JPH02264254A - パターン形成用材料とそれを用いたパターン形成基板の作製方法 - Google Patents
パターン形成用材料とそれを用いたパターン形成基板の作製方法Info
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- JPH02264254A JPH02264254A JP1086222A JP8622289A JPH02264254A JP H02264254 A JPH02264254 A JP H02264254A JP 1086222 A JP1086222 A JP 1086222A JP 8622289 A JP8622289 A JP 8622289A JP H02264254 A JPH02264254 A JP H02264254A
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-
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- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/121—Metallo-organic compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はハイブリッドＩＣ等のパターン形成基板のパタ
ーン形成用材料およびそれを用いたパターン形成基板の
作製方法に関する。
ーン形成用材料およびそれを用いたパターン形成基板の
作製方法に関する。
従来の技術
従来のハイブリッドＩＣにおけるパターン形成はアルミ
ナセラミック基板上に印刷法を用いて形成されていた。
ナセラミック基板上に印刷法を用いて形成されていた。
この印刷法は、第５図に示されるように基板３上のパタ
ーンを描こうとする箇所に空孔を設けたスクリーン１と
スキージ２を用いてパターンを形成していた。詳述する
と、スクリーン１は基板３と平行にかつ、基板３の上側
０．２５ｍｍ〜２．０ｍｍ程度の位置に保持され、この
スクリーン１上にパターン５となる導体ペースト４が載
せられ、この導体ペースト４がスクリーン１を押し付け
つつ移動するスキージ２により押し付けられ共に移動す
る。その結果、スクリーン１中の空孔部より導体ペース
ト４が基板３上に移り、パターン５が基板３上に形成さ
れる。
ーンを描こうとする箇所に空孔を設けたスクリーン１と
スキージ２を用いてパターンを形成していた。詳述する
と、スクリーン１は基板３と平行にかつ、基板３の上側
０．２５ｍｍ〜２．０ｍｍ程度の位置に保持され、この
スクリーン１上にパターン５となる導体ペースト４が載
せられ、この導体ペースト４がスクリーン１を押し付け
つつ移動するスキージ２により押し付けられ共に移動す
る。その結果、スクリーン１中の空孔部より導体ペース
ト４が基板３上に移り、パターン５が基板３上に形成さ
れる。
なお、この導体ペースト４については近年様々な工夫が
加えられ、例えば特開昭５９−１６７９０６号公報に示
されているように、従来用いられていた金属の粉体をペ
ースト化したものを用いる代わりに有機酸銀塩と銀の微
粉末に還元剤を添加したペーストがある。このペースト
に紫外線が照射されると、ペースト中の還元剤が有機酸
銀塩を還元し超微粒子の銀を析出させ、この超微粒子銀
は銀粒子と焼結しやすい。従って、このペーストを印刷
法によりパターン形成しその後紫外線照射を併用するこ
とで従来に比べ低い温度の加熱で銀の焼結体からなる電
子回路が得られる。
加えられ、例えば特開昭５９−１６７９０６号公報に示
されているように、従来用いられていた金属の粉体をペ
ースト化したものを用いる代わりに有機酸銀塩と銀の微
粉末に還元剤を添加したペーストがある。このペースト
に紫外線が照射されると、ペースト中の還元剤が有機酸
銀塩を還元し超微粒子の銀を析出させ、この超微粒子銀
は銀粒子と焼結しやすい。従って、このペーストを印刷
法によりパターン形成しその後紫外線照射を併用するこ
とで従来に比べ低い温度の加熱で銀の焼結体からなる電
子回路が得られる。
また、最近描画法による基板上へのパターン形成が提案
されている。この描画法は、第６図に示すように、まず
ペーストカートリッジ７に導体ペースト４を充填する。
されている。この描画法は、第６図に示すように、まず
