JPH0658968B2 - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- JPH0658968B2 JPH0658968B2 JP62282801A JP28280187A JPH0658968B2 JP H0658968 B2 JPH0658968 B2 JP H0658968B2 JP 62282801 A JP62282801 A JP 62282801A JP 28280187 A JP28280187 A JP 28280187A JP H0658968 B2 JPH0658968 B2 JP H0658968B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非晶質シリコン(以下a−Siと記す)等で光
電変換のための接合を、また一方の電極を印刷電極で形
成した低コストの薄膜太陽電池に関する。
電変換のための接合を、また一方の電極を印刷電極で形
成した低コストの薄膜太陽電池に関する。
非晶質シリコンを用いた従来の薄膜太陽電池は、出力電
圧を高くするために通常ユニットセルを直列接続する。
ユニットセルは、例えばガラス基板等の透明絶縁基板上
のITO(インジウム・錫酸化物),SnO2(酸化錫)を
透明電極とし、シラン,アセチレン等の炭化水素および
ジボランの混合ガスのグロー放電分解による約200Åの
厚さのp層,シランガスのグロー放電分解による約0.5
μmの厚さのノンドープ層、シラン,フォスフィンの混
合ガスのグロー放電分解による約500Åの厚さのn層か
らなるp−i−n構造のa−Si層をはさんで、1μm程
度の金属薄膜からなる裏面電極を有する。直列接続のた
めには、一つの透明絶縁基板上に透明電極膜,a−Si
膜,裏面電極膜をそれぞれ全面成膜し、その都度パター
ニングして各セル間の分離とセル間接続部の形成を行
う。透明電極のパターニングは、電子ビーム蒸着または
スパッタリングで成膜後、印刷法またはフォトマスクを
用いた露光によりレジストパターンを形成してエッチン
グ処理することによって行われる。a−Si膜のパターニ
ングは、フォトリソグラフィ法あるいはレーザスクライ
ビング法によって行われる。金属電極膜は、電子ビーム
蒸着またはスパッタリング法で成膜し、フォトリソグラ
フィ法でパターニングする。
圧を高くするために通常ユニットセルを直列接続する。
ユニットセルは、例えばガラス基板等の透明絶縁基板上
のITO(インジウム・錫酸化物),SnO2(酸化錫)を
透明電極とし、シラン,アセチレン等の炭化水素および
ジボランの混合ガスのグロー放電分解による約200Åの
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らなるp−i−n構造のa−Si層をはさんで、1μm程
度の金属薄膜からなる裏面電極を有する。直列接続のた
めには、一つの透明絶縁基板上に透明電極膜,a−Si
膜,裏面電極膜をそれぞれ全面成膜し、その都度パター
ニングして各セル間の分離とセル間接続部の形成を行
う。透明電極のパターニングは、電子ビーム蒸着または
スパッタリングで成膜後、印刷法またはフォトマスクを
用いた露光によりレジストパターンを形成してエッチン
グ処理することによって行われる。a−Si膜のパターニ
ングは、フォトリソグラフィ法あるいはレーザスクライ
ビング法によって行われる。金属電極膜は、電子ビーム
蒸着またはスパッタリング法で成膜し、フォトリソグラ
フィ法でパターニングする。
このうち、裏面電極を金属薄膜で形成するには、高価な
蒸着装置,スパッタリング装置を用い、フォトリソグラ
フィ技術を適用するので工数の低減が困難である。そこ
で太陽電池のコスト低減のために裏面電極を成膜とパタ
ーニングが同時に行われる印刷電極により形成すること
が検討された。結晶Siまたは多結晶Si太陽電池の場合
は、Ag粒子をエポキシ樹脂に混じて作成したペーストを
塗布し、600〜700℃で焼成してSi層との電気的接触をと
り、電極を形成することができる。しかしa−Si太陽電
池に適用すると、例えば第2図の線10のような特性とな
り、フィルファクタが0.4あるいはそれ以下となってい
る。これは、a−Siの場合は温度を200℃以上にあげる
ことができないので、高分子樹脂をとばして焼結するこ
とができず、十分低い接触抵抗を確保できないのがその
原因である。従って、a−Siの電極用塗料としては、15
0℃程度の焼成で十分低い接触抵抗がとれることが必要
である。また従来の印刷電極では耐湿性が良好でなかっ
た。
蒸着装置,スパッタリング装置を用い、フォトリソグラ
