JP2538043B2 - パタ―ン形成用材料とそれを用いたパタ―ン形成基板の作製方法 - Google Patents
パタ―ン形成用材料とそれを用いたパタ―ン形成基板の作製方法Info
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/121—Metallo-organic compounds
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はハイブリッドIC等のパターン形成基板のパタ
ーン形成用材料およびそれを用いたパターン形成基板の
作製方法に関する。
ーン形成用材料およびそれを用いたパターン形成基板の
作製方法に関する。
従来の技術 従来のハイブリッドICにおけるパターン形成はアルミ
ナセラミック基板上に印刷法を用いて形成されていた。
この印刷法は、第５図に示されるように基板３上のパタ
ーンを描こうとする箇所に空孔を設けたスクリーン１と
スキージ２を用いてパターンを形成していた。詳述する
と、スクリーン１は基板３と平行にかつ、基板３の上側
0.25mm〜2.0mm程度の位置に保持され、このスクリーン
１上にパターン５となる導体ペースト４が載せられ、こ
の導体ペースト４がスクリーン１を押し付けつつ移動す
るスキージ２により押し付けられ共に移動する。その結
果、スクリーン１中の空孔部より導体ペースト４が基板
３上に移り、パターン５が基板３上に形成される。
ナセラミック基板上に印刷法を用いて形成されていた。
この印刷法は、第５図に示されるように基板３上のパタ
ーンを描こうとする箇所に空孔を設けたスクリーン１と
スキージ２を用いてパターンを形成していた。詳述する
と、スクリーン１は基板３と平行にかつ、基板３の上側
0.25mm〜2.0mm程度の位置に保持され、このスクリーン
１上にパターン５となる導体ペースト４が載せられ、こ
の導体ペースト４がスクリーン１を押し付けつつ移動す
るスキージ２により押し付けられ共に移動する。その結
果、スクリーン１中の空孔部より導体ペースト４が基板
３上に移り、パターン５が基板３上に形成される。
なお、この導体ペースト４については近年様々な工夫
が加えられ、例えば特開昭59−167906号公報に示されて
いるように、従来用いられていた金属の粉体ペースト化
したものを用いる代わりに有機酸銀塩と銀の微粉末に還
元剤を添加したペーストがある。このペーストに紫外線
が照射されると、ペースト中の還元剤が有機酸銀塩を還
元し超微粒子の銀を析出させ、この超微粒子銀は銀粒子
と焼結しやすい。従って、このペーストを印刷法により
パターン形成しその後紫外線照射を併用することで従来
に比べ低い温度の加熱で銀の焼結体からなる電子回路が
得られる。
が加えられ、例えば特開昭59−167906号公報に示されて
いるように、従来用いられていた金属の粉体ペースト化
したものを用いる代わりに有機酸銀塩と銀の微粉末に還
元剤を添加したペーストがある。このペーストに紫外線
が照射されると、ペースト中の還元剤が有機酸銀塩を還
元し超微粒子の銀を析出させ、この超微粒子銀は銀粒子
と焼結しやすい。従って、このペーストを印刷法により
パターン形成しその後紫外線照射を併用することで従来
に比べ低い温度の加熱で銀の焼結体からなる電子回路が
得られる。
また、最近描画法による基板上へのパターン形成が提
案されている。この描画法は、第６図に示すように、ま
ずペーストカートリッジ７に導体ペースト４を充満す
る。このペーストカートリッジ７は筒状になっており下
端部は絞り込まれ直径0.06〜2mm程度の空孔が設けられ
ている。このペーストカートリッジ７の上端部に空気な
どで圧力を加えることにより下端部より一定直径を持っ
たペーストが吐出される。このペースト吐出を行いなが
らペーストカートリッジ７を移動させることにより一定
線幅の電子回路を描かせている。
案されている。この描画法は、第６図に示すように、ま
ずペーストカートリッジ７に導体ペースト４を充満す
る。このペーストカートリッジ７は筒状になっており下
端部は絞り込まれ直径0.06〜2mm程度の空孔が設けられ
ている。このペーストカートリッジ７の上端部に空気な
どで圧力を加えることにより下端部より一定直径を持っ
たペーストが吐出される。このペースト吐出を行いなが
らペーストカートリッジ７を移動させることにより一定
線幅の電子回路を描かせている。
発明が解決しようとする課題 しかし、印刷法においては、得ようとするパターンが
変わった場合、スクリーンを変える必要がある。また同
一パターンであっても、ある程度の印刷回数を経るとス
クリーン１に伸びが生じ、その結果印刷されたパターン
に位置ずれが生じるため、同一パターンの印刷中であっ
ても、途中でスクリーン１を交換する必要がある。しか
し、スクリーン１の枠６の加工精度及びスクリーン１を
枠６に貼るときの精度等の原因で、完全に同じ物を得る
ことは非常に困難である。従って、スクリーンを交換す
る際に新たに位置合わせ、基板３とスクリーン１の平行
を出すなどの調整が必要である。しかしこの調整には最
低でも30分程度必要であり、ハイブリッドIC生産ライン
の稼働率を低下させている。
変わった場合、スクリーンを変える必要がある。また同
一パターンであっても、ある程度の印刷回数を経るとス
クリーン１に伸びが生じ、その結果印刷されたパターン
に位置ずれが生じるため、同一パターンの印刷中であっ
ても、途中でスクリーン１を交換する必要がある。しか
し、スクリーン１の枠６の加工精度及びスクリーン１を
