JPH0658969B2 - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- JPH0658969B2 JPH0658969B2 JP62326232A JP32623287A JPH0658969B2 JP H0658969 B2 JPH0658969 B2 JP H0658969B2 JP 62326232 A JP62326232 A JP 62326232A JP 32623287 A JP32623287 A JP 32623287A JP H0658969 B2 JPH0658969 B2 JP H0658969B2
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- Japan
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- resin
- solar cell
- electrode
- film solar
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非晶質シリコン（以下ａ−Siと記す）等で光
電変換のための接合を、また一方の電極を印刷電極で形
成した低コストの薄膜太陽電池に関する。
電変換のための接合を、また一方の電極を印刷電極で形
成した低コストの薄膜太陽電池に関する。
非晶質シリコンを用いた従来の薄膜太陽電池は、出力電
圧を高くするために通常ユニットセルを直列接続する。
ユニットセルは、例えばガラス基板等の透明絶縁基板上
のＩＴＯ（インジウム・錫酸化物），SnO2（酸化錫）を
透明電極とし、シラン，アセチレン等の炭化水素および
ジボランの混合ガスのグロー放電分解による約200Åの
厚さのｐ層、シランガスのグロー放電分解による約0.５
μｍの厚さのノンドープ層、シラン、フォスフィンの混
合ガスのグロー放電分解による約500Åの厚さのｎ層か
らなるｐ−ｉ−ｎ構造のａ−Si層をはさんで１μｍ程度
の金属薄膜からなる裏面電極を有する。直列接続のため
には、一つの透明絶縁基板上に透明電極膜，ａ−Si膜，
裏面電極膜をそれぞれ全面成膜し、その都度パターニン
グして各セル間の分離とセル間接続部の形成を行う。透
明電極のパターニングは、電子ビーム蒸着またはスパッ
タリングで成膜後、印刷法またはフォトマスクを用いた
露光によりレジストパターンを形成してエッチング処理
することによって行われる。ａ−Si膜のパターニング
は、フォトリソグラフィ法あるいはレーザスクライビン
グ法によって行われる。金属電極膜は、電子ビーム蒸着
またはスパッタリング法で成膜し、フォトリソグラフィ
法でパターニングする。
圧を高くするために通常ユニットセルを直列接続する。
ユニットセルは、例えばガラス基板等の透明絶縁基板上
のＩＴＯ（インジウム・錫酸化物），SnO2（酸化錫）を
透明電極とし、シラン，アセチレン等の炭化水素および
ジボランの混合ガスのグロー放電分解による約200Åの
厚さのｐ層、シランガスのグロー放電分解による約0.５
μｍの厚さのノンドープ層、シラン、フォスフィンの混
合ガスのグロー放電分解による約500Åの厚さのｎ層か
らなるｐ−ｉ−ｎ構造のａ−Si層をはさんで１μｍ程度
の金属薄膜からなる裏面電極を有する。直列接続のため
には、一つの透明絶縁基板上に透明電極膜，ａ−Si膜，
裏面電極膜をそれぞれ全面成膜し、その都度パターニン
グして各セル間の分離とセル間接続部の形成を行う。透
明電極のパターニングは、電子ビーム蒸着またはスパッ
タリングで成膜後、印刷法またはフォトマスクを用いた
露光によりレジストパターンを形成してエッチング処理
することによって行われる。ａ−Si膜のパターニング
は、フォトリソグラフィ法あるいはレーザスクライビン
グ法によって行われる。金属電極膜は、電子ビーム蒸着
またはスパッタリング法で成膜し、フォトリソグラフィ
法でパターニングする。
このうち、裏面電極を金属薄膜で形成するには、高価な
蒸着装置，スパッタリング装置を用い、フォトリソグラ
フィ技術を適用するので工数の低減が困難である。そこ
で太陽電池のコスト低減のために裏面電極を成膜とパタ
ーニングが同時に行われる印刷電極により形成すること
が検討された。結晶Siまたは多結晶Si太陽電池の場合
は、Ag粒子をエポキシ樹脂に混じて作成したペーストを
塗布し、600〜700℃で焼成してSi層との電気的接触をと
り、電極を形成することができる。しかしａ−Si太陽電
池に適用すると、例えば照度200ｌxでは第２図の線10の
