JP4763237B2 - 基板上に導電性電子部品を製造する方法 - Google Patents
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Description
例えば、クリセイ(Chrisey)らによる米国特許第6177151号およびスミス(Smith)らによる同6025026号には、テープからのレーザ転写を用いた各種電子末端製品の製造が開示されている。そのテープには、転写時に揮発性を高める組成物などがある。
本明細書で使用される場合、テープまたはテープ組成物という用語は、基板に転写されるよう製造され、裏材またはキャリアによって支持することができる連続または個別の材料層を指す。本明細書で使用される場合、リボンとは、テープおよびそれの支持キャリアの組み合わせである。テープが自己支持のものであるか、あるいは、リボン全体を基板に転写する場合、テープおよびリボンという用語は、互換的に用いることができる。
上記で説明したように、本発明によるテープ組成物には、ミクロンサイズ粒子および/またはナノ粒子の形態での粒子が含まれていても良い。
本発明によるテープ組成物は、単独または粒子状物との組み合わせで分子前駆体を含むことができる。導電性部品または低オーム抵抗体用などの金属相の好ましい例には、銀(Ag)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、金(Au)、パラジウム(Pd)、銅(Cu)、インジウム(In)、アンチモン(Sb)およびスズ(Sn)への前駆体などがある。他の分子前駆体には、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)、鉄(Fe)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、鉛(Pb)、ビスマス(Bi)および同様の金属への前駆体などがあり得る。分子前駆体は、テープ組成物に可溶であるか不溶性であることができる。
表1:銀前駆体分子化合物および塩
表3:ニッケルに関する分子金属前駆体
有機系調製物で有用な金前駆体には、チオール酸Au、酢酸Au Au(O2CCH3)3などのカルボン酸Au;イミダゾール・エチルヘキサン酸金などのアミノ有機金カルボン酸塩;酢酸・イソ酪酸水酸化金などの混合金カルボン酸塩;チオカルボン酸Auおよびジチオカルボン酸Auなどがある。
カルボン酸ジアルキルおよびモノアルキル金、R3-nAu(O2CR′)n(n=1,2)(R=メチル、エチル;R′=CF3、C2F5、C3F7、CH3、CmH2m+1(m=2〜9);
β−ジケトン酸ジアルキルおよびモノアルキル金、R3-nAu[R′COCH=C(O−)CR″]n(n=1、2)(R=メチル、エチル;R′、R″=CF3、C2F5、C3F7、CH3、CmH2m+1(m=2〜4);
ジアルキルおよびモノアルキル金アルコキシド、R3-nAu(OR′)n(n=1,2)(R=メチル、エチル;R′=CF3、C2F5、C3F7、CH3、CmH2m+1(m=2〜4)、SiR″3(R″=メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル);
ホスフィン金錯体:RAu(PR′3)(R、R'=メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル);
R3Au(PR′3)(R、R′=メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、tert−ブチル)
から選択することができる。
本発明で有用な銅前駆体は、銅Iおよび銅II化合物と分類することもできる。それらは、無機、金属有機および有機金属と分類することができる。それらは、水素化銅類、銅アミド類、アルケン銅類、アリル銅類、銅カルボニル類、銅メタロセン類、シクロペンタジエニル銅類、銅アレン類、炭酸銅類、水酸化銅類、カルボン酸銅類、酸化銅類、有機銅、β−ジケトン酸銅類、銅アルコキシド類、銅β−ケトイミネート類、ハロゲン化銅類、アルキル銅類と分類することもできる。銅化合物は、中性供与体配位子を有する場合があり、あるいは中性配位子を持たない場合がある。銅I化合物は、不均化反応には特に有用である。不均化生成物は、銅金属および銅II化合物である。場合によっては、中性配位子も生成物である。
用途によっては、透明または半透明な導電性部品を用いる必要がある。例えば、インジウム・スズ酸化物(ITO)は、ディスプレイ用途での使用の場合などに、透明な導電性部品を形成する上で有用である。アンチモン・スズ酸化物(ATO)は、エレクトロクロミック用途で使用される色調節性酸化物層として有用である。
本発明はまた、低−、中−および高−オーム抵抗体を製造するためのテープ組成物に関するものでもある。中ないし高オーム抵抗体用の主要な種類の導電体構成要素材料には、金属ルチル、パイロクロールおよびペロブスカイト相などがあり、その多くがルテニウムを含む。例としては、RuO2、Pb2Ru2O6-7、SrRuO3などがある。それらのルテニウム酸塩と同様の挙動を示す他の金属酸化物を用いることができる。Ruに代わるものとしては、Ir、Rh、Osなどがあり得る。LaおよびTa化合物も使用可能である。他の導電性相には、炭素、酸化亜鉛、酸化インジウム、ITOおよび導電性ガラスなどの材料などがある。抵抗体の絶縁部品は、ホウケイ酸鉛ガラス組成物など(これに限定されるものではない)の多くの種類のガラス材料から形成することができる。
加水分解/縮合
M(OR)n+H2O→[MOx(OR)n-x]+MOy;
無水物脱離
M(OAc)n→[MOx/2(OAc)n-x]+x/2Ac2O
→MOy+n−xAc2O;
エーテル脱離
M(OR)n→[MOx(OR)n-x]+R2O→MOy+n−xR2O;
ケトン脱離
M(OOCR)(R′)→MOy+R′RCO;
エステル脱離
M(OR)n+M′(OAc)n
→[MM′Ox(OAc)n-x(OR)n-x]+ROAc;
[MM′Ox(OAc)n-x(OR)n-x]→MM′Oy+n−xROAc;
アルコール誘導エステル脱離
M(OAc)n+HOR→[MOx(OAc)n-x]→MOy;
小分子誘導酸化
M(OOCR)+Me3NO→MOy+Me3N+CO2;
アルコール誘導エステル脱離
MO2CR+HOR→MOH+RCO2R(エステル)
MOH→MO2;
エステル脱離
MO2CR+MOR→MOM+RCO2R(エステル);
縮重合
MOR+H2O→(MaOb)OH+HOR
(MaOb)OH+(MaOb)OH→[(MaOb)O(MaOb)O]。
抵抗体用途におけるテープ組成物中の導電性相への好ましい前駆体は、金属相に関して前述しており、金属アルコキシド類、カルボン酸塩類、アセチルアセトン酸塩類およびその他などがある。有用な範囲の温度での温度安定性のため、抵抗体調製物ではルテニウム酸塩が用いられるのが普通である。特に好ましいルテニウム酸塩前駆体は、ニトロシル硝酸Ru、エチルヘキサン酸Ruおよび他のルテニウム樹脂酸塩材料などのルテニウム化合物である。他の好ましい組み合わせは、いずれかのルテニウム化合物と酢酸Pb、硝酸Pbまたはエチルヘキサン酸Pbなどの鉛前駆体;硝酸Bi、カルボン酸Biおよびβ−ジケトン酸Biなどのビスマス前駆体;ならびに硝酸Srまたはカルボン酸Srなどのストロンチウム前駆体との組み合わせである。
本発明による抵抗体テープ組成物は、有利な微小構造を与え、最小の処理時間および温度で構造の均一性を高める粒子を用いることもできる。従来では、中ないし高オーム抵抗体用の導電体粒子は、かなり高い表面積を有するミクロン以下の大きさのものである。絶縁性マトリクス粒子はこれまで、導電性相より大きく、平均粒子サイズは約1μm〜4μmであった。これによって、ルテニウム酸塩粒子がガラス粒子の界面で分離され、導電体粒子まで流れた湿っているガラスによって分離された導電体粒子の導電性鎖を形成する傾向のある微小構造が形成される。ミクロン以下粒子(サブミクロン粒子)は、導電性相の分散を助け、処理温度および時間を低下させることができる。本発明には、前駆体組成物の全体的均一性を高める上でのガラス用のミクロン以下粒子およびルテニウム酸塩の使用が含まれる。粒子の形態も、前駆体の処理特性において重要な役割を果たす。かなり低い表面積および約1μmの平均粒子サイズを有する球形ガラスマトリクス粒子によって、より高い負荷量およびより良好なレオロジー特性が可能となる。本発明の一実施形態では、ミクロン以下のサイズのガラス粒子を用いることで、前駆体の均一性が向上する。2峰性サイズ分布を有する球形ガラス粒子の方が、充填効率に関して、1峰性サイズ分布より望ましい。マトリクス粒子が低融点を有し、導電体粒子を湿らせ、良好なTCR特性および良好な安定性を有することが重要である。最適な抵抗体粒子には、粉末処理後にすでに形成された微小構造を有する複合体粒子などがあり得る。
低オーム抵抗体組成物では、好ましい粒子組成物には銀、パラジウム、銅、金、白金、ニッケル、それらの合金、それらの複合体(2以上の別の相)、それらの核−シェル構造(コート粒子)などがある。低コスト抵抗体に関しては、粒子組成物は銅アルミニウム、タングステン、モリブデン、亜鉛、ニッケル、鉄、スズ、はんだおよび鉛からなる群から選択することができる。透明導電性粒子を用いることもでき、それには例えばZnO、TiO2、In2O3、インジウム−酸化スズ(ITO)、アンチモン−酸化スズ(ATO)の粒子状物などがある。窒化チタン、グラファイトおよび非晶質炭素などの各種形態の炭素、ならびに真性導電性ポリマー粒子などの他の導電性粒子も使用可能である。
Cuなどの高融点金属粉末および低融点金属粉末の混合物をテープに形成して、低融点粉末が溶融し、高融点金属粒子間の空隙を充填するようにすることができる。
抵抗体テープ組成物における粒子の最適充填に関連する下記の説明のほとんどが、誘電体テープ組成物にもそのまま当てはまる。高性能抵抗体を得る従来の手段は、高温でのセラミック/ガラス複合体の焼結を特徴とし、それによって多孔性をなくし、高度の結晶性を可能として高性能を得るものである。低温で処理する場合、焼結は行わず、他の方法を用いて最良の性能を達成しなければならない。複合体の固有抵抗も、対数形複合則に従い、複合体の固有抵抗の対数が相の固有抵抗(ri)にその体積分率(Vi)を掛けたものの合計である。そこで、空隙または空間によって複合体の導電性が大幅に低下する。さらに、その空隙に関連する応力および水分によって、安定性および再現性が低下する。それにより、再現性のある抵抗体値を得るための2つの実行可能な手段に至る。一つは、抵抗性および絶縁性相の体積分率を最大とするものであり、他方は前記2相の固有抵抗およびそれらの焼成後の形態を制御するというものである。いずれも、材料特性、2相の粒子サイズ分布、焼成プロファイルによって決まる。
分子前駆体および粉末(ナノ粒子および/またはミクロンサイズ粒子)を含む抵抗体テープ組成物では、前駆体/粉末の比は理想的には、前駆体由来の材料で粒子状物間の空間を埋めるのに必要な量に相当するものに近い値である。しかしながら、許容範囲における顕著な向上が、比較的低レベルの分子前駆体でも得られる。少なくとも約5体積%、さらに好ましくは少なくとも約10体積%、さらに好ましくは少なくとも約15体積%の最終抵抗体が前駆体由来のものであることが好ましい。
誘電体層の転写および形成用のテープ組成物は、粉末を含まずに分子前駆体を含むことができる。その誘電体組成物はまた、少なくとも1種類の誘電体材料への前駆体および少なくとも1種類の絶縁体材料への前駆体を含むことができる。
・優先的に反応して、多くの異なる結晶相の混合物ではなく、単一相の化学量論錯生成物を与える配位子を有する。
・高いセラミック収量を有する。
・良好な誘電率(k)、低い損失および小さい温度係数寄与を与えるもの。
本発明の一実施形態は、個々の前駆体で得ることができるものより低い反応温度を提供する分子前駆体の新規な組み合わせを利用するものである。その前駆体は、金属酸化物、ガラス−金属酸化物、金属酸化物−ポリマーおよび他の組み合わせに変換することができる分子を含むことができる。本発明の誘電体テープ組成物は、個々の前駆体で得られるものより低い誘電体部品形成のための反応温度を提供する新規な前駆体組み合わせを含むことができる。そのような組み合わせの1例は、Sn−、Zr−およびTi−酸化物前駆体である。
加水分解/縮合
M(OR)n+H2O→[MOx(OR)n-x]+MOy;
無水物脱離
M(OAc)n
→[MOx/2(OAc)n-x]+x/2Ac2O→MOy+n−xAc2O;
エーテル脱離
M(OR)n→[MOx(OR)n-x]+R2O→MOy+n−xR2O;
ケトン脱離
M(OOCR)(R′)→MOy+R′RCO;
エステル脱離
M(OR)n+M′(OAc)n
→[MM′Ox(OAc)n-x(OR)n-x]+ROAc;
[MM′Ox(OAc)n-x(OR)n-x]→MM′Oy+n−xROAc;
アルコール誘導エステル脱離
M(OAc)n+HOR→[MOx(OAc)n-x]→MOy;
小分子誘導酸化
M(OOCR)+Me3NO→MOy+Me3N+CO2;
アルコール誘導エステル脱離
MO2CR+HOR→MOH+RCO2R(エステル)
MOH→MO2;
エステル脱離
MO2CR+MOR→MOM+RCO2R(エステル);
縮重合
MOR+H2O→(MaOb)OH+HOR
(MaOb)OH+(MaOb)OH→[(MaOb)O(MaOb)O]。
1)Sn−エトキシド、Zr−プロポキシド、Pb−ブトキシド、Pb−イソプロポキシド、ネオデカン酸Snなどの金属アルコキシド;
2)金属フルオロカルボン酸塩、金属クロロカルボン酸塩、金属ヒドロキソカルボン酸塩などの金属カルボン酸塩(具体例としては、酢酸Ba、エチルヘキサン酸Snならびに酢酸Pb、トリフルオロ酢酸Pbおよびエチルヘキサン酸PbなどのPbカルボン酸塩などがある);
3)アセチルアセトン酸Pbおよびヘキサフルオロアセチルアセトン酸Pbなどのβ−ジケト酸Pbを含む金属β−ジケト酸塩;ならびに
4)混合アルコキソ金属カルボン酸塩(金属=Sn、Zr、Ti、Ba、Ca、Nd、Sr、Pb、Mg)も有用である。例としては、ネオデカン酸ジメトキシチタンがある。誘電体調製物中のジアルコキソチタン・二カルボン酸塩前駆体は、接着促進剤としても働き得る。
R−(CH2)3Si(OH)2(OMe)2+(粒子表面Si)OH→(粒子表面Si)−O−Si(OH)2(CH2)3−R+H2O。
高誘電率粉末に特に好ましい組成物は、ペロブスカイト構造を有するものである。例としては、金属チタン酸塩、金属ジルコン酸塩、金属ニオブ酸塩および他の混合金属酸化物などがある。特に有用なものは、低レベルのドーパントイオンを加えることで広範囲の誘電体性能特性に到達することができるチタン酸バリウム系である。具体例には、BaTiO3、PbTiO3、PbZrO3、PbZrxTi1-xO3およびPbMg1/3Nb2/3O3などがある。
本発明の前駆体テープ組成物は、低温で転写および誘電体材料に変換することができる。好ましい変換温度は、セラミック基板の場合で900℃未満である。ガラス基板の場合、好ましい変換温度は600℃以下である。ガラス基板でさらに好ましいのは、500℃以下、例えば400℃以下の変換温度である。有機基板で好ましい変換温度は、350℃以下、さらに好ましくは300℃以下、さらに好ましくは200℃以下である。
前述のように、前駆体組成物は、溶媒に溶解させていても良い分子前駆体化合物、ならびに他の添加剤を含むことができる。テープ組成物を形成する上で使用されるペーストまたはインクは代表的には、前駆体化合物、粒子、媒体ならびに界面活性剤およびレオロジー添加剤などの他の添加剤を含む。その組成物は、キャリア上に堆積させることでリボンの製造に用いることができる。一実施形態において、溶媒の主要な役割は、テープ材料のキャリア上への堆積を助けたり、あるいは別の形態でリボンまたはテープ構造の形成を助けるというものである。リボンまたはテープ構造が完成したら、テープ製造プロセスの一環として、溶媒は部分的または完全に除去することができる。溶媒がリボン形成プロセス中に実質的に除去される場合には、テープまたはリボンは乾式テープまたは乾式リボンと表示される。溶媒の全量または一部がテープに残留する場合、そのテープは湿式テープと称される場合が多い。
前述のように、媒体とは基板上への流動性組成物の堆積を促進する流動体媒体である。本発明の文脈において、その基板はテープ用の一時的または永久的キャリアまたは裏材支持体である。上述のように、そのテープ組成物は、最終的な基板に転写される中間「前駆体材料」として形成または製造される。テープ製造用の多くの組成物、特に粒子を含むものにおいて、溶媒も媒体と見なすことができる。別の実施形態では、例えば同時に銀への前駆体および媒体の両方として作用するテルピネオールの銀誘導体を合成することで、銀などの金属を媒体に結合させることができる。これによって、金属収量が向上し、導電性部品の有孔度が低下する。乾式リボンを製造する場合、テープ製造時に媒体含有量はかなり低下する。
表4:テープ製造に有用な有機媒体
本発明によるテープ組成物は、1以上のポリマーを含むこともできる。そのポリマーは、熱可塑性ポリマーまたは熱硬化性ポリマーであることができる。熱可塑性ポリマーは、完全に重合していることを特徴とする。それは、さらなる重合や架橋を行って最終生成物を形成する反応には関与しない。代表的にはそのような熱可塑性ポリマーは、溶融鋳造、射出成形または溶媒溶解される。例としては、ポリイミドフィルム、ABS粒子、中または高分子量のビニル、アクリル、スチレンポリマーなどがある。
