JPH0379100A - 光透過ペーストおよびそれを用いた金属銅析出方法 - Google Patents
光透過ペーストおよびそれを用いた金属銅析出方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光透過ペーストおよびそれを用いた金属銅析
出方法に関するものである。
出方法に関するものである。
従来の技術
従来のハイブリッドＩＣにおける回路パターン形成はア
ルミナセラミック基板上に印刷法を用いて形成されてい
た。この印刷法における基本構成物は、第５図に示され
るように基板上に描こうとする・回路パターンに対応し
た空孔を有するスクリーン１とスキージ２とである。ま
たこのスクリーン１は基板３と平行にかつ、基板３の上
側０ 、２５ ｍｍ 〜２ 、０ ｗ程度の位置に保持
され、このスクリーン１上にパターン５となる導体ペー
スト４が載せられ、この導体ペースト４がスクリーン１
を押し付けつつ移動するスキージ２により押し付けられ
共に移動する。その結果、スクリーン１中の空孔部より
導体ペースト４が基板３上に移り、パターン５が基板３
上に形成される。
ルミナセラミック基板上に印刷法を用いて形成されてい
た。この印刷法における基本構成物は、第５図に示され
るように基板上に描こうとする・回路パターンに対応し
た空孔を有するスクリーン１とスキージ２とである。ま
たこのスクリーン１は基板３と平行にかつ、基板３の上
側０ 、２５ ｍｍ 〜２ 、０ ｗ程度の位置に保持
され、このスクリーン１上にパターン５となる導体ペー
スト４が載せられ、この導体ペースト４がスクリーン１
を押し付けつつ移動するスキージ２により押し付けられ
共に移動する。その結果、スクリーン１中の空孔部より
導体ペースト４が基板３上に移り、パターン５が基板３
上に形成される。
また最近描画法による基板上へのパターン形成が提案さ
れている。この描画法は第６図で示され、まずペースト
カートリッジ７に導体ペースト４を充填する。このペー
ストカートリッジ７は筒状になっており下端部は紋り込
まれ直径０．０６〜２順程度の空孔が設けられている。
れている。この描画法は第６図で示され、まずペースト
カートリッジ７に導体ペースト４を充填する。このペー
ストカートリッジ７は筒状になっており下端部は紋り込
まれ直径０．０６〜２順程度の空孔が設けられている。
このペーストカートリッジ７の上端部に空気などで圧力
を加えることにより下１部より一定直径を持ったペース
トが吐出される。このペースト吐出を行いながらペース
トカートリッジ７を移動させることにより一定線幅のパ
ターン５を描かせている。
を加えることにより下１部より一定直径を持ったペース
トが吐出される。このペースト吐出を行いながらペース
トカートリッジ７を移動させることにより一定線幅のパ
ターン５を描かせている。
発明が解決しようとする課題
しかし、印刷法においては、得ようとするパターン５が
変わった場合、スクリーン１を換える必要がある。また
同一パターン５であっても、ある程度の印刷回数を経る
とスクリーン１に伸びが生じその結果、印刷されたパタ
ーン５に位置ずれが生じるため、途中でスクリーン１を
交換する必要がある。このスクリーン１の交換には、ス
クリーン枠の加工精度及びスクリーン１を枠に貼るとき
の精度等の原因で、必ずしも均一なもののみ入手できる
わけではない。従って、スクリーン１を交換する際に新
たに位置合わせや基板３とスクリーン１の平行を出すな
どの調整が必要である。
変わった場合、スクリーン１を換える必要がある。また
同一パターン５であっても、ある程度の印刷回数を経る
とスクリーン１に伸びが生じその結果、印刷されたパタ
ーン５に位置ずれが生じるため、途中でスクリーン１を
交換する必要がある。このスクリーン１の交換には、ス
クリーン枠の加工精度及びスクリーン１を枠に貼るとき
の精度等の原因で、必ずしも均一なもののみ入手できる
わけではない。従って、スクリーン１を交換する際に新
たに位置合わせや基板３とスクリーン１の平行を出すな
どの調整が必要である。
しかしこの調整には最低でも３０分程度必要であり、ハ
イブリッドＩＣ生産ラインの稼働率を低下させている。
イブリッドＩＣ生産ラインの稼働率を低下させている。
また、パターン５を設計しそれをテストする場合スクリ
ーン作製に４日程度必要であり、開発期間を延ばしてい
る原因となっている。
ーン作製に４日程度必要であり、開発期間を延ばしてい
る原因となっている。
次に描画法では、パターン５を変更する場合でもパター
ン座標を入力したプログラムを換えるだけであるため、
これらの原因でハイブリッドＩＣ生産ラインの停止はほ