ペーストカートリッジ７に導体ペースト４を充填する。
このペーストカートリッジ７は筒状になっており下端部
は絞り込まれ直径０．０６〜２ ｍｍ程度の空孔が設け
られている。このペーストカートリッジ７の上端部に空
気などで圧力を加えることにより下端部より一定直径を
持ったペーストが吐出される。このペースト吐出を行い
ながらペーストカートリッジ７を移動させることにより
一定線幅の電子回路を描がせている。
は絞り込まれ直径０．０６〜２ ｍｍ程度の空孔が設け
られている。このペーストカートリッジ７の上端部に空
気などで圧力を加えることにより下端部より一定直径を
持ったペーストが吐出される。このペースト吐出を行い
ながらペーストカートリッジ７を移動させることにより
一定線幅の電子回路を描がせている。
発明が解決しようとする課題
しかし、印刷法においては、得ようとするパターンが変
わった場合、スクリーンを変えろ必要がある。また同一
パターンであっても、ある程度の印刷回数を経るとスク
リーン１に伸びが生じ、その結果印刷されたパターンに
位置ずれが生じるため、同一パターンの印刷中であって
も、途中でスクリーン１を交換する必要がある。しかし
、スクリーン１の枠６の加工精度及びスクリーン１を枠
６に貼るときの精度等の原因で、完全に同じ物を得るこ
とは非常に困難である。従って、スクリーン１を交換す
る際に新たに位置合わせ、基板３とスクリーン１の平行
を出すなどの調整が必要である。しかしこの調整には最
低でも３０分程度必要であり、ハイブリッドＩＣ生産ラ
インの稼働率を低下させている。
わった場合、スクリーンを変えろ必要がある。また同一
パターンであっても、ある程度の印刷回数を経るとスク
リーン１に伸びが生じ、その結果印刷されたパターンに
位置ずれが生じるため、同一パターンの印刷中であって
も、途中でスクリーン１を交換する必要がある。しかし
、スクリーン１の枠６の加工精度及びスクリーン１を枠
６に貼るときの精度等の原因で、完全に同じ物を得るこ
とは非常に困難である。従って、スクリーン１を交換す
る際に新たに位置合わせ、基板３とスクリーン１の平行
を出すなどの調整が必要である。しかしこの調整には最
低でも３０分程度必要であり、ハイブリッドＩＣ生産ラ
インの稼働率を低下させている。
次に描画法では、パターンを変更する場合でもパターン
座標を入力したプログラムを変えるだけであるため、こ
れらの原因でハイブリッドＩＣ生産ラインの停止はほと
んどない。しかしこのときのペーストカートリッジ７の
先端部の空孔は直径０．０６〜２Ｍと限られ、また基本
的には線によるパターン形成であるため、印刷に比べ生
産性は極めて悪いという欠点がある。
座標を入力したプログラムを変えるだけであるため、こ
れらの原因でハイブリッドＩＣ生産ラインの停止はほと
んどない。しかしこのときのペーストカートリッジ７の
先端部の空孔は直径０．０６〜２Ｍと限られ、また基本
的には線によるパターン形成であるため、印刷に比べ生
産性は極めて悪いという欠点がある。
そこで、本発明は、パターンの異なる基板を得る場合に
もハイブリッドＩＣ生産ラインの稼働率を低下させるこ
とがなく、さらに量産にあたっても対応が可能となるパ
ターン形成基板の作製に用いられるパターン形成用材料
およびそれを用いたパターン形成基板の作製方法を提供
するものである。
もハイブリッドＩＣ生産ラインの稼働率を低下させるこ
とがなく、さらに量産にあたっても対応が可能となるパ
ターン形成基板の作製に用いられるパターン形成用材料
およびそれを用いたパターン形成基板の作製方法を提供
するものである。
課題を解決するための手段
本発明の第１発明は、還元されることにより金属を析出
する有機酸金属塩と、熱を加えることにより還元作用を
示しかつ紫外線、可視光線、赤外線のいずれかが照射さ
れることにより化学的に変化し還元力が消失する還元剤
とを有するパターン形成用材料である。
する有機酸金属塩と、熱を加えることにより還元作用を
示しかつ紫外線、可視光線、赤外線のいずれかが照射さ
れることにより化学的に変化し還元力が消失する還元剤
とを有するパターン形成用材料である。
第２の発明は有機酸金属塩と還元剤とを混合したものを
基板上に塗布した後、塗布面の所定部に、紫外線、可視
光線、赤外線の少なくとも１つを照射し、その後熱を加
えることにより基板上に所定のパターンを形成するパタ
