JPS59167057A - シリコン半導体電極 - Google Patents
シリコン半導体電極Info
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- JPS59167057A JPS59167057A JP58040041A JP4004183A JPS59167057A JP S59167057 A JPS59167057 A JP S59167057A JP 58040041 A JP58040041 A JP 58040041A JP 4004183 A JP4004183 A JP 4004183A JP S59167057 A JPS59167057 A JP S59167057A
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- Japan
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- electrode
- conductive paste
- resistance
- solar battery
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電ペーストを用いた低価格のシリコ半導体電
極に関する。
極に関する。
半導体としてのシリコンに接触する電極としでは、従来
真壁蒸着、スパッタリングなどにより被９Ｉ！された金
属層が用いられた。しかし、これらは真壁ふん囲気番必
要とするため高額の設備費および維持費を要する。近年
、とりわけ低価格化が要望されている太陽電池の分野に
おいて、シリコン半導体電極を真空蒸着等の手段を用い
ず、大量生産、低価格化に適した導電ペーストを用いて
形成する研究が進められている。しかしながら、厚膜集
積回路などに用いられる導電材料として銀を含を導電ペ
ーストを塗布、硬化した場合、シリコンと導電体との間
にバリアが生じて接触抵抗は高く、その結果電極として
の必要条件である良好なオーム接触が得られない。
真壁蒸着、スパッタリングなどにより被９Ｉ！された金
属層が用いられた。しかし、これらは真壁ふん囲気番必
要とするため高額の設備費および維持費を要する。近年
、とりわけ低価格化が要望されている太陽電池の分野に
おいて、シリコン半導体電極を真空蒸着等の手段を用い
ず、大量生産、低価格化に適した導電ペーストを用いて
形成する研究が進められている。しかしながら、厚膜集
積回路などに用いられる導電材料として銀を含を導電ペ
ーストを塗布、硬化した場合、シリコンと導電体との間
にバリアが生じて接触抵抗は高く、その結果電極として
の必要条件である良好なオーム接触が得られない。
本発明はこれに対し導電ペーストを用いてシリコンに対
して良好なオーム接触を呈するシリコン半導体電極を提
供することを目的とする。
して良好なオーム接触を呈するシリコン半導体電極を提
供することを目的とする。
この目的は、シリコン半導体電極が炭素と金属を含む導
電ペーストを塗布、硬化させてンよることによって達成
される。このようにして形成された電極のシート抵抗は
１０Ω／口以下であることが望ましい。
電ペーストを塗布、硬化させてンよることによって達成
される。このようにして形成された電極のシート抵抗は
１０Ω／口以下であることが望ましい。
本発明は導電ペーストの成分としてシリコンと低接触抵
抗を示す炭素と、シリコンとの接触抵抗は炭素より高い
が固有抵抗の低い金属とを用いて拷；方の特長を生かし
たもので、金属としては銀、鯛）、金、アルミニウム、
ニッケルからなる群から崩ばれる少なくとも１種の金属
が用いられる。
抗を示す炭素と、シリコンとの接触抵抗は炭素より高い
が固有抵抗の低い金属とを用いて拷；方の特長を生かし
たもので、金属としては銀、鯛）、金、アルミニウム、
ニッケルからなる群から崩ばれる少なくとも１種の金属
が用いられる。
以下図を引用して本発明の実施例についで貌明する。第
１図において、ガラス基板１１こ例えばＩＴＯからなる
透明を極２が被着され、さらに例えばモノシランのグロ
ー放電分解によりアモルファスシリコンの９層３．１層
４．０層５が形成されている。ｎ型アモルンアスシリコ
ン層５に接する電極６は本発明により炭素と金属を含む
導電ペーストを塗布し、硬化したものである。実験とし
て８１表に示す異なる配合の３種類の導電ペーストを試
作し、第１図に示したアモルファスシリコン半導体の０
層５の表面にスクリーン印刷し、１００℃で１０分間の
予備乾燥の後１５０℃の空気中で２時間硬化させ、厚さ
１０μｍの電極６を形成した。
１図において、ガラス基板１１こ例えばＩＴＯからなる
透明を極２が被着され、さらに例えばモノシランのグロ
ー放電分解によりアモルファスシリコンの９層３．１層
４．０層５が形成されている。ｎ型アモルンアスシリコ
ン層５に接する電極６は本発明により炭素と金属を含む
導電ペーストを塗布し、硬化したものである。実験とし
て８１表に示す異なる配合の３種類の導電ペーストを試
作し、第１図に示したアモルファスシリコン半導体の０
層５の表面にスクリーン印刷し、１００℃で１０分間の
予備乾燥の後１５０℃の空気中で２時間硬化させ、厚さ
１０μｍの電極６を形成した。
このようにして試作した太陽電池の電極２，６の一端に
出力端子を設け、出方特性をソーラシュミレータを用い
てＡＭＩ （１００ｍＷ／ｄ）（Ｄ光照射下で測定した
ところ、導電ベース）Ｂを用いた太陽電池では第３図の
曲線２１に示すような特性を示し、形状因子（ＦＦ）で
およそ０．３４、変換効率が２．５％であった。曲線２
２は銀を主成分とする導電ペースト（藤倉化成社製銀ペ
ースト、商品名ＸＡ−２０８）、曲１ｍ２３はカーボン
を主成分とする抵抗ペースト（アサヒ化学研究所製、商
品名ＴＵ−１００−１）を用いて電極６を形成した太陽
電池の特性を示す。導電ベース）Ａ％０を用いた場合に
は曲線２１で示した太陽電池より形状因子および変換効
率は低下するが、曲！２２゜２３で示した太陽電池より
すぐれた特性が得られた。電極６のシート抵抗はＡ、Ｂ
、Ｏいずれの導電ペーストを用いても１ｏΩ／口以下で
あった。
出力端子を設け、出方特性をソーラシュミレータを用い
てＡＭＩ （１００ｍＷ／ｄ）（Ｄ光照射下で測定した
ところ、導電ベース）Ｂを用いた太陽電池では第３図の
曲線２１に示すような特性を示し、形状因子（ＦＦ）で
およそ０．３４、変換効率が２．５％であった。曲線２
２は銀を主成分とする導電ペースト（藤倉化成社製銀ペ
ースト、商品名ＸＡ−２０８）、曲１ｍ２３はカーボン
を主成分とする抵抗ペースト（アサヒ化学研究所製、商