フィ技術を適用するので工数の低減が困難である。そこ
で太陽電池のコスト低減のために裏面電極を成膜とパタ
ーニングが同時に行われる印刷電極により形成すること
が検討された。結晶Siまたは多結晶Si太陽電池の場合
は、Ag粒子をエポキシ樹脂に混じて作成したペーストを
塗布し、600〜700℃で焼成してSi層との電気的接触をと
り、電極を形成することができる。しかしa−Si太陽電
池に適用すると、例えば第2図の線10のような特性とな
り、フィルファクタが0.4あるいはそれ以下となってい
る。これは、a−Siの場合は温度を200℃以上にあげる
ことができないので、高分子樹脂をとばして焼結するこ
とができず、十分低い接触抵抗を確保できないのがその
原因である。従って、a−Siの電極用塗料としては、15
0℃程度の焼成で十分低い接触抵抗がとれることが必要
である。また従来の印刷電極では耐湿性が良好でなかっ
た。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、150℃程度で焼
成することにより、a−Si層との間に十分低い接触抵抗
が得られ、かつ高温高湿に耐える印刷電極を裏面電極と
する薄膜太陽電池を提供することにある。
成することにより、a−Si層との間に十分低い接触抵抗
が得られ、かつ高温高湿に耐える印刷電極を裏面電極と
する薄膜太陽電池を提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明は、透明絶縁基板上
に透明電極と接合を有するa−Si層と裏面電極が積層さ
れてなるユニットセルが直列接続される太陽電池の製造
方法において、裏面電極が樹脂に対して導電物質として
粒径1〜10μmのNi粒子を1倍〜5倍の重量比で含
み更にシリコンカップリング剤を混練した樹脂を印刷
し、焼成する、または予めシリコンカップリング剤を塗
布した面に樹脂に対して導電物質として粒径1〜10μ
mのNi粒子を1倍〜5倍の重量比で含んだ樹脂を印刷
し、焼成することとする。
に透明電極と接合を有するa−Si層と裏面電極が積層さ
れてなるユニットセルが直列接続される太陽電池の製造
方法において、裏面電極が樹脂に対して導電物質として
粒径1〜10μmのNi粒子を1倍〜5倍の重量比で含
み更にシリコンカップリング剤を混練した樹脂を印刷
し、焼成する、または予めシリコンカップリング剤を塗
布した面に樹脂に対して導電物質として粒径1〜10μ
mのNi粒子を1倍〜5倍の重量比で含んだ樹脂を印刷
し、焼成することとする。
〔作用〕 粒径1〜10μmのNi粒子を樹脂に対して1倍〜5倍
の重量比で混じた樹脂にシリコンカップリング剤を添加
して印刷した裏面電極は、150℃程度の温度の焼成でa
−Siとの間に低い接触抵抗を形成する。
の重量比で混じた樹脂にシリコンカップリング剤を添加
して印刷した裏面電極は、150℃程度の温度の焼成でa
−Siとの間に低い接触抵抗を形成する。
第1図は本発明の一実施例を示し、ガラス基板1のIT
OあるいはSnO2を電子ビーム蒸着またはスパッタリング
で成膜後、フォトリソグラフィ法により透明電極21,2
2,23,24…のパターニングをする。次いで前述のよう
な方法でp−i−n構造のa−Si層を形成し、フォトリ
ソグラフィ法で一端が透明電極21,22,23,24…の間隔
の一部を埋めるパターン31,32,33,34…を形成する。
つづいて、金属電極41,42,43,44のパターンをフィラ
ーとしてNi粒子を含んだフェノール樹脂を用いて印刷法
で形成した。このフェノール樹脂は、フェノール,ホル
マリン,ロジン,油を反応させてグリセリンなどでエス
テル化したものである。Ni粒子はボールミル等を用いて
粒径1〜10μmの粉末にしたものを用い、樹脂に対して
1倍ないし5倍の重量比で混合した。一方、a−Si層3
1,32,33,34…の表面を、例えば東芝シリコーン商品
名TSL8331(γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン),商品名TSL8340(N−(β−アミノエチル)−
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン),商品名TS
L8350(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン)のようなシリコンカップリング剤に1〜15分浸漬
し、その後乾燥,焼成した。次にNi粒子を混じたフェノ
ール樹脂をエチレングリコール系またはジエチレングリ
コール系の溶媒を用いて粘度を調整し、120〜180メッシ
