JPH0864850A - 薄膜太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0864850A JPH0864850A JP6202190A JP20219094A JPH0864850A JP H0864850 A JPH0864850 A JP H0864850A JP 6202190 A JP6202190 A JP 6202190A JP 20219094 A JP20219094 A JP 20219094A JP H0864850 A JPH0864850 A JP H0864850A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- solar cell
- metal
- metal substrate
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モジュール化が容易で低コスト化に有利な薄
膜太陽電池を提供すること。 【構成】 一定間隔毎に貫通孔を設けた金属基板を第１
の電極とし、該金属基板の一方の主面上に非晶質、また
は多結晶質の半導体薄膜及び、第２の電極である透明導
電膜が順次畳重された構造の薄膜太陽電池において、前
記金属基板の他方の主面上に少なくとも絶縁膜及び金属
膜が順次畳重してなり、且つ前記金属膜が少なくとも前
記貫通孔において前記透明導電膜と電気的に接続した構
造を特徴とする薄膜太陽電池。
膜太陽電池を提供すること。 【構成】 一定間隔毎に貫通孔を設けた金属基板を第１
の電極とし、該金属基板の一方の主面上に非晶質、また
は多結晶質の半導体薄膜及び、第２の電極である透明導
電膜が順次畳重された構造の薄膜太陽電池において、前
記金属基板の他方の主面上に少なくとも絶縁膜及び金属
膜が順次畳重してなり、且つ前記金属膜が少なくとも前
記貫通孔において前記透明導電膜と電気的に接続した構
造を特徴とする薄膜太陽電池。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はモジュール化が容易で低
コスト化に有利な薄膜太陽電池及びその製造方法に関す
る。
コスト化に有利な薄膜太陽電池及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に薄膜太陽電池は２つの電極で半導
体薄膜を挟んだ構造をしており、２つの電極のうち光が
入射する側は透明電極を、また他方には金属電極を用い
る。この金属電極は、低抵抗のＡｌやＡｇが用いられ、
半導体薄膜で吸収されずに透過してくる光を逆方向に反
射させて光起電流に寄与させる役割も有する。一方、透
明電極にはＳｎＯ2 （酸化錫），ＩＴＯ（インジウム・
錫酸化物）またはＺｎＯ（酸化亜鉛）等の透明導電膜が
用いられるが、電気抵抗率が約５×１０-4Ω・ｃｍと金
属膜より２桁程大きいため、発生した電流が透明電極を
流れる間に電力損失を生じる。それは基板面積が大きく
なる程顕著となり、外部へ取り出せる電力を減少させる
ため損失を小さくするための構造が種々考案されたき
た。
体薄膜を挟んだ構造をしており、２つの電極のうち光が
入射する側は透明電極を、また他方には金属電極を用い
る。この金属電極は、低抵抗のＡｌやＡｇが用いられ、
半導体薄膜で吸収されずに透過してくる光を逆方向に反
射させて光起電流に寄与させる役割も有する。一方、透
明電極にはＳｎＯ2 （酸化錫），ＩＴＯ（インジウム・
錫酸化物）またはＺｎＯ（酸化亜鉛）等の透明導電膜が
用いられるが、電気抵抗率が約５×１０-4Ω・ｃｍと金
属膜より２桁程大きいため、発生した電流が透明電極を
流れる間に電力損失を生じる。それは基板面積が大きく
なる程顕著となり、外部へ取り出せる電力を減少させる
ため損失を小さくするための構造が種々考案されたき
た。
【０００３】図７〜９は従来の薄膜太陽電池の構造を示
している。図７はステンレスのような金属基板（１）を
第１の電極として用い、アモルファスシリコンのような
非晶質半導体やＣｄＳ／ＣｄＴｅ，ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳ
ｅ2 のような多結晶半導体の半導体薄膜（２）及び第２
の透明な電極（３）を順次畳重しており、さらにその上
に金属膜による集電電極（４）が形成された構造であ
る。この集電電極はグリッド電極ともいわれ一定間隔の
ピッチで樹枝状に形成されるが、入射光をさえぎるた
め、集電電極面積を大きくとることはできない。またそ
の形成には同形状の穴のあいたマスクを透明電極（３）
上に接触させて金属を蒸着させる（マスク成膜といい、
マスクで覆われた所は成膜されない。）か、または同形
状パターンにて導電性ペーストをスクリーン印刷する方
法があるが、いずれもマスクまたはスクリーンと基板の
位置合せを必要とする。図８は集積型太陽電池ともいわ
れ、多数のセルを直列につないだものである。ところで
透明電極による電力損失は、流れる電流の平方に比例す
るため、電流を小さくするには単一セルの発電面積を小
さくすればよい。
している。図７はステンレスのような金属基板（１）を
第１の電極として用い、アモルファスシリコンのような
非晶質半導体やＣｄＳ／ＣｄＴｅ，ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳ
ｅ2 のような多結晶半導体の半導体薄膜（２）及び第２
の透明な電極（３）を順次畳重しており、さらにその上
に金属膜による集電電極（４）が形成された構造であ
る。この集電電極はグリッド電極ともいわれ一定間隔の
ピッチで樹枝状に形成されるが、入射光をさえぎるた
め、集電電極面積を大きくとることはできない。またそ
の形成には同形状の穴のあいたマスクを透明電極（３）
上に接触させて金属を蒸着させる（マスク成膜といい、
マスクで覆われた所は成膜されない。）か、または同形
状パターンにて導電性ペーストをスクリーン印刷する方
法があるが、いずれもマスクまたはスクリーンと基板の
位置合せを必要とする。図８は集積型太陽電池ともいわ
れ、多数のセルを直列につないだものである。ところで
透明電極による電力損失は、流れる電流の平方に比例す
るため、電流を小さくするには単一セルの発電面積を小
さくすればよい。
【０００４】具体的には基板上のセルを多数の小さいセ
ルに分割し、直列に接続することで損失を抑えることが
できる。図８に示すようにその構造は、ガラスや高分子
フィルム等の透明基板（６）上に透明電極膜（７）、半
導体薄膜（８）及び裏面金属電極膜（９）を順次畳重し
たものであるが、その形成法は各膜ごとに特定形状の穴
のあいたマスクを用いて成膜するか、または各膜の成膜
後にレーザエッチングを施す方法が一般に行われる。図
中Ａ，Ｂ，Ｃは、それぞれ透明電極膜、半導体薄膜、裏
面電極膜が存在しない領域を示す。太陽電池出力は透明
電極膜上の両側の端子（１０）から取り出すことができ
る。ところでアモルファスシリコンの単一セルでは電極
間に発生する光起電力は約０．７Ｖであるが、同図のよ
うに３段直列接続すると２．１Ｖの出力が得られる。即
ち基板全体を単一セルとする場合に比べ電流は１／３、
電圧は３倍となり、発電電力は同じで損失が１／９に減
少する。（この場合、無効領域であるＡ，Ｂ，Ｃの面積
は無視する。）この型の太陽電池も下地パターンに合わ
せてマスクやレーザ光を位置合せする必要がある。
ルに分割し、直列に接続することで損失を抑えることが
できる。図８に示すようにその構造は、ガラスや高分子
フィルム等の透明基板（６）上に透明電極膜（７）、半
導体薄膜（８）及び裏面金属電極膜（９）を順次畳重し
たものであるが、その形成法は各膜ごとに特定形状の穴
のあいたマスクを用いて成膜するか、または各膜の成膜
後にレーザエッチングを施す方法が一般に行われる。図
中Ａ，Ｂ，Ｃは、それぞれ透明電極膜、半導体薄膜、裏
面電極膜が存在しない領域を示す。太陽電池出力は透明
電極膜上の両側の端子（１０）から取り出すことができ
る。ところでアモルファスシリコンの単一セルでは電極
間に発生する光起電力は約０．７Ｖであるが、同図のよ
うに３段直列接続すると２．１Ｖの出力が得られる。即
ち基板全体を単一セルとする場合に比べ電流は１／３、