枠６に貼るときの精度等の原因で、完全に同じ物を得る
ことは非常に困難である。従って、スクリーンを交換す
る際に新たに位置合わせ、基板３とスクリーン１の平行
を出すなどの調整が必要である。しかしこの調整には最
低でも30分程度必要であり、ハイブリッドIC生産ライン
の稼働率を低下させている。
次に描画法では、パターンを変更する場合でもパター
ン座標を入力したプロクラムを変えるだけであるため、
これらの原因でハイブリッドIC生産ラインの停止はほと
んどない。しかしこのときのペーストカートリッジ７の
先端部の空孔は直径0.06〜2mmと限られ、また基本的に
は線によるパターン形成であるため、印刷に比べ生産性
は極めて悪いという欠点がある。
ン座標を入力したプロクラムを変えるだけであるため、
これらの原因でハイブリッドIC生産ラインの停止はほと
んどない。しかしこのときのペーストカートリッジ７の
先端部の空孔は直径0.06〜2mmと限られ、また基本的に
は線によるパターン形成であるため、印刷に比べ生産性
は極めて悪いという欠点がある。
そこで、本発明は、パターンの異なる基板を得る場合
にもハイブリッドIC生産ラインの稼働率を低下させるこ
とがなく、さらに量産にあたっても対応が可能となるパ
ターン形成基板の作製に用いられるパターン形成用材料
およびそれを用いたパターン形成基板の作製方法を提供
するものである。
にもハイブリッドIC生産ラインの稼働率を低下させるこ
とがなく、さらに量産にあたっても対応が可能となるパ
ターン形成基板の作製に用いられるパターン形成用材料
およびそれを用いたパターン形成基板の作製方法を提供
するものである。
課題を解決するための手段 本発明の第１発明は、還元されることにより銅を析出
するｎ−ヘプタン酸銅と、熱を加えることにより還元作
用を示しかつ紫外線、可視光線、赤外線のいずれかが照
射されることにより化学的に変化し還元力が消失する還
元剤とを有するパターン形成用材料である。
するｎ−ヘプタン酸銅と、熱を加えることにより還元作
用を示しかつ紫外線、可視光線、赤外線のいずれかが照
射されることにより化学的に変化し還元力が消失する還
元剤とを有するパターン形成用材料である。
第２の発明はｎ−ヘプタン酸銅と還元剤とを混合した
ものを基板上に塗布した後、塗布面の所定部に、紫外
線、可視光線、赤外線の少なくとも１つを照射し、その
後熱を加えることにより基板上に所定のパターンを形成
するパターン形成基板の作製方法である。
ものを基板上に塗布した後、塗布面の所定部に、紫外
線、可視光線、赤外線の少なくとも１つを照射し、その
後熱を加えることにより基板上に所定のパターンを形成
するパターン形成基板の作製方法である。
第３の発明は、支持体上に塗布された所定部に紫外
線、可視光線、赤外線の少なくとも１つを照射した後、
前記還元剤を基板上に塗布された請求孔１記載のｎ−ヘ
プタン酸銅に接触させ、そのままの状態で熱を加え、そ
の後前記支持体を除去して基板上に所定のパターンを形
成するパターン形成基板の作製方法である。
線、可視光線、赤外線の少なくとも１つを照射した後、
前記還元剤を基板上に塗布された請求孔１記載のｎ−ヘ
プタン酸銅に接触させ、そのままの状態で熱を加え、そ
の後前記支持体を除去して基板上に所定のパターンを形
成するパターン形成基板の作製方法である。
第４の発明は、基板上に塗布されたｎ−ヘプタン酸銅
と、透明支持体上に塗布された熱を加えることにより還
元作用を示しかつ、紫外線、可視光線、赤外線のいずれ
かが照射されることにより化学的に変化し還元力が消失
する還元剤とを接触させその後還元剤の所定部に、紫外
線、可視光線、赤外線の少なくとも１つを照射し、その
後、透明支持体を除去することにより基板上に所定のパ
ターンを形成するパターン形成基板の作製方法である。
と、透明支持体上に塗布された熱を加えることにより還
元作用を示しかつ、紫外線、可視光線、赤外線のいずれ
かが照射されることにより化学的に変化し還元力が消失
する還元剤とを接触させその後還元剤の所定部に、紫外
線、可視光線、赤外線の少なくとも１つを照射し、その
後、透明支持体を除去することにより基板上に所定のパ
ターンを形成するパターン形成基板の作製方法である。
作用 本発明によれば、ｎ−ヘプタン酸銅が還元剤で還元さ
れることにより銅が析出し、導体材料となる。
れることにより銅が析出し、導体材料となる。
第２の発明によると、基板上に第１の発明による物質
の混合物を塗布してこれに紫外線、可視光線、赤外線の
いずれかが照射されることにより、その部分に存在して
いた還元剤は化学的に変化するため、その後熱が加えら
れてもｎ−ヘプタン酸銅を還元することはできない。こ
の結果、紫外線、可視光線、赤外線のいずれもが照射さ
れなかった場所にのみ還元剤が存在し還元反応に必要な
熱が加えられることで、ｎ−ヘプタン酸銅を還元し銅を
析出させ、これにより基板上に所定のパターンを形成で
きる。
の混合物を塗布してこれに紫外線、可視光線、赤外線の
いずれかが照射されることにより、その部分に存在して
いた還元剤は化学的に変化するため、その後熱が加えら
れてもｎ−ヘプタン酸銅を還元することはできない。こ
の結果、紫外線、可視光線、赤外線のいずれもが照射さ
れなかった場所にのみ還元剤が存在し還元反応に必要な
熱が加えられることで、ｎ−ヘプタン酸銅を還元し銅を
析出させ、これにより基板上に所定のパターンを形成で
きる。
第３発明によると、基板上に塗布された第１発明によ
るｎ−ヘプタン酸銅と、支持体上に塗布された後に紫外
線、可視光線、赤外線でパターン化された第１発明によ