ュのスクリーンマスクを用いて一端がa−Si31,32,3
3,34…の間隙の一部を埋め、隣接セルの透明電極22,2
3,24…の端部に接触する裏面電極41,42,43,44…の
パターンを印刷し、120〜180℃で20〜60分間硬化させ
た。この薄膜太陽電池は、第2図の線20で示すような初
期特性を示してフィルファクタ0.6を得た。また60℃,
90%の高温高湿放置試験において、40時間程度で0.5程
度までフィルファクタが低下するが、500時間程度で0.5
5まで回復するという特性が得られた。
OあるいはSnO2を電子ビーム蒸着またはスパッタリング
で成膜後、フォトリソグラフィ法により透明電極21,2
2,23,24…のパターニングをする。次いで前述のよう
な方法でp−i−n構造のa−Si層を形成し、フォトリ
ソグラフィ法で一端が透明電極21,22,23,24…の間隔
の一部を埋めるパターン31,32,33,34…を形成する。
つづいて、金属電極41,42,43,44のパターンをフィラ
ーとしてNi粒子を含んだフェノール樹脂を用いて印刷法
で形成した。このフェノール樹脂は、フェノール,ホル
マリン,ロジン,油を反応させてグリセリンなどでエス
テル化したものである。Ni粒子はボールミル等を用いて
粒径1〜10μmの粉末にしたものを用い、樹脂に対して
1倍ないし5倍の重量比で混合した。一方、a−Si層3
1,32,33,34…の表面を、例えば東芝シリコーン商品
名TSL8331(γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン),商品名TSL8340(N−(β−アミノエチル)−
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン),商品名TS
L8350(γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン)のようなシリコンカップリング剤に1〜15分浸漬
し、その後乾燥,焼成した。次にNi粒子を混じたフェノ
ール樹脂をエチレングリコール系またはジエチレングリ
コール系の溶媒を用いて粘度を調整し、120〜180メッシ
ュのスクリーンマスクを用いて一端がa−Si31,32,3
3,34…の間隙の一部を埋め、隣接セルの透明電極22,2
3,24…の端部に接触する裏面電極41,42,43,44…の
パターンを印刷し、120〜180℃で20〜60分間硬化させ
た。この薄膜太陽電池は、第2図の線20で示すような初
期特性を示してフィルファクタ0.6を得た。また60℃,
90%の高温高湿放置試験において、40時間程度で0.5程
度までフィルファクタが低下するが、500時間程度で0.5
5まで回復するという特性が得られた。
印刷裏面電極形成の第二の実施例としては、Ni粒子とし
て、ボールミル等を用いて5〜10μm程度の粒度の粉末
に形成したものを用い、これを上述の実施例のようなフ
ェノール樹脂に1倍ないし5倍の重量比で混合したの
ち、これに0.1〜5重量%の上述の実施例のようなシリ
コンカップリング剤を添加した。この樹脂を上述の実施
例と同様の溶媒を用いて100〜400ポワーズに粘度を調整
し、複数のロール間を樹脂を通過させて粒子が樹脂内で
ほぼ一様に分散するように粒度調整するロール分散処理
を行ったのち、180〜250メッシュのスクリーンマスクを
用いて10〜20μm厚さに塗布し、硬化は120〜180℃で20
〜60分行った。この太陽電池はフィルファクタ0.61を
得、60℃,90%の高温高湿放置試験においては、500時
間で2%程度低下し、0.60のフィルファクタ値が得られ
ている。ロール分散後のNi粒径は、ロール分散により粒
子がかけて小さくなるもの、あるいは凝集によりあたか
も粒径が大きくなったかの如くなるものにより、ばらつ
きが生じ3〜20μmであった。この粒径を5〜15μmと
するとフィルファクタは0.01程度向上する。すなわち粒
径は膜厚の30%ないし2倍程度とすることがよいことが
わかった。さらに好ましいのは0.5〜1.5倍である。
て、ボールミル等を用いて5〜10μm程度の粒度の粉末
に形成したものを用い、これを上述の実施例のようなフ
ェノール樹脂に1倍ないし5倍の重量比で混合したの
ち、これに0.1〜5重量%の上述の実施例のようなシリ
コンカップリング剤を添加した。この樹脂を上述の実施
例と同様の溶媒を用いて100〜400ポワーズに粘度を調整
し、複数のロール間を樹脂を通過させて粒子が樹脂内で
ほぼ一様に分散するように粒度調整するロール分散処理
を行ったのち、180〜250メッシュのスクリーンマスクを
