作為此金屬層，但此處所描述的係根據一範例，此金屬層是使用銅或是銅合金(通常稱為銅)。在一範例中，此金屬層可以先形成一層薄的銅種子層然後再形成一層厚的銅嵌鑲層。在一範例中，此層薄的銅種子層可以使用物理氣相沈積(PVD)、或是化學氣相沈積(CVD)形成，而銅嵌鑲層可以使用電化學鍍(ECD)方式形成。

在施加金屬層於基板上之後，此晶圓10可以藉由將其浸泡於溶液中來清潔以除去於施加此銅層時所產生的微粒。此清潔後的晶圓也可以利用例如是藉由旋轉此晶圓的方式加以乾燥。最後，進行退火及化學機械研磨(CMP)以除去開口外的多餘金屬材料。

如同在背景段落中解釋過的，通常不希望電鍍沈積的層次延伸於晶圓10的側邊16。根據本發明之某些範例實施例，然後，於形成嵌鑲層之前，一非導電高分子層18可以塗佈或是用其他方式施加於晶圓的週邊。在一實施例中，於形成薄的銅種子層之後及在形成嵌鑲層之前，此非導電高分子層可以施加於晶圓的週邊。此高分子層可以具有一種或多種特性例如與電鍍溶液相容，以及/或可溶於某些化學品中但通常是不溶於電鍍溶液。

此高分子層18可以覆蓋於晶圓10的側邊16，且可以額外的包覆於主要前表面12及後表面14各自的環狀週邊區域之表面。在包含主要前表面12及後表面14的直徑為150~450毫米(mm)之晶圓中，此高分子層在一範例中額外包覆3~5毫米(mm)的前表面12及後表面14。於形成嵌鑲層時，此高分子層可以作為防止嵌鑲層在側邊以及被高分子包覆於晶圓主要前表面12及後表面14部分形成的阻障層。此高分子層然後可以於進行化學機械研磨(CMP)期間、之前或之後利用例如是某些溶液或研磨液除去，因此保留嵌鑲層不會在側邊以及被高分子包覆於晶圓主要前表面12及後表面14部分形成。

此高分子層18可以使用許多不同的方式來施加於晶圓10之上。如第2圖中所示，根據一範例實施例，使用一系統20來施加高分子層18於晶圓10之上。此系統包括一承載溶液之容器22其中填滿高分子液體24。此系統也包括一基座以支撐晶圓且將晶圓與高分子液體24接觸以在晶圓10的側邊16塗佈此高分子液體24，且可以選擇性地塗佈在主要前表面12及後表面14之週邊表面的邊緣部分-且不會部分塗佈在主要前表面12及後表面14之週邊表面的內緣部分。如圖中所示，此系統也包括一滾輪26以支撐晶圓10的側邊16塗佈此高分子液體承載容器之上使得晶圓的主要前表面12及後表面14大致與此高分子液體上表面之平面垂直，且使得側邊的至少一部分(如果沒有也包含主要前表面12及後表面14的一部分)浸入此高分子液體中。如圖中所示，在此範例中滾輪26支撐住晶圓，使得晶圓的主要前表面12及後表面14之各自區段及與此各自區段連接之側邊部份被浸入此高分子液體中。在此範例中，晶圓浸入此高分子液體中的深度可以設定為主要前表面12及後表面14之邊緣部份可以被高分子液體包覆。

此範例中的滾輪26可以進一步用來將晶圓在大致與主要前表面12及後表面14垂直之軸向上旋轉。如第3A~3D圖中所示(僅顯示此系統20的一部分)，當滾輪26將晶圓旋轉時，側邊16的連續接觸部分可以被浸入及移出高分子液體24中。類似地，對於主要前表面12及後表面14任何需要被高分子液體覆蓋的部分，其各自邊緣的連續接觸部分28可以被浸入及移出高分子液體24中。當晶圓的主要前表面12及後表面14之各自區段及與此各自區段連接之側邊部份被浸入此高分子液體中，此高分子溶液會覆蓋於各自的區段上。在一範例中，此系統可以根據由一與此晶圓連接之電源30所驅動電泳技術來實施。