る還元剤を重ね合わせ、その後加熱するため、ｎ−ヘプ
タン酸銅と還元剤のそれぞれの密度を大きくすることが
でき、その結果基板上にファインパターンを形成でき
る。
るｎ−ヘプタン酸銅と、支持体上に塗布された後に紫外
線、可視光線、赤外線でパターン化された第１発明によ
る還元剤を重ね合わせ、その後加熱するため、ｎ−ヘプ
タン酸銅と還元剤のそれぞれの密度を大きくすることが
でき、その結果基板上にファインパターンを形成でき
る。
第４発明によれば、基板上に第１発明によるｎ−ヘプ
タン酸銅を、透明支持体上に塗布させた第１発明による
還元剤と接触させ、透明支持体側より還元剤に紫外線、
可視光線、赤外線のいずれかを照射し還元剤をパターン
化しその後熱を加えるため形成される電子回路はファイ
ンパターンかつ位置ずれのないパターン形成が形成でき
る。
タン酸銅を、透明支持体上に塗布させた第１発明による
還元剤と接触させ、透明支持体側より還元剤に紫外線、
可視光線、赤外線のいずれかを照射し還元剤をパターン
化しその後熱を加えるため形成される電子回路はファイ
ンパターンかつ位置ずれのないパターン形成が形成でき
る。
実 施 例 実施例１ 第１図は本発明の第１実施例のパターン形成基板作製
方法を示す図である。以下、同図を用いて基板の作製方
法について説明する。まず基板３上に水１に対し、感
光還元剤として４−メトキシ−１−ナフトールを15g、
有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を25g、ゼラチン
を100g混合したものを塗布して感光薬剤膜８を形成する
（同図（Ａ））。次に基板３上に形成するパターンとは
ネガの関係にあるメタルマスク９を介して、光源である
高圧水銀灯10から感光薬剤膜８に約１分間紫外光の照射
する。一般に４−メトキシ−１−ナフトール等のα−ナ
フトール誘導体は紫外線を受けると分解され易く、また
熱を加えることにより還元作用を示す性質がある。従っ
て、紫外光を受けた露光部11に存在していた４−メトキ
シ−１−ナフトールは分解するが、メタルマスク９によ
り紫外光が遮断された部分には４−メトキシ−１−ナフ
トールが存在している（同図（Ｂ））。これに80℃の熱
を約５分間加えることにより４−メトキシ−１−ナフト
ールが存在している場所にあるｎ−ヘプタン酸銅は還元
され銅を析出する。このことによって、基板３上にはマ
スク９とはネガティブな関係にある銅の導体パターン12
が形成される（同図（Ｃ））。
方法を示す図である。以下、同図を用いて基板の作製方
法について説明する。まず基板３上に水１に対し、感
光還元剤として４−メトキシ−１−ナフトールを15g、
有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を25g、ゼラチン
を100g混合したものを塗布して感光薬剤膜８を形成する
（同図（Ａ））。次に基板３上に形成するパターンとは
ネガの関係にあるメタルマスク９を介して、光源である
高圧水銀灯10から感光薬剤膜８に約１分間紫外光の照射
する。一般に４−メトキシ−１−ナフトール等のα−ナ
フトール誘導体は紫外線を受けると分解され易く、また
熱を加えることにより還元作用を示す性質がある。従っ
て、紫外光を受けた露光部11に存在していた４−メトキ
シ−１−ナフトールは分解するが、メタルマスク９によ
り紫外光が遮断された部分には４−メトキシ−１−ナフ
トールが存在している（同図（Ｂ））。これに80℃の熱
を約５分間加えることにより４−メトキシ−１−ナフト
ールが存在している場所にあるｎ−ヘプタン酸銅は還元
され銅を析出する。このことによって、基板３上にはマ
スク９とはネガティブな関係にある銅の導体パターン12
が形成される（同図（Ｃ））。
また、紫外線を照射する際に、マスク９の代わりに第
２図に示されるようにビーム状になった紫外線をエネル
ギー反射板13にてスキャンさせてパターンを作製しても
よい。
２図に示されるようにビーム状になった紫外線をエネル
ギー反射板13にてスキャンさせてパターンを作製しても
よい。
なお、本実施例では感光還元剤として４−メトキシ−
１−ナフトールを、ｎ−ヘプタン酸銅としてｎ−ヘプタ
ン酸銅を用いたが、ｎ−ヘプタン酸銅のかわりにRCOO
M、（RCOO）・（Ｒ′COO）Ｍ、または（RCOO）・（Ｒ′
COO）・（Ｒ″COO）Ｍ（式中Ｒ、Ｒ′、Ｒ″はアルキル
基、アリール基等、ＭはAg、Fe、Co、Pb、Ni等である）
で表せる有機酸金属塩を用いれば、銀、銅等の金属も析
出できる。また４−メトキシ−１−ナフトール以外に他
のα−ナフトールの誘導体を感光還元剤として用いても
よい。
１−ナフトールを、ｎ−ヘプタン酸銅としてｎ−ヘプタ
ン酸銅を用いたが、ｎ−ヘプタン酸銅のかわりにRCOO
M、（RCOO）・（Ｒ′COO）Ｍ、または（RCOO）・（Ｒ′
COO）・（Ｒ″COO）Ｍ（式中Ｒ、Ｒ′、Ｒ″はアルキル
基、アリール基等、ＭはAg、Fe、Co、Pb、Ni等である）
で表せる有機酸金属塩を用いれば、銀、銅等の金属も析
出できる。また４−メトキシ−１−ナフトール以外に他
のα−ナフトールの誘導体を感光還元剤として用いても
よい。
実施例２ 第３図は本発明の第２実施例におけるパターン形成基
板の作製方法を示す図である。以下、同図を用いて、そ
の作製方法を説明する。まず、基板３上に水１に対
し、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を46.7g、ゼ
ラチンを100g混合したものを塗布して回路導体未形成膜