とんどない。しかしこのとぎのペーストカートリッジ７
の先端部の空孔は直径０．０６〜２ ｍ ｍと限られ、
また基本的には線によるパターン形成であるため、印刷
に比べ生産性は極めて悪いという欠点がある。
ン座標を入力したプログラムを換えるだけであるため、
これらの原因でハイブリッドＩＣ生産ラインの停止はほ
とんどない。しかしこのとぎのペーストカートリッジ７
の先端部の空孔は直径０．０６〜２ ｍ ｍと限られ、
また基本的には線によるパターン形成であるため、印刷
に比べ生産性は極めて悪いという欠点がある。
そこで最近、パターンの異なる基板を得る場合にもハイ
ブリッドＩＣ生産ラインの稼働率を低下させることがな
く、さらに量産にあたっても対応が可能となるパターン
形成回路の作製方法が提案されている。−例をあげると
酸化第−鋼の不均化反応を利用したものがある。これは
０．００２Ｎ−硫酸水溶液などの弱い酸性雰囲気の下で
２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの光が照射された部分で２ Ｃ
ｕ ｄｃ ｕ 十Ｃｕ” （１）で表される
反応が起こり、金属銅が得られるものであり、これによ
り選択的に金属銅が析出でき、パターンが形成されるも
のである。
ブリッドＩＣ生産ラインの稼働率を低下させることがな
く、さらに量産にあたっても対応が可能となるパターン
形成回路の作製方法が提案されている。−例をあげると
酸化第−鋼の不均化反応を利用したものがある。これは
０．００２Ｎ−硫酸水溶液などの弱い酸性雰囲気の下で
２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの光が照射された部分で２ Ｃ
ｕ ｄｃ ｕ 十Ｃｕ” （１）で表される
反応が起こり、金属銅が得られるものであり、これによ
り選択的に金属銅が析出でき、パターンが形成されるも
のである。
この酸化第一銅の不均化反応を起こさせるためには文献
により弱酸性雰囲気下で２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの光を
照射することが必要であることが明らかにされている。
により弱酸性雰囲気下で２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの光を
照射することが必要であることが明らかにされている。
すなわち、第７図（Ａ）に示されるようにパターンを形
成する基板３上に酸化第一銅８を塗布し、その後、第７
図（Ｂ）に示されるように希硫酸等の弱酸性水溶液９に
つけこれにマスク１０により光源１１の光をパターン化
照射し、これによりパターン１２を得ていた。
成する基板３上に酸化第一銅８を塗布し、その後、第７
図（Ｂ）に示されるように希硫酸等の弱酸性水溶液９に
つけこれにマスク１０により光源１１の光をパターン化
照射し、これによりパターン１２を得ていた。
しかし酸化第一銅の不均化反応は（１）式で表されるよ
うに塗布された酸化第一銅の半分のみが金属銅となり、
この割合を上げることは困難であった。
うに塗布された酸化第一銅の半分のみが金属銅となり、
この割合を上げることは困難であった。
この金属銅の存在密度の低さが非常に高い抵抗値を持つ
電子回路の原因となっていた。従って、他の方法により
金属銅の密度を上げることが必要である。このとき一般
に取られる方法の一つに物理現像がある。これは、第８
図（Ａ）に示されるようにチオ硫酸ナトリウム水溶液な
どで未反応の酸化第一銅を除去し基板３上にパターン１
２が存在するものを、第、８図（Ｂ）で示されるように
還元性雰囲気にある金属塩水溶液１３中に保持すること
で金属銅を核として金属塩の構成金属が金属銅の周りに
成長させ高密度の銅パターン１４を得ていた。
電子回路の原因となっていた。従って、他の方法により
金属銅の密度を上げることが必要である。このとき一般
に取られる方法の一つに物理現像がある。これは、第８
図（Ａ）に示されるようにチオ硫酸ナトリウム水溶液な
どで未反応の酸化第一銅を除去し基板３上にパターン１
２が存在するものを、第、８図（Ｂ）で示されるように
還元性雰囲気にある金属塩水溶液１３中に保持すること
で金属銅を核として金属塩の構成金属が金属銅の周りに
成長させ高密度の銅パターン１４を得ていた。
しかしこの方法による弱酸性水溶液下の酸化第一銅の不
均化反応では、空気中と弱酸性水溶液内における光の屈
折率が異なるため、精密なパターンを形成しようとすれ
ば、酸化第一銅が存在する面全体に渡りその上にある弱
酸性水溶液の厚さを一定にする必要がある。従って弱酸
性水溶液にいれた酸化第一銅は弱酸性水溶液表面が一定
となるまで酸化第−鋼へ光を照射することができない。