當晶圓的主要前表面12及後表面14之各自週邊區段及與此各自區段連接之側邊部份被自此高分子液體24中抽出時，塗佈於這些各自區段上的高分子液體可以被固化以形成高分子層18。在一範例中，此高分子層可以使用例如是燈泡32或是紫外線光源系統的熱源加以熱固化。在一範例實施中，高分子層18係在於形成薄的銅種子層之後及在形成嵌鑲層之前所施加，至少包含晶圓及通常包含系統中的許多部件被放置於具有降低壓力和惰性氣體的反應室34中，這些惰性氣體舉例而言可以是氮、氬或是類似的氣體。此反應室中的壓力可以至少降低或是至防止種子層於塗佈此高分子液體時被氧化。

再者，此高分子層可以在電鍍形成嵌鑲層以在晶圓上構成嵌鑲結構之前，施加於晶圓10的周邊。於之後的電鍍步驟時，此高分子層18則可以作為防止嵌鑲層在側邊以及被高分子包覆於晶圓主要前表面12及後表面14之一部分形成的阻障層。

第4圖顯示根據本發明一範例實施例之電鍍晶圓10的系統36之剖面圖。此系統包括一承載溶液之容器38，其裝滿例如是硫酸銅之電鍍液40。此晶圓及一銅金屬42被浸入此溶液中-此晶圓作為隂極而銅金屬42作為陽極。此晶圓隂極與銅金屬陽極連接至一電源44，其在晶圓隂極與銅金屬陽極產生一電位差，且施加一直接電流至銅金屬陽極。此電流導致銅金屬陽極中的銅原子氧化且溶解於此溶液中。介於晶圓隂極與銅金屬陽極之間的電位差會驅使溶液中的溶解之銅原子朝向晶圓隂極。通常而言，溶解之銅原子晶圓隂極與銅金屬陽極之間的接面會逐漸減少，如此會在晶圓隂極表面形成一銅電鍍層。但是在包括高分子18的晶圓週邊，此高分子層可以作為阻障層以防止銅被電鍍在側邊16以及被高分子包覆於晶圓主要前表面12及後表面14之一部分。

請參閱第5圖，本發明之範例實施例可以進一步提供一整合電鍍系統46以進行此晶圓10電鍍及嵌鑲製程中相關製程的許多不同操作。系統46可以包括一承載基座48以將晶圓送入及送出此系統。此系統也包括複數個機台以進行電鍍及嵌鑲製程中相關製程，以及一機器手臂50或其他電動機械以將晶圓自一第一機台傳送至另一機台及後續機台，且繼續至最後一個機台。

如圖中所示，此系統中的機台可以包括第一機台52以施加高分子層18於晶圓上；且在此目的下，第一機台可以包括如第2圖中所示的系統20之一個系統。此系統中的機台也可以包括第二機台54以將含有高分子層18之晶圓進行電鍍銅。此第二機台可以包括如第4圖中所示的系統36之一個系統。此外，此系統中的機台也可以包括第三機台56，其包括一清潔溶液及乾燥設備以在電鍍之後將晶圓進行清潔及乾燥，以及一第四機台58對此晶圓進行退火。

請參閱第6及第7圖，其顯示根據本發明之範例實施例之許多不同操作之製程流程圖。此方法包括提供一個包括相對的主要前表面及後表面，其由一側邊連接在一起之晶圓，此晶圓可以進行包括電鍍一嵌鑲層於此晶圓上的前段製程。如方塊60中所示，此方法可以包括於電鍍之前施加一高分子塗佈層覆蓋於晶圓的側邊，但是沒有包覆於晶圓的主要前表面及後表面之至少一部分。此高分子塗佈層可以作為防止在由一電源所驅動電泳技術來實施時以形成嵌鑲層結構於側邊的阻障層。

