JP3156973B2 - 太陽電池 - Google Patents
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- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- -1 Silver ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000002459 porosimetry Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUWFRIXVAWMRBG-UHFFFAOYSA-L calcium;acetate;chloride Chemical compound [Cl-].[Ca+2].CC([O-])=O QUWFRIXVAWMRBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
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- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
は発電施設等の電力源として用いられる太陽電池に関す
る。更に詳しくは、その電極構造が改良され耐環境性に
優れた太陽電池に関するものである。
能汚染など、環境とエネルギーに対する関心が非常に高
まっている。こうした中で、太陽電池は再生可能、かつ
無尽蔵なクリーンエネルギー源として世界中から期待さ
れている。現在太陽電池としては、単結晶シリコンを用
いたもの、多結晶シリコンを用いたもの、アモルファス
シリコンを用いたものの三種類が多く使われている。ア
モルファスシリコン太陽電池は、変換効率こそ結晶系の
太陽電池に及ばないものの、大面積化が容易かつ、光吸
収係数が大きいので薄膜で動作するなどの結晶系太陽電
池にはない優れた特徴を持っており、将来を有望視され
ている太陽電池の一つである。数百MWの生産量に達し
たときには、コストが結晶系よりもはるかに安価になる
と見積もられているため、世界中で精力的に研究が為さ
れている。従来の太陽電池の一例を図2に示す。導電性
基板104上に、アモルファスシリコンより成る光電変
換半導体層103が形成され、反射防止層を兼ねた透明
導電層102がその上に形成されている。透明導電層の
上に、集電用グリッド電極101が形成されている。光
が図2のごとく、グリッド電極101の方から光電変換
層103に入射すると、光のエネルギーは該変換層内で
電流に変換され、透明導電層102を通じて、集電用グ
リッド電極101と導電性基板104より、出力として
取り出される。光電変換層は、少なくとも一つ以上のp
in接合あるいはpn接合を含んでおり、p側は陽極と
して、n側は陰極として働く。
には、特に優れた耐環境特性が要求される。しかしなが
ら、従来のグリッド電極においては、電極中の空孔から
の水分透過により太陽電池電極間の短絡が起り、これが
変換効率の低下を引き起す1つの原因となっていること
が本発明者の研究により判明した。例えば、従来のグリ
ッド電極の構成としては、特開昭59−167056号
公報、特開昭59−167057号公報、特開昭59−
168669号公報等に開示されている。具体的には、
特開昭59−167056号公報に記載されている技術
によれば、グリッド電極は銀80wt%、フェノール樹
脂20wt%からなる導電ペーストから構成されてい
る。この点について以下に詳述する。
外で使用される。このため、温度・湿度に対する、いわ
ゆる耐環境特性が要求される。特に集電用グリッド電極
を有する太陽電池の場合、外界からの水分浸透と自らの
光起電力によって、グリッド電極中に含まれる銀等の導
電性基質が溶け出し、ピンホール、はく離等の欠陥部分
を通じて拡散し、太陽電池の正負極間を短絡し、変換効
率を大幅に下げてしまうことがあった。例えば、導電性
基質が銀である場合、陽極及び陰極側で下記化学式の様
