JPS646535B2 - - Google Patents
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- JPS646535B2 JPS646535B2 JP58040041A JP4004183A JPS646535B2 JP S646535 B2 JPS646535 B2 JP S646535B2 JP 58040041 A JP58040041 A JP 58040041A JP 4004183 A JP4004183 A JP 4004183A JP S646535 B2 JPS646535 B2 JP S646535B2
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- electrode
- silicon
- conductive paste
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- solar cell
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は導電ペーストを用いた低価格のシリコ
ン半導体電極に関する。 半導体としてのシリコンに接触する電極として
は、従来真空蒸着、スパツタリングなどにより被
着された金属層が用いられた。しかし、これらは
真空ふん囲気を必要とするため高額の設備費およ
び維持費を要する。近年、とりわけ低価格化が要
望されている太陽電池の分野において、シリコン
半導体電極を真空蒸着等の手段を用いず、大量生
産、低価格化に適した導電ペーストを用いて形成
する研究が進められている。しかしながら、厚膜
集積回路などに用いられる導電材料として銀を含
を導電ペーストを塗布、硬化した場合、シリコン
と導電体との間にバリアが生じて接触抵抗が高
く、その結果電極としての必要条件である良好な
オーム接触が得られない。 本発明はこれに対し導電ペーストを用いてシリ
コンに対して良好なオーム接触を呈するシリコン
半導体電極を提供することを目的とする。 この目的は、シリコン半導体電極が炭素と金属
を含む導電ペーストを塗布、硬化させてなること
によつて達成される。このようにして形成された
電極のシート抵抗は10Ω/口以下であることが望
ましい。 本発明は導電ペーストの成分としてシリコンと
低接触抵抗を示す炭素と、シリコンとの接触抵抗
は炭素より高いが固有抵抗の低い金属とを用いて
双方の特長を生かしたもので、金属としては銀、
銅、金、アルミニウム、ニツケルからなる群から
選ばれる少なくとも1種の金属が用いられる。 以下図を引用して本発明の実施例について説明
する。第1図において、ガラス基板1に例えば
ITOからなる透明電極2が被着され、さらに例え
ばモノシランのグロー放電分解によりアモルフア
スシリコンのp層3、i層4、n層5が形成され
ている。n型アモルフアスシリコン層5に接する
電極6は本発明により炭素と金属を含む導電ペー
ストを塗布し、硬化したものである。実験として
第1表に示す異なる配合の3種類の導電ペースト
を試作し、第1図に示したアモルフアスシリコン
半導体のn層5の表面にスクリーン印刷し、100
℃で10分間の予備乾燥の後150℃の空気中で2時
間硬化させ、厚さ10μmの電極6を形成した。
ン半導体電極に関する。 半導体としてのシリコンに接触する電極として
は、従来真空蒸着、スパツタリングなどにより被
着された金属層が用いられた。しかし、これらは
真空ふん囲気を必要とするため高額の設備費およ
び維持費を要する。近年、とりわけ低価格化が要
望されている太陽電池の分野において、シリコン
半導体電極を真空蒸着等の手段を用いず、大量生
産、低価格化に適した導電ペーストを用いて形成
する研究が進められている。しかしながら、厚膜
集積回路などに用いられる導電材料として銀を含
を導電ペーストを塗布、硬化した場合、シリコン
と導電体との間にバリアが生じて接触抵抗が高
く、その結果電極としての必要条件である良好な
オーム接触が得られない。 本発明はこれに対し導電ペーストを用いてシリ
コンに対して良好なオーム接触を呈するシリコン
半導体電極を提供することを目的とする。 この目的は、シリコン半導体電極が炭素と金属
を含む導電ペーストを塗布、硬化させてなること
によつて達成される。このようにして形成された
電極のシート抵抗は10Ω/口以下であることが望
ましい。 本発明は導電ペーストの成分としてシリコンと
低接触抵抗を示す炭素と、シリコンとの接触抵抗
は炭素より高いが固有抵抗の低い金属とを用いて
双方の特長を生かしたもので、金属としては銀、
銅、金、アルミニウム、ニツケルからなる群から
選ばれる少なくとも1種の金属が用いられる。 以下図を引用して本発明の実施例について説明
する。第1図において、ガラス基板1に例えば
ITOからなる透明電極2が被着され、さらに例え
ばモノシランのグロー放電分解によりアモルフア
スシリコンのp層3、i層4、n層5が形成され
ている。n型アモルフアスシリコン層5に接する
電極6は本発明により炭素と金属を含む導電ペー
ストを塗布し、硬化したものである。実験として
第1表に示す異なる配合の3種類の導電ペースト
を試作し、第1図に示したアモルフアスシリコン
半導体のn層5の表面にスクリーン印刷し、100
℃で10分間の予備乾燥の後150℃の空気中で2時
間硬化させ、厚さ10μmの電極6を形成した。
【表】
このようにして試作した太陽電池の電極2,6
の一端に出力端子を設け、出力特性をソーラシユ
ミレータを用いてAMI(100mW/cm2)の光照射
下で測定したところ、導電ペーストBを用いた太
陽電池では第3図の曲線21に示すような特性を
示し、形状因子(FF)でおよそ0.34、変換効率
が2.5%であつた。曲線22は銀を主成分とする
導電ペースト(藤倉化成社製銀ペースト、商品名
XA―208)、曲線23はカーボンを主成分とする
抵抗ペースト(アサヒ化学研究所製、商品名TU
―100―1)を用いて電極6を形成した太陽電池
の特性を示す。導電ペーストA、Cを用いた場合
には曲線21で示した太陽電池より形状因子およ
び変換効率は低下するが、曲線22,23で示し