用いて10〜20μm厚さに塗布し、硬化は120〜180℃で20
〜60分行った。この太陽電池はフィルファクタ0.61を
得、60℃,90%の高温高湿放置試験においては、500時
間で2%程度低下し、0.60のフィルファクタ値が得られ
ている。ロール分散後のNi粒径は、ロール分散により粒
子がかけて小さくなるもの、あるいは凝集によりあたか
も粒径が大きくなったかの如くなるものにより、ばらつ
きが生じ3〜20μmであった。この粒径を5〜15μmと
するとフィルファクタは0.01程度向上する。すなわち粒
径は膜厚の30%ないし2倍程度とすることがよいことが
わかった。さらに好ましいのは0.5〜1.5倍である。
樹脂として上述のようなフェノール樹脂にアルキッド樹
脂をフェノール/アルキッド比が4/6〜2/8となる
ように混合したものを用いることもできる。アルキッド
樹脂としては、無水フタル酸とグリセリンの系に亜麻仁
油,桐油,大豆油などの乾性油,脱水ひまし油またはそ
の構成樹脂酸を加えて形成した。他の処理はロール分散
処理を行った上述の第二の実施例同様で、その結果初期
特性としてフィルファクタ0.61を得た。60℃,90%の高
温高湿放置試験においては、500時間経過してもフィル
ファクタはほとんど変化しなかった。
脂をフェノール/アルキッド比が4/6〜2/8となる
ように混合したものを用いることもできる。アルキッド
樹脂としては、無水フタル酸とグリセリンの系に亜麻仁
油,桐油,大豆油などの乾性油,脱水ひまし油またはそ
の構成樹脂酸を加えて形成した。他の処理はロール分散
処理を行った上述の第二の実施例同様で、その結果初期
特性としてフィルファクタ0.61を得た。60℃,90%の高
温高湿放置試験においては、500時間経過してもフィル
ファクタはほとんど変化しなかった。
樹脂としてフェノール変性アルキッド樹脂にエポキシ樹
脂を用いて同様の工程で製造した太陽電池では、初期特
性としてフィルファクタ0.59を得、60℃,90%の高温高
湿処理で500時間後、0.57と劣化は少なかった。エポキ
シ樹脂としては、例えばフェノール,アセトンから形成
したビスフェノールAにエピクロルヒドリンを作用させ
て形成した。
脂を用いて同様の工程で製造した太陽電池では、初期特
性としてフィルファクタ0.59を得、60℃,90%の高温高
湿処理で500時間後、0.57と劣化は少なかった。エポキ
シ樹脂としては、例えばフェノール,アセトンから形成
したビスフェノールAにエピクロルヒドリンを作用させ
て形成した。
さらにこの樹脂のNiフィラーにITOの粒子を3μm程
度に粉砕したものをNiフィラーの20〜60%添加して用い
た場合には、初期特性としてフィルファクタ0.61を得、
60℃,90%の高温高湿処理で500時間後0.58であった。
添加剤としてITO粒子の代わりにSnO2粒子を同様の条
件で用いてもほとんど差はなかった。
度に粉砕したものをNiフィラーの20〜60%添加して用い
た場合には、初期特性としてフィルファクタ0.61を得、
60℃,90%の高温高湿処理で500時間後0.58であった。
添加剤としてITO粒子の代わりにSnO2粒子を同様の条
件で用いてもほとんど差はなかった。
メラミン1モルにホルムアルデヒド4〜6モルとブタノ
ールを仕込み、アンモニアでpH6〜8とし、90〜100℃
で30分間メチロール化反応を行い、のちりん酸ブチルエ
ステルを少量加え、pH4〜5で約1時間ブチルエーテル
化反応をさせる。次にキシロールを加え、生成した水お
よびブタノールを留去させる。生成物はキシロールある
いはブタノールまたはこれらの混合溶剤で希釈しメラミ
ン樹脂液を形成した。この樹脂に、無水ブタル酸とグリ
セリンの系に亜麻仁油,桐油,大豆油などの乾性油を加
え、30〜45%の短油長のアルキッド樹脂を混じた。この
ようにして形成したメラミンアルキッド樹脂を用い、10
μm程度の粉末に形成したNi粒子を混じ、さらに0.1〜
5重量%のシリコンカップリング剤を添加したのちロー
ル分散処理を行い、180〜250メッシュのスクリーンマス
クを用いて10〜20μmの厚さに塗布した。この場合セル
特性として0.60を得、60℃,90%の高温高湿処理を500
時間行ってもほとんど低下しなかった。さらに上述のよ
うにITOまたはSnO2を添加することにより、フィルフ
ァクタが若干改善され0.61が得られた。
ールを仕込み、アンモニアでpH6〜8とし、90〜100℃
で30分間メチロール化反応を行い、のちりん酸ブチルエ
ステルを少量加え、pH4〜5で約1時間ブチルエーテル
化反応をさせる。次にキシロールを加え、生成した水お