に反応が進み、短絡が生じる。 陽極 Ag2O+H2O→2Ag++2OH-…(A) 陰極 Ag++e-→Ag(樹枝状結晶析出)…(B)
01から生じた銀イオン305が、光の吸収によって生
じる電界のために、光電変換半導体層103に存在して
いるピンホール306に入り込み、導電性基板104に
付着して樹枝状結晶307を形成する。該樹枝状結晶が
成長すると太陽電池の集電電極101と導電性基板10
4との間が電気的に短絡し、太陽電池の出力が十分に取
り出せなくなる。即ち変換効率の劣化が生じる。
為されたもので、耐環境性、特に水分の浸透に対しても
変換効率の劣化し難い太陽電池を提供することにある。
記光電変換半導体層に電気的に接続され導電性基質と樹
脂とを含む材料より構成されたグリッド電極と、を有す
る太陽電池において、前記樹脂がウレタン系或いはポリ
イミド系の樹脂、または無溶剤のエポキシ樹脂であり、
前記グリッド電極に存在する空孔のうち直径が0.1μ
m以上である空孔の容積が0.04cc/g以下である
ことを特徴とする太陽電池により達成される。
水分が侵入し電極が腐食し破損することが防止でき、太
陽電池の優れた光電変換効率を長期間維持することがで
きる。
れる光電変換半導体層としては、単結晶半導体層や、非
単結晶半導体層としての多結晶半導体層或いは非晶質半
導体層又は微結晶半導体層が挙げられる。具体的には、
上記結晶構造のシリコン、ゲルマニウム、カーボン、シ
リコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、CdSe、
CdSeTe、CdTeAs、ZnSe、GaAs等で
ある。そして、光起電力を発生する為に、これら光電変
換半導体層を用いて、Pn接合、Pin接合、ショット
キー接合、ヘテロ接合等を形成する。
半導体層の少なくともいずれか一方の面に対して直接或
いは間に他の層を介して間接的に配設される。
明するが、その技術内容を理解し易くする為に本発明に
係る太陽電池の一例として、導電性基板上に堆積したア
モルファスシリコンを光電変換半導体層として用いる場
合について詳述する。
ズマCVDにより、少なくとも一つ以上のpin接合を
有する非晶質シリコン層を形成する。導電性基板として
は、ステンレス、アルミニウム、銅、チタン、カーボン
シート等が使用できる。また、樹脂基板上に金属等を蒸
着したものを基板として用いることもできる。
酸化錫などからなる透明導電層を蒸着、或いはスプレー
法などで形成する。
む導電性ペーストをスクリーン印刷法や凸版印刷法によ
って透明導電層上に塗布し、100〜200℃の温度で
硬化して、集電用グリッド電極を付与する。ここで本発
明の太陽電池を構成するためには、本発明者の鋭意研究
の結果独自に見いだされた下記の観点に立って、導電性
ペーストを選択あるいは調整することが最も重要であ
る。
可能な限り少なくする。
ない樹脂を使用する。
満たすペーストを用いることによって、本発明の太陽電
池を構成することができる。導電性ペーストには多くの
場合、取扱が容易になるようにカルヒドルアセテート、
ブチルセルロブゾアセテート、多価アルコール系等の溶
剤が含まれるが、これはグリッドの空孔量増加をもたら
すので可能な限り少ない方がよく、無溶剤タイプのペー
ストが最も好ましい。図6はこれら溶剤重量を減少させ
るにつれ、空孔容積が減少することを示している。導電
性基質としては、銀、銀パラジウム合金、銀とカーボン
の混合物、銅、ニッケル、アルミニウム、金等を用いる
ことができる。グリッド電極として電流を流すために必
要な導電率を得るために、導電性基質は70重量%、好
ましくは75重量%以上とすることが望ましい。また、
樹脂としてはウレタン系、エポキシ系、ポリイミド系、
ポリエステル系、フェノール系、ビニル系、アクリル系
等が好適に用いられる。特に耐水性と経済性の観点か
ら、エポキシ系が最も好ましい。前記導電性ペーストの
硬化温度は、樹脂の架橋密度を高めるためにできるだけ
高い方がよいが、余り高すぎると樹脂の焼失によって空
孔容積が増加してしまうため、本発明の目的を達成でき
る範囲において適当に選択設定する。例えばウレタン
系、エポキシ系樹脂の場合には、200℃以下にするこ