ーン形成基板の作製方法である。
基板上に塗布した後、塗布面の所定部に、紫外線、可視
光線、赤外線の少なくとも１つを照射し、その後熱を加
えることにより基板上に所定のパターンを形成するパタ
ーン形成基板の作製方法である。
第３の発明は、支持体上に塗布された所定部に紫外線、
可視光線、赤外線の少なくとも１つを照射した後、前記
還元剤を基板上に塗布された請求項１記載の有機酸金属
塩膜に接触させ、そのままの状態で熱を加え、その後前
記支持体を除去して基板上に所定のパターンを形成する
パターン形成基板の作製方法である。
可視光線、赤外線の少なくとも１つを照射した後、前記
還元剤を基板上に塗布された請求項１記載の有機酸金属
塩膜に接触させ、そのままの状態で熱を加え、その後前
記支持体を除去して基板上に所定のパターンを形成する
パターン形成基板の作製方法である。
第４の発明は、基板上に塗布された有機酸金属塩と、透
明支持体上に塗布された熱を加えることにより還元作用
を示しかつ、紫外線、可視光線、赤外線のいずれかが照
射されることにより化学的に変化し還元力が消失する還
元剤とを接触させその後還元剤の所定部に、紫外線、可
視光線、赤外線の少なくとも１つを照射し、その後、透
明支持体を除去することにより基板上に所定のパターン
を形成するパターン形成基板の作製方法である。
明支持体上に塗布された熱を加えることにより還元作用
を示しかつ、紫外線、可視光線、赤外線のいずれかが照
射されることにより化学的に変化し還元力が消失する還
元剤とを接触させその後還元剤の所定部に、紫外線、可
視光線、赤外線の少なくとも１つを照射し、その後、透
明支持体を除去することにより基板上に所定のパターン
を形成するパターン形成基板の作製方法である。
作 用
本発明によれば、有機酸金属塩が還元剤で還元されるこ
走により金属が析出し、導体材料となる。
走により金属が析出し、導体材料となる。
第２の発明によると、基板上に第１の発明による物質の
混合物を塗布してこれに紫外線、可視光線、赤外線のい
ずれかが照射されることにより、その部分に存在してい
た還元剤は化学的に変化するため、その後熱が加えられ
ても有機酸金属塩を還元することはできない。この結果
、紫外線、可視光線、赤外線のいずれもが照射されなか
った場所にのみ還元剤が存在し還元反応に必要な熱が加
えられることで、有機酸金属塩を還元し金属を析出させ
、これにより基板上に所定のパターンを形成できる。
混合物を塗布してこれに紫外線、可視光線、赤外線のい
ずれかが照射されることにより、その部分に存在してい
た還元剤は化学的に変化するため、その後熱が加えられ
ても有機酸金属塩を還元することはできない。この結果
、紫外線、可視光線、赤外線のいずれもが照射されなか
った場所にのみ還元剤が存在し還元反応に必要な熱が加
えられることで、有機酸金属塩を還元し金属を析出させ
、これにより基板上に所定のパターンを形成できる。
第３発明によると、基板上に塗布された第１発明による
有機酸金属塩と、支持体上に塗布された後に紫外線、可
視光線、赤外線でパターン化された第１発明による還元
剤を重ね合わせ、その後加熱するため、有機酸金属塩と
還元剤のそれぞれの密度を大きくすることができ、その
結果基板上にファインパターンを形成できる。
有機酸金属塩と、支持体上に塗布された後に紫外線、可
視光線、赤外線でパターン化された第１発明による還元
剤を重ね合わせ、その後加熱するため、有機酸金属塩と
還元剤のそれぞれの密度を大きくすることができ、その
結果基板上にファインパターンを形成できる。
第４発明によれば、基板上に第１発明による有機酸金属
塩を、透明支持体上に塗布させた第１発明による還元剤
と接触させ、透明支持体側より還元剤に紫外線、可視光
線、赤外線のいずれかを照射し還元剤をパターン化しそ
の後熱を加えるため形成される電子回路はファインパタ
ーンかつ位置ずれのないパターン形成が形成できる。
塩を、透明支持体上に塗布させた第１発明による還元剤
と接触させ、透明支持体側より還元剤に紫外線、可視光
線、赤外線のいずれかを照射し還元剤をパターン化しそ
の後熱を加えるため形成される電子回路はファインパタ
ーンかつ位置ずれのないパターン形成が形成できる。
実施例
実施例１
第１図は本発明の第１実施例のパターン形成基板作製方
法を示す図である。以下、同図を用いて基板の作製方法
について説明する。まず基板３上に水１ｅに対し、感光