施加此高分子塗佈層可以包括將此晶圓浸泡於高分子液體中以形成高分子塗佈層覆蓋於晶圓的側邊，但是沒有包覆於晶圓的主要前表面及後表面之至少一部分，然後將其熱固化以形成高分子塗佈層。更具體而言，舉例而言，施加此高分子塗佈層可以包括將晶圓支撐於一高分子液體承載容器之上使得晶圓的主要前表面及後表面大致與此高分子液體上表面之平面垂直，且使得側邊的至少一部分以及包含主要前表面及後表面的一部分浸入此高分子液體中。在此範例中，晶圓可以在大致與主要前表面及後表面垂直之軸向上旋轉以將晶圓的側邊連續接觸部分可以被浸入及移出高分子液體中。此外，在此範例中，此高分子層可以在晶圓的側邊連續接觸部分被移出高分子液體後加以熱固化。

在一範例中，此高分子層係在於形成薄的銅種子層之後及在形成嵌鑲層之前所施加。在此範例中，此高分子層塗佈可以在具有降低壓力或惰性氣體的反應室中進行，以至少降低或是至防止種子層於塗佈此高分子液體時被氧化。

無論此高分子層係利用何種方式施加，此方法也包括於施加高分子層之後，電鍍形成嵌鑲層於晶圓之上，此嵌鑲層包覆蓋未被高分子包覆之晶圓主要前表面及後表面的部分，如方塊62中所示。此方法也包括在電鍍形成嵌鑲層之後將此高分子塗佈層移除。此後段製程還包括對晶圓進行化學機械研磨(CMP)。如方塊64中所示，此高分子塗佈層可以藉由化學機械研磨(CMP)移除。或是如第7圖之方塊66中所示，此高分子塗佈層可以藉由溶劑或是研磨液在進行化學機械研磨(CMP)之前就移除，之後於方塊68進行化學機械研磨(CMP)。

雖然本發明係已參照實施例來加以描述，然本發明創作並未受限於其詳細描述內容。替換方式及修改樣式係已於先前描述中所建議，且其他替換方式及修改樣式將為熟習此項技藝之人士所思及。特別是，所有具有實質上相同於本發明之構件結合而達成與本發明實質上相同結果者，皆不脫離本發明之精神範疇。因此，所有此等替換方式及修改樣式係意欲落在本發明於隨附申請專利範圍及其均等物所界定的範疇之中。

10．．．半導體晶圓

12．．．主要前表面

14．．．後表面

16．．．側邊

18．．．高分子層

20．．．高分子層塗佈系統

22．．．承載溶液之容器

24．．．高分子液體

26．．．滾輪

30．．．電源

32．．．熱源

34．．．反應室

36．．．電鍍晶圓的系統

38．．．承載溶液之容器

40．．．電鍍液

42．．．陽極

44．．．陰極

46．．．電鍍系統

48．．．承載基座

50．．．機器手臂

52．．．第一機台

54．．．第二機台

56．．．第三機台

58．．．第四機台

本發明係由申請專利範圍所界定。這些和其它目的，特徵，和實施例，會在下列實施方式的章節中搭配圖式被描述，其中：

第1圖顯示根據本發明一範例實施例之半導體晶圓的上視及剖面(係沿著虛線)圖。

第2圖顯示根據本發明一範例實施例，用來施加高分子層於晶圓之上的系統示意圖。

第3a~3d圖顯示根據第2圖中本發明一範例實施例的系統一部份，當晶圓被旋轉時的示意圖。

第4圖顯示根據本發明一範例實施例之電鍍晶圓的系統之剖面圖。

第5圖顯示本發明之範例實施例可以進一步提供一整合電鍍系統以進行此晶圓電鍍及嵌鑲製程中相關製程的許多不同操作的方塊示意圖。

第6及第7圖顯示根據本發明之範例實施例之許多不同操作之製程流程圖。

20．．．高分子層塗佈系統

22．．．承載溶液之容器

24．．．高分子液體

26．．．滾輪

30．．．電源

32．．．熱源

34．．．反應室

Claims (23)