とが望ましい。また、ある程度の架橋密度を確保するた
めには、少なくとも100℃以上の温度を、10分以上
かけて硬化させることが望ましい。また、導電性ペース
トに含まれる塩素、ナトリウム等の不純物は、前記エレ
クトロマイグレーション反応において触媒として、銀イ
オンの生起を助長するため、できるだけ少ないことが好
ましい。
在する空孔について詳述する。
を説明する為の模式図である。
された光電変換半導体層103及び透明導電層102の
上に設けられている。
以上の比較的大きな空孔を示し、202は空孔径0.1
μm未満の比較的小さな空孔を示している。
空孔201を通じてミクロな反応場所である空孔202
に到達するため該空孔201の容積を0.04cc/g
以下と小さくしておくことで、水分の浸入を大幅に防ぐ
ことができる。
の形状及び電極内における各断面形状が、円、だ円、三
角形、四角形等の多角形から星形に至るまであらゆる形
状のものであってよい。そして各空孔は互いに連通して
いても、非連通状態にあってもよい。
び空孔容積は次のようにして求められる。
ぬれを起こさない液体はほとんどの物質に対して90°
〜180°の接触角を示し、強制的に圧入されないかぎ
り細孔に入っていかず加えられる圧力と細孔寸法(径)
に応じて正確に細孔中に入るため、かけた圧力の関数と
しての細孔の直径及び細孔へ水銀を圧入するのに使われ
た仕事から細孔への浸入水銀の体積が測定ができる水銀
ポロシメトリーによってグリッド電極中の空孔径及び空
孔容積が求められる。
以上の空孔容積が0.04cc/g以下より好ましくは
0.02cc/g以下となると、水分が導電性基質に到
達しにくくなり、前記化学式(A)の反応が阻害され、
銀イオンが生起しにくくなるため、短絡が生じず、従っ
て変換効率の劣化もなくなるのである。
より、1時間当りの漏れ電流増加量が減少し、空孔容積
が0.04cc/g以下の場合には漏れ電流増加量が少
なく、優れていることを示している。
て、高温高湿度下で順バイアスの印加を行い塩素濃度を
変化させた時の10時間後の漏れ電流を示し、さらに詳
細に調べた一例を図9に示した。
て含まれる塩素濃度が少ない程、10時間後の漏れ電流
が少なく、特に0.10重量%以下の場合には漏れ電流
がより少なくなり特に優れていることが示される。
説明する。
2のステンレス基板に、プラズマCVDによりアモルフ
ァスシリコンから成る光電変換層複数層を堆積し、その
上に酸化インジウムからなる透明導電層をスパッタリン
グによって被着した。
導電性ペースト(導電性基質70重量%、溶剤量18重
量%、樹脂12重量%)をスクリーン印刷し、130℃
の温度で1時間硬化し、本実施例に係る太陽電池を構成
した。水銀ポロシメトリーによって測定したグリッド電
極中の直径20Å以上の総空孔容積は0.036cc/
g、直径0.1μm以上の空孔容積は0.018cc/
gであった。
高温、高湿度下で1.2Vの順バイアスを印加し、適
宜、太陽電池内に流れる漏れ電流を測定した。順バイア
スは動作状態を模擬するためのものである。漏れ電流の
増加率は、1時間あたり0.2mA/cm2以下であ
り、銀の溶出が非常に少なくなっていることがわかっ
た。この様子を図4のグラフに示す。図4の縦軸は単位
面積当たりの漏れ電流値、横軸は時間を表している。実
線Aで示したのが本実施例の漏れ電流の増加を示してい
る。点線Bは、後述する比較例1の漏れ電流の増加を示
している。
の樹脂と銀微粒子からなる導電性ペースト、デュポン社
製商品名5007(導電性基質70重量%、溶剤25重
量%、樹脂5重量%)を使用して、上記と同様の試験を
行った。実施例1と同様の方法で測定した直径20Å以
上の総空孔容積は0.065cc/gであり、直径0.
1μm以上の空孔容積は0.046cc/gであった。
漏れ電流の増加率は1時間あたり2.0mA/cm2に
も達していた。
なる導電性ペースト(導電性基質70重量%、溶剤22
重量%、樹脂8重量%)を使用し、実施例1と同様のテ
ストを行った。直径20Å以上の総空孔容積は0.06
0cc/gであり直径0.1μm以上の空孔容積は0.