均化反応では、空気中と弱酸性水溶液内における光の屈
折率が異なるため、精密なパターンを形成しようとすれ
ば、酸化第一銅が存在する面全体に渡りその上にある弱
酸性水溶液の厚さを一定にする必要がある。従って弱酸
性水溶液にいれた酸化第一銅は弱酸性水溶液表面が一定
となるまで酸化第−鋼へ光を照射することができない。
このためにこの方法をパターンの作製に用いることは著
しく困難であった。また酸性水溶液は金属と接触した場
合腐食の原因となるため生産ライン中で使用することは
困難な面があった。
しく困難であった。また酸性水溶液は金属と接触した場
合腐食の原因となるため生産ライン中で使用することは
困難な面があった。
次に生産ライン内で金属塩水溶液を用いた物理現像では
、金属塩水溶液の交換、廃液処理などの問題があり好ま
しくない。
、金属塩水溶液の交換、廃液処理などの問題があり好ま
しくない。
そこで、本発明は液相以外で酸化第一銅の不均化反応に
よる金属銅を析出させる光透過ペーストおよびそれを用
いた金属銅析出方法を提供することを目的とする。
よる金属銅を析出させる光透過ペーストおよびそれを用
いた金属銅析出方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するため、本発明は酸性物を含み、かつ
２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの波長で透明である光透過ペー
ストである。
２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの波長で透明である光透過ペー
ストである。
また、本発明は塩酸、硝酸、硫酸、またはＰ−トルエン
スルホン酸を含む光透過ペーストである。
スルホン酸を含む光透過ペーストである。
また、本発明は酸性物を含み、かつ２８０ｎｍ〜６４０
ｎｍの波長で透明である光透過ペーストを基板上に設け
られた酸化第一銅に塗布した後、所望部に２８０ｎｍ〜
６４０ｎｍの波長を有する光を照射し、その後光透過ペ
ーストを取り除くことにより、照射部の酸化第一銅から
金属銅を析出させる金属銅析出方法である。
ｎｍの波長で透明である光透過ペーストを基板上に設け
られた酸化第一銅に塗布した後、所望部に２８０ｎｍ〜
６４０ｎｍの波長を有する光を照射し、その後光透過ペ
ーストを取り除くことにより、照射部の酸化第一銅から
金属銅を析出させる金属銅析出方法である。
また、本発明は酸性物を含み、かつ、２８０ｎｍ〜６４
０ｎｍの波長で透明である光透過ペーストを基板上に形
成された酸化第一銅に塗布した後、形成しようとするパ
ターンに対応した開口部を有するマスクを介して、２８
０ｎｍ〜６４０ ｎｍの波長を有する光を照射し、照射
部に金属銅を析出させ、その後、光透過ペーストおよび
マスクを取り除くことにより、基板上に所望の回路パタ
ーンを形成する回路パターン形成方法である。
０ｎｍの波長で透明である光透過ペーストを基板上に形
成された酸化第一銅に塗布した後、形成しようとするパ
ターンに対応した開口部を有するマスクを介して、２８
０ｎｍ〜６４０ ｎｍの波長を有する光を照射し、照射
部に金属銅を析出させ、その後、光透過ペーストおよび
マスクを取り除くことにより、基板上に所望の回路パタ
ーンを形成する回路パターン形成方法である。
また、本発明は酸性物を含み、２８０ｒｒｍ〜６４０ｎ
ｍの波長で透明である光透過ペーストが２８０ｎｍ〜６
４０ｎｍの波長で透明である支持体上に塗布されてなる
光透過シートである。
ｍの波長で透明である光透過ペーストが２８０ｎｍ〜６
４０ｎｍの波長で透明である支持体上に塗布されてなる
光透過シートである。
また、本発明の光透過シートを基板上に形成された酸化
第一銅に接触させ、透明支持体側より酸化第一銅の所望
部に２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの波長を照射して、その後
、前記光透過シートを取り除くことにより、照射部の酸
化第一銅から金属銅を析出させる金属銅析出方法である
。
第一銅に接触させ、透明支持体側より酸化第一銅の所望
部に２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの波長を照射して、その後
、前記光透過シートを取り除くことにより、照射部の酸
化第一銅から金属銅を析出させる金属銅析出方法である
。
また、本発明の光透過シートを基板上に形成された酸化
第一銅に接触させ、形成しようとするパターンに対応し
た開口部を有するマスクを介して、透明支持体側より酸