転写後に得られる材料性能および分離能はいずれも、転写時点のテープ材料のレオロジーに大きく依存する。テープ前駆体材料(すなわち、キャリア上でコーティングされたもの)は代表的にはペーストである。粒子サイズおよびサイズ分布、純度および結晶構造を制御した非凝集粒子を組み込むことができることで、テープ材料の転写が可能となり、その結果としてより良好な性能およびより小さい部品サイズが得られる。低温で機能性材料に変換する前駆体を加えることで、テープ転写後の処理温度を低下させることができる。さらに、ペーストのレオロジーおよびペースト調製物は、レーザ転写法に固有の多くの必要条件を満足するものでなければならない。そのコーティングは最適化して、転写時の材料塊の拡散による密着性低下を回避しなければならない。それは、分離能を低下させるだけでなく、堆積後処理によって得ることができる材料性能に悪影響も与える。リボン法に固有の別の問題は、機械的強度の必要性とリボンの貯蔵寿命延長の必要性である。それは、コーティング材料の表面積が大きく、それに関連して液体マトリクス材料中の揮発性成分が蒸発する可能性があるためである。結合剤はまたエラストマーであることができ、そのポリマーはそれのガラス転移温度より高く、可撓性である。
本発明のテープ組成物の製造に使用されるインクまたはペースト組成物に、他の添加剤を組み込むことができる。例えばその添加剤は、界面活性剤または分散剤を含むことができる。分散剤を加えて、媒体または溶媒中での粒子の分散性を高め、その分散液内での粒子状物間引力を低下させる。分散剤は代表的には、2構成要素構造、すなわちポリマー鎖と固着基である。固着基はそれ自体を粒子表面に固定するものであり、ポリマー鎖は凝集を防止するものである。有効性があるのは、それらの特定の組み合わせである。分散剤の分子量は、最適な長さのポリマー鎖を与えて、粒子間のファンデルワールズ引力に打ち勝つ上で十分なものである。鎖が短すぎると、それは凝集を防止する上で十分厚い障壁を提供しないために、粘度上昇が起こる。それを超えると安定化材料の有効性がそれ以上高くならない最適な鎖長が存在する。理想的にはその鎖は、分散媒体中で自由に動くものでなければならない。そうするためには、一端のみに固着基を有する鎖が立体的安定性を与える上で最も有効であることがわかっている。分散剤の1例には、SOLSPERSE21000(Avecia Limited)がある。本発明のペースト組成物の場合に界面活性剤は、ペーストの他の成分、特に前駆体と適合性となるように選択すべきである。本発明の一実施形態において、界面活性剤は分散剤および導電性相への前駆体などの複数機能を有することができる。銀フレークとともに用いられる界面活性剤の別の例は、例えばモンテ(Monte)らによる米国特許第4122062号(参照によって、本明細書にその全体が組み込まれるものとする)に開示されているケンリッヒ・チタネート(Kenrich Titanate)などのカップリング剤である。
本発明のある種の実施形態によれば、テープ組成物を選択して、金属前駆体化合物を導電性金属に変換するのに必要な変換温度を低下させることができる。前駆体は、それ自体でまたは他の前駆体と組み合わせて変換し、高い金属収量を与える。本明細書で使用される場合、変換温度とは、分子前駆体などのテープ組成物に含まれる金属前駆体化学種が少なくとも95%変換されて純粋な金属となる温度である。変換温度は、サンプル50mgを空気中10℃/分の速度で加熱する熱重量分析(TGA)法を用いて測定し、重量損失を測定する。
本発明によるテープ組成物は、低温で転写および電子部品に変換することができることで、比較的低い融点または分解温度を有する各種の基板を用いることができる。低粘度前駆体組成物の電子部品への変換の際、組成物が転写される基板表面が、最終構造への全体的は変換がどの程度起こるかに大きく影響する。
一実施形態においては、50体積%以下のAg前駆体、60体積%以下のAg粉末を含み、残りが結合剤である乾式テープを形成する。結合剤は、プロトン伝導性ポリマーであることができる。特に好ましいAg前駆体は銀カルボン酸塩である。具体的な銀カルボン酸塩には、トリフルオロ酢酸Ag、酢酸Agおよびネオデカン酸Agなどがある。
別の実施形態において、乾式テープは60体積%未満の誘電体粉末、50体積%未満の低融点ガラスを含み、残りは結合剤である。誘電体粉末は、金属チタン酸塩、ニオブ酸塩、タンタル酸塩、タングステン酸塩および誘電率、誘電体損失および静電容量の温度係数の所望の組み合わせを有する他の組成物を含むことができる。
別の実施形態において前記テープには、AgおよびPd前駆体、Cu粉末および結合剤が含まれる。好ましいAgおよびPd前駆体には、金属カルボン酸塩などがある。
別の実施形態において前記テープは、金属−炭素粒子および結合剤を含む。これらの組成物は、燃料電池およびバッテリーに有用である。そのテープはまた、金属−炭素粒子、前駆体および結合剤を含むことができる。前駆体は、金属、金属酸化物その他の導電性もしくは触媒活性材料を与えることができる。金属−炭素粉末に代えて、金属酸化物−炭素粒子を用いることもできる。
別の実施形態において、前記テープはリン粉末および結合剤を含む。
別の実施形態において前記テープは、Ag前駆体、Cu粉末および結合剤を含む。好ましいAg前駆体は、銀カルボン酸塩である。
別の実施形態において前記テープは、2種類の金属前駆体、金属粉末および結合剤を含み、金属前駆体は処理時に合金となる。それの1例は、Ag前駆体、プラスPd前駆体、プラスAg粉末、プラス結合剤である。
別の実施形態において前記テープは、ガラスへの前駆体、導電性粒子、絶縁性粒子および結合剤を含む。好ましいガラス前駆体は、ゾル−ゲル前駆体である。
別の実施形態においてテープは、ミクロンサイズ粒子、分子前駆体、ナノ粒子、媒体および結合剤を含んで形成される。前記前駆体は好ましくは、金属有機化合物である。前記ナノ粒子は、Ag2Oナノ粒子などの導電性相への無機前駆体である。前記テープはまた、前駆体、媒体およびナノ粒子を含むこともできる。前記ナノ粒子は、銀、銅および他の金属から選択することができるか、あるいはシリカ、酸化銅および酸化アルミニウムなどの非導電性ナノ粒子であることができる。
別の実施形態によれば、テープ組成物は約40体積%以下のミクロンサイズ金属粒子および約5〜約25重量%の分子前駆体を含み、残りは媒体、結合剤および他の添加剤である。
一実施形態において、透明導電体テープ調製物は10〜約30体積%のITO、ATO、ZnO、SnO2の群から選択されるミクロンサイズ粒子および5〜20体積%のAgナノ粒子、ならびに0〜20重量%の前駆体を含み、残りは溶媒、結合剤および他の添加剤である。
低コスト導電体テープの別の実施形態において、前記テープは20〜50体積%の非晶質炭素、グラファイト、鉄、ニッケル、タングステン、モリブデンの群から選択されるミクロンサイズ粒子および20〜50重量%の真性導電性ポリマーへの前駆体を含み、残りは溶媒、結合剤および他の添加剤である。
テープは、組成において均一な単一層を含むことができる。テープは、異なる組成を有する2以上の層を有することができる。例えば、一方の層が剥離層であり、他方が機能性層であることができる。他の例には、接着層または封止剤層と組み合わせた機能性層などがある。それらの層は、粉末、前駆体もしくは混合物またはそれらの成分のいずれかである2種類の異なる材料を含むことができる。それらの層は、組成がテープを通るある方向で変化する勾配構造を有することができる。テープは、全体として転写し、機能素子を形成する複数の層を有することができる。テープの1以上の層をパターニングすることができる。
本発明のテープは、各種手法によって製造することができる。テープは、単一層または複数層の均一なコーティング、あるいは単一層または複数層の詳細印刷パターンあるいはそれらの組み合わせであることができる。印刷を用いて、均一コーティングとパターンの両方を製造することができる。印刷法には、レリーフ(凸版印刷、フレキソ印刷、浮き出た表面からの転写を有する他の全てのもの)、凹版(グラビア印刷、窪んだ表面からの転写を有する他の全てのもの)、スクリーン印刷(型板またはスクリーンにある開口から流動性材料を通過させる)、リソグラフィー(表面特性における差を利用してインクを反発または引きつける)、あるいは静電印刷(特殊ドラム上の帯電領域を利用)などがある。スピン、沈殿、ブレード、ローラーバー、スプレー、スロットダイス、逆ロールコート、ディップコートおよびカーテンコーティングなどのコーティング法を用いて、大面積コーティングを行うことができる。他の印刷法には、インクジェット印刷などがある。好ましい方法は、成膜されて均一な薄層となるペーストの使用である。テープ材料の堆積後、相対的に高蒸気圧の成分を蒸発させることで、部分的または完全にテープを乾燥させることができる。それによって、乾式テープと称されるテープ材料が得られる。
本発明のテープおよび方法は、各種の製造品を製造する手段を提供するものである。
有機基板上に実質的に純粋な金属の導電体部品を有するプリント回路を製造することができる。本発明の一実施形態によれば、その回路は500μm以下、さらに好ましくは200μm以下、さらに好ましくは100μm以下、さらに好ましくは75μm以下、さらに好ましくは50μm以下、さらに好ましくは25μm以下、さらに好ましくは約10μm以下の最小部品サイズを有することができる。
その回路は、粒子を含まないテープから形成することができる。そのテープは、変換された時に機能性材料を提供する前駆体を含むことができる。
本発明の別の実施形態によれば前記回路は、露出した複数の材料表面を有する基板上に設けることができる。例として前記導電体は、金属表面から、二酸化ケイ素に、そしてエポキシに、そして基板材料に、そしてコンタクト金属へと通過することができる。
前記回路は、レーザを用いて処理することができる。堆積した材料をレーザを用いて焼結させることができる。レーザを用いて堆積物をパターニングすることができる。
本発明を用いて、センサー類、電子ペーパー、スマートカードでのワイヤ接続に代わるものとしての接続およびRFタグなどの各種製造品を製造することができる。固有抵抗がバルク導電体材料のバルク固有抵抗の5倍以下である導電体を含むアンテナを製造することができる。そのアンテナはフラクタルであることができるか、あるいは抵抗要素、誘導要素または容量要素を搭載することができる。製造品には、使い捨て携帯電話または雑誌に添付のゲームなどがあり得る。
各種工程を用いて、本発明を用いた製品を形成することができる。
レーザを用いて、テープの領域を局所加熱しながら、テープを標的基板と接触させることで、その標的表面に層を転写することができる。転写後、標的表面を加熱して、存在するのであれば前駆体を変換し、結合剤を除去し、あるいは粒子を焼結することができる。
パターンを裏材上に印刷し、加熱して前処理し、そして標的基板に転写することができる。
テープを標的基板上に押し当てることができ、インクジェットプリンターを用いてテープの所望の部分をパターニングおよび溶解させることができ、材料の残りを除去する。ペン、スクリーン、ロールプリンターなどの他の付与法および印刷方法を用いて、溶媒を加えることができる。加えられた液体は、テープと反応する働きをし、それを基板に結合させることもできる。
本発明により、支持層などの収縮被覆によって非平坦表面上に印刷およびコーティングを行うことができる。支持体およびテープで非平坦基板周囲を覆い、次にテープを転写し、処理する。
本発明は、標的基板に転写することができるキャリア上に予めパターニングされた部品を提供することで、高速印刷を行うものである。
本発明は、比較的低温での導電性部品の堆積および形成を可能とするいくつかの新規な工程を提供するものである。
R−(CH2)3Si(OH)2(OMe)2+(層表面Si)OH→(層表面Si)−O−Si(OH)2(CH2)3−R+H2O;
式中、R=CH2CCH3COO−である。
本発明の組成物および方法は、形成される基板に対する良好な接着を有する部品を製造するものである。例えば前記導電性部品は、少なくとも10ニュートン/cmの剥離強度で基板に付着する。密着力は、スコッチテープ試験を用いて測定することができ、その試験ではスコッチテープを部品に貼り、その跡と基板の面に対して垂直に引っ張る。それによって、約10N/cmの力を加える。合格基準は、テープ上に部品からの残留物がほとんど残らない場合である。
さらに別の実施形態では、転写テープ材料組成物を堆積し、乾燥し、そして約100秒未満、さらに好ましくは約10秒未満、さらに好ましくは約1秒未満の総反応時間で反応させる。
さらに別の実施形態では、転写テープ材料組成物を堆積させ、乾燥させ、300℃未満、さらに好ましくは約250℃未満、例えば約200℃以下で反応させて、金属のバルク固有抵抗の10倍以下、好ましくはそのバルク固有抵抗の6倍以下、さらに好ましくはそのバルク固有抵抗の4倍以下、最も好ましくは金属のバルク固有抵抗の2倍以下である固有抵抗を有する導電性部品を提供する。一実施形態では、前記導電性部品は銀を含み、その部品の固有抵抗は、銀のバルク固有抵抗(1.59μΩ−cm)の10000倍以下、さらに好ましくは1000倍以下、さらに好ましくは銀のバルク固有抵抗の100倍以下である。
本発明は、実質的に純粋なバルク導電体の固有抵抗の20倍以下、さらに好ましくは実質的に純粋なバルク導電体の10倍以下、さらに好ましくは5倍以下、最も好ましくは実質的に純粋なバルク導電体の3倍以下の固有抵抗を有する導電体の製造において特に有用である。高導電性は、銀、銅、白金、パラジウム、金、ニッケルまたは銅を含むテープによって得ることができる。
高k誘電体についての一実施形態において、600℃で12分間処理した材料に関して、誘電率700および損失6%が得られる。高k誘電体についての別の実施形態において、550℃で15分間処理した材料に関して、誘電率200および損失2%が得られる。高k誘電体についての別の実施形態において、350℃で30分間処理した材料に関して、誘電率100および損失12%が得られる。
損失を低減する上での表面改質の重要性を示す別の実施形態において、450℃で30分間処理した材料に関して、損失0.2%で誘電率17が得られる。損失を低減する上での表面改質の重要性を示す別の実施形態において、350℃で30分間処理した材料に関して、損失0.7%で誘電率13が得られる。これらの例のいずれも、焼成後に表面改質処理を行った。
式中、Cは多層コンデンサの静電容量であり;eは定数であり;Nは多層セラミックパッケージの場合の活性層の数であり;kは堆積および誘電体前駆体の処理後に得られる誘電体材料の誘電率である。Aは、「占有面積コスト」を節約するために小さい場合が多い電極の面積であり、tはコンデンサ間の厚さまたは距離である。
損失は、450℃で処理し、表面改質した誘電体の場合は0.2%という低い値であることができる。
誘電体層は複合体層であることができる。複合体は、金属酸化物/ガラス、金属酸化物/ポリマー、および金属酸化物1/金属酸化物2を含むことができる。例えば低温処理によって、Al2O3およびTiO2粒子を含む複合体誘電体層の調製物が可能である。その組成物は、低焼成マイクロ波用途用に非常に低い損失と組み合わせて非常に低いTCC値を有するように調節することができる。好ましい実施形態では、誘電体金属酸化物はPMNであり、好ましいガラスは鉛系のホウケイ酸ガラスである。別の好ましい実施形態では、粒子由来の誘電体をBaTiO3でドープし、前駆体由来の誘電体はZSTである。
本発明の組成物および方法を用いて、RFタグおよびスマートカード用の誘電体層および容量層を製造することができる。その組成物および方法は、雑誌に添付のゲームなどの使い捨てエレクトロニクスを印刷できるようにするものである。
本発明による電子粉末の堆積が非常に有利である別の技術は、プラズマディスプレイパネルなどのフラットパネルディスプレイに関するものである。低焼成誘電体層の高分離能分配は、プラズマディスプレイパネル用の容量層を形成する上で特に有用な方法である。代表的には、誘電体前駆体をガラス基板上に印刷し、約450℃〜600℃で空気中で焼成する。本発明はかなり低い焼成温度を提供するものである。
本発明を用いて、直接書き込むアンテナ用の誘電体基板を形成することができる。そのアンテナは、フラクタルアンテナであることができる。アンテナは、抵抗要素、誘導要素または容量要素を有する装荷アンテナであることができる。
前記テープ組成物および方法によって、雑誌に添付のゲームの場合のように使い捨てエレクトロニクスを作ることができる。有利な点として、前駆体組成物を紙またはボール紙などのセルロース系材料上で堆積および反応させることができる。そのセルロース系材料は、必要に応じてコーティングを施して、前駆体組成物の基板中への浸出を防ぐことができる。例えば、セルロース系材料をUV硬化性ポリマーでコーティングすることができる。
一実施形態において、堆積部品の平均厚は約0.1μmより大きく、さらに好ましくは約0.5μmより大きく、さらに好ましくは約1μmより大きく、さらに好ましくは約5μmより大きいが20μm未満である。これらの厚さは、1回のテープ堆積によって、あるいは複数の層を堆積することによる不連続の材料単位の堆積によって得ることができる。一つの層を堆積させ、乾燥し、次にそのサイクルを繰り返すことができる。
例えば本発明の組成物および方法を用いて、RF(ラジオ周波数)タグおよびスマートカード用の透明アンテナを製造することができる。それは、ITOなどの透明導電性金属酸化物を含む組成物によって可能である。別の実施形態において前記組成物は、導電性を高める何らかの金属を含むことができる。一実施形態において、前記アンテナは約10〜100000Ω/□のシート固有抵抗を有する材料を含む。別の実施形態において前記アンテナは、実質的に純粋な銀の固有抵抗の3倍以下の固有抵抗を有する導電体を含む。誘導結合アンテナには高導電性トレースが必要であるが、静電(容量結合)アンテナでは金属酸化物を用いることができる。
前記組成物および方法を用いて、スマートカードおよびRFタグにおけるチップと他の部品間の接続を行うことができる。
本発明のテープおよび方法を用いて、特に原型設計または低容積製造における多チップモジュールなどのマイクロエレクトロニクス部品を製造することもできる。