ような特性となり、フィルファクタが0.４あるいはそれ
以下となっている。また入射エネルギが100mW／cm2では
線20のような特性になっている。但し、電流値の絶対値
は入射光に依存して大きい。これは、ａ−Siの場合は温
度を200℃以上にあげることができないので高分子樹脂
をとばして焼結することができず、十分低い接触抵抗を
確保できないのがその原因である。従って、ａ−Siの電
極用塗料としては、150℃程度の焼成で十分低い接触抵
抗がとれることが必要である。また従来の印刷電極で
は、耐湿試験でフィルファクタが次第に劣化し耐湿性が
良好でなかった。
蒸着装置，スパッタリング装置を用い、フォトリソグラ
フィ技術を適用するので工数の低減が困難である。そこ
で太陽電池のコスト低減のために裏面電極を成膜とパタ
ーニングが同時に行われる印刷電極により形成すること
が検討された。結晶Siまたは多結晶Si太陽電池の場合
は、Ag粒子をエポキシ樹脂に混じて作成したペーストを
塗布し、600〜700℃で焼成してSi層との電気的接触をと
り、電極を形成することができる。しかしａ−Si太陽電
池に適用すると、例えば照度200ｌxでは第２図の線10の
ような特性となり、フィルファクタが0.４あるいはそれ
以下となっている。また入射エネルギが100mW／cm2では
線20のような特性になっている。但し、電流値の絶対値
は入射光に依存して大きい。これは、ａ−Siの場合は温
度を200℃以上にあげることができないので高分子樹脂
をとばして焼結することができず、十分低い接触抵抗を
確保できないのがその原因である。従って、ａ−Siの電
極用塗料としては、150℃程度の焼成で十分低い接触抵
抗がとれることが必要である。また従来の印刷電極で
は、耐湿試験でフィルファクタが次第に劣化し耐湿性が
良好でなかった。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、150℃程度で焼
成することにより、ａ−Si層との間に十分低い接触抵抗
が得られ、かつ高温高湿に耐える印刷電極を裏面電極と
する薄膜太陽電池を提供することにある。
成することにより、ａ−Si層との間に十分低い接触抵抗
が得られ、かつ高温高湿に耐える印刷電極を裏面電極と
する薄膜太陽電池を提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明は、透明絶縁基板上
に透明電極と接合を有するａ−Si層と裏面電極が積層さ
れてなるユニットセルが直列接続される太陽電池の製造
方法において、裏面電極が樹脂に対して導電物質として
炭素粒子を０．３５〜１．５の比で含み更にシリコンカ
ップリング剤を混練した樹脂を印刷し、焼成する、また
は予めシリコンカップリング剤を塗布した面に樹脂に対
して導電物質として炭素粒子を０．３５〜１．５の比で
含んだ樹脂を印刷し、焼成するものとする。
に透明電極と接合を有するａ−Si層と裏面電極が積層さ
れてなるユニットセルが直列接続される太陽電池の製造
方法において、裏面電極が樹脂に対して導電物質として
炭素粒子を０．３５〜１．５の比で含み更にシリコンカ
ップリング剤を混練した樹脂を印刷し、焼成する、また
は予めシリコンカップリング剤を塗布した面に樹脂に対
して導電物質として炭素粒子を０．３５〜１．５の比で
含んだ樹脂を印刷し、焼成するものとする。
無定形炭素または黒鉛粒子を樹脂に対して０．３５〜
１．５の比で混じた樹脂にシリコンカップリング剤を添
加して印刷した、または予めシリコンカップリング剤を
塗布した面に樹脂に対して導電物質として炭素粒子を
０．３５〜１．５の比で含んだ樹脂を印刷した裏面電極
は150℃程度の温度の焼成でａ−Si層との間に低い接触
抵抗を形成する。
１．５の比で混じた樹脂にシリコンカップリング剤を添
加して印刷した、または予めシリコンカップリング剤を
塗布した面に樹脂に対して導電物質として炭素粒子を
０．３５〜１．５の比で含んだ樹脂を印刷した裏面電極
は150℃程度の温度の焼成でａ−Si層との間に低い接触
抵抗を形成する。
実施例１： 第１図は本発明の第一の実施例を示し、ガラス基板１の
上にＩＴＯあるいはSnO2を電子ビーム蒸着またはスパッ
タリングで成膜後、フォトリソグラフィ法により透明電
極21，22，23，24…のパターニングをする。次いで前述
のような方法でｐ−ｉ−ｎ構造のａ−Si層を形成し、フ
ォトリソグラフィ法で一端が透明電極21，22，23，24…
の間隔の一部を埋めるパターン31，32，33，34…を形成
する。つづいて、金属電極41，42，43，44のパターンを
フィラーとして無定形炭素粒子を含んだフェノール樹脂