化第−鋼に２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの波長を照射して、
照射部に金属銅を析出させ、その後、前記光透過シート
および前記マスクを取り除くことにより、基板上に所望
の回路パターンを形成する回路パターン形成方法で・あ
る。
第一銅に接触させ、形成しようとするパターンに対応し
た開口部を有するマスクを介して、透明支持体側より酸
化第−鋼に２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの波長を照射して、
照射部に金属銅を析出させ、その後、前記光透過シート
および前記マスクを取り除くことにより、基板上に所望
の回路パターンを形成する回路パターン形成方法で・あ
る。
また、本発明は析出させる金属を含む金属塩とこの金属
塩を還元分解する還元剤とを含む金属析出ペーストを基
板上に設けられた金属に接触させることにより、前記金
属析出ペースト中の金属塩の金属を前記基板上の金属表
面に析出させる金属析出方法である。
塩を還元分解する還元剤とを含む金属析出ペーストを基
板上に設けられた金属に接触させることにより、前記金
属析出ペースト中の金属塩の金属を前記基板上の金属表
面に析出させる金属析出方法である。
更にまた、本発明の金属銅析出方法を用いて、金属銅を
析出させた後、銅を含む金属塩とこの金属塩を還元分解
する還元剤とを含む金属析出ペーストを基板上の銅に接
触させて、銅を析出させる金属銅析出方法。
析出させた後、銅を含む金属塩とこの金属塩を還元分解
する還元剤とを含む金属析出ペーストを基板上の銅に接
触させて、銅を析出させる金属銅析出方法。
作 用
本発明の光透過ペーストは２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの波
長の光が照射された酸化第一銅のＣｕ”を捕獲する。
長の光が照射された酸化第一銅のＣｕ”を捕獲する。
本発明の光透過ペーストを酸化第一銅上に塗布または接
触させ、所望部に光を照射することにより、照射部に金
属銅を析出させる。
触させ、所望部に光を照射することにより、照射部に金
属銅を析出させる。
また、金属析出ペーストを基板上の金属に接触させるこ
とにより、高密度な金属銅を得ることができる。
とにより、高密度な金属銅を得ることができる。
゛実施例
実施例１
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の第１の実施例における
回路パターン形成方法を示す断面図である。まず水５０
０ ｍ ｌにゼラチン粉末５０ｇを加えたものを５０℃
で加熱しゼラチン粉末を完全に溶解したものに３６Ｎ−
硫酸０．０１ｍ１を混入し光透過ペーストとしたものを
暗室中で基板３上に塗布されている酸化第一銅８上に塗
布し、５℃で冷却し固化させ光透過膜１５とする。そし
て、これを第１図（Ｂ）で示されるようにタングステン
ランプを用いた光源１１の光を得ようとするするパター
ンに対応した空孔を有するステンレス製のマスク１０を
介して金属銅を析出させる部分のみ照射する。この結果
、マスク１０を介して照射された光は光透過膜１５を通
り酸化第一銅に到達する。このとき酸化第一銅は光透過
膜１５により酸性雰囲気下におかれているため不均化反
応を起こし、金属銅パターン１２を析出する。そして、
最後に光透過ペースト１５を取り除き、チオ硫酸ナトリ
ウム水溶液（水１００ ｍ ｌに対しチオ硫酸ナトリウ
ム２５ｇ）で光が照射されなかったため、不均化反応が
起こらず、残留した酸化第１銅を取り除いた。
回路パターン形成方法を示す断面図である。まず水５０
０ ｍ ｌにゼラチン粉末５０ｇを加えたものを５０℃
で加熱しゼラチン粉末を完全に溶解したものに３６Ｎ−
硫酸０．０１ｍ１を混入し光透過ペーストとしたものを
暗室中で基板３上に塗布されている酸化第一銅８上に塗
布し、５℃で冷却し固化させ光透過膜１５とする。そし
て、これを第１図（Ｂ）で示されるようにタングステン
ランプを用いた光源１１の光を得ようとするするパター
ンに対応した空孔を有するステンレス製のマスク１０を
介して金属銅を析出させる部分のみ照射する。この結果
、マスク１０を介して照射された光は光透過膜１５を通
り酸化第一銅に到達する。このとき酸化第一銅は光透過
膜１５により酸性雰囲気下におかれているため不均化反
応を起こし、金属銅パターン１２を析出する。そして、
最後に光透過ペースト１５を取り除き、チオ硫酸ナトリ
ウム水溶液（水１００ ｍ ｌに対しチオ硫酸ナトリウ
ム２５ｇ）で光が照射されなかったため、不均化反応が
起こらず、残留した酸化第１銅を取り除いた。
なお、本実施例では光をパターン化するためステンレス