電子粉末の転写は、プラズマディスプレイパネル用の電極を形成する上で特に有用な方法である。有利には、本発明による電子粉末および堆積法を用いて、プラズマディスプレイパネル用の電極および抵抗体、ならびにバスラインおよび障壁リブを形成することができる。代表的には、金属ペーストをガラス基板上に印刷し、空気中で約450℃〜600℃で焼成する。
(参考例1)
(実施例1)
(参考例2)
(実施例2)
(実施例3)
(参考例3)
(参考例4)
(参考例5)
(実施例4)
(参考例6)
(参考例7)
(実施例5)
(実施例6)
(実施例7)
(実施例8)
(実施例9)
(実施例10)
(実施例11)
(実施例12)
(実施例13)
(実施例14)
(実施例15)
(実施例16)
(実施例17)
(実施例18)
(参考例8)
(実施例19)
(参考例9)
(実施例20)
Claims (49)
- 基板上に導電性電子部品を製造する方法において、
(a)基板を提供する段階;
(b)キャリア上にテープ組成物を含むリボン構造を設ける段階であって;前記テープ組成物が金属への分子前駆体化合物および前記分子前駆体化合物の変換反応誘発剤を含む段階;
(c)部品のパターンで前記キャリアから前記基板に前記テープ組成物を転写する段階;ならびに
(d)前記転写されたテープ組成物を200℃以下の温度まで加熱して、前記テープ組成物を前記金属の固有抵抗の100倍以下の固有抵抗を有する導電性部品に変換する加熱段階を有する方法。 - 前記導電性部品が100μm以下の最小部品サイズを有する請求項1に記載の方法。
- 前記導電性部品が25μm以下の最小部品サイズを有する請求項1に記載の方法。
- 前記導電性部品が10μm以下の最小部品サイズを有する請求項1に記載の方法。
- 前記テープ組成物がポリマーもしくはポリマー前駆体、金属粒子および金属化合物を含む請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記テープ組成物が金属粒子を含む請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記テープ組成物が銀粒子を含む請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記テープ組成物が銅粒子を含む請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板が有機基板である請求項1乃至8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板がポリマー基板である請求項1乃至9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板が、ポリフッ化化合物類、ポリイミド類、エポキシ類、ポリカーボネート、セルロース系材料、酢酸化合物、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)、可撓性ファイバーボード、不織ポリマーファブリックおよび布からなる群から選択される請求項1乃至8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板がガラスである請求項1乃至8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板は可撓性である請求項1乃至12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記分子前駆体化合物が銀化合物である請求項1乃至13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記分子前駆体化合物が銅化合物である請求項1乃至13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記転写する段階が、圧力を用いて転写を開始する段階を有する請求項1乃至15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記転写する段階が、前記テープ組成物中の結合剤を溶融させて転写を開始する段階を有する請求項1乃至16のいずれか一項に記載の方法。
- 前記転写する段階が、前記リボン構造内での化学反応によって転写を開始する段階を有する請求項1乃至17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記転写する段階が、前記リボン構造内で蒸気相を発生させて転写を開始する段階を有する請求項1乃至18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記転写する段階が、機械的力を用いて転写を開始する段階を有する請求項1乃至19のいずれか一項に記載の方法。
- 前記転写する段階が、加熱を用いて転写を開始する段階を有する請求項1乃至20のいずれか一項に記載の方法。
- 物理的力と熱的力の組み合わせを用いて転写を開始する段階を有する請求項1乃至21のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性部品がポリマーおよび金属を含む請求項1乃至22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ポリマーがポリイミドを含む請求項23に記載の方法。
- 前記導電性部品が純粋な金属を含む請求項1乃至24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加熱段階が、175℃以下の温度まで加熱する段階を有する請求項1乃至25のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加熱段階が、150℃以下の温度まで加熱する段階を有する請求項1乃至26のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加熱段階が、125℃以下の温度まで加熱する段階を有する請求項1乃至27のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性部品が、金属のバルク固有抵抗の50倍以下の固有抵抗を有する請求項1乃至28のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性部品が、金属のバルク固有抵抗の10倍以下の固有抵抗を有する請求項1乃至29のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性部品が、金属のバルク固有抵抗の6倍以下の固有抵抗を有する請求項1乃至30のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性部品を前記基板上でパターニングして、プリント回路基板を形成する請求項1乃至31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性部品を前記基板上でパターニングして、高密度配線を形成する請求項1乃至31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性部品を前記基板上でパターニングして、フラットパネルディスプレイ用のバスラインを形成する請求項1乃至31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性部品を前記基板上でパターニングして、アンダーバンプ金属化部を形成する請求項1乃至31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板は前記基板上に堆積された第1の非線形要素を備える請求項1乃至35のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1の非線形要素が、ダイオード、ディスプレイ画素およびトランジスタからなる群から選択される請求項36に記載の方法。
- 前記第1の非線形要素が、有機トランジスタである請求項36に記載の方法。
- 前記基板上に少なくとも前記第1の非線形要素を形成する段階を更に備え、前記導電性部品は前記第1の非線形要素に電気的に接続されるものである請求項36乃至38のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性部品が、有機発光素子である請求項1乃至39のいずれか一項に記載の方法。
- 前記変換反応誘発剤が、前記分子前駆体化合物の変換温度を、乾燥分子前駆体化合物と比較して少なくとも25℃低下させるのに十分な量で提供される請求項1乃至40のいずれか一項に記載の方法。
- 前記変換反応誘発剤が、前記分子前駆体化合物の変換温度を、乾燥分子前駆体化合物と比較して少なくとも50℃低下させるのに十分な量で提供される請求項1乃至41のいずれか一項に記載の方法。
- 前記変換反応誘発剤がアミンからなる請求項1乃至42のいずれか一項に記載の方法。
- 前記変換反応誘発剤がアミドからなる請求項1乃至42のいずれか一項に記載の方法。
- 前記変換反応誘発剤が、テルピネオールからなる請求項1乃至42のいずれか一項に記載の方法。
- 前記変換反応誘発剤が、ジエチレングリコールブチルエーテル(DEGBE)からなる請求項1乃至42のいずれか一項に記載の方法。
- 前記変換反応誘発剤がN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)からなる請求項1乃至42のいずれか一項に記載の方法。
- 前記変換反応誘発剤が、ジエチレングリコールブチルエーテル(DEGBE)およびN,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)からなる請求項1乃至42のいずれか一項に記載の方法。
- 前記変換反応誘発剤が、酢酸Pd、トリフルオロ酢酸Pd、ネオデカン酸Pdおよび水酸化パラジウムテトラアミンからなる群より選択されるパラジウム化合物からなる請求項1乃至42のいずれか一項に記載の方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101789299B1 (ko) | 2011-06-23 | 2017-10-23 | 코닉이앤씨 주식회사 | 금속박의 제조 방법 및 제조 장치 |
Families Citing this family (147)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6338809B1 (en) | 1997-02-24 | 2002-01-15 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
US20030148024A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
US6951666B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-10-04 | Cabot Corporation | Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features |
EP1636860A2 (en) | 2003-06-26 | 2006-03-22 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Methods for forming patterns of a filled dielectric material on substrates |
US7755484B2 (en) | 2004-02-12 | 2010-07-13 | Avery Dennison Corporation | RFID tag and method of manufacturing the same |
DE102004056702B3 (de) * | 2004-04-22 | 2006-03-02 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Substrat |
US7794557B2 (en) * | 2004-06-15 | 2010-09-14 | Inframat Corporation | Tape casting method and tape cast materials |
DE102004045211B4 (de) | 2004-09-17 | 2015-07-09 | Ovd Kinegram Ag | Sicherheitsdokument mit elektrisch gesteuertem Anzeigenelement |
US7824466B2 (en) | 2005-01-14 | 2010-11-02 | Cabot Corporation | Production of metal nanoparticles |
TW200640596A (en) | 2005-01-14 | 2006-12-01 | Cabot Corp | Production of metal nanoparticles |
WO2006076606A2 (en) | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Optimized multi-layer printing of electronics and displays |
WO2006076609A2 (en) | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Cabot Corporation | Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same |
KR101162557B1 (ko) | 2005-03-15 | 2012-07-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 이를 갖는 전자 장치 |
JP4884807B2 (ja) * | 2005-03-15 | 2012-02-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 無線チップの作製方法 |
US20060289966A1 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Dani Ashay A | Silicon wafer with non-soluble protective coating |
DE102005043127A1 (de) * | 2005-09-10 | 2007-03-15 | Pemeas Gmbh | Verfahren zur Konditionierung von Membran-Elektroden-Einheiten für Brennstoffzellen |
US8945736B2 (en) * | 2005-09-10 | 2015-02-03 | Basf Fuel Cell Gmbh | Method for conditioning membrane-electrode-units for fuel cells |
GB2434152A (en) * | 2006-01-16 | 2007-07-18 | Whitford Plastics Ltd | Fluoropolymer powdered materials |
DE102007017005B4 (de) * | 2006-04-11 | 2009-12-31 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Elektrisch leitende Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitenden Films |
WO2007125879A1 (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Sharp Corporation | 太陽電池電極用導電性ペースト |
JP2009541588A (ja) * | 2006-06-19 | 2009-11-26 | キャボット コーポレイション | 金属含有ナノ粒子、その合成及び使用 |
KR101287211B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-07-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 tft 어레이기판의 제조방법 |
WO2008005979A1 (en) * | 2006-07-05 | 2008-01-10 | The Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Method of temporarily attaching a rigid carrier to a substrate |
WO2008008977A2 (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Nanoscale Corporation | Nanocrystalline materials for electronic applications |
US7528448B2 (en) | 2006-07-17 | 2009-05-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Thin film transistor comprising novel conductor and dielectric compositions |