14として形成する（同図（Ａ））。次に、支持体15上に
水１に対し、感光還元剤として４−メトキシ−１−ナ
フトールを24.4g、ゼラチンを100g混合したものを塗布
し感光還元膜16として形成する（同図（Ｂ））。次に感
光還元膜16のパターン回路を形成しない部分にメタルマ
スク９を介して高圧水銀灯10により紫外線を１分間照射
し、４−メトキシ−１−ナフトール分解部17を作製して
パターン化する（同図（Ｃ））。次に、回路導体未形成
膜14とパターン化された感光還元膜16を重ね合わせ80℃
の熱を約５分間加え、回路導体未形成膜の一部を還元し
て銅を析出させる（同図（Ｄ））。最後に支持体15を除
去すると基板３上に銅パターン12が形成される。
板の作製方法を示す図である。以下、同図を用いて、そ
の作製方法を説明する。まず、基板３上に水１に対
し、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を46.7g、ゼ
ラチンを100g混合したものを塗布して回路導体未形成膜
14として形成する（同図（Ａ））。次に、支持体15上に
水１に対し、感光還元剤として４−メトキシ−１−ナ
フトールを24.4g、ゼラチンを100g混合したものを塗布
し感光還元膜16として形成する（同図（Ｂ））。次に感
光還元膜16のパターン回路を形成しない部分にメタルマ
スク９を介して高圧水銀灯10により紫外線を１分間照射
し、４−メトキシ−１−ナフトール分解部17を作製して
パターン化する（同図（Ｃ））。次に、回路導体未形成
膜14とパターン化された感光還元膜16を重ね合わせ80℃
の熱を約５分間加え、回路導体未形成膜の一部を還元し
て銅を析出させる（同図（Ｄ））。最後に支持体15を除
去すると基板３上に銅パターン12が形成される。
本実施例では感光還元剤として４−メトキシ−１−ナ
フトールを、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を用
いたがｎ−ヘプタン酸銅のかわりにRCOOM、（RCOO）・
（Ｒ′COO）Ｍ、または（RCOO）・（Ｒ′COO）・（Ｒ″
COO）Ｍ（式中Ｒ、Ｒ′、Ｒ″はアルキル基、アリール
基等、ＭはAg、Fe、Co、Pb、Ni等である）で表せる有機
酸金属塩を用いれば銀、銅等の金属も析出することがで
きる。また感光還元剤としては４−メトキシ−１−ナフ
トール以外に他のα−ナフトールの誘導体を用いてもよ
い。さらに紫外線、可視光線、赤外線を制御するのにマ
スクを用いたが、他の方法でもよい。
フトールを、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を用
いたがｎ−ヘプタン酸銅のかわりにRCOOM、（RCOO）・
（Ｒ′COO）Ｍ、または（RCOO）・（Ｒ′COO）・（Ｒ″
COO）Ｍ（式中Ｒ、Ｒ′、Ｒ″はアルキル基、アリール
基等、ＭはAg、Fe、Co、Pb、Ni等である）で表せる有機
酸金属塩を用いれば銀、銅等の金属も析出することがで
きる。また感光還元剤としては４−メトキシ−１−ナフ
トール以外に他のα−ナフトールの誘導体を用いてもよ
い。さらに紫外線、可視光線、赤外線を制御するのにマ
スクを用いたが、他の方法でもよい。
実施例３ 第４図は本発明の第３実施例のパターン形成基板の作
製方法を示す図である。以下、同図を用いてその作製方
法を説明する。まず、基板３上には水１に対し有機酸
金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を46.7g、ゼラチンを100
g混合したものを塗布し導体未形成膜14を形成する（同
図（Ａ））。次に、石英ガラスよりなる透明支持体18上
に水１に対し感光還元剤として４−メトキシ−１−ナ
フトールを24.4g、ゼラチンを100g混合したものを塗布
し感光還元膜16を形成する（同図（Ｂ））。次に、この
回路導体未形成膜14と感光還元膜16を重ね合わせ、パタ
ーンを形成させない場所に対して透明支持体18側よりメ
タルマスク９を介して高圧水銀灯10にて感光還元膜16に
約１分間紫外線照射する（同図（Ｃ））。その後80℃で
５分間加熱し、回路導体未形成膜の一部を還元して銅を
析出させ（第４図（Ｄ））、最後に支持体18を除去する
ことにより基板３上に銅パターン12が形成される。
製方法を示す図である。以下、同図を用いてその作製方
法を説明する。まず、基板３上には水１に対し有機酸
金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を46.7g、ゼラチンを100
g混合したものを塗布し導体未形成膜14を形成する（同
図（Ａ））。次に、石英ガラスよりなる透明支持体18上
に水１に対し感光還元剤として４−メトキシ−１−ナ
フトールを24.4g、ゼラチンを100g混合したものを塗布
し感光還元膜16を形成する（同図（Ｂ））。次に、この
回路導体未形成膜14と感光還元膜16を重ね合わせ、パタ
ーンを形成させない場所に対して透明支持体18側よりメ
タルマスク９を介して高圧水銀灯10にて感光還元膜16に
約１分間紫外線照射する（同図（Ｃ））。その後80℃で
５分間加熱し、回路導体未形成膜の一部を還元して銅を
析出させ（第４図（Ｄ））、最後に支持体18を除去する
ことにより基板３上に銅パターン12が形成される。
本実施例では感光還元剤として４−メトキシ−４−ナ
フトールを、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を用
いたがｎ−ヘプタン酸銅のかわりにRCOOM、（RCOO）・