品名ＴＵ−１００−１）を用いて電極６を形成した太陽
電池の特性を示す。導電ベース）Ａ％０を用いた場合に
は曲線２１で示した太陽電池より形状因子および変換効
率は低下するが、曲！２２゜２３で示した太陽電池より
すぐれた特性が得られた。電極６のシート抵抗はＡ、Ｂ
、Ｏいずれの導電ペーストを用いても１ｏΩ／口以下で
あった。
このようなシート抵抗を得るには炭素と銀の配合比率が
９０：１０から５＝９５の範囲内にあることが必要であ
る。
９０：１０から５＝９５の範囲内にあることが必要であ
る。
金属としては銀の代りに銅、金、アルミニウム、よツケ
ルを用いても同様な結果が得られる。
ルを用いても同様な結果が得られる。
なお本発明が適用しつるシリコン半導体は、アモルファ
スシリコン半導体に限らず、多結晶シリコン半導体、単
結晶シリコン半導体を含むものである。また、導電ペー
ストの塗布方法は、スクリーン印刷方法に限らず凸版印
刷等の各種の方法をいずれも適用することができる。
スシリコン半導体に限らず、多結晶シリコン半導体、単
結晶シリコン半導体を含むものである。また、導電ペー
ストの塗布方法は、スクリーン印刷方法に限らず凸版印
刷等の各種の方法をいずれも適用することができる。
本発明は、炭素と金属とを混合した導電ペーストを用い
ることにより接触抵抗ならびにシート抵抗の小さいシリ
コン半導体電極を得るもので、特に太陽電池電極に導電
ペーストを用いる場合の直列抵抗増大が防止され、安価
で変換効率の高い太陽電池の製造に極めて有効に適用で
きる。
ることにより接触抵抗ならびにシート抵抗の小さいシリ
コン半導体電極を得るもので、特に太陽電池電極に導電
ペーストを用いる場合の直列抵抗増大が防止され、安価
で変換効率の高い太陽電池の製造に極めて有効に適用で
きる。
第１図は本発明に基づく電極を用いた太陽・電池−実施
例の断面図、第２図は第１図に示す構造をも太陽電池の
一実施例の市販の導電ペーストおよび抵抗ペーストによ
り電極を形成した太陽電池の出力特性を示す電圧−電流
線図である。 ３：アモルファスシリコンＩ）層、４ニアモル７アスシ
リコン：ｉ、５：アモルファスシリコンｎ層、６：電極
。 イシ ザ力 セイ イチ 特許出願人 石 坂 誠 −
例の断面図、第２図は第１図に示す構造をも太陽電池の
一実施例の市販の導電ペーストおよび抵抗ペーストによ
り電極を形成した太陽電池の出力特性を示す電圧−電流
線図である。 ３：アモルファスシリコンＩ）層、４ニアモル７アスシ
リコン：ｉ、５：アモルファスシリコンｎ層、６：電極
。 イシ ザ力 セイ イチ 特許出願人 石 坂 誠 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）炭素と金属を含む導電ペーストを塗布、硬化させて
なることを特徴とするシリコン半導体電極。 ２、特許請求の範囲第１項記載の電極において、シート
抵抗が１０Ω／口以下であることを特徴とするシリコン
半導体電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040041A JPS59167057A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | シリコン半導体電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040041A JPS59167057A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | シリコン半導体電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167057A true JPS59167057A (ja) | 1984-09-20 |
| JPS646535B2 JPS646535B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=12569822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58040041A Granted JPS59167057A (ja) | 1983-03-12 | 1983-03-12 | シリコン半導体電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59167057A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294667A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| EP0537730A2 (en) * | 1991-10-18 | 1993-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| JP2005317898A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
-
1983
- 1983-03-12 JP JP58040041A patent/JPS59167057A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294667A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
| EP0537730A2 (en) * | 1991-10-18 | 1993-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| US5318638A (en) * | 1991-10-18 | 1994-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
| US5393695A (en) * | 1991-10-18 | 1995-02-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making solar cell |
| JP2005317898A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Toyo Aluminium Kk | ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS646535B2 (ja) | 1989-02-03 |
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