よびブタノールを留去させる。生成物はキシロールある
いはブタノールまたはこれらの混合溶剤で希釈しメラミ
ン樹脂液を形成した。この樹脂に、無水ブタル酸とグリ
セリンの系に亜麻仁油,桐油,大豆油などの乾性油を加
え、30〜45%の短油長のアルキッド樹脂を混じた。この
ようにして形成したメラミンアルキッド樹脂を用い、10
μm程度の粉末に形成したNi粒子を混じ、さらに0.1〜
5重量%のシリコンカップリング剤を添加したのちロー
ル分散処理を行い、180〜250メッシュのスクリーンマス
クを用いて10〜20μmの厚さに塗布した。この場合セル
特性として0.60を得、60℃,90%の高温高湿処理を500
時間行ってもほとんど低下しなかった。さらに上述のよ
うにITOまたはSnO2を添加することにより、フィルフ
ァクタが若干改善され0.61が得られた。
第3図は第1図と異なる構造の薄膜太陽電池で、この場
合a−Si層は個々のユニットセル毎に切断しないで、連
続した層3となっている。各セル間の接続は、セルの配
列方向に対して側方への透明電極22,23,24…の引出し
部に裏面電極41,42,43,44…の引出し部を重ねること
により行われる。この構造の太陽電池においても上述の
ような各種の印刷金属電極を裏面電極41,42,43,44…
とすることができる。
合a−Si層は個々のユニットセル毎に切断しないで、連
続した層3となっている。各セル間の接続は、セルの配
列方向に対して側方への透明電極22,23,24…の引出し
部に裏面電極41,42,43,44…の引出し部を重ねること
により行われる。この構造の太陽電池においても上述の
ような各種の印刷金属電極を裏面電極41,42,43,44…
とすることができる。
第4図(a)〜(d)は本発明のさらに別の実施例の製造工程
を示し、第1図と共通の部分には同一の符号が付されて
いる。先ず、図(a)に示すように、ガラス基板1の上にS
iO2からなる透明導電膜をスパッタリングにより1000〜3
000Åの厚さに形成したのち波長1.06μmのYAGレー
ザ光のスポット径60μmのビームにより透明電極21〜25
を形成した。次に、図(b)に示すようにpin接合を有
するa−Si層3を第1図に関して述べたようなプラズマ
CVD法を用いて約1μmの厚さに形成した。次いで図
(c)に示すような金属電極パターン41,42,43,44,45
…を上述のような印刷法により塗布,硬化した。金属電
極41,42,43,44と透明電極22,23,24,25の重なり部
6の幅wを30μmとし、金属電極間7の間隔dは約50μ
mとした。このあと、ガラス基板1側から波長0.53μm
のYAGレーザ光をスポット径50〜80μm程度でa−Si
層3の金属電極と透明電極の重なり部6に焦点をあて、
かつスポットの中心を、例えば金属電極41の42側の端面
に沿わせる形で照射した。この結果、a−Si層3は図
(d)に示すように金属電極の間隙7の下部8で切断さ
れ、a−Si層31,32,33,34,35…に分割される。そし
て切断部8に接する金属電極,透明電極の重なり部6が
微結晶化し、両電極の接続領域61,62,63,64…とな
る。
を示し、第1図と共通の部分には同一の符号が付されて
いる。先ず、図(a)に示すように、ガラス基板1の上にS
iO2からなる透明導電膜をスパッタリングにより1000〜3
000Åの厚さに形成したのち波長1.06μmのYAGレー
ザ光のスポット径60μmのビームにより透明電極21〜25
を形成した。次に、図(b)に示すようにpin接合を有
するa−Si層3を第1図に関して述べたようなプラズマ
CVD法を用いて約1μmの厚さに形成した。次いで図
(c)に示すような金属電極パターン41,42,43,44,45
…を上述のような印刷法により塗布,硬化した。金属電
極41,42,43,44と透明電極22,23,24,25の重なり部
6の幅wを30μmとし、金属電極間7の間隔dは約50μ
mとした。このあと、ガラス基板1側から波長0.53μm
のYAGレーザ光をスポット径50〜80μm程度でa−Si
層3の金属電極と透明電極の重なり部6に焦点をあて、
かつスポットの中心を、例えば金属電極41の42側の端面
に沿わせる形で照射した。この結果、a−Si層3は図
(d)に示すように金属電極の間隙7の下部8で切断さ
れ、a−Si層31,32,33,34,35…に分割される。そし
て切断部8に接する金属電極,透明電極の重なり部6が
微結晶化し、両電極の接続領域61,62,63,64…とな
る。
このようなレーザ光によるパターニングおよび結晶化は