を用いて印刷法で形成した。このフェノール樹脂は、フ
ェノール，ホルマリン，ロジン，油を反応させてグリセ
リンなどでエステル化したものである。炭素粒子はボー
ルミル等を用いて粒径１μｍ程度に粉砕したものであ
り、フィラーの樹脂に対する比率は60〜120％程度に作
成した。一方、ａ−Si層31，32，33，34…の表面を、例
えば東芝シリコーン商品名ＴＳＬ8331（γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン），商品名ＴＳＬ8340（Ｎ−
（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキ
シシラン），商品名ＴＳＬ8350（γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン）のようなシリコンカップリン
グ剤に１〜15分浸漬し、その後乾燥，焼成した。次に炭
素粒子を混じたフェノール樹脂をエチレングリコール系
またはジエチレングリコール系の溶媒を用いて粘度を調
整し、120〜180メッシュのスクリーンマスクを用いて一
端がａ−Si層31，32，33，34…の間隙の一部を埋め、隣
接セルの透明電極22，23，24…の端部に接触する裏面電
極41，42，43，44…のパターンを印刷し、120〜180℃で
20〜60分間硬化させた。この薄膜太陽電池は、第２図の
線30で示すような初期特性を示してフィルファクタ0.６
を得た。また60℃，90％の高温高湿放置試験において、
40時間程度で0.50程度までフィルファクタが低下する
が、500時間程度で0.55まで回復するという特性が得ら
れた。
上にＩＴＯあるいはSnO2を電子ビーム蒸着またはスパッ
タリングで成膜後、フォトリソグラフィ法により透明電
極21，22，23，24…のパターニングをする。次いで前述
のような方法でｐ−ｉ−ｎ構造のａ−Si層を形成し、フ
ォトリソグラフィ法で一端が透明電極21，22，23，24…
の間隔の一部を埋めるパターン31，32，33，34…を形成
する。つづいて、金属電極41，42，43，44のパターンを
フィラーとして無定形炭素粒子を含んだフェノール樹脂
を用いて印刷法で形成した。このフェノール樹脂は、フ
ェノール，ホルマリン，ロジン，油を反応させてグリセ
リンなどでエステル化したものである。炭素粒子はボー
ルミル等を用いて粒径１μｍ程度に粉砕したものであ
り、フィラーの樹脂に対する比率は60〜120％程度に作
成した。一方、ａ−Si層31，32，33，34…の表面を、例
えば東芝シリコーン商品名ＴＳＬ8331（γ−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン），商品名ＴＳＬ8340（Ｎ−
（β−アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキ
シシラン），商品名ＴＳＬ8350（γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン）のようなシリコンカップリン
グ剤に１〜15分浸漬し、その後乾燥，焼成した。次に炭
素粒子を混じたフェノール樹脂をエチレングリコール系
またはジエチレングリコール系の溶媒を用いて粘度を調
整し、120〜180メッシュのスクリーンマスクを用いて一
端がａ−Si層31，32，33，34…の間隙の一部を埋め、隣
接セルの透明電極22，23，24…の端部に接触する裏面電
極41，42，43，44…のパターンを印刷し、120〜180℃で
20〜60分間硬化させた。この薄膜太陽電池は、第２図の
線30で示すような初期特性を示してフィルファクタ0.６
を得た。また60℃，90％の高温高湿放置試験において、
40時間程度で0.50程度までフィルファクタが低下する
が、500時間程度で0.55まで回復するという特性が得ら
れた。
フィラーとして粒径10μｍ程度の黒鉛を混入し、無定形
炭素／黒鉛の比を0.５〜２とした場合についても検討し
たが、上記の結果と変わらなかった。
炭素／黒鉛の比を0.５〜２とした場合についても検討し
たが、上記の結果と変わらなかった。
実施例２： 樹脂として実施例１のフェノール樹脂にアルキッド樹脂
をフェノール／アルキッド比が４／６〜２／８となるよ
うに混合したものを用いることもできる。アルキッド樹
脂としては、無水フタル酸とグリセリンの系に亜麻仁
油，桐油，大豆油などの乾性油，脱水ひまし油またはそ
の構成脂肪酸を加えて形成した。他の処理は実施例１と