電圧は３倍となり、発電電力は同じで損失が１／９に減
少する。（この場合、無効領域であるＡ，Ｂ，Ｃの面積
は無視する。）この型の太陽電池も下地パターンに合わ
せてマスクやレーザ光を位置合せする必要がある。
【０００５】この他図９に示すようなスルーホールコン
タクト型が考案されている。同図（ｂ）はその断面図で
ある。透明基板（１１）上に透明電極（第１の電極）
（１２）、半導体薄膜（１３）、金属電極（第２の電
極）（１４）が順次畳重されてセルを構成している。ま
たスルーホール（１５）を形成するために一定間隔毎に
セルの一部分が円筒形に除かれ、さらに、絶縁膜（１
６）及び裏面金属電極（１７）が積層されている。そし
てスルーホール部分で裏面金属電極は透明電極に電気的
に接続した構造となっている。このスルーホールはバイ
パス経路となっており、透明電極側に発生した正電荷は
より抵抗の小さい裏面金属電極へ優先的に流れる。同図
（ｃ）はスルーホール部分の斜視断面図である。ここで
絶縁膜（１６）は透明体として表わしている。このよう
に高抵抗の透明電極と平行して金属電極を配置し、一定
間隔毎にスルーホールコンタクトを設けることにより裏
面金属電極は集電電極として働くため、透明電極による
電力損失を低減することができる。しかしこのスルーホ
ールコンタクト型構造は作製プロセスが複雑となる問題
を有する。まずセル形成後、スルーホール（１５）を形
成する部分をＹＡＧレーザーで円筒形に除去した後、基
板全体にポリイミド樹脂等の絶縁膜（１６）を形成す
る。続いてエキシマレーザーを用いてスルーホールの中
心部分の絶縁膜をエッチング除去した後、裏面金属電極
膜（１７）を成膜することによりスルーホールコンタク
トが形成される。尚出力は第２の電極（１４）及び裏面
金属電極の端子（１８）から得られる。この場合もレー
ザー加工位置を基板上のパターンに合わせて行う必要が
ある。このように作製プロセスが複雑であることは、高
い歩留りを得るのが難しく、製造に要する時間も長くな
るので、コスト低減には不利である。また、第２の電極
である金属電極（１４）の膜厚は最大でも１μｍ程度
と、あまり厚くはできない。というのも、下地の透明電
極（１２）を損傷させずに選択的に半導体膜（１３）及
び金属電極（１４）をレーザーエッチングする必要があ
り、レーザーパワー密度をあまり大きくできないからで
ある。即ち、流せる電流は自ずと限られるため大面積化
には限度があった。
タクト型が考案されている。同図（ｂ）はその断面図で
ある。透明基板（１１）上に透明電極（第１の電極）
（１２）、半導体薄膜（１３）、金属電極（第２の電
極）（１４）が順次畳重されてセルを構成している。ま
たスルーホール（１５）を形成するために一定間隔毎に
セルの一部分が円筒形に除かれ、さらに、絶縁膜（１
６）及び裏面金属電極（１７）が積層されている。そし
てスルーホール部分で裏面金属電極は透明電極に電気的
に接続した構造となっている。このスルーホールはバイ
パス経路となっており、透明電極側に発生した正電荷は
より抵抗の小さい裏面金属電極へ優先的に流れる。同図
（ｃ）はスルーホール部分の斜視断面図である。ここで
絶縁膜（１６）は透明体として表わしている。このよう
に高抵抗の透明電極と平行して金属電極を配置し、一定
間隔毎にスルーホールコンタクトを設けることにより裏
面金属電極は集電電極として働くため、透明電極による
電力損失を低減することができる。しかしこのスルーホ
ールコンタクト型構造は作製プロセスが複雑となる問題
を有する。まずセル形成後、スルーホール（１５）を形
成する部分をＹＡＧレーザーで円筒形に除去した後、基
板全体にポリイミド樹脂等の絶縁膜（１６）を形成す
る。続いてエキシマレーザーを用いてスルーホールの中
心部分の絶縁膜をエッチング除去した後、裏面金属電極
膜（１７）を成膜することによりスルーホールコンタク
トが形成される。尚出力は第２の電極（１４）及び裏面
金属電極の端子（１８）から得られる。この場合もレー
ザー加工位置を基板上のパターンに合わせて行う必要が
ある。このように作製プロセスが複雑であることは、高
い歩留りを得るのが難しく、製造に要する時間も長くな