（Ｒ′COO）Ｍ、または（RCOO）・（Ｒ′COO）・（Ｒ″
COO）Ｍ（式中Ｒ、Ｒ′、Ｒ″はアルキル基、アリール
基等、ＭはAg、Fe、Co、Pb、Ni等である）で表せる有機
酸金属塩を用いれば銀、銅等の金属を析出できる。また
感光還元剤として４−メトキシ−１−ナフトール以外に
他のα−ナフトールの誘導体を用いても構わない。さら
に紫外線、可視光線、赤外線を制御するのにマスクある
いはビーム状にしてスキャンさせることとしたが、ほか
の手法を用いても構わない。
フトールを、有機酸金属塩としてｎ−ヘプタン酸銅を用
いたがｎ−ヘプタン酸銅のかわりにRCOOM、（RCOO）・
（Ｒ′COO）Ｍ、または（RCOO）・（Ｒ′COO）・（Ｒ″
COO）Ｍ（式中Ｒ、Ｒ′、Ｒ″はアルキル基、アリール
基等、ＭはAg、Fe、Co、Pb、Ni等である）で表せる有機
酸金属塩を用いれば銀、銅等の金属を析出できる。また
感光還元剤として４−メトキシ−１−ナフトール以外に
他のα−ナフトールの誘導体を用いても構わない。さら
に紫外線、可視光線、赤外線を制御するのにマスクある
いはビーム状にしてスキャンさせることとしたが、ほか
の手法を用いても構わない。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、還元作用を受けると
金属が析出する有機酸金属塩と、加熱することにより還
元力を示しかつ紫外線、可視光線、赤外線などのエネル
ギーを受けると分解する還元剤をパターン形成用材料と
して用いることにより、簡単に導体材料を得ることがで
きる。又、上記ｎ−ヘプタン酸銅と還元剤を混合したも
のを基板上に塗布し、この物質の塗布膜の少なくとも一
部に、比較的制御し易い紫外線、可視光線、赤外線を照
射することにより、簡単な工程でパターン形成基板を作
製することができる。
金属が析出する有機酸金属塩と、加熱することにより還
元力を示しかつ紫外線、可視光線、赤外線などのエネル
ギーを受けると分解する還元剤をパターン形成用材料と
して用いることにより、簡単に導体材料を得ることがで
きる。又、上記ｎ−ヘプタン酸銅と還元剤を混合したも
のを基板上に塗布し、この物質の塗布膜の少なくとも一
部に、比較的制御し易い紫外線、可視光線、赤外線を照
射することにより、簡単な工程でパターン形成基板を作
製することができる。
さらに、ｎ−ヘプタン酸銅と還元剤を別々に塗布し、
還元剤をパターン化した後これらを重ね合わせ熱を加え
ることで電子回路を基板上に形成させると、ｎ−ヘプタ
ン酸銅の基板上における密度を高めることができ、その
結果得られる導体回路における金属成分の密度が高いパ
ターン形成できる。
還元剤をパターン化した後これらを重ね合わせ熱を加え
ることで電子回路を基板上に形成させると、ｎ−ヘプタ
ン酸銅の基板上における密度を高めることができ、その
結果得られる導体回路における金属成分の密度が高いパ
ターン形成できる。
さらに、ｎ−ヘプタン酸銅を基板上に還元剤を透明支
持体上に別々に塗布し、これらを重ね合わせた後透明支
持体側より紫外線、可視光線、赤外線の少なくとも一部
を還元剤の少なくとも一部に照射しパターン化しその後
加熱し電子回路を基板上に形成させると、ｎ−ヘプタン
酸銅の基板上における密度を高めることができ、その結
果得られる導体回路における金属成分の密度が高いパタ
ーン形成と位置ずれのないパターンを形成できる。
持体上に別々に塗布し、これらを重ね合わせた後透明支
持体側より紫外線、可視光線、赤外線の少なくとも一部
を還元剤の少なくとも一部に照射しパターン化しその後
加熱し電子回路を基板上に形成させると、ｎ−ヘプタン
酸銅の基板上における密度を高めることができ、その結
果得られる導体回路における金属成分の密度が高いパタ
ーン形成と位置ずれのないパターンを形成できる。
第１図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は本発明の第１実施例に
おけるパターン形成基板作製方法の工程を示す断面図、
第２図はエネルギーの照射の他の方法を示す断面図、第
３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は本発明
の第２実施例における電子回路基板作製方法の工程を示
す断面図、第４図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、
（Ｅ）は本発明の第３実施例における電子回路基板作製
方法の工程を示す断面図、第５図は、スクリーン印刷に
よるパターン形成を示す図、第６図は描画によるパター
ン形成を示す図である。 ３……基板、８……感光薬剤膜、９……マスク、10……
光源、11……露光部、12……銅導体電子回路、14……回
路導体未形成膜、15……支持体、16……感光還元膜、17
……４−メトキシ−１−ナフトール分解部、18……透明
支持体。
おけるパターン形成基板作製方法の工程を示す断面図、
第２図はエネルギーの照射の他の方法を示す断面図、第
３図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は本発明
の第２実施例における電子回路基板作製方法の工程を示
す断面図、第４図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、
（Ｅ）は本発明の第３実施例における電子回路基板作製
方法の工程を示す断面図、第５図は、スクリーン印刷に
よるパターン形成を示す図、第６図は描画によるパター