製のマスク１０を用いたが光をビーム状に絞りスキャン
させても構わない。
製のマスク１０を用いたが光をビーム状に絞りスキャン
させても構わない。
また光透過膜１５中にゼラチンを混入したがポリビニル
アルコールや酢酸セルロース等の他の高分子剤を用いて
も構わない。更に硫酸の代わりに塩酸、硫酸、酢酸、ｐ
−トルエンスルホン酸等他の酸性試薬を用いても構わな
い。
アルコールや酢酸セルロース等の他の高分子剤を用いて
も構わない。更に硫酸の代わりに塩酸、硫酸、酢酸、ｐ
−トルエンスルホン酸等他の酸性試薬を用いても構わな
い。
実施例２
第２図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の第２の実施例
における回路パターン形成方法を示す断面図である。ま
ず水５００ ｍ ｌにゼラチン粉末３０ｇを加えたもの
を５０℃で加熱しゼラチン粉末を完全に溶解したものに
３６Ｎ−硫酸０．０１ｍ１を混入したものを同図（Ａ）
で示されるようにトリアセチルロースでできている透明
支持体１−６上に薬剤層１７として塗布して光透過シー
ト１８を作製する。これを暗室中で同図（Ｂ）で示され
るように、光透過シート１８の薬剤層１７を基板３上に
塗布されている酸化第一銅８上に接触させる。これに同
図（Ｃ）で示されるようにタングステンランプを用いた
光源１１の光を得ようとするパターンに対応したステン
レス製のマスク１０を介してパターン化し金属銅を析出
させる部分のみ照射する。これによりマスク１０により
パターン化された光は光透過シートの透明支持体１６、
薬剤層１７を通り酸、化第−ｍ８に到達する。
における回路パターン形成方法を示す断面図である。ま
ず水５００ ｍ ｌにゼラチン粉末３０ｇを加えたもの
を５０℃で加熱しゼラチン粉末を完全に溶解したものに
３６Ｎ−硫酸０．０１ｍ１を混入したものを同図（Ａ）
で示されるようにトリアセチルロースでできている透明
支持体１−６上に薬剤層１７として塗布して光透過シー
ト１８を作製する。これを暗室中で同図（Ｂ）で示され
るように、光透過シート１８の薬剤層１７を基板３上に
塗布されている酸化第一銅８上に接触させる。これに同
図（Ｃ）で示されるようにタングステンランプを用いた
光源１１の光を得ようとするパターンに対応したステン
レス製のマスク１０を介してパターン化し金属銅を析出
させる部分のみ照射する。これによりマスク１０により
パターン化された光は光透過シートの透明支持体１６、
薬剤層１７を通り酸、化第−ｍ８に到達する。
このとき酸化第一銅８は薬剤層１７により、酸性雰囲気
下におかれているため不均化反応を起こし、金属銅パタ
ーン１２を析出する。そして、最後に光透過シート１８
を取り除（。
下におかれているため不均化反応を起こし、金属銅パタ
ーン１２を析出する。そして、最後に光透過シート１８
を取り除（。
なお、本実施例では光をパターン化するためステンレス
製のマスク１６を用いたが光をビーム状に絞りスキャン
させても構わない。
製のマスク１６を用いたが光をビーム状に絞りスキャン
させても構わない。
また薬剤層１７中にゼラチンを混入したがポリビニルア
ルコールや酢酸セルロース等の他の高分子剤を用いても
構わない。また透明支持体としてトリアセチルセルロー
スを用いたが２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの少なくとも一部
に透明であるポリエステルなどを用いても構わない。更
に硫酸の代わりに塩酸、硝酸、酢酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸等他の酸性試薬を用いても構わない。
ルコールや酢酸セルロース等の他の高分子剤を用いても
構わない。また透明支持体としてトリアセチルセルロー
スを用いたが２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの少なくとも一部
に透明であるポリエステルなどを用いても構わない。更
に硫酸の代わりに塩酸、硝酸、酢酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸等他の酸性試薬を用いても構わない。
実 施 例 ３
第３図＜Ａ）、（Ｂ）は本発明の第３の実施例における
金属銅析出方法を示す断面図である。また本実施例はす
べて暗室の中で行なった。
金属銅析出方法を示す断面図である。また本実施例はす
べて暗室の中で行なった。
まず水３００ ｍ ｌに、ゼラチン粉末３０ｇを加えた
ものを５０℃で加熱し完全に溶解させた後、これにハイ
ドロキノン１ｇ、クエン９０．６ｇ、硫酸鋼１ｇを加え
金属析出ペースト１９を得る。