US7582403B2 (en) | 2006-07-17 | 2009-09-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metal compositions, thermal imaging donors and patterned multilayer compositions derived therefrom |
JP4667471B2 (ja) * | 2007-01-18 | 2011-04-13 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム、その製造方法及びそれを備えたタッチパネル |
US7960139B2 (en) | 2007-03-23 | 2011-06-14 | Academia Sinica | Alkynyl sugar analogs for the labeling and visualization of glycoconjugates in cells |
JP5274035B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2013-08-28 | 三洋電機株式会社 | 燃料電池 |
KR100967056B1 (ko) * | 2007-03-29 | 2010-06-29 | 삼성전기주식회사 | 박막 캐패시터 및 박막 캐패시터 내장형 인쇄회로기판 |
US8197901B2 (en) * | 2007-07-16 | 2012-06-12 | University Of Kentucky | In-situ nanoparticle formation in polymer clearcoats |
US7672113B2 (en) * | 2007-09-14 | 2010-03-02 | Oak-Mitsui, Inc. | Polymer-ceramic composites with excellent TCC |
KR20100090700A (ko) * | 2007-10-26 | 2010-08-16 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 비대칭 유전체 필름 |
JP2009130120A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US8101231B2 (en) | 2007-12-07 | 2012-01-24 | Cabot Corporation | Processes for forming photovoltaic conductive features from multiple inks |
US8158504B2 (en) * | 2008-05-30 | 2012-04-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices—organic medium components |
TW200952301A (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-16 | Inpaq Technology Co Ltd | Electro-static discharge protection device with low temperature co-fire ceramic and manufacturing method thereof |
WO2009153792A2 (en) * | 2008-06-19 | 2009-12-23 | Utilight Ltd. | Light induced patterning |
DE102008032554A1 (de) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Metallhaltige Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kontaktstrukturen auf elektronischen Bauteilen sowie elektronisches Bauteil |
US8680020B2 (en) * | 2008-07-15 | 2014-03-25 | Academia Sinica | Glycan arrays on PTFE-like aluminum coated glass slides and related methods |
KR20110050496A (ko) * | 2008-08-05 | 2011-05-13 | 도레이 카부시키가이샤 | 디바이스의 제조 방법 |
DE102008046480A1 (de) * | 2008-09-09 | 2010-03-11 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer lötbaren LFC-Solarzellenrückseite und aus derartigen LFC-Solarzellen verschaltetes Solarmodul |
WO2010041262A2 (en) * | 2008-10-12 | 2010-04-15 | Utilight Ltd. | Solar cells and method of manufacturing thereof |
US8020314B2 (en) * | 2008-10-31 | 2011-09-20 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for drying ceramic green bodies with microwaves |
CN101451270B (zh) * | 2008-12-11 | 2011-04-13 | 常振宇 | 一种大批量制备贵金属纳米线的方法 |
WO2010078527A2 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Multilayer polymeric articles and methods for making same |
JP5262757B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-08-14 | 株式会社リコー | 転写用紙及びその製造方法、並びに機能性薄膜の製造方法 |
KR100946598B1 (ko) * | 2009-04-24 | 2010-03-09 | 주식회사 엘파니 | 플라스마 처리를 이용한 전도성 고분자용 고체 도판트, 그의 제조 방법 및 장치, 및 전도성 고분자의 고상 도핑 방법 |
US8802477B2 (en) * | 2009-06-09 | 2014-08-12 | International Business Machines Corporation | Heterojunction III-V photovoltaic cell fabrication |
US20110048517A1 (en) * | 2009-06-09 | 2011-03-03 | International Business Machines Corporation | Multijunction Photovoltaic Cell Fabrication |
US8633097B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-01-21 | International Business Machines Corporation | Single-junction photovoltaic cell |
US20100310775A1 (en) * | 2009-06-09 | 2010-12-09 | International Business Machines Corporation | Spalling for a Semiconductor Substrate |
US8703521B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-04-22 | International Business Machines Corporation | Multijunction photovoltaic cell fabrication |
TWI491303B (zh) * | 2009-06-29 | 2015-07-01 | 群創光電股份有限公司 | 影像顯示系統 |
DE102009040076A1 (de) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | W.C. Heraeus Gmbh | Metallpaste mit Oxidationsmittel |
KR101094301B1 (ko) * | 2009-09-09 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 실링재 및 상기 실링재를 사용하는 표시 장치 |
US10087236B2 (en) | 2009-12-02 | 2018-10-02 | Academia Sinica | Methods for modifying human antibodies by glycan engineering |
US11377485B2 (en) | 2009-12-02 | 2022-07-05 | Academia Sinica | Methods for modifying human antibodies by glycan engineering |
EP2513926A2 (en) | 2009-12-16 | 2012-10-24 | Apricot Materials Technologies LLC | Capacitor with three-dimensional high surface area electrode and methods of manufacture |
US20110209749A1 (en) * | 2010-01-07 | 2011-09-01 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Pattern transfer method and apparatus, flexible display panel, flexible solar cell, electronic book, thin film transistor, electromagnetic-shielding sheet, and flexible printed circuit board applying thereof |
JP5563349B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-07-30 | 日本板硝子株式会社 | 転写体の製造方法 |
WO2011130332A1 (en) | 2010-04-12 | 2011-10-20 | Academia Sinica | Glycan arrays for high throughput screening of viruses |
DE102010015659A1 (de) | 2010-04-20 | 2011-10-20 | Giesecke & Devrient Gmbh | Transferverfahren zur Herstellung von Leiterstrukturen mittels Nanotinten |
EP2598934A4 (en) * | 2010-07-26 | 2018-01-17 | Elenza, Inc. | Hermetically sealed implantable ophthalmic devices and methods of making same |
DE102010044329A1 (de) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Kontaktierungsmittel und Verfahren zur Kontaktierung elektrischer Bauteile |
KR20140001896A (ko) | 2010-10-12 | 2014-01-07 | 애프리콧 머티어리얼즈 테크놀로지스, 엘엘씨 | 세라믹 캐패시터 및 제조 방법 |
JP5739742B2 (ja) | 2010-11-04 | 2015-06-24 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムおよびタッチパネル |
US20120178189A1 (en) * | 2011-01-06 | 2012-07-12 | Reber Douglas M | Method for forming an over pad metalization (opm) on a bond pad |
US9096432B2 (en) | 2011-02-01 | 2015-08-04 | Nanosi Advanced Technologies, Inc. | Auric acid assisted silicon nanoparticle formation method |
WO2012128028A1 (ja) * | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 住友精化株式会社 | 金属ペースト組成物 |
WO2012170684A1 (en) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Process for producing patterned coatings |
US9531013B2 (en) | 2011-06-15 | 2016-12-27 | Lg Fuel Cell Systems Inc. | Fuel cell system with interconnect |
US8974981B2 (en) | 2011-06-15 | 2015-03-10 | Lg Fuel Cell Systems Inc. | Fuel cell system with interconnect |
US9281527B2 (en) | 2011-06-15 | 2016-03-08 | Lg Fuel Cell Systems Inc. | Fuel cell system with interconnect |
US9525181B2 (en) | 2011-06-15 | 2016-12-20 | Lg Fuel Cell Systems Inc. | Fuel cell system with interconnect |
US9147888B2 (en) | 2011-06-15 | 2015-09-29 | Lg Fuel Cell Systems Inc. | Fuel cell system with interconnect |
US9105880B2 (en) | 2011-06-15 | 2015-08-11 | Lg Fuel Cell Systems Inc. | Fuel cell system with interconnect |
US8850699B2 (en) | 2011-08-04 | 2014-10-07 | International Business Machines Corporation | Method of forming a land grid array with discrete pads |
US20130043067A1 (en) * | 2011-08-17 | 2013-02-21 | Kyocera Corporation | Wire Substrate Structure |
US20140242747A1 (en) * | 2011-10-04 | 2014-08-28 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Thin Film Deposition of Materials by External Induced Release from a Ribbon Tape |
JP5886588B2 (ja) * | 2011-10-18 | 2016-03-16 | デクセリアルズ株式会社 | 導電性接着剤、並びに、それを用いた太陽電池モジュール、及びその製造方法 |
KR101411012B1 (ko) | 2011-11-25 | 2014-06-24 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용한 전극 및 태양전지 |
US10130714B2 (en) | 2012-04-14 | 2018-11-20 | Academia Sinica | Enhanced anti-influenza agents conjugated with anti-inflammatory activity |
RU2494037C1 (ru) * | 2012-04-27 | 2013-09-27 | Закрытое акционерное общество "Натотехнология МДТ" | Способ получения атомно-тонких монокристаллических пленок |
US9615452B1 (en) | 2012-05-10 | 2017-04-04 | Cree Fayetteville, Inc. | Silver filled trench substrate for high power and/or high temperature electronics |