同じである。得られた太陽電池の初期特性としてフィル
ファクタ0.56を得た。60℃，90％の高温高湿試験におい
て20〜50時間で0.51まで劣化し、500時間で0.56まで回
復するという結果が得られた。
をフェノール／アルキッド比が４／６〜２／８となるよ
うに混合したものを用いることもできる。アルキッド樹
脂としては、無水フタル酸とグリセリンの系に亜麻仁
油，桐油，大豆油などの乾性油，脱水ひまし油またはそ
の構成脂肪酸を加えて形成した。他の処理は実施例１と
同じである。得られた太陽電池の初期特性としてフィル
ファクタ0.56を得た。60℃，90％の高温高湿試験におい
て20〜50時間で0.51まで劣化し、500時間で0.56まで回
復するという結果が得られた。
実施例３： 樹脂として実施例２のフェノール変性アルキッド樹脂に
エポキシ樹脂を混じたものを用いた。エポキシ樹脂とし
ては、例えばフェノール，アセトンから形成したビスフ
ェノールＡにエピクロルヒドリンを作用させて形成し
た。これにフィラーとして無定形炭素に黒鉛をその比が
0.５〜２になるように混入し、樹脂に対してフィラーを
０．５〜１．５の比で混合し、さらに実施例１に示した
ようなシリコンカップリング剤を混じて練り合わせ、こ
れにロール分散処理を施した。得られた太陽電池は、初
期特性として0.６のフィルファクタを示した。また高温
高湿放置試験では20〜50時間で0.48まで劣化し、500時
間で0.55まで回復した。
エポキシ樹脂を混じたものを用いた。エポキシ樹脂とし
ては、例えばフェノール，アセトンから形成したビスフ
ェノールＡにエピクロルヒドリンを作用させて形成し
た。これにフィラーとして無定形炭素に黒鉛をその比が
0.５〜２になるように混入し、樹脂に対してフィラーを
０．５〜１．５の比で混合し、さらに実施例１に示した
ようなシリコンカップリング剤を混じて練り合わせ、こ
れにロール分散処理を施した。得られた太陽電池は、初
期特性として0.６のフィルファクタを示した。また高温
高湿放置試験では20〜50時間で0.48まで劣化し、500時
間で0.55まで回復した。
実施例４： 実施例３の無定形炭素，黒鉛フィラーにＩＴＯ（インジ
ウム・錫酸化物）を粉砕した粒径２〜15μｍの粒子を、
炭素，黒鉛の量の20〜80％添加した。他の条件、すなわ
ちシリコンカップリング剤混練，ロール分散処理は実施
例３と同じである。塗布膜厚は10〜20μｍであった。得
られた太陽電池は、初期特性としてフィルファクタ0.60
を得、60℃，90％の放置試験において50時間で0.52とな
り、500時間で0.60まで回復した。ＩＴＯの粒径を５〜1
0μｍとすると、フィルファクタは0.01程度向上した。
添加剤としてＩＴＯの代わりにSnO2（酸化錫）粒子を同
様の条件として用いた場合も特性は同様に向上した。
ウム・錫酸化物）を粉砕した粒径２〜15μｍの粒子を、
炭素，黒鉛の量の20〜80％添加した。他の条件、すなわ
ちシリコンカップリング剤混練，ロール分散処理は実施
例３と同じである。塗布膜厚は10〜20μｍであった。得
られた太陽電池は、初期特性としてフィルファクタ0.60
を得、60℃，90％の放置試験において50時間で0.52とな
り、500時間で0.60まで回復した。ＩＴＯの粒径を５〜1
0μｍとすると、フィルファクタは0.01程度向上した。
添加剤としてＩＴＯの代わりにSnO2（酸化錫）粒子を同
様の条件として用いた場合も特性は同様に向上した。
以上の結果から、塗布膜厚の0.２〜1.５倍、好ましくは
0.５〜1.０倍の粒径を有する導電性粒子を加えることに
よって特性が改善されることがわかる。
0.５〜1.０倍の粒径を有する導電性粒子を加えることに
よって特性が改善されることがわかる。
実施例５： メラミン１モルにホルムアルデヒド４〜６モルとブタノ
ールを仕込み、アンモニアでpH６〜８とし、90〜100℃
で30分間メチロール化反応を行ったのちりん酸ブチルエ
ステルを少量加え、pH４〜５で約１時間ブチルエーテル
化反応をさせる。次にキシロールを加え、生成した水お
よびブタノールを留去させる。生成物はキシロールある
いはブタノールまたはこれらの混合溶剤で希釈しメラミ
ン樹脂液を形成した。この樹脂に、無水ブタル酸とグリ
セリンの系に亜麻仁油，桐油、大豆油などの乾性油を、
または脱水ひまし油あるいはその構成脂肪酸を加え、30
〜40％の短油長のアルキッド樹脂を混じた。
ールを仕込み、アンモニアでpH６〜８とし、90〜100℃
で30分間メチロール化反応を行ったのちりん酸ブチルエ
ステルを少量加え、pH４〜５で約１時間ブチルエーテル