るので、コスト低減には不利である。また、第２の電極
である金属電極（１４）の膜厚は最大でも１μｍ程度
と、あまり厚くはできない。というのも、下地の透明電
極（１２）を損傷させずに選択的に半導体膜（１３）及
び金属電極（１４）をレーザーエッチングする必要があ
り、レーザーパワー密度をあまり大きくできないからで
ある。即ち、流せる電流は自ずと限られるため大面積化
には限度があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、薄
膜太陽電池を構成する各膜をパターン化する方法は、マ
スク成膜とレーザーエッチング法が主である。マスク成
膜では下地の膜にマスク板を密着させるため、その位置
合せ工程が必要であること及びマスクと接触することに
よって膜が損傷を受けやすく製造歩留りを低下させる原
因となること、またレーザーエッチング法では同様に下
地の膜のパターン形状に対して照射レーザー光の位置合
せをして加工する必要があること、また膜を損傷させな
いためにはレーザーパワーの綿密な管理が必要であるこ
と、及びエッチングくずを除去する工程が必要であるこ
と等の問題があり、これらはコスト低減を阻む要因であ
った。またマスク成膜ではマスクの大きさに制限がある
こと、及びレーザーエッチング加工法では基板をレーザ
ー光に対して垂直に保ちつつ水平移動させる高精度なテ
ーブルが必要であることにより、基板の大面積化には自
ずと限界があった。本発明は上記の諸問題を解決するこ
とができ、モジュール化が容易で低コスト化に有利な薄
膜太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
膜太陽電池を構成する各膜をパターン化する方法は、マ
スク成膜とレーザーエッチング法が主である。マスク成
膜では下地の膜にマスク板を密着させるため、その位置
合せ工程が必要であること及びマスクと接触することに
よって膜が損傷を受けやすく製造歩留りを低下させる原
因となること、またレーザーエッチング法では同様に下
地の膜のパターン形状に対して照射レーザー光の位置合
せをして加工する必要があること、また膜を損傷させな
いためにはレーザーパワーの綿密な管理が必要であるこ
と、及びエッチングくずを除去する工程が必要であるこ
と等の問題があり、これらはコスト低減を阻む要因であ
った。またマスク成膜ではマスクの大きさに制限がある
こと、及びレーザーエッチング加工法では基板をレーザ
ー光に対して垂直に保ちつつ水平移動させる高精度なテ
ーブルが必要であることにより、基板の大面積化には自
ずと限界があった。本発明は上記の諸問題を解決するこ
とができ、モジュール化が容易で低コスト化に有利な薄
膜太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を活
性するためになされたものであって、一定間隔毎に貫通
孔を設けた金属基板を第１の電極とし、該金属基板の一
方の主面上に非晶質、または多結晶質の半導体薄膜及
び、第２の電極である透明導電膜が順次畳重された構造
の薄膜太陽電池において、前記金属基板の他方の主面上
に少なくとも絶縁膜及び金属膜が順次畳重してなり、且
つ前記金属膜が少なくとも前記貫通孔において前記透明
導電膜と電気的に接続したことを特徴とする薄膜太陽電
池を提供するものである。また、本発明は金属基板の他
方の主面に絶縁膜を形成する第１工程、該金属基板の全
域に多数の貫通孔を形成する第２工程、該金属基板の一
方の主面上に半導体膜を形成する第３工程、次いで少な
くとも該半導体膜の上に透明導電膜を形成する第４工
程、続いて前記絶縁膜の上に金属膜を形成し貫通孔部に
おいては該金属膜と該透明導電膜とを電気的に接続させ
る第５工程からなる上記薄膜太陽電池の製造方法を提供
する。さらに、本発明は金属基板の全域に多数の貫通孔
を形成する第１工程、該金属基板の他方の主面に絶縁膜
を形成する第２工程、以下は前記と同様の第３乃至第５
工程からなる上記薄膜太陽電池の製造方法をも提供す
る。本発明においては絶縁膜の形成を陽極酸化法、セラ