ン形成を示す図である。 ３……基板、８……感光薬剤膜、９……マスク、10……
光源、11……露光部、12……銅導体電子回路、14……回
路導体未形成膜、15……支持体、16……感光還元膜、17
……４−メトキシ−１−ナフトール分解部、18……透明
支持体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−79166（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−6967（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−251537（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−1114（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−89019（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−189135（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】還元されることにより銅を析出するｎ−ヘ
プタン酸銅と、熱を加えることにより還元作用を示し、
かつ紫外線、可視光線、赤外線のいずれかが照射される
ことにより化学的に変化し還元力が消失する還元剤とを
有するパターン形成用材料。 - 【請求項２】還元剤が４−メトキシ−１−ナフトールで
ある請求項１記載のパターン形成用材料。 - 【請求項３】請求項１記載のｎ−ヘプタン酸銅と請求項
１記載の還元剤とを混合したものを基板上に塗布した
後、塗布面上の所定部に、紫外線、可視光線、赤外線の
少なくとも１つを照射し、その後熱を加えることにより
前記基板上にな所定のパターンを形成するパターン形成
基板の作製方法。 - 【請求項４】支持体上に塗布された請求項１記載の還元
剤の所定部に紫外線、可視光線、赤外線の少なくとも１
つを照射した後、前記還元剤を基板上に塗布された請求
項１記載のｎ−ヘプタン酸銅に接触させ、そのままの状
態で熱を加え、その後前記支持体を除去して前記基板上
に所定のパターンを形成するパターン形成基板の作製方
法。 - 【請求項５】基板上に塗布された請求項１記載のｎ−ヘ
プタン酸銅と透明支持体上に塗布された請求項１記載の
還元剤と接触させた状態で前記透明支持体の所定部に紫
外線、可視光線、赤外線の少なくとも１つを照射した
後、熱を加え、その後前記透明支持体を除去することに
より前記基板上に所定のパターンを形成するパターン形
成基板の作製方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8622289A JP2538043B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | パタ―ン形成用材料とそれを用いたパタ―ン形成基板の作製方法 |
| DE69015857T DE69015857T2 (de) | 1989-04-05 | 1990-04-02 | Verfahren zur Herstellung eines Musters auf einem Träger. |
| EP90106301A EP0391314B1 (en) | 1989-04-05 | 1990-04-02 | Method for patterning on a substrate |
| US07/503,775 US5173330A (en) | 1989-04-05 | 1990-04-03 | Patterning composition and method for patterning on a substrate |
| KR1019900004673A KR930002698B1 (ko) | 1989-04-05 | 1990-04-04 | 패턴형성용 재료와 그것을 사용한 패턴형성기판의 제작방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8622289A JP2538043B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | パタ―ン形成用材料とそれを用いたパタ―ン形成基板の作製方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02264254A JPH02264254A (ja) | 1990-10-29 |
| JP2538043B2 true JP2538043B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=13880757
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|---|---|---|---|
| JP8622289A Expired - Fee Related JP2538043B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | パタ―ン形成用材料とそれを用いたパタ―ン形成基板の作製方法 |