AU2013306098A1 (en) | 2012-08-18 | 2015-02-12 | Academia Sinica | Cell-permeable probes for identification and imaging of sialidases |
US10462898B2 (en) | 2012-09-11 | 2019-10-29 | L.I.F.E. Corporation S.A. | Physiological monitoring garments |
CN104768455B (zh) | 2012-09-11 | 2018-01-02 | L.I.F.E.公司 | 可穿戴式通信平台 |
US8945328B2 (en) | 2012-09-11 | 2015-02-03 | L.I.F.E. Corporation S.A. | Methods of making garments having stretchable and conductive ink |
US8948839B1 (en) | 2013-08-06 | 2015-02-03 | L.I.F.E. Corporation S.A. | Compression garments having stretchable and conductive ink |
US10159440B2 (en) | 2014-03-10 | 2018-12-25 | L.I.F.E. Corporation S.A. | Physiological monitoring garments |
US10201310B2 (en) | 2012-09-11 | 2019-02-12 | L.I.F.E. Corporation S.A. | Calibration packaging apparatuses for physiological monitoring garments |
US9817440B2 (en) | 2012-09-11 | 2017-11-14 | L.I.F.E. Corporation S.A. | Garments having stretchable and conductive ink |
US11246213B2 (en) | 2012-09-11 | 2022-02-08 | L.I.F.E. Corporation S.A. | Physiological monitoring garments |
DE102012222416A1 (de) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Verbinden von wenigstens zwei Komponenten unter Verwendung eines Sinterprozesses |
US20140227905A1 (en) * | 2013-02-13 | 2014-08-14 | Bradley David Knott | Device and method for impedance matching microwave coaxial line discontinuities |
CN105228522B (zh) | 2013-03-14 | 2018-06-26 | 萨诺智能公司 | 用于生物监测的人体上的微传感器 |
US10820860B2 (en) | 2013-03-14 | 2020-11-03 | One Drop Biosensor Technologies, Llc | On-body microsensor for biomonitoring |
AU2014227989A1 (en) | 2013-03-15 | 2015-10-08 | Lg Fuel Cell Systems, Inc. | Fuel cell system configured to capture chromium |
EP3013365B1 (en) | 2013-06-26 | 2019-06-05 | Academia Sinica | Rm2 antigens and use thereof |
US9981030B2 (en) | 2013-06-27 | 2018-05-29 | Academia Sinica | Glycan conjugates and use thereof |
KR102096053B1 (ko) * | 2013-07-25 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
AU2014317889B2 (en) | 2013-09-06 | 2020-03-05 | Academia Sinica | Human iNKT cell activation using glycolipids with altered glycosyl groups |
JP6132716B2 (ja) * | 2013-09-10 | 2017-05-24 | 株式会社東芝 | 金属粒子ペースト、これを用いた硬化物、および半導体装置 |
JP6258347B2 (ja) * | 2013-10-29 | 2018-01-10 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびこれを用いた実装構造体 |
TWI611741B (zh) | 2013-11-01 | 2018-01-11 | 片片堅俄亥俄州工業公司 | 轉移導電材料的方法 |
CN103747635A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-23 | 金发科技股份有限公司 | 一种通过界面吸附选择性沉积金属的方法及其应用 |
WO2015103620A1 (en) | 2014-01-06 | 2015-07-09 | Andrea Aliverti | Systems and methods to automatically determine garment fit |
US20150201504A1 (en) * | 2014-01-15 | 2015-07-16 | Applied Nanotech, Inc. | Copper particle composition |
US10150818B2 (en) | 2014-01-16 | 2018-12-11 | Academia Sinica | Compositions and methods for treatment and detection of cancers |
CN106459920B (zh) | 2014-01-16 | 2020-10-30 | 中央研究院 | 治疗及检测癌症的组合物及方法 |
US10595754B2 (en) | 2014-03-13 | 2020-03-24 | Sano Intelligence, Inc. | System for monitoring body chemistry |
CN106102578A (zh) | 2014-03-13 | 2016-11-09 | 萨诺智能公司 | 用于监控身体化学性质的系统 |
CN106415244B (zh) | 2014-03-27 | 2020-04-24 | 中央研究院 | 反应性标记化合物及其用途 |
US20150315090A1 (en) * | 2014-05-01 | 2015-11-05 | Siemens Energy, Inc. | Laser glazing using hollow objects for shrinkage compliance |
US10118969B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-11-06 | Academia Sinica | Compositions and methods relating to universal glycoforms for enhanced antibody efficacy |
WO2015184004A1 (en) | 2014-05-27 | 2015-12-03 | Academia Sinica | Anti-cd20 glycoantibodies and uses thereof |
EP3149037A4 (en) | 2014-05-27 | 2018-01-10 | Academia Sinica | Anti-her2 glycoantibodies and uses thereof |
AU2015267051B2 (en) | 2014-05-27 | 2022-03-17 | Academia Sinica | Fucosidase from bacteroides and methods using the same |
KR102494193B1 (ko) | 2014-05-28 | 2023-01-31 | 아카데미아 시니카 | 항-tnf-알파 글리코항체 및 이의 용도 |
EP3172788A1 (en) | 2014-07-21 | 2017-05-31 | LG Fuel Cell Systems Inc. | Composition for fuel cell electrode |
US9879042B2 (en) | 2014-09-08 | 2018-01-30 | Academia Sinica | Human iNKT cell activation using glycolipids |
US9496154B2 (en) * | 2014-09-16 | 2016-11-15 | Invensas Corporation | Use of underfill tape in microelectronic components, and microelectronic components with cavities coupled to through-substrate vias |
KR101637711B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2016-07-07 | 현대자동차주식회사 | 연료전지의 고분자 전해질막-전극 접합체용 전극의 분리방법과 그 장치 |
US10495645B2 (en) | 2015-01-16 | 2019-12-03 | Academia Sinica | Cancer markers and methods of use thereof |
US9975965B2 (en) | 2015-01-16 | 2018-05-22 | Academia Sinica | Compositions and methods for treatment and detection of cancers |
US10342858B2 (en) | 2015-01-24 | 2019-07-09 | Academia Sinica | Glycan conjugates and methods of use thereof |
JP6630053B2 (ja) | 2015-03-25 | 2020-01-15 | スタンレー電気株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
JP6491032B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2019-03-27 | スタンレー電気株式会社 | 抵抗器の製造方法、および、抵抗器 |
KR102593337B1 (ko) | 2015-07-20 | 2023-10-23 | 엘.아이.에프.이. 코포레이션 에스.에이. | 센서들 및 전자장치를 가진 의류용 유연한 패브릭 리본 연결기들 |
JP6704322B2 (ja) | 2015-09-30 | 2020-06-03 | 日東電工株式会社 | シートおよび複合シート |
JP2017066485A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日東電工株式会社 | シートおよび複合シート |
US10115973B2 (en) | 2015-10-28 | 2018-10-30 | Lg Fuel Cell Systems Inc. | Composition of a nickelate composite cathode for a fuel cell |
WO2017134769A1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 学校法人工学院大学 | 金属膜形成用組成物および金属膜形成方法 |
US10336784B2 (en) | 2016-03-08 | 2019-07-02 | Academia Sinica | Methods for modular synthesis of N-glycans and arrays thereof |
US10722947B2 (en) * | 2016-04-01 | 2020-07-28 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Micro-selective sintering laser systems and methods thereof |
US10154791B2 (en) | 2016-07-01 | 2018-12-18 | L.I.F.E. Corporation S.A. | Biometric identification by garments having a plurality of sensors |
EP3500594A4 (en) | 2016-08-22 | 2020-03-11 | Cho Pharma Inc. | ANTIBODIES, BINDING FRAGMENTS AND METHOD FOR USE |
US10756419B2 (en) | 2018-01-11 | 2020-08-25 | Savannah River Nuclear Solutions, Llc | Laser induced graphene/graphite antenna |
US11926091B2 (en) | 2018-03-27 | 2024-03-12 | UNITED STATES OF AMERICA has certain rights in the invention from DOE Grant No. DE-SC0008581 | In situ partially degradable separation interface for fabrication of complex near net shape objects by pressure assisted sintering |
US11284510B2 (en) | 2018-04-17 | 2022-03-22 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Controlled wetting and spreading of metals on substrates using porous interlayers and related articles |
GB2576293B (en) * | 2018-06-06 | 2022-10-12 | Xtpl S A | Method for removing bottlenecks |
WO2021059693A1 (ja) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | 株式会社村田製作所 | アンテナ基板、アンテナモジュール、アンテナ基板の製造方法 |
CN114068826A (zh) * | 2020-08-03 | 2022-02-18 | 湖南鼎一致远科技发展有限公司 | 一种空穴传输层和色带及其制备方法 |
CN113056088B (zh) * | 2021-03-02 | 2021-09-03 | 福建钰辰微电子有限公司 | 高性能柔性电路板 |
USD988882S1 (en) | 2021-04-21 | 2023-06-13 | Informed Data Systems Inc. | Sensor assembly |
WO2023168496A1 (en) * | 2022-03-10 | 2023-09-14 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Transferrable electrode for printed electronics |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3313632A (en) * | 1962-11-27 | 1967-04-11 | Engelhard Ind Inc | Gold-silver coordination compounds and decorating compositions containing same |
JPS6181641A (ja) * | 1984-04-30 | 1986-04-25 | ナショナル スタ−チ アンド ケミカル コ−ポレイション | 装置基板への装置取付用テ−プと方法他 |
JPH02191682A (ja) * | 1983-06-24 | 1990-07-27 | Amoco Corp | 印刷インク |
US5059242A (en) * | 1990-04-27 | 1991-10-22 | Firmstone Michael G | Seed layer compositions containing organogold and organosilver compounds |