た太陽電池よりすぐれた特性が得られた。電極6
のシート抵抗はA,B,Cいずれの導電ペースト
を用いて10Ω/口以下であつた。このようなシー
ト抵抗を得るには炭素と銀の配合比率が90:10か
ら5:95の範囲内にあることが必要である。 金属としては銀の代りに銅、金、アルミニウ
ム、ニツケルを用いても同様な結果が得られる。 なお本発明が適用しうるシリコン半導体は、ア
モルフアスシリコン半導体に限らず、多結晶シリ
コン半導体、単結晶シリコン半導体を含むもので
ある。また、導電ペーストの塗布方法は、スクリ
ーン印刷方法に限らず凸版印刷等の各種の方法を
いずれも適用することができる。 本発明は、炭素と金属とを混合した導電ペース
トを用いることにより接触抵抗ならびにシート抵
抗の小さいシリコン半導体電極を得るもので、特
に太陽電池電極に導電ペーストを用いる場合の直
列抵抗増大が防止され、安価で変換効率の高い太
陽電池の製造に極めて有効に適用できる。
の一端に出力端子を設け、出力特性をソーラシユ
ミレータを用いてAMI(100mW/cm2)の光照射
下で測定したところ、導電ペーストBを用いた太
陽電池では第3図の曲線21に示すような特性を
示し、形状因子(FF)でおよそ0.34、変換効率
が2.5%であつた。曲線22は銀を主成分とする
導電ペースト(藤倉化成社製銀ペースト、商品名
XA―208)、曲線23はカーボンを主成分とする
抵抗ペースト(アサヒ化学研究所製、商品名TU
―100―1)を用いて電極6を形成した太陽電池
の特性を示す。導電ペーストA、Cを用いた場合
には曲線21で示した太陽電池より形状因子およ
び変換効率は低下するが、曲線22,23で示し
た太陽電池よりすぐれた特性が得られた。電極6
のシート抵抗はA,B,Cいずれの導電ペースト
を用いて10Ω/口以下であつた。このようなシー
ト抵抗を得るには炭素と銀の配合比率が90:10か
ら5:95の範囲内にあることが必要である。 金属としては銀の代りに銅、金、アルミニウ
ム、ニツケルを用いても同様な結果が得られる。 なお本発明が適用しうるシリコン半導体は、ア
モルフアスシリコン半導体に限らず、多結晶シリ
コン半導体、単結晶シリコン半導体を含むもので
ある。また、導電ペーストの塗布方法は、スクリ
ーン印刷方法に限らず凸版印刷等の各種の方法を
いずれも適用することができる。 本発明は、炭素と金属とを混合した導電ペース
トを用いることにより接触抵抗ならびにシート抵
抗の小さいシリコン半導体電極を得るもので、特
に太陽電池電極に導電ペーストを用いる場合の直
列抵抗増大が防止され、安価で変換効率の高い太
陽電池の製造に極めて有効に適用できる。
第1図は本発明に基づく電極を用いた太陽電池
一実施例の断面図、第2図は第1図に示す構造を
も太陽電池の一実施例の市販の導電ペーストおよ
び抵抗ペーストにより電極を形成した太陽電池の
出力特性を示す電圧―電流線図である。 3:アモルフアスシリコンp層、4:アモルフ
アスシリコンi層、5:アモルフアスシリコンn
層、6:電極。
一実施例の断面図、第2図は第1図に示す構造を
も太陽電池の一実施例の市販の導電ペーストおよ
び抵抗ペーストにより電極を形成した太陽電池の
出力特性を示す電圧―電流線図である。 3:アモルフアスシリコンp層、4:アモルフ
アスシリコンi層、5:アモルフアスシリコンn
層、6:電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 炭素と金属を含む導電ペーストを塗布、硬化
させてなることを特徴とするシリコン半導体電
極。 2 特許請求の範囲第1項記載の電極において、
シート抵抗が10Ω/口以下であることを特徴とす
るシリコン半導体電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58040041A JPS59167057A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | シリコン半導体電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58040041A JPS59167057A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | シリコン半導体電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59167057A JPS59167057A (ja) | 1984-09-20 |
JPS646535B2 true JPS646535B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=12569822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58040041A Granted JPS59167057A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | シリコン半導体電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59167057A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0294667A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
JP3156973B2 (ja) * | 1991-10-18 | 2001-04-16 | キヤノン株式会社 | 太陽電池 |
JP2005317898A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
-
1983
- 1983-03-12 JP JP58040041A patent/JPS59167057A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59167057A (ja) | 1984-09-20 |
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