第5図に示す加工モードに基づき、レーザ出力がAの領
域にあるとき可能であったが、Q周波数が3kHz以下の
場合には印刷金属電極に損傷が生ずるものが存在した。
好ましくは3kHz〜8kHzで照射する必要がある。レーザ
スポットが大きいと隣接の金属電極を照射するので、ス
ポット径を絞るなど工夫する必要がある。
第5図に示す加工モードに基づき、レーザ出力がAの領
域にあるとき可能であったが、Q周波数が3kHz以下の
場合には印刷金属電極に損傷が生ずるものが存在した。
好ましくは3kHz〜8kHzで照射する必要がある。レーザ
スポットが大きいと隣接の金属電極を照射するので、ス
ポット径を絞るなど工夫する必要がある。
金属電極の印刷を上述の第二の実施例を同様の材料を用
い、焼成を150℃で60分行った場合、上記の工程で製造
された薄膜太陽電池は10mW/cm2および100mW/cm2の照
射下で0.65以上のフィルファクタを得た。またロール分
散処理によりNi粒子の径を5〜10μmとした場合は、フ
ィルファクタが若干向上し、0.67の値が得られた。また
60℃,90%の高温高湿での1000時間放置試験での劣化は
3〜5%にすぎなかった。a−Siのパターンの位置合わ
せが不要になりその合わせ余裕をとる必要もないので、
ユニットセルのピッチ5mmの場合、素子間の無効部分の
幅が250μmから150μmに減少し、有効面積率が91%ま
で向上した。
い、焼成を150℃で60分行った場合、上記の工程で製造
された薄膜太陽電池は10mW/cm2および100mW/cm2の照
射下で0.65以上のフィルファクタを得た。またロール分
散処理によりNi粒子の径を5〜10μmとした場合は、フ
ィルファクタが若干向上し、0.67の値が得られた。また
60℃,90%の高温高湿での1000時間放置試験での劣化は
3〜5%にすぎなかった。a−Siのパターンの位置合わ
せが不要になりその合わせ余裕をとる必要もないので、
ユニットセルのピッチ5mmの場合、素子間の無効部分の
幅が250μmから150μmに減少し、有効面積率が91%ま
で向上した。
本発明によれば、フェノール樹脂,アルキッド樹脂等に
導電性フィラーとして粒径1〜10μmのNi粒子を樹
脂に対して1倍〜5倍の重量比で混入し、さらにこの樹
脂を予めシランカップリング剤を塗布した面に印刷する
か、あるいはシランカップリング剤を混練したのち印刷
することによって、低温度の焼成によりa−Si層との低
接触抵抗が得られる結果、フィルファクタが大きく耐熱
耐湿性の良好な太陽電池を得ることができた。
導電性フィラーとして粒径1〜10μmのNi粒子を樹
脂に対して1倍〜5倍の重量比で混入し、さらにこの樹
脂を予めシランカップリング剤を塗布した面に印刷する
か、あるいはシランカップリング剤を混練したのち印刷
することによって、低温度の焼成によりa−Si層との低
接触抵抗が得られる結果、フィルファクタが大きく耐熱
耐湿性の良好な太陽電池を得ることができた。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の一実施例の太陽電池の断面図、第2図
は本発明の一実施例および従来例の太陽電池の出力特性
線図、第3図は本発明の異なる実施例の太陽電池の斜視
図、第4図(a)〜(d)はさらに別の実施例の太陽電池製造
工程を順次示す断面図、第5図はレーザパターニングの
加工モードのレーザ出力および周波数との関係線図であ
る。 1:ガラス基板、21,22,23,24,25:透明電極、3,
31,32,33,34,35:a−Si層、41,42,43,44,45:
印刷電極。
は本発明の一実施例および従来例の太陽電池の出力特性
線図、第3図は本発明の異なる実施例の太陽電池の斜視
図、第4図(a)〜(d)はさらに別の実施例の太陽電池製造
工程を順次示す断面図、第5図はレーザパターニングの
加工モードのレーザ出力および周波数との関係線図であ
る。 1:ガラス基板、21,22,23,24,25:透明電極、3,
31,32,33,34,35:a−Si層、41,42,43,44,45:
印刷電極。
Claims (2)
- 【請求項1】透明絶縁基板上に透明電極と接合を有する
非晶質シリコン層と裏面電極が積層されてなるユニット
セルが直列接続されるものの製造方法において、裏面電
極が樹脂に対して導電物質として粒径1〜10μmのニ
ッケル粒子を1倍〜5倍の重量比で含み更にシリコンカ
ップリング剤を混練した樹脂を印刷し、焼成する、また
は予めシリコンカップリング剤を塗布した面に樹脂に対
して導電物質として粒径1〜10μmのニッケル粒子を