JPH04275290A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-09-30 | Degussa Ag | 金(i)メルカプトカルボン酸エステルおよびその製造方法ならびに該エステルからなる金メッキ用製剤 |
JPH1072673A (ja) * | 1996-04-30 | 1998-03-17 | Nippon Terupen Kagaku Kk | 金属ペースト及び金属膜の製造方法 |
JPH10232215A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Gunze Ltd | 薄膜電極及びその形成方法 |
JPH10279902A (ja) * | 1997-04-01 | 1998-10-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 導電性接着剤 |
JPH10312712A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Asahi Chem Ind Co Ltd | はんだ付け可能な導電性ペースト |
US5882722A (en) * | 1995-07-12 | 1999-03-16 | Partnerships Limited, Inc. | Electrical conductors formed from mixtures of metal powders and metallo-organic decompositions compounds |
JPH11120819A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 異方導電性組成物及びフィルム |
JP2001230421A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-08-24 | Lucent Technol Inc | 集積回路デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (156)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3683382A (en) | 1969-05-29 | 1972-08-08 | Honeywell Inc | Recording medium responsive to force fields and apparatus for recording and reproducing signals on the medium |
US4094853A (en) | 1975-05-15 | 1978-06-13 | Kenrich Petrochemicals, Inc. | Alkoxy titanate salts useful as coupling agents |
US4105483A (en) | 1977-02-14 | 1978-08-08 | Globe Industries Corporation | Printing ink transfer process |
US4211668A (en) | 1977-03-07 | 1980-07-08 | Thalatta, Inc. | Process of microencapsulation and products thereof |
US4130671A (en) | 1977-09-30 | 1978-12-19 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for preparing a thick film conductor |
US4255291A (en) | 1979-06-21 | 1981-03-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Air-fireable conductor composition |
US4463030A (en) | 1979-07-30 | 1984-07-31 | Graham Magnetics Incorporated | Process for forming novel silver powder composition |
US4333966A (en) | 1979-07-30 | 1982-06-08 | Graham Magnetics, Inc. | Method of forming a conductive metal pattern |
US4419383A (en) | 1979-12-26 | 1983-12-06 | Magnavox Government And Industrial Electronics Company | Method for individually encapsulating magnetic particles |
US4407674A (en) | 1980-03-03 | 1983-10-04 | Ercon, Inc. | Novel electroconductive compositions and powder for use therein |
NL8003949A (nl) | 1980-07-09 | 1982-02-01 | Electrochem Energieconversie | Werkwijze voor de vervaardiging van een laag van een elektrode voor een cel, in het bijzonder voor een brandstofcel. |
US4487811A (en) | 1980-12-29 | 1984-12-11 | General Electric Company | Electrical conductor |
US4381945A (en) | 1981-08-03 | 1983-05-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions |
US4416932A (en) | 1981-08-03 | 1983-11-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions |
US4418099A (en) | 1982-02-05 | 1983-11-29 | Engelhard Corporation | Non-burnished precious metal composition |
FR2537898A1 (fr) | 1982-12-21 | 1984-06-22 | Univ Paris | Procede de reduction de composes metalliques par les polyols, et poudres metalliques obtenues par ce procede |
US4517252A (en) | 1983-05-06 | 1985-05-14 | The Boeing Company | Pre-alloyed thick film conductor for use with aluminum wire bonding and method of bonding |
US4604303A (en) * | 1983-05-11 | 1986-08-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Polymer composition containing an organic metal complex and method for producing a metallized polymer from the polymer composition |
US4775439A (en) | 1983-07-25 | 1988-10-04 | Amoco Corporation | Method of making high metal content circuit patterns on plastic boards |
US5049434A (en) * | 1984-04-30 | 1991-09-17 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Pre-patterned device substrate device-attach adhesive transfer system |
US4548879A (en) | 1984-05-21 | 1985-10-22 | Rohm And Haas Company | Solderable polymer thick films |
US4599277A (en) | 1984-10-09 | 1986-07-08 | International Business Machines Corp. | Control of the sintering of powdered metals |
US4650108A (en) | 1985-08-15 | 1987-03-17 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method for forming hermetic seals |
US4826554A (en) | 1985-12-09 | 1989-05-02 | The Dow Chemical Company | Method for making an improved solid polymer electrolyte electrode using a binder |
DE3786943T2 (de) | 1986-03-07 | 1994-03-17 | Nagakazu Furuya | Gasdurchlässige Elektrode. |
US4859241A (en) | 1986-04-16 | 1989-08-22 | Johnson Matthey Inc. | Metal flake and use thereof |
US5039552A (en) | 1986-05-08 | 1991-08-13 | The Boeing Company | Method of making thick film gold conductor |
JPH0797696B2 (ja) | 1986-07-05 | 1995-10-18 | 株式会社豊田自動織機製作所 | ハイブリツドic基板と回路パタ−ン形成方法 |
US4808274A (en) | 1986-09-10 | 1989-02-28 | Engelhard Corporation | Metallized substrates and process for producing |
US4948623A (en) | 1987-06-30 | 1990-08-14 | International Business Machines Corporation | Method of chemical vapor deposition of copper, silver, and gold using a cyclopentadienyl/metal complex |
US4931323A (en) | 1987-12-10 | 1990-06-05 | Texas Instruments Incorporated | Thick film copper conductor patterning by laser |
DE3843412A1 (de) | 1988-04-22 | 1990-06-28 | Bayer Ag | Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
US4889573A (en) * | 1988-05-23 | 1989-12-26 | Tektronix, Inc. | Method of forming a pattern of conductor runs on a sheet of dielectric material |
US5132248A (en) * | 1988-05-31 | 1992-07-21 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Direct write with microelectronic circuit fabrication |
US5045141A (en) * | 1988-07-01 | 1991-09-03 | Amoco Corporation | Method of making solderable printed circuits formed without plating |
US5121127A (en) | 1988-09-30 | 1992-06-09 | Sony Corporation | Microstrip antenna |
JP2538043B2 (ja) | 1989-04-05 | 1996-09-25 | 松下電器産業株式会社 | パタ―ン形成用材料とそれを用いたパタ―ン形成基板の作製方法 |
US5028473A (en) | 1989-10-02 | 1991-07-02 | Hughes Aircraft Company | Three dimensional microcircuit structure and process for fabricating the same from ceramic tape |
US5057363A (en) | 1989-12-27 | 1991-10-15 | Japan Capsular Products Inc. | Magnetic display system |
US5716663A (en) | 1990-02-09 | 1998-02-10 | Toranaga Technologies | Multilayer printed circuit |
US5075262A (en) | 1990-02-21 | 1991-12-24 | Johnson Matthey, Inc. | Silver-glass pastes |
US5183784A (en) | 1990-02-21 | 1993-02-02 | Johnson Matthey Inc. | Silver-glass pastes |
EP0452118B1 (en) | 1990-04-12 | 1996-08-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive ink composition and method of forming a conductive thick film pattern |
US5153023A (en) | 1990-12-03 | 1992-10-06 | Xerox Corporation | Process for catalysis of electroless metal plating on plastic |
US5244538A (en) | 1991-07-26 | 1993-09-14 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of patterning metal on a substrate using direct-write deposition of a mask |
US5211984A (en) | 1991-02-19 | 1993-05-18 | The Regents Of The University Of California | Membrane catalyst layer for fuel cells |
US5216207A (en) | 1991-02-27 | 1993-06-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Low temperature co-fired multilayer ceramic circuit boards with silver conductors |
US5139818A (en) | 1991-06-06 | 1992-08-18 | General Motors Corporation | Method for applying metal catalyst patterns onto ceramic for electroless copper deposition |
US5176744A (en) | 1991-08-09 | 1993-01-05 | Microelectronics Computer & Technology Corp. | Solution for direct copper writing |
US5250229A (en) | 1991-10-10 | 1993-10-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Silver-rich conductor compositions for high thermal cycled and aged adhesion |
JP3156973B2 (ja) * | 1991-10-18 | 2001-04-16 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
US5846670A (en) | 1992-02-21 | 1998-12-08 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Gas diffusion electrode for electrochemical cell and process of preparing same |