化反応をさせる。次にキシロールを加え、生成した水お
よびブタノールを留去させる。生成物はキシロールある
いはブタノールまたはこれらの混合溶剤で希釈しメラミ
ン樹脂液を形成した。この樹脂に、無水ブタル酸とグリ
セリンの系に亜麻仁油，桐油、大豆油などの乾性油を、
または脱水ひまし油あるいはその構成脂肪酸を加え、30
〜40％の短油長のアルキッド樹脂を混じた。
別にＩＴＯあるいはSnO2を約10μｍ程度の粒径の粉末に
粉砕し、無定形炭素，黒鉛および上記ドーパンド粒子の
４：６：４の比からなるフィラーを樹脂に対し0.５〜2.
０、好ましくは1.０〜1.５の割合で混合し、シリコンカ
ップリング剤を0.１〜５重量％混じ、ロール分散処理を
行い、印刷電極用樹脂を作成した。この場合、フィラー
として無定形炭素，黒鉛だけをみるとドーパント粒子と
の比からして、樹脂に対し０．３５〜１．４２、好まし
くは０．７１〜１．０７の割合となる。得られた太陽電
池はフィルファクタ0.59の初期特性を示した。60℃，90
％の放置試験でフィルファクタは0.57程度に低下するが
500時間で0.58まで回復した。
粉砕し、無定形炭素，黒鉛および上記ドーパンド粒子の
４：６：４の比からなるフィラーを樹脂に対し0.５〜2.
０、好ましくは1.０〜1.５の割合で混合し、シリコンカ
ップリング剤を0.１〜５重量％混じ、ロール分散処理を
行い、印刷電極用樹脂を作成した。この場合、フィラー
として無定形炭素，黒鉛だけをみるとドーパント粒子と
の比からして、樹脂に対し０．３５〜１．４２、好まし
くは０．７１〜１．０７の割合となる。得られた太陽電
池はフィルファクタ0.59の初期特性を示した。60℃，90
％の放置試験でフィルファクタは0.57程度に低下するが
500時間で0.58まで回復した。
なお、以上の各実施例は第３図に示すように、ａ−Si層
は個々のユニットセル毎に切断しないで、連続した層３
となっており、各セル間の接続は、セルの配列方向に対
して側方への透明電極22，23，24…の引出し部に裏面電
極41，42，43，44…の引出し部を重ねることにより行わ
れる構造の太陽電池の裏面電極形成においても同様に実
施できる。
は個々のユニットセル毎に切断しないで、連続した層３
となっており、各セル間の接続は、セルの配列方向に対
して側方への透明電極22，23，24…の引出し部に裏面電
極41，42，43，44…の引出し部を重ねることにより行わ
れる構造の太陽電池の裏面電極形成においても同様に実
施できる。
本発明によれば、フェノール樹脂，メラミンアルキッド
樹脂等に導電性フィラーとして炭素粒子を樹脂に対して
０．３５〜１．５の比で混入し、さらにこの樹脂を予め
シリコンカップリング剤を塗布した面に印刷するか、あ
るいはシリコンカップリング剤を混練したのち印刷する
ことによって低温度の焼成によりａ−Si層と低抵抗で接
触する裏面電極が形成でき、フィルファクタが大きく耐
熱耐湿性の良好な安定した太陽電池を低価格で得ること
ができる。また、炭素粒子として無低形炭素粒子に黒鉛
粒子が混合すること、あるいはＩＴＯ，SnO2の錫を含む
酸化物の添加物を加え、さらにＩＴＯ，SnO2の粒径を適
度に制御することにより、特性およびその安定性の向上
も図ることも可能である。
樹脂等に導電性フィラーとして炭素粒子を樹脂に対して
０．３５〜１．５の比で混入し、さらにこの樹脂を予め
シリコンカップリング剤を塗布した面に印刷するか、あ
るいはシリコンカップリング剤を混練したのち印刷する
ことによって低温度の焼成によりａ−Si層と低抵抗で接
触する裏面電極が形成でき、フィルファクタが大きく耐
熱耐湿性の良好な安定した太陽電池を低価格で得ること
ができる。また、炭素粒子として無低形炭素粒子に黒鉛
粒子が混合すること、あるいはＩＴＯ，SnO2の錫を含む
酸化物の添加物を加え、さらにＩＴＯ，SnO2の粒径を適
度に制御することにより、特性およびその安定性の向上
も図ることも可能である。
第１図は本発明の一実施例の太陽電池の断面図、第２図
は本発明の一実施例および従来例の太陽電池の出力特性
線図、第３図は本発明の異なる実施例の太陽電池の斜視
図である。 １：ガラス基板、21，22，23，24：透明電極、３，31，
32，33，34：ａ−Si層、41，4243，44：印刷電極。
は本発明の一実施例および従来例の太陽電池の出力特性
線図、第３図は本発明の異なる実施例の太陽電池の斜視
図である。 １：ガラス基板、21，22，23，24：透明電極、３，31，
32，33，34：ａ−Si層、41，4243，44：印刷電極。
Claims (2)