還元剤として４−メトキシ−１“−ナフトールを１５ｇ
、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を２５ｇ、ゼラ
チンを１００ｇ混合したものを塗布して感光薬剤膜８を
形成する（同図（Ａ））。次に基板３上に形成するパタ
ーンとはネガの関係にあるメタルマスク９を介して、光
源である高圧水銀灯１０から感光薬剤膜８に約１分間紫
外光を照射する。一般に４−メトキシ−１−ナフトール
等のα−ナフトール誘導体は紫外線を受けると分解−さ
れ易（、また熱を加えることにより還元作用を示す性質
がある。従って、紫外光を受けた露光部１１に存在して
いた４−メトキシ−１−ナフトールは分解するが、メタ
ルマスク９により紫外光が遮断された部分には４−メト
キシ−１−ナフトールが存在している（同図（Ｂ））。
法を示す図である。以下、同図を用いて基板の作製方法
について説明する。まず基板３上に水１ｅに対し、感光
還元剤として４−メトキシ−１“−ナフトールを１５ｇ
、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を２５ｇ、ゼラ
チンを１００ｇ混合したものを塗布して感光薬剤膜８を
形成する（同図（Ａ））。次に基板３上に形成するパタ
ーンとはネガの関係にあるメタルマスク９を介して、光
源である高圧水銀灯１０から感光薬剤膜８に約１分間紫
外光を照射する。一般に４−メトキシ−１−ナフトール
等のα−ナフトール誘導体は紫外線を受けると分解−さ
れ易（、また熱を加えることにより還元作用を示す性質
がある。従って、紫外光を受けた露光部１１に存在して
いた４−メトキシ−１−ナフトールは分解するが、メタ
ルマスク９により紫外光が遮断された部分には４−メト
キシ−１−ナフトールが存在している（同図（Ｂ））。
これに８０℃の熱を約５分間加えることにより４−メト
キシ−１−ナフトールが存在している場所にあるｎ−ヘ
プタン酸銅は還元され鋼を析出する。このことによって
、基板３上にはマスク９とはネガティブな関係にある銅
の導体パターン１２が形成される（同図（Ｃ））。
キシ−１−ナフトールが存在している場所にあるｎ−ヘ
プタン酸銅は還元され鋼を析出する。このことによって
、基板３上にはマスク９とはネガティブな関係にある銅
の導体パターン１２が形成される（同図（Ｃ））。
また、紫外線を照射する際に、マスク９の代わりに第２
図に示されるようにビーム状になった紫外線をエネルギ
ー反射板１３にてスキャンさせてパターンを作製しても
よい。
図に示されるようにビーム状になった紫外線をエネルギ
ー反射板１３にてスキャンさせてパターンを作製しても
よい。
なお、本実施例では感光還元剤として４−メトキシ−１
−ナフトールを、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅
を用いたが、ｎ−ヘプタン酸銅のかわりにＲＣＯＯＭ、
（ＲＣＯＯ）・（Ｒ’Ｃｏｏ）Ｍ。
−ナフトールを、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅
を用いたが、ｎ−ヘプタン酸銅のかわりにＲＣＯＯＭ、
（ＲＣＯＯ）・（Ｒ’Ｃｏｏ）Ｍ。
０） Ｍ （式中Ｒ，Ｒ’、Ｒ”はアルキル基、アリー
ル基等、ＭはＡｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｎｉ等である）
で表せる有機酸金属塩を用いれば、銀、銅等の金属も析
出できる。また４−メトキシ−１−ナフトール以外に他
のα−ナフトールの誘導体を感光還元剤として用いても
よい。
ル基等、ＭはＡｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｎｉ等である）
で表せる有機酸金属塩を用いれば、銀、銅等の金属も析
出できる。また４−メトキシ−１−ナフトール以外に他
のα−ナフトールの誘導体を感光還元剤として用いても
よい。
実施例２
第３図は本発明の第２実施例におけるパターン形成基板
の作製方法を示す図である。以下、同図を用いて、その
作製方法を説明する。まず、基板３上に水１ｅに対し、
有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を４６．７ｇ、ゼ
ラチンを１００ｇ混合したものを塗布して回路導体未形