US5411792A (en) | 1992-02-27 | 1995-05-02 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive substrate |
US5378508A (en) | 1992-04-01 | 1995-01-03 | Akzo Nobel N.V. | Laser direct writing |
JP3253734B2 (ja) | 1992-06-19 | 2002-02-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置製造用の石英製装置 |
US5312674A (en) | 1992-07-31 | 1994-05-17 | Hughes Aircraft Company | Low-temperature-cofired-ceramic (LTCC) tape structures including cofired ferromagnetic elements, drop-in components and multi-layer transformer |
GB9217811D0 (en) | 1992-08-21 | 1992-10-07 | Graetzel Michael | Organic compounds |
US5332646A (en) | 1992-10-21 | 1994-07-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making a colloidal palladium and/or platinum metal dispersion |
US5278023A (en) * | 1992-11-16 | 1994-01-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Propellant-containing thermal transfer donor elements |
US5444453A (en) | 1993-02-02 | 1995-08-22 | Ball Corporation | Microstrip antenna structure having an air gap and method of constructing same |
US5433893A (en) | 1993-02-03 | 1995-07-18 | Chemet Corporation | Conductive compositions |
US5415888A (en) | 1993-04-26 | 1995-05-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of imprinting catalytically active particles on membrane |
US5378408A (en) | 1993-07-29 | 1995-01-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Lead-free thick film paste composition |
US5494550A (en) | 1993-09-07 | 1996-02-27 | Sensormatic Electronics Corporation | Methods for the making of electronic article surveillance tags and improved electronic article surveillance tags produced thereby |
US5712673A (en) | 1993-12-01 | 1998-01-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Thermal transfer recording medium and thermal transfer recording method |
US5645932A (en) | 1993-12-30 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Miyake | Circuit-like metallic foil sheet and the like and process for producing them |
US6379742B1 (en) | 1994-06-22 | 2002-04-30 | Scientific Games Inc. | Lottery ticket structure |
US5599046A (en) | 1994-06-22 | 1997-02-04 | Scientific Games Inc. | Lottery ticket structure with circuit elements |
US5843519A (en) | 1994-10-17 | 1998-12-01 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Process for forming a catalyst layer on an electrode by spray-drying |
JPH08148787A (ja) | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk | 厚膜ペースト |
US5604027A (en) | 1995-01-03 | 1997-02-18 | Xerox Corporation | Some uses of microencapsulation for electric paper |
JP3712768B2 (ja) | 1995-01-26 | 2005-11-02 | 松下電器産業株式会社 | 固体高分子型燃料電池の製造法 |
EP0729189A1 (en) * | 1995-02-21 | 1996-08-28 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Method of preparing solar cells and products obtained thereof |
US5728485A (en) | 1995-03-15 | 1998-03-17 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Electrode for polymer electrolyte electrochemical cell and process of preparing same |
DE19509748C2 (de) | 1995-03-17 | 1997-01-23 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Verfahren zur Herstellung eines Verbundes aus Elektrodenmaterial, Katalysatormaterial und einer Festelektrolytmembran |
WO1996034426A1 (fr) | 1995-04-24 | 1996-10-31 | Ntt Mobile Communications Network Inc. | Antenne microruban |
US5781158A (en) | 1995-04-25 | 1998-07-14 | Young Hoek Ko | Electric/magnetic microstrip antenna |
US5604673A (en) | 1995-06-07 | 1997-02-18 | Hughes Electronics | Low temperature co-fired ceramic substrates for power converters |
US6124851A (en) | 1995-07-20 | 2000-09-26 | E Ink Corporation | Electronic book with multiple page displays |
JP3585598B2 (ja) | 1995-08-25 | 2004-11-04 | 大日本印刷株式会社 | 熱転写シート |
US5672439A (en) | 1995-12-18 | 1997-09-30 | Ballard Power Systems, Inc. | Method and apparatus for reducing reactant crossover in an electrochemical fuel cell |
US5932280A (en) * | 1995-12-19 | 1999-08-03 | Ncr Corporation | Printed circuit board having printed resistors and method of making printed resistors on a printed circuit board using thermal transfer techniques |
US5826329A (en) * | 1995-12-19 | 1998-10-27 | Ncr Corporation | Method of making printed circuit board using thermal transfer techniques |
DE19548421B4 (de) | 1995-12-22 | 2004-06-03 | Celanese Ventures Gmbh | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Membranelektrodeneinheiten |
US5909083A (en) | 1996-02-16 | 1999-06-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Process for producing plasma display panel |
EP0809423A1 (en) | 1996-05-23 | 1997-11-26 | Mitsumi Electric Company Ltd. | Flexible board |
US5998085A (en) | 1996-07-23 | 1999-12-07 | 3M Innovative Properties | Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles |
US5948200A (en) | 1996-07-26 | 1999-09-07 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method of manufacturing laminated ceramic electronic parts |
WO1998010473A1 (en) | 1996-09-04 | 1998-03-12 | Cambridge Display Technology Limited | Electrode deposition for organic light-emitting devices |
US5801108A (en) | 1996-09-11 | 1998-09-01 | Motorola Inc. | Low temperature cofireable dielectric paste |
TW353762B (en) | 1996-10-21 | 1999-03-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Transfer sheet, and pattern-forming method |
US5930026A (en) | 1996-10-25 | 1999-07-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Nonemissive displays and piezoelectric power supplies therefor |
US6207268B1 (en) | 1996-11-12 | 2001-03-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Transfer sheet, and pattern-forming method |
US6019926A (en) | 1997-02-20 | 2000-02-01 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Adminstration | Reflective silvered polyimide films via in situ thermal reduction silver (I) complexes |
US6379745B1 (en) | 1997-02-20 | 2002-04-30 | Parelec, Inc. | Low temperature method and compositions for producing electrical conductors |
US6338809B1 (en) | 1997-02-24 | 2002-01-15 | Superior Micropowders Llc | Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom |
DE69819740T2 (de) * | 1997-02-24 | 2004-09-30 | Superior Micropowders Llc, Albuquerque | Aerosolverfahren und -gerät, teilchenförmige produkte, und daraus hergestellte elektronische geräte |
US6103393A (en) | 1998-02-24 | 2000-08-15 | Superior Micropowders Llc | Metal-carbon composite powders, methods for producing powders and devices fabricated from same |
US5894038A (en) | 1997-02-28 | 1999-04-13 | The Whitaker Corporation | Direct deposition of palladium |
US5846615A (en) | 1997-02-28 | 1998-12-08 | The Whitaker Corporation | Direct deposition of a gold layer |
US5828271A (en) | 1997-03-06 | 1998-10-27 | Northrop Grumman Corporation | Planar ferrite toroid microwave phase shifter |
US6399230B1 (en) | 1997-03-06 | 2002-06-04 | Sarnoff Corporation | Multilayer ceramic circuit boards with embedded resistors |
KR100517263B1 (ko) | 1997-05-06 | 2005-09-28 | 다까마쯔 겡뀨쇼 | 금속 페이스트 및 금속막의 제조 방법 |
US6025026A (en) | 1997-06-30 | 2000-02-15 | Transitions Optical, Inc. | Process for producing an adherent polymeric layer on polymeric substrates and articles produced thereby |
KR100274317B1 (ko) | 1997-08-26 | 2001-01-15 | 정명식 | 화학증착에의한개구충전방법 |
WO1999016601A1 (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-08 | Partnerships Limited, Inc. | Manufacture of thin metal objects |
AU9451098A (en) | 1997-10-14 | 1999-05-03 | Patterning Technologies Limited | Method of forming an electronic device |
US6074725A (en) | 1997-12-10 | 2000-06-13 | Caliper Technologies Corp. | Fabrication of microfluidic circuits by printing techniques |
EP0947245B1 (en) | 1998-02-05 | 2004-04-07 | Motorola Semiconducteurs S.A. | Method of forming metal colloids and method of forming a metal oxide sensitive layer for a chemical sensor device |
US6329899B1 (en) | 1998-04-29 | 2001-12-11 | Microcoating Technologies, Inc. | Formation of thin film resistors |