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| AU710259B2 (en) * | 1994-08-11 | 1999-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Solution for fabrication of electron-emitting devices, manufacture method of electron-emitting devices, and manufacture method of image-forming apparatus |
| US5882722A (en) * | 1995-07-12 | 1999-03-16 | Partnerships Limited, Inc. | Electrical conductors formed from mixtures of metal powders and metallo-organic decompositions compounds |
| US6338809B1 (en) | 1997-02-24 | 2002-01-15 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
| WO1998036888A1 (en) | 1997-02-24 | 1998-08-27 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
| US20030148024A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
| FR2804796B1 (fr) * | 2000-02-04 | 2004-11-19 | Gemplus Card Int | Procede pour la realisation de connexions electriques notamment pour un dispositif electronique |
| TW543035B (en) * | 2000-11-06 | 2003-07-21 | Dainippon Ink & Chemicals | Method for bonding members, and disc manufacturing method and device |
| JP3932805B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | フォトマスク及びそれを用いた電子デバイスの製造方法 |
| EP1347468A4 (en) * | 2000-12-28 | 2005-04-20 | Nissan Chemical Ind Ltd | METHOD FOR MODELING THE CONTOURS OF AN ELECTRO-CONDUCTIVE TIN OXIDE LAYER |
| US7524528B2 (en) | 2001-10-05 | 2009-04-28 | Cabot Corporation | Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate |
| US20030108664A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-06-12 | Kodas Toivo T. | Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate |
| US6951666B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-10-04 | Cabot Corporation | Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features |
| US7629017B2 (en) | 2001-10-05 | 2009-12-08 | Cabot Corporation | Methods for the deposition of conductive electronic features |
| US20060159838A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Controlling ink migration during the formation of printable electronic features |
| JP4763237B2 (ja) | 2001-10-19 | 2011-08-31 | キャボット コーポレイション | 基板上に導電性電子部品を製造する方法 |
| US7553512B2 (en) | 2001-11-02 | 2009-06-30 | Cabot Corporation | Method for fabricating an inorganic resistor |
| GB0213925D0 (en) | 2002-06-18 | 2002-07-31 | Univ Dundee | Metallisation |
| US6878184B1 (en) | 2002-08-09 | 2005-04-12 | Kovio, Inc. | Nanoparticle synthesis and the formation of inks therefrom |
| US7078276B1 (en) | 2003-01-08 | 2006-07-18 | Kovio, Inc. | Nanoparticles and method for making the same |