ものを５０℃で加熱し完全に溶解させた後、これにハイ
ドロキノン１ｇ、クエン９０．６ｇ、硫酸鋼１ｇを加え
金属析出ペースト１９を得る。
その後、同図（Ａ）に示されるように金属析出ペースト
１９をノズル２０を用いて基板３上に設けた金ｖ４２１
上に塗布し５分間保持する。これにより同図（Ｂ）に示
されるように、金属析出ペースト１９中に含まれる硫酸
銅のｇｉ４２２が金属２１上に堆積した。そして、最後
に金属析出ペースト１′９を取り除く。
１９をノズル２０を用いて基板３上に設けた金ｖ４２１
上に塗布し５分間保持する。これにより同図（Ｂ）に示
されるように、金属析出ペースト１９中に含まれる硫酸
銅のｇｉ４２２が金属２１上に堆積した。そして、最後
に金属析出ペースト１′９を取り除く。
なお、本実施例では金属析出ペースト１９中にゼラチン
を混入したがポリビニルアルコールあるいは酢酸セルロ
ース等の他の高分子剤を用いても構わない。また還元成
分として酸性ハイドロキノンを用いたがα−ナフトール
等他の還元剤を用いても構わない。更に金属を供給する
物質として、硫酸銅を用いたが一般式ＭｎＸｍ（ｎは１
以上、ｍは１以上、ＭはＣｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｇ
、Ａｕ等、Ｘｉ；Ｊ：Ｃ１、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＳＯ４等
）で示される無機金属塩あるいは（ＲＣＯＯ）ｍＭｎ（
ｎは１以上、ｍは１以上、Ｒはアルキル基、アシル基等
、ＭはＣｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｇ、Ａｕ等）で表さ
れる有機酸金属塩でも構わない。また本実施例では、金
属析出ペーストを塗布する際にノズルを用いたが、印刷
など別の塗布方法を用いても構わない。
を混入したがポリビニルアルコールあるいは酢酸セルロ
ース等の他の高分子剤を用いても構わない。また還元成
分として酸性ハイドロキノンを用いたがα−ナフトール
等他の還元剤を用いても構わない。更に金属を供給する
物質として、硫酸銅を用いたが一般式ＭｎＸｍ（ｎは１
以上、ｍは１以上、ＭはＣｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｇ
、Ａｕ等、Ｘｉ；Ｊ：Ｃ１、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＳＯ４等
）で示される無機金属塩あるいは（ＲＣＯＯ）ｍＭｎ（
ｎは１以上、ｍは１以上、Ｒはアルキル基、アシル基等
、ＭはＣｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｇ、Ａｕ等）で表さ
れる有機酸金属塩でも構わない。また本実施例では、金
属析出ペーストを塗布する際にノズルを用いたが、印刷
など別の塗布方法を用いても構わない。
また、ペースト状にした薬剤を予めシート状にしておき
接触させる手法を用いても構わない。
接触させる手法を用いても構わない。
実施例４
第４図（Ａ）〜（Ｆ）における回路パターン形成方法を
示す断面図である。まず水５００ ｍ ｌにゼラチン粉
末５０ｇを加えたものを５０℃で加熱しゼラチン粉末を
完全に溶解したものに３６Ｎ−硫酸０．０１ｍ１を混入
し光透過ペーストとし、これを暗室中で同図（Ａ）で示
されるように、基板３上に塗布されている酸化第−鋼８
上に塗布する。そして、５℃で冷却し固化させ光透過膜
１５とする。これを同図（ｂ）のようにタングステンラ
ンプを用いた光源１１の光を得ようとするパターンに対
応したステンレス製のマスク１０によりパターン化し金
属銅を析出させる部分のみ照射する。これによりマスク
１０によりパターン化された光は光透過膜１５を通り酸
化第一銅に到達する。このとき酸化第一銅８は光透過膜
１５により酸性雰囲気下におかれているため不均化反応
を起こし、金属銅パターン１２を析出する。
示す断面図である。まず水５００ ｍ ｌにゼラチン粉
末５０ｇを加えたものを５０℃で加熱しゼラチン粉末を
完全に溶解したものに３６Ｎ−硫酸０．０１ｍ１を混入
し光透過ペーストとし、これを暗室中で同図（Ａ）で示
されるように、基板３上に塗布されている酸化第−鋼８
上に塗布する。そして、５℃で冷却し固化させ光透過膜
１５とする。これを同図（ｂ）のようにタングステンラ
ンプを用いた光源１１の光を得ようとするパターンに対
応したステンレス製のマスク１０によりパターン化し金
属銅を析出させる部分のみ照射する。これによりマスク
１０によりパターン化された光は光透過膜１５を通り酸
化第一銅に到達する。このとき酸化第一銅８は光透過膜