- 【請求項１】透明絶縁基板上に透明電極と接合を有する
非晶質シリコン層と裏面電極が積層されてなるユニット
セルが直列接続されるものの製造方法において、裏面電
極が樹脂に対して導電物質として炭素粒子を０．３５〜
１．５の比で含み更にシリコンカップリング剤を混練し
た樹脂を印刷し、焼成する、または予めシリコンカップ
リング剤を塗布した面に樹脂に対して導電物質として炭
素粒子を０．３５〜１．５の比で含んだ樹脂を印刷し、
焼成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の製造方法にお
いて、樹脂に導電物質として炭素粒子のほかに少なくと
も錫を成分とする酸化物を含ませることを特徴とする薄
膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62326232A JPH0658969B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| US07/268,904 US4968354A (en) | 1987-11-09 | 1988-11-08 | Thin film solar cell array |
| US07/422,608 US4999308A (en) | 1987-11-09 | 1989-10-17 | Method of making thin film solar cell array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62326232A JPH0658969B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01166574A JPH01166574A (ja) | 1989-06-30 |
| JPH0658969B2 true JPH0658969B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=18185464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62326232A Expired - Fee Related JPH0658969B2 (ja) | 1987-11-09 | 1987-12-22 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658969B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8455753B2 (en) | 2005-01-14 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solar cell and semiconductor device, and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58132058A (ja) * | 1982-01-30 | 1983-08-06 | Daikin Ind Ltd | 導電性塗料組成物の調製方法 |
| JPS59115573A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | シリコン半導体電極の形成方法 |
| JPS59167056A (ja) * | 1983-03-12 | 1984-09-20 | Agency Of Ind Science & Technol | シリコン半導体電極 |
| JPS59179651A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-12 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 耐熱導電性銀ペ−スト組成物 |
| JPS61199673A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非晶質太陽電池 |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62326232A patent/JPH0658969B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01166574A (ja) | 1989-06-30 |
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