| KR100934550B1 (ko) | 2003-03-04 | 2009-12-29 | 삼성전자주식회사 | 금속필름 또는 패턴 형성용 유기금속 전구체 및 이를이용한 금속 필름 또는 패턴 형성방법 |
| KR100974778B1 (ko) | 2003-06-30 | 2010-08-06 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 전구체 조성물 및 이를 이용한 금속 필름 또는패턴 형성방법 |
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| US8167393B2 (en) | 2005-01-14 | 2012-05-01 | Cabot Corporation | Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same |
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| WO2006076608A2 (en) | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | A system and process for manufacturing custom electronics by combining traditional electronics with printable electronics |
| US8383014B2 (en) | 2010-06-15 | 2013-02-26 | Cabot Corporation | Metal nanoparticle compositions |
| TW200640596A (en) | 2005-01-14 | 2006-12-01 | Cabot Corp | Production of metal nanoparticles |
| US20070134902A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-14 | The Curators Of The University Of Missouri | Patterning of Substrates with Metal-Containing Particles |
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|---|---|---|---|---|
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| NL273129A (ja) * | 1961-01-03 | 1900-01-01 | ||
| US3369933A (en) * | 1964-01-17 | 1968-02-20 | Ashland Oil Inc | Reduction of metallic salts by amine oxide pyrolysis |
| DE1590481A1 (de) * | 1965-10-15 | 1970-04-16 | Schering Ag | Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungen |
| US3767414A (en) * | 1972-05-22 | 1973-10-23 | Minnesota Mining & Mfg | Thermosensitive copy sheets comprising heavy metal azolates and methods for their use |
| JPS5613303B2 (ja) * | 1973-12-08 | 1981-03-27 | ||
| JPS5231735B2 (ja) * | 1974-06-21 | 1977-08-17 | ||
| CA1053994A (en) * | 1974-07-03 | 1979-05-08 | Amp Incorporated | Sensitization of polyimide polymer for electroless metal deposition |
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| NL8103174A (nl) * | 1981-07-02 | 1983-02-01 | Philips Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van lagen en patronen van goud en van goudlegeringen op substraten, aldus vervaardigde produkten en de hiervoor toe te passen oplossingen. |
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1989
- 1989-04-05 JP JP8622289A patent/JP2538043B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-04-02 DE DE69015857T patent/DE69015857T2/de not_active Expired - Fee Related
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