成膜１４として形成する（同図（Ａ））。次に、支持体
１５上に水１ｅに対し、感光還元剤として４−メトキシ
−１−ナフトールを２４．４ｇ、ゼラチンを１００ｇ混
合したものを塗布し感光還元膜１６として形成する（同
図（Ｂ））。次に感光還元膜１６のパターン回路を形成
しない部分にメタルマスク９を介して高圧水銀灯１０に
より紫外線を１分間照射し、４−メトキシ−１−ナフト
ール分解部１７を作製してパターン化する（同図（Ｃ）
）。次に、回路導体未形成膜１４とパターン化された感
光還元膜１６を重ね合わせ８０℃の熱を約５分間加え、
回路導体未形成膜の一部を還元して銅を析出させる（同
図（Ｄ）〉。最後に支持体１５を除去すると基板３上に
銅パターン１２が形成される。
の作製方法を示す図である。以下、同図を用いて、その
作製方法を説明する。まず、基板３上に水１ｅに対し、
有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を４６．７ｇ、ゼ
ラチンを１００ｇ混合したものを塗布して回路導体未形
成膜１４として形成する（同図（Ａ））。次に、支持体
１５上に水１ｅに対し、感光還元剤として４−メトキシ
−１−ナフトールを２４．４ｇ、ゼラチンを１００ｇ混
合したものを塗布し感光還元膜１６として形成する（同
図（Ｂ））。次に感光還元膜１６のパターン回路を形成
しない部分にメタルマスク９を介して高圧水銀灯１０に
より紫外線を１分間照射し、４−メトキシ−１−ナフト
ール分解部１７を作製してパターン化する（同図（Ｃ）
）。次に、回路導体未形成膜１４とパターン化された感
光還元膜１６を重ね合わせ８０℃の熱を約５分間加え、
回路導体未形成膜の一部を還元して銅を析出させる（同
図（Ｄ）〉。最後に支持体１５を除去すると基板３上に
銅パターン１２が形成される。
本実施例では感光還元剤として４−メトキシ１−ナフト
ールを、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を用いた
がｎ−ヘプタン酸鋼のかわりにＲＣＯＯＭ、（ＲＣＯＯ
） （Ｒ’ Ｃｏｏ）Ｍ、または（ＲＣＯＯ）
（Ｒ’Ｃ００） （Ｒ”ＣＯＣｏｏ）式中Ｒ，Ｒ
’、Ｒ”はアルキル基、アリール基等、ＭはＡｇ、Ｆｅ
、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｎｉ等である）で表せる有機酸金属塩を
用いれば銀、銅等の金属も析出することができる。また
感光還元剤としては４−メトキシ−１−ナフトール以外
に他のα−ナフトールの誘導体を用いてもよい。さらに
紫外線、可視光線、赤外線を制御するのにマスクを用い
たが、他の方法でもよい。
ールを、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を用いた
がｎ−ヘプタン酸鋼のかわりにＲＣＯＯＭ、（ＲＣＯＯ
） （Ｒ’ Ｃｏｏ）Ｍ、または（ＲＣＯＯ）
（Ｒ’Ｃ００） （Ｒ”ＣＯＣｏｏ）式中Ｒ，Ｒ
’、Ｒ”はアルキル基、アリール基等、ＭはＡｇ、Ｆｅ
、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｎｉ等である）で表せる有機酸金属塩を
用いれば銀、銅等の金属も析出することができる。また
感光還元剤としては４−メトキシ−１−ナフトール以外
に他のα−ナフトールの誘導体を用いてもよい。さらに
紫外線、可視光線、赤外線を制御するのにマスクを用い
たが、他の方法でもよい。
実施例３
第４図は本発明の第３実施例のパターン形成基板の作製
方法を示す図である。以下、同図を用いてその作製方法
を説明する。まず、基板３上には水１ｅに対し有機酸金
属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を４６．７ｇ、ゼラチンを
１００ｇ混合したものを塗布し導体未形成膜１４を形成
する（同図（Ａ））。次に、石英ガラスよりなる透明支
持体１８上に水１ｅに対し感光還元剤として４−メトキ
シ−１−ナフトールを２４．４ｇ、ゼラチンを１００ｇ
混合したものを塗布し感光還元膜１６を形成する（同図
（Ｂ））。次に、この回路導体未形成膜１４と感光還元
膜１６を重ね合わせ、パターンを形成させない場所に対
して、透明支持体１８側よりメタルマスク９を介して高
圧水銀灯１０にて感光還元膜１６に約１分間紫外線照射