１５により酸性雰囲気下におかれているため不均化反応
を起こし、金属銅パターン１２を析出する。
その後、光透過膜１５を剥しチオ硫酸ナトリウム水溶液
（水１００ ｍ ｌに対しチオ硫酸ナトリウム２５ｇ）
で、光が照射されなかったために不均化反応が起こらず
その結果残留した酸化第一銅を取り除いた。この結果同
図（Ｃ）に示されるように、基板３上には金属銅パター
ン１２のみが存在する。
（水１００ ｍ ｌに対しチオ硫酸ナトリウム２５ｇ）
で、光が照射されなかったために不均化反応が起こらず
その結果残留した酸化第一銅を取り除いた。この結果同
図（Ｃ）に示されるように、基板３上には金属銅パター
ン１２のみが存在する。
次に得られた金属銅パターン１２の電導率をさらに向上
させるために金属析出ペーストを用いる。
させるために金属析出ペーストを用いる。
まず水３００ｍ１に、ゼラチン粉末３０ｇを加えたもの
を５０℃で加熱し完全に溶解させた後、これにハイドロ
キノン１ｇ、クエン酸０．６ｇ、硫酸鋼１ｇを加え金属
析出ペースト１９を得、同図（Ｄ）に示されるように１
．これをノズル２ｏを用いて基板３上に形成した金属銅
パターン１２上に塗布し５分間保持する。この結果、同
図（Ｅ）に示されるように金属銅パターン１２に硫酸銅
の銅が析出する。次にこれらを５℃に冷却し固化し金属
析出ペースト１９を取り除くことにより同図（Ｆ）に示
される用に基板３上に高密度金Ｘ銅パターン１４が形成
できる。
を５０℃で加熱し完全に溶解させた後、これにハイドロ
キノン１ｇ、クエン酸０．６ｇ、硫酸鋼１ｇを加え金属
析出ペースト１９を得、同図（Ｄ）に示されるように１
．これをノズル２ｏを用いて基板３上に形成した金属銅
パターン１２上に塗布し５分間保持する。この結果、同
図（Ｅ）に示されるように金属銅パターン１２に硫酸銅
の銅が析出する。次にこれらを５℃に冷却し固化し金属
析出ペースト１９を取り除くことにより同図（Ｆ）に示
される用に基板３上に高密度金Ｘ銅パターン１４が形成
できる。
本実施例では光をパターン化するためステンレス製のマ
スク１０を用いたが光をビーム状に絞りスキャンさせて
も構わない。
スク１０を用いたが光をビーム状に絞りスキャンさせて
も構わない。
また光透過ペースト中にゼラチンを混入したがポリビニ
ルアルコールや酢酸セルロース等の他の高分子剤を用い
ても構わない。更に硫酸の代わりに塩酸、硝酸、酢酸、
ｐ −１ル工ンスルホン酸等他の酸性試薬を用いても構
わない。更に光透過ペーストを用いないで第３の発明に
よる光透過シートを用いても構わない。
ルアルコールや酢酸セルロース等の他の高分子剤を用い
ても構わない。更に硫酸の代わりに塩酸、硝酸、酢酸、
ｐ −１ル工ンスルホン酸等他の酸性試薬を用いても構
わない。更に光透過ペーストを用いないで第３の発明に
よる光透過シートを用いても構わない。
また金属析出ペースト中にゼラチンを混入したが酢酸セ
ルロース等の他の高分子剤を用いても構わない。また還
元成分として酸性ハイドロキノンを用いたがα−ナフト
ール等他の還元剤を用いても構わない。更に金属析出に
用いられる金属含有成分としては、硫酸銅を用いたが一
般式ＣｕＸまたはＣｕＸ （ＸはＣ１，Ｂｒ、Ｉ、Ｃ
Ｎ、Ｓｏ４等）で示される金属塩あるいは（ＲＣＯＯ）
２ ＣｕまたはＲＣＯＯＣｕ （Ｒはアルキル基、ア
シル基等）で表される有機酸金属塩でも構わない。また
本実施例では、金属析出ペーストを塗布する際にノズル
を用いたが、印刷など別の塗布方法を用いても構わない
。
ルロース等の他の高分子剤を用いても構わない。また還
元成分として酸性ハイドロキノンを用いたがα−ナフト
ール等他の還元剤を用いても構わない。更に金属析出に
用いられる金属含有成分としては、硫酸銅を用いたが一
般式ＣｕＸまたはＣｕＸ （ＸはＣ１，Ｂｒ、Ｉ、Ｃ
Ｎ、Ｓｏ４等）で示される金属塩あるいは（ＲＣＯＯ）
２ ＣｕまたはＲＣＯＯＣｕ （Ｒはアルキル基、ア
シル基等）で表される有機酸金属塩でも構わない。また
本実施例では、金属析出ペーストを塗布する際にノズル
を用いたが、印刷など別の塗布方法を用いても構わない
。
また、ペースト状にした薬剤を予めシート状にしておき
接触させる手法を用いても構わない。
接触させる手法を用いても構わない。
発明の効果
以上のように本発明は、光透過ペーストを酸化第１Ｍ上
に塗布または接触させ、所望部に光を照射することによ
り、所望部に金属銅を析出させることができる。
に塗布または接触させ、所望部に光を照射することによ
り、所望部に金属銅を析出させることができる。
また、得ようとするパターンに対応したマスクを介して
光を照射することにより、所望の回路パターンを容易に