1倍〜5倍の重量比で含んだ樹脂を印刷し、焼成するこ
とを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項記載の樹脂にシリコ
ンカップリング剤を混練して印刷する製造方法におい
て、樹脂にニッケル粒子を混合後、シリコンカップリン
グ剤を添加し、ロール間を通過させるロール分散処理に
より粒度が3〜20μmのニッケル粒子を含む樹脂とし
て印刷することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62282801A JPH0658968B2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
US07/268,904 US4968354A (en) | 1987-11-09 | 1988-11-08 | Thin film solar cell array |
US07/422,608 US4999308A (en) | 1987-11-09 | 1989-10-17 | Method of making thin film solar cell array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62282801A JPH0658968B2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01124270A JPH01124270A (ja) | 1989-05-17 |
JPH0658968B2 true JPH0658968B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=17657267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62282801A Expired - Lifetime JPH0658968B2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0658968B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03124067A (ja) * | 1989-10-07 | 1991-05-27 | Showa Shell Sekiyu Kk | 光起電力装置およびその製造方法 |
JP3156973B2 (ja) * | 1991-10-18 | 2001-04-16 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
DE102008064355A1 (de) * | 2008-12-20 | 2010-07-01 | Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg | Dünnschichtsolarzelle mit Leiterbahnenelektrode |
TWI451580B (zh) | 2011-09-26 | 2014-09-01 | Ind Tech Res Inst | 薄膜太陽能電池之製法 |
CN102315332B (zh) | 2011-09-29 | 2013-08-07 | 英利能源(中国)有限公司 | 太阳能电池片热处理工艺 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59167056A (ja) * | 1983-03-12 | 1984-09-20 | Agency Of Ind Science & Technol | シリコン半導体電極 |
JPS59179651A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-12 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 耐熱導電性銀ペ−スト組成物 |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP62282801A patent/JPH0658968B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01124270A (ja) | 1989-05-17 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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