する（同図（Ｃ））。その後８０℃で５分間加熱し、回
路導体未形成膜の一部を還元して銅を析出させ（第４図
（Ｄ）） 、最後に支持体１８を除去することにより基
板３上に銅パターン１２が形成される。
方法を示す図である。以下、同図を用いてその作製方法
を説明する。まず、基板３上には水１ｅに対し有機酸金
属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を４６．７ｇ、ゼラチンを
１００ｇ混合したものを塗布し導体未形成膜１４を形成
する（同図（Ａ））。次に、石英ガラスよりなる透明支
持体１８上に水１ｅに対し感光還元剤として４−メトキ
シ−１−ナフトールを２４．４ｇ、ゼラチンを１００ｇ
混合したものを塗布し感光還元膜１６を形成する（同図
（Ｂ））。次に、この回路導体未形成膜１４と感光還元
膜１６を重ね合わせ、パターンを形成させない場所に対
して、透明支持体１８側よりメタルマスク９を介して高
圧水銀灯１０にて感光還元膜１６に約１分間紫外線照射
する（同図（Ｃ））。その後８０℃で５分間加熱し、回
路導体未形成膜の一部を還元して銅を析出させ（第４図
（Ｄ）） 、最後に支持体１８を除去することにより基
板３上に銅パターン１２が形成される。
本実施例では感光還元剤として４−メトキシ−１−ナフ
トールを、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を用い
たがｎ−ヘプタン酸銅のかわりにＲＣＯＯＭ、（ＲＣＯ
Ｏ） （Ｒ’ＣＯ○）Ｍ、または（ＲＣＯＯ）
（Ｒ’Ｃ００） （Ｒ”Ｃｏｏ）Ｍ（式中Ｒ，Ｒ
’、Ｒ”はアルキル基、アリール基等、ＭはＡｇ、Ｆｅ
、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｎｉ等である）で表せる有機酸金属塩を
用いれば銀、銅等の金属を析出できる。また感光還元剤
として４メトキシ−１−ナフトール以外に他のα−ナフ
トールの誘導体を用いても構わない。さらに紫外線、可
視光線、赤外線を制御するのにマスクあるいはビーム状
にしてスキャンさせることとしたが、ほかの手法を用い
ても構わない。
トールを、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を用い
たがｎ−ヘプタン酸銅のかわりにＲＣＯＯＭ、（ＲＣＯ
Ｏ） （Ｒ’ＣＯ○）Ｍ、または（ＲＣＯＯ）
（Ｒ’Ｃ００） （Ｒ”Ｃｏｏ）Ｍ（式中Ｒ，Ｒ
’、Ｒ”はアルキル基、アリール基等、ＭはＡｇ、Ｆｅ
、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｎｉ等である）で表せる有機酸金属塩を
用いれば銀、銅等の金属を析出できる。また感光還元剤
として４メトキシ−１−ナフトール以外に他のα−ナフ
トールの誘導体を用いても構わない。さらに紫外線、可
視光線、赤外線を制御するのにマスクあるいはビーム状
にしてスキャンさせることとしたが、ほかの手法を用い
ても構わない。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、還元作用を受けると金
属が析出する有機酸金属塩と、加熱することにより還元
力を示しかつ紫外線、可視光線、赤外線などのエネルギ
ーを受けると分解する還元剤をパターン形成用材料とし
て用いることによリ、簡単に導体材料を得ることができ
る。又、上記有機酸金属塩と還元剤を混合したものを基
板上に塗布し、この物質の塗布膜の少なくとも一部に、
比較的制御し易い紫外線、可視光線、赤外線を照射する
ことにより、簡単な工程でパターン形成基板を作製する
ことができる。
属が析出する有機酸金属塩と、加熱することにより還元
力を示しかつ紫外線、可視光線、赤外線などのエネルギ
ーを受けると分解する還元剤をパターン形成用材料とし
て用いることによリ、簡単に導体材料を得ることができ
る。又、上記有機酸金属塩と還元剤を混合したものを基
板上に塗布し、この物質の塗布膜の少なくとも一部に、
比較的制御し易い紫外線、可視光線、赤外線を照射する
ことにより、簡単な工程でパターン形成基板を作製する
ことができる。
さらに、有機酸金属塩と還元剤を別々に塗布し、還元剤
をパターン化した後これらを重ね合わせ熱を加えること
で電子回路を基板上に形成させると、有機酸金属塩の基
板上における密度を高めることができ、その結果得られ