041cc/gであった。もれ電流の増加率は1時間あ
たり1.8mA/cm2であった。
キシ系樹脂と銀微粒子よりなるペースト(導電性基質8
0重量%、無溶剤)を使用して、太陽電池を作製した。
硬化条件は、150℃、3時間とした。この時の直径2
0Å以上の総空孔容積は0.018cc/gであり、直
径0.1μm以上の空孔容積は0.030cc/gであ
った。これは、ペーストに溶剤が含まれておらず、かつ
エポキシ系の樹脂は架橋時の揮発分が非常に少ないこと
に起因している。更に実施例1と同様、85℃、85%
RHなる高温高湿度下で順バイアスを印加し、漏れ電流
の増加を調べた。図5にこの結果を前記比較例1と共に
示した。図5で実線Aが本実施例の漏れ電流を示してお
り、点線Bは前記比較例1の漏れ電流を示している。本
実施例では、漏れ電流の増加率は、1時間あたり0.0
3mA/cm2と前記比較例と比べて約1/100とな
っていた。これは、実施例1と比べても、ほぼ1/10
であり、硬化時に揮発分の少ない導電性ペーストを用い
ることで、大きな効果があることを示している。
A及びBは、共に導電性基質75%、樹脂25%で、A
には初めから不純分を混入したものを、Bには不純分を
除去したものを使用し、実施例1と同様の方法でタンデ
ム型アモルファス太陽電池AとBを製作した。水銀ポロ
シメトリーにて測定した結果、直径20Å以上の総空孔
容積はAが0.016cc/g、Bが0.018cc/
gであった。一方、直径0.1μm以上の空孔容積は
A、B双方とも0.003cc/gでほぼ同一の値を示
していた。電極中の塩素濃度は、Aが0.01重量%、
Bは検出できなかった。測定方法としてはイオン交換ク
ロマトグラフィー法を用いた。使用機器の検出限界は、
0.001重量%である。
ス印加を行い、漏れ電流を測定した。初期の漏れ電流
は、共に0.06mA/cm2であった。10時間後の
漏れ電流は、Aが0.2mA/cm2、Bは0.07m
A/cm2であった。塩素濃度の差によって、劣化速度
に差がでることを示している。
0.04cc/g以下となるグリッド電極を使用するこ
とで、水分透過による太陽電池電極間の短絡が防止で
き、耐環境性に優れた太陽電池を提供できる。
を使用するため、低温でグリッドを付与できるから、安
価に太陽電池を製造できる。
かつ機械的衝撃に対して丈夫なので、フレキシブルでし
かも堅牢な太陽電池を提供できる。
環境性に優れた太陽電池を安価に供給できるので、その
工業的価値は極めて大である。
図。
増加率が減少する図。
が改善する図。
が改善する図。
Claims (2)
- 【請求項1】 光電変換半導体層と、前記光電変換半導
体層に電気的に接続された導電性基質と樹脂とを含む材
料より構成されたグリッド電極とを有する太陽電池にお
いて、前記樹脂がウレタン系或いはポリイミド系の樹脂、また
は無溶剤のエポキシ樹脂であり、 前記グリッド電極に存在する空孔のうち直径が0.1μ
m以上である空孔の容積が0.04cc/g以下である
ことを特徴とする太陽電池。 - 【請求項2】 前記グリッド電極中に占める前記導電性
基質の重量の比率が70%以上であることを特徴とする
請求項1に記載の太陽電池。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27103391A JP3156973B2 (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 太陽電池 |
US07/957,150 US5318638A (en) | 1991-10-18 | 1992-10-07 | Solar cell |
DE69232390T DE69232390T2 (de) | 1991-10-18 | 1992-10-15 | Sonnenzelle |
EP92117612A EP0537730B1 (en) | 1991-10-18 | 1992-10-15 | Solar cell |
AU27098/92A AU647675B2 (en) | 1991-10-18 | 1992-10-16 | Solar cell |
US08/214,547 US5393695A (en) | 1991-10-18 | 1994-03-18 | Method of making solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27103391A JP3156973B2 (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05110124A JPH05110124A (ja) | 1993-04-30 |
JP3156973B2 true JP3156973B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=17494470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27103391A Expired - Lifetime JP3156973B2 (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 太陽電池 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5318638A (ja) |
EP (1) | EP0537730B1 (ja) |
JP (1) | JP3156973B2 (ja) |
AU (1) | AU647675B2 (ja) |
DE (1) | DE69232390T2 (ja) |
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KR101791141B1 (ko) * | 2015-12-02 | 2017-10-27 | 주식회사 페어그린 | 접이식 받침대 |
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- 1992-10-07 US US07/957,150 patent/US5318638A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-15 EP EP92117612A patent/EP0537730B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-15 DE DE69232390T patent/DE69232390T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-16 AU AU27098/92A patent/AU647675B2/en not_active Ceased
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Also Published As
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DE69232390D1 (de) | 2002-03-14 |
EP0537730B1 (en) | 2002-01-30 |
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AU2709892A (en) | 1993-04-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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