1. 一種積體電路製造方法，包含：提供一半導體晶圓，該晶圓具有相對的主要前表面及後表面，其由一側邊連接在一起，該晶圓可以進行包括電鍍一嵌鑲層於該晶圓上的製程；於電鍍該嵌鑲層之前，將該晶圓與一高分子液體接觸以施加一高分子塗佈於該晶圓的該側邊，該高分子塗佈施加於該側邊但是沒有於該晶圓的該主要前表面及後表面之至少一部分，該高分子塗佈係作為防止該嵌鑲層形成於該晶圓的該側邊之一阻障層；其中該高分子塗佈層係由一電源所驅動之一電泳技術來實施；及其中施加該高分子塗佈包括：將該晶圓支撐於該高分子液體之上，使得該側邊的至少一部分但是沒有於該晶圓的該主要前表面及後表面之至少一部分浸入該高分子液體中；及將該晶圓在大致與該主要前表面及後表面垂直之一軸向上旋轉以將該晶圓的該側邊連續接觸部分可以被浸入及移出該高分子液體中。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中施加於該晶圓的該主要前表面及後表面之該高分子塗佈的寬度介於3~5mm，且該主要前表面及後表面具有大於3~5mm之半徑。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中施加該高分子塗佈包 含：熱固化該晶圓的該側邊之該高分子液體塗佈以形成該高分子塗佈。
4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中施加該高分子塗佈係在於形成一薄的銅種子層之後及在電鍍形成該嵌鑲層之前所施加，以及該高分子塗佈的施加係在具有降低壓力或惰性氣體下進行，以至少降低該種子層於該高分子液體固化時被氧化。
5. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中將該晶圓支撐於該高分子液體之上包括：將該晶圓的該主要前表面及後表面大致與該高分子液體一上表面之平面垂直。
6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中熱固化該高分子液體包含在該晶圓的該側邊連續接觸部分被移出該高分子液體時加以熱固化該高分子液體。
7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括：於施加該高分子塗佈之後，電鍍形成該嵌鑲層於該晶圓之上，該嵌鑲層包覆蓋未被該高分子塗佈所包覆之該主要前表面及後表面的部分。
8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括：於電鍍形成該嵌鑲層之後將該高分子塗佈移除。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該製程更包括對該晶 圓進行化學機械研磨，以及其中該高分子塗佈係由該化學機械研磨移除。
10. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該製程更包括對該晶圓進行化學機械研磨，以及其中該高分子塗佈係於該化學機械研磨之前由一溶劑或是研磨液移除。
11. 一種積體電路製造系統，包含：一電源供應可與一半導體晶圓連接，該晶圓具有相對的主要前表面及後表面，其由一側邊連接在一起，該晶圓可以進行包括電鍍一嵌鑲層於該晶圓上的製程；一安排組態為可以於電鍍該嵌鑲層之前施加一高分子塗佈於該晶圓的該側邊；該安排包含一基座以組態為將該晶圓與一高分子液體接觸及一充滿該高分子液體的承載容器以組態為將該晶圓支撐於該承載容器之該高分子液體上，使得該側邊的至少一部分但是沒有於該晶圓的該主要前表面及後表面之至少一部分浸入該高分子液體中，並以將該晶圓的該側邊連續接觸部分可以被浸入及移出該高分子液體中，且使該高分子塗佈施加於該晶圓的該側邊但是沒有於該晶圓的該主要前表面及後表面之至少一部分；該高分子塗佈係作為防止該嵌鑲層形成於該晶圓的該側邊之一阻障層；其中該系統係組態為由一電源所驅動之一電泳技術來施加該高分子塗佈層。
12. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中施加於該晶圓的該主要前表面及後表面之該高分子塗佈的寬度介於3~5mm，且該主要前表面及後表面具有大於3~5mm之半徑。
13. 如申請專利範圍第11項所述之系統，其中該安排包含： 一熱源組態為熱固化該晶圓的該側邊之該高分子液體塗佈以形成該高分子塗佈。
14. 如申請專利範圍第13項所述之系統，其中該安排組態為施加該高分子塗佈係在於形成一薄的銅種子層之後及在電鍍形成該嵌鑲層之前所施加，以及該系統更包含：一反應室，在其中可將該晶圓密封以進行該熱源的熱固化該高分子塗佈，該反應室具有降低壓力或惰性氣體的環境，以至少降低該種子層於該高分子液體固化時被氧化。
15. 如申請專利範圍第13項所述之系統，其中該承載容器更包括：一個多個滾輪組態為使支撐於該承載容器之上之該晶圓的該主要前表面及後表面大致與該高分子液體一上表面之平面垂直，；以及其中該一個多個滾輪組態為將該晶圓在大致與該主要前表面及後表面垂直之一軸向上旋轉以將該晶圓的該側邊連續接觸部分可以被浸入及移出該高分子液體中。
16. 如申請專利範圍第15項所述之系統，其中該熱源組態為在該晶圓的該側邊連續接觸部分被移出該高分子液體時加以熱固化該高分子液體。
17. 一種積體電路電鍍系統，包含：一第一機台組態為施加一高分子塗佈於一半導體晶圓上，該晶圓具有相對的主要前表面及後表面，其由一側邊連接在一起，該高分子塗佈施加於該晶圓的該側邊但是沒有於該晶圓的該主要前表面及後表面之至少一部分；其中該第一機台包含一 基座以組態為將該晶圓與該高分子液體接觸及一充滿該高分子液體的承載容器以組態為將該晶圓支撐於該承載容器之該高分子液體上，使得該側邊的至少一部分但是沒有於該晶圓的該主要前表面及後表面之至少一部分浸入該高分子液體中，且使得該高分子塗佈於該晶圓的該側邊但是沒有於該晶圓的該主要前表面及後表面之至少一部分，並以將該晶圓的該側邊連續接觸部分可以被浸入及移出該高分子液體中；以及一第二機台組態為自該第一機台接收該晶圓，該第二機台組態為電鍍一嵌鑲層於晶圓上，該高分子塗佈係作為防止該嵌鑲層形成於該晶圓的該側邊之一阻障層。
18. 如申請專利範圍第17項所述之積體電路電鍍系統，其中施加於該晶圓的該主要前表面及後表面側邊之該高分子塗佈的寬度介於3~5mm，且該主要前表面及後表面具有大於3~5mm之半徑。
19. 如申請專利範圍第17項所述之積體電路電鍍系統，其中該第一機台包含：一熱源組態為熱固化該晶圓的該側邊之該高分子液體塗佈以形成該高分子塗佈。
20. 如申請專利範圍第17項所述之積體電路電鍍系統，其中該第一機台組態為施加該高分子塗佈係在於形成一薄的銅種子層之後及在電鍍形成該嵌鑲層之前所施加，以及該第一機台更包含：一反應室，在其中可將該晶圓密封以進行該熱源的熱固化該高分子塗佈，該反應室具有降低壓力或惰性氣體的環境，以至少降低該種子層於該高分子液體固化時被氧化。
21. 如申請專利範圍第19項所述之積體電路電鍍系統，其中該承 載容器更包括：其中該具有一個多個滾輪組態為將該晶圓的該主要前表面及後表面大致與該高分子液體一上表面之平面垂直；以及其中該一個多個滾輪組態為將該晶圓在大致與該主要前表面及後表面垂直之一軸向上旋轉以將該晶圓的該側邊連續接觸部分可以被浸入及移出該高分子液體中。
22. 如申請專利範圍第21項所述之積體電路電鍍系統，其中該熱源組態為在該晶圓的該側邊連續接觸部分被移出該高分子液體時加以熱固化該高分子液體。
23. 如申請專利範圍第17項所述之積體電路電鍍系統，更包括：一第三機台組態為自該第二機台接收該晶圓，該第三機台用來在該電鍍之後清潔及乾燥該晶圓；以及一第四台組態為自該第三機台接收該晶圓，該第四機台用來對該晶圓退火。