る導体回路における金属成分の密度が高いパターン形成
できる。
をパターン化した後これらを重ね合わせ熱を加えること
で電子回路を基板上に形成させると、有機酸金属塩の基
板上における密度を高めることができ、その結果得られ
る導体回路における金属成分の密度が高いパターン形成
できる。
さらに、有機酸金属塩を基板上に還元剤を透明支持体上
に別々に塗布し、これらを重ね合わせた缶透明支持体側
より紫外線、可視光線、赤外線の少なくとも一部を還元
剤の少なくとも一部に照射しパターン化しその後加熱し
電子回路を基板上に形成させると、有機酸金属塩の基板
上における密度を高めることができ、その結果得られる
導体回路における金属成分の密度が高いパターン形成と
位置ずれのないパターンを形成できる。
に別々に塗布し、これらを重ね合わせた缶透明支持体側
より紫外線、可視光線、赤外線の少なくとも一部を還元
剤の少なくとも一部に照射しパターン化しその後加熱し
電子回路を基板上に形成させると、有機酸金属塩の基板
上における密度を高めることができ、その結果得られる
導体回路における金属成分の密度が高いパターン形成と
位置ずれのないパターンを形成できる。
第１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の第１実施例に
おけるパターン形成基板作製方法の工程を示す断面図、
第２図はエネルギーの照射の他の方法を示す断面図、第
３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は本発明
の第２実施例における電子回路基板作製方法の工程を示
す断面図、第４図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（
Ｅ）は本発明の第３実施例における電子回路基板作製方
法の工程を示す断面図、第５図は、スクリーン印刷によ
るパターン形成を示す図、第６図は描画によるパターン
形成を示す図である。 ３・・・・・・基板、８・・・・・・感光薬剤膜、９・
・・・・・マスク、１０・・・・・・光源、１１・・・
・・・露光部、１２・・・・・・銅導体電子回路、１４
・・・・・・回路導体未形成膜、１５・・・・・・支持
体、１６・・・・・・感光還元膜、１７・・・・・・４
−メトキシ−１−ナフトール分解部、１８・・・・・・
透明支持体。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名ぐ）ｏｏ
な Ｃｈ −＋ ｅ％１一 ｑ 区 Ｏ〜
おけるパターン形成基板作製方法の工程を示す断面図、
第２図はエネルギーの照射の他の方法を示す断面図、第
３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は本発明
の第２実施例における電子回路基板作製方法の工程を示
す断面図、第４図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（
Ｅ）は本発明の第３実施例における電子回路基板作製方
法の工程を示す断面図、第５図は、スクリーン印刷によ
るパターン形成を示す図、第６図は描画によるパターン
形成を示す図である。 ３・・・・・・基板、８・・・・・・感光薬剤膜、９・
・・・・・マスク、１０・・・・・・光源、１１・・・
・・・露光部、１２・・・・・・銅導体電子回路、１４
・・・・・・回路導体未形成膜、１５・・・・・・支持
体、１６・・・・・・感光還元膜、１７・・・・・・４
−メトキシ−１−ナフトール分解部、１８・・・・・・
透明支持体。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名ぐ）ｏｏ
な Ｃｈ −＋ ｅ％１一 ｑ 区 Ｏ〜
Claims (6)
- （１）還元されることにより金属を析出する有機酸金属
塩と、熱を加えることにより還元作用を示しかつ紫外線
、可視光線、赤外線のいずれかが照射されることにより
化学的に変化し還元力が消失する還元剤とを有するパタ
ーン形成用材料。 - （２）有機酸金属塩がｎ−ヘプタン酸銅である請求項１
記載のパターン形成用材料。 - （３）還元剤が４−メトキシ−１−ナフトールである請
求項１記載のパターン形成用材料。 - （４）請求項１記載の有機酸金属塩と請求項１記載の還
元剤とを混合したものを基板上に塗布した後、塗布面上