JP2000011875A (ja) | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Dainippon Toryo Co Ltd | プラズマディスプレイの製造方法 |
US6294401B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-09-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanoparticle-based electrical, chemical, and mechanical structures and methods of making same |
US20030148024A1 (en) | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
US7045015B2 (en) * | 1998-09-30 | 2006-05-16 | Optomec Design Company | Apparatuses and method for maskless mesoscale material deposition |
US20050156991A1 (en) * | 1998-09-30 | 2005-07-21 | Optomec Design Company | Maskless direct write of copper using an annular aerosol jet |
JP2000182889A (ja) | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法、これに用いるインキジェット用インキおよびその製造方法 |
US6274412B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-08-14 | Parelec, Inc. | Material and method for printing high conductivity electrical conductors and other components on thin film transistor arrays |
US6114088A (en) | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
DE60003281T2 (de) | 1999-01-15 | 2004-05-06 | 3M Innovative Properties Co., Saint Paul | Thermisches Übertragungsverfahren. |
US6177151B1 (en) | 1999-01-27 | 2001-01-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Matrix assisted pulsed laser evaporation direct write |
AU5122800A (en) * | 1999-05-24 | 2000-12-12 | Potomac Photonics, Inc. | Material delivery system for miniature structure fabrication |
US6238734B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-05-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials |
US6143356A (en) | 1999-08-06 | 2000-11-07 | Parelec, Inc. | Diffusion barrier and adhesive for PARMOD™ application to rigid printed wiring boards |
US6317023B1 (en) | 1999-10-15 | 2001-11-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method to embed passive components |
JP2001135138A (ja) | 1999-10-29 | 2001-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導体ペースト |
EP1441864B1 (en) * | 2000-01-21 | 2009-11-18 | Midwest Research Institute | Method for forming thin-film conductors through the decomposition of metal-chelates in association with metal particles |
AU2001247961A1 (en) | 2000-02-04 | 2001-08-14 | Optomec Design Company | Modified absorption through unique composite materials and material combinations |
CN1423680A (zh) | 2000-04-17 | 2003-06-11 | 松下电器产业株式会社 | 显示板用油墨和使用该油墨的等离子显示板的制造方法 |
JP4035968B2 (ja) | 2000-06-30 | 2008-01-23 | セイコーエプソン株式会社 | 導電膜パターンの形成方法 |
US6433358B1 (en) | 2000-09-11 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Method for producing an organic light emitting device (OLED) and OLED produced thereby |
US7351449B2 (en) | 2000-09-22 | 2008-04-01 | N Gimat Co. | Chemical vapor deposition methods for making powders and coatings, and coatings made using these methods |
US6645569B2 (en) | 2001-01-30 | 2003-11-11 | The Procter & Gamble Company | Method of applying nanoparticles |
US6892441B2 (en) * | 2001-04-23 | 2005-05-17 | Appleton Papers Inc. | Method for forming electrically conductive pathways |
US20030108664A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-06-12 | Kodas Toivo T. | Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate |
US7524528B2 (en) | 2001-10-05 | 2009-04-28 | Cabot Corporation | Precursor compositions and methods for the deposition of passive electrical components on a substrate |
US7629017B2 (en) | 2001-10-05 | 2009-12-08 | Cabot Corporation | Methods for the deposition of conductive electronic features |
US6951666B2 (en) * | 2001-10-05 | 2005-10-04 | Cabot Corporation | Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features |
DE10150040A1 (de) * | 2001-10-10 | 2003-04-17 | Merck Patent Gmbh | Kombinierte Ätz- und Dotiermedien |
US6936181B2 (en) | 2001-10-11 | 2005-08-30 | Kovio, Inc. | Methods for patterning using liquid embossing |
US20030070569A1 (en) | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Colin Bulthaup | Micro-stencil |
US20030073042A1 (en) | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Cernigliaro George J. | Process and materials for formation of patterned films of functional materials |
US7553512B2 (en) | 2001-11-02 | 2009-06-30 | Cabot Corporation | Method for fabricating an inorganic resistor |
US6923923B2 (en) | 2001-12-29 | 2005-08-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Metallic nanoparticle cluster ink and method for forming metal pattern using the same |
EP1378947A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-07 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates |
US20040023019A1 (en) * | 2002-08-02 | 2004-02-05 | 3M Innovative Properties Company | Particulate transfer film with improved bead carrier |
DE10239656A1 (de) * | 2002-08-26 | 2004-03-11 | Merck Patent Gmbh | Ätzpasten für Titanoxid-Oberflächen |
US20040151978A1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-08-05 | Huang Wen C. | Method and apparatus for direct-write of functional materials with a controlled orientation |
US7277770B2 (en) * | 2003-07-15 | 2007-10-02 | Huang Wen C | Direct write process and apparatus |
US6971742B2 (en) * | 2003-07-24 | 2005-12-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Slurried suspension ejector and related systems and methods of forming same |
US20050022862A1 (en) * | 2003-08-01 | 2005-02-03 | Cudzinovic Michael J. | Methods and apparatus for fabricating solar cells |
US8435603B2 (en) * | 2003-12-05 | 2013-05-07 | Conductive Inkjet Technology Limited | Formation of solid layers on substrates |
US7691280B2 (en) * | 2005-03-25 | 2010-04-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ink jet printing of etchants and modifiers |
US7494607B2 (en) * | 2005-04-14 | 2009-02-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom |
US20060231802A1 (en) * | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Takuya Konno | Electroconductive thick film composition, electrode, and solar cell formed therefrom |
US8093491B2 (en) * | 2005-06-03 | 2012-01-10 | Ferro Corporation | Lead free solar cell contacts |
JP4425246B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2010-03-03 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置および光起電力装置の製造方法 |
-
2002
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2006
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Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3313632A (en) * | 1962-11-27 | 1967-04-11 | Engelhard Ind Inc | Gold-silver coordination compounds and decorating compositions containing same |
JPH02191682A (ja) * | 1983-06-24 | 1990-07-27 | Amoco Corp | 印刷インク |
JPS6181641A (ja) * | 1984-04-30 | 1986-04-25 | ナショナル スタ−チ アンド ケミカル コ−ポレイション | 装置基板への装置取付用テ−プと方法他 |
US5059242A (en) * | 1990-04-27 | 1991-10-22 | Firmstone Michael G | Seed layer compositions containing organogold and organosilver compounds |
JPH04275290A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-09-30 | Degussa Ag | 金(i)メルカプトカルボン酸エステルおよびその製造方法ならびに該エステルからなる金メッキ用製剤 |
US5882722A (en) * | 1995-07-12 | 1999-03-16 | Partnerships Limited, Inc. | Electrical conductors formed from mixtures of metal powders and metallo-organic decompositions compounds |
JPH1072673A (ja) * | 1996-04-30 | 1998-03-17 | Nippon Terupen Kagaku Kk | 金属ペースト及び金属膜の製造方法 |
JPH10232215A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Gunze Ltd | 薄膜電極及びその形成方法 |
JPH10279902A (ja) * | 1997-04-01 | 1998-10-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 導電性接着剤 |
JPH10312712A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Asahi Chem Ind Co Ltd | はんだ付け可能な導電性ペースト |
JPH11120819A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 異方導電性組成物及びフィルム |
JP2001230421A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-08-24 | Lucent Technol Inc | 集積回路デバイスの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101789299B1 (ko) | 2011-06-23 | 2017-10-23 | 코닉이앤씨 주식회사 | 금속박의 제조 방법 및 제조 장치 |
Also Published As
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