得ることができる。
光を照射することにより、所望の回路パターンを容易に
得ることができる。
更に、金属析出ペーストを基板上の金属に接触または塗
布することにより高密度の金属銅を析出させることがで
きる。
布することにより高密度の金属銅を析出させることがで
きる。
第１図は本発明の第１の実施例における回路パターン形
成方法を示す工程断面図、第２図は本発明の第２の実施
例における回路パターン形成方法を示す工程断面図、第
３図は本発明の第３の実施例における金属銅析出方法を
示す工程断面図、第４図は本発明の第４の実施例におけ
る回路パターン形成方法を示す工程断面図、第５図〜第
７図は従来の回路パターン形成方法を示す工程断面図、
第８図は従来の金属銅析出方法を示す工程断面図である
。 ３・・・・・・基板、８・・・・・・酸化第１％＋、１
０・・目・・マスク、１１・・・・・・光源、１２・・
・・・・金属銅パターン、１５・・・・・・光透過曜。 ／−−−スクリーン 斗−−−奪不トτ−ス■ 第６図 ７−−−へ°−ズにカードリツつ
成方法を示す工程断面図、第２図は本発明の第２の実施
例における回路パターン形成方法を示す工程断面図、第
３図は本発明の第３の実施例における金属銅析出方法を
示す工程断面図、第４図は本発明の第４の実施例におけ
る回路パターン形成方法を示す工程断面図、第５図〜第
７図は従来の回路パターン形成方法を示す工程断面図、
第８図は従来の金属銅析出方法を示す工程断面図である
。 ３・・・・・・基板、８・・・・・・酸化第１％＋、１
０・・目・・マスク、１１・・・・・・光源、１２・・
・・・・金属銅パターン、１５・・・・・・光透過曜。 ／−−−スクリーン 斗−−−奪不トτ−ス■ 第６図 ７−−−へ°−ズにカードリツつ
Claims (9)
- （１）酸性物を含み、かつ２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの波
長で透明である光透過ペースト。 - （２）酸性物が塩酸、硝酸、硫酸またはＰ−トルエンス
ルホン酸である請求項１記載の光透過ペースト。 - （３）請求項１記載の光透過ペーストを基板上に設けら
れた酸化第一銅に塗布した後、所望部に２８０ｎｍ〜６
４０ｎｍの波長を有する光を照射し、その後光透過ペー
ストを取り除くことにより照射部の酸化第１銅から金属
銅を析出させる金属銅析出方法。 - （４）請求項１記載の光透過ペーストを基板上に形成さ
れた酸化第１銅に塗布した後、形成しようとするパター
ンに対応した開口部を有するマスクを介して、２８０ｎ
ｍ〜６４０ｎｍの波長を有する光を照射し、照射部に金
属銅を析出させ、その後、光透過ペーストおよびマスク
を取り除くことにより、基板上に所望の回路パターンを
形成する回路パターン形成方法。 - （５）請求項１記載の光透過ペーストが２８０ｍｍ〜６
４０ｍｍの波長で透明である支持体上に塗布されてなる
光透過シート。 - （６）請求項５記載の光透過シートを基板上に形成され
た酸化第１銅に接触させ、透明支持体側より酸化第１銅
の所望部に２８０ｎｍ〜６４０ｎｍの波長を照射して、
その後、前記光透過シートを取り除くことにより、照射
部の酸化第一銅から金属銅を析出させる金属銅析出方法
。 - （７）請求項５記載の光透過シートを基板上に形成され
た酸化第１銅に接触させ、形成しようとするパターンに
対応した開口部を有するマスクを介して、透明支持体側
より酸化第１銅に２８０ｍｍ〜６４０ｍｍの波長を照射
して、照射部に金属銅を析出させ、その後前記光透過シ
ートおよび前記マスクを取り除くことにより、基板上に
所望の回路パターンを形成する回路パターン形成方法。 - （８） 析出させる金属を含む金属塩とこの金属塩を還
元分解する還元剤とを含む金属析出ペーストを基板上に
設けられた金属に接触させることにより、前記金属析出
ペースト中の金属塩の金属を前記基板上の金属表面に析
出させる金属析出方法。 - （９） 請求項３または６記載の金属銅析出方法を用い
て金属銅を析出させた後、銅を含む金属塩とこの金属塩
を還元分解する還元剤とを含む金属析出ペーストを基板
上の銅に接触させて、銅を析出させる金属銅析出方法。
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|---|---|---|---|
| JP1216449A JPH0379100A (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | 光透過ペーストおよびそれを用いた金属銅析出方法 |
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