の所定部に、紫外線、可視光線、赤外線の少なくとも１
つを照射し、その後熱を加えることにより前記基板上に
所定のパターンを形成するパターン形成基板の作製方法
。 - （５）支持体上に塗布された請求項１記載の還元剤の所
定部に紫外線、可視光線、赤外線の少なくとも１つを照
射した後、前記還元剤を基板上に塗布された請求項１記
載の有機酸金属塩膜に接触させ、そのままの状態で熱を
加え、その後前記支持体を除去して前記基板上に所定の
パターンを形成するパターン形成基板の作製方法。 - （６）基板上に塗布された請求項１記載の有機酸金属塩
と透明支持体上に塗布された請求項１記載の還元剤とを
接触させた状態で前記透明支持体の所定部に紫外線、可
視光線、赤外線の少なくとも１つを照射した後、熱を加
え、その後前記透明支持体を除去することにより前記基
板上に所定のパターンを形成するパターン形成基板の作
製方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8622289A JP2538043B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | パタ―ン形成用材料とそれを用いたパタ―ン形成基板の作製方法 |
| EP90106301A EP0391314B1 (en) | 1989-04-05 | 1990-04-02 | Method for patterning on a substrate |
| DE69015857T DE69015857T2 (de) | 1989-04-05 | 1990-04-02 | Verfahren zur Herstellung eines Musters auf einem Träger. |
| US07/503,775 US5173330A (en) | 1989-04-05 | 1990-04-03 | Patterning composition and method for patterning on a substrate |
| KR1019900004673A KR930002698B1 (ko) | 1989-04-05 | 1990-04-04 | 패턴형성용 재료와 그것을 사용한 패턴형성기판의 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8622289A JP2538043B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | パタ―ン形成用材料とそれを用いたパタ―ン形成基板の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02264254A true JPH02264254A (ja) | 1990-10-29 |
| JP2538043B2 JP2538043B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=13880757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8622289A Expired - Fee Related JP2538043B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | パタ―ン形成用材料とそれを用いたパタ―ン形成基板の作製方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5173330A (ja) |
| EP (1) | EP0391314B1 (ja) |
| JP (1) | JP2538043B2 (ja) |
| KR (1) | KR930002698B1 (ja) |
| DE (1) | DE69015857T2 (ja) |
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| AU6438398A (en) | 1997-02-24 | 1998-09-09 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
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