ミックメッキ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング
法、塗布法又は溶射法により行うことが特に好ましい実
施態様である。
性するためになされたものであって、一定間隔毎に貫通
孔を設けた金属基板を第１の電極とし、該金属基板の一
方の主面上に非晶質、または多結晶質の半導体薄膜及
び、第２の電極である透明導電膜が順次畳重された構造
の薄膜太陽電池において、前記金属基板の他方の主面上
に少なくとも絶縁膜及び金属膜が順次畳重してなり、且
つ前記金属膜が少なくとも前記貫通孔において前記透明
導電膜と電気的に接続したことを特徴とする薄膜太陽電
池を提供するものである。また、本発明は金属基板の他
方の主面に絶縁膜を形成する第１工程、該金属基板の全
域に多数の貫通孔を形成する第２工程、該金属基板の一
方の主面上に半導体膜を形成する第３工程、次いで少な
くとも該半導体膜の上に透明導電膜を形成する第４工
程、続いて前記絶縁膜の上に金属膜を形成し貫通孔部に
おいては該金属膜と該透明導電膜とを電気的に接続させ
る第５工程からなる上記薄膜太陽電池の製造方法を提供
する。さらに、本発明は金属基板の全域に多数の貫通孔
を形成する第１工程、該金属基板の他方の主面に絶縁膜
を形成する第２工程、以下は前記と同様の第３乃至第５
工程からなる上記薄膜太陽電池の製造方法をも提供す
る。本発明においては絶縁膜の形成を陽極酸化法、セラ
ミックメッキ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング
法、塗布法又は溶射法により行うことが特に好ましい実
施態様である。
【０００８】
【作用及び実施例】本発明によれば、半導体薄膜におけ
る光吸収により発生した正・負の電荷のうち片方（例え
ば正電荷）が第２の電極である透明電極に達した後、近
傍の貫通孔を通って裏面金属電極に集電される。即ち電
荷が透明電極中を移動する距離が短くなるために、それ
だけ電圧降下（電力損失）は抑えられる。またもう一方
の電荷（たとえば負電荷）は第一の電極である金属基板
内を流れる。ところで予め金属基板に一定間隔毎に貫通
孔を多数形成しておけば、光の入射面に半導体薄膜、透
明導電膜を他方の面に絶縁膜、裏面金属膜をそれぞれ位
置合せをすることなく成膜するだけで低コスト、高歩留
り、低損失で且つ大面積化が容易な薄膜太陽電池を提供
することが可能である。
る光吸収により発生した正・負の電荷のうち片方（例え
ば正電荷）が第２の電極である透明電極に達した後、近
傍の貫通孔を通って裏面金属電極に集電される。即ち電
荷が透明電極中を移動する距離が短くなるために、それ
だけ電圧降下（電力損失）は抑えられる。またもう一方
の電荷（たとえば負電荷）は第一の電極である金属基板
内を流れる。ところで予め金属基板に一定間隔毎に貫通
孔を多数形成しておけば、光の入射面に半導体薄膜、透
明導電膜を他方の面に絶縁膜、裏面金属膜をそれぞれ位
置合せをすることなく成膜するだけで低コスト、高歩留
り、低損失で且つ大面積化が容易な薄膜太陽電池を提供
することが可能である。
【０００９】以下本発明の具体化例を添付の図面に沿っ
て説明する。図１は本発明の第１の具体化例による薄膜
太陽電池の構造図を示す。同図（ａ）は上面図、（ｂ）
はＡ−Ａ′断面図、（ｃ）は断面斜視図である。一定間
隔毎に貫通孔を設けた金属基板（２１）の片面の主面上
（図では上側の光入射面）に非晶質または多結晶質の半
導体薄膜（２２）及び透明導電膜（２３）が積層されて
おり、金属基板が第一の電極としてまた透明電極が第２
の電極としてセルを構成する。さらに金属基板の他方の
主面（下側）には絶縁膜（２４）及び金属膜（２５）が
積層されており、貫通孔（コンタクトホール）（２６）
において、金属膜は透明導電膜と電気的に接続されてい
て第２の電極の集電電極として作用する。
て説明する。図１は本発明の第１の具体化例による薄膜
太陽電池の構造図を示す。同図（ａ）は上面図、（ｂ）
はＡ−Ａ′断面図、（ｃ）は断面斜視図である。一定間
隔毎に貫通孔を設けた金属基板（２１）の片面の主面上
（図では上側の光入射面）に非晶質または多結晶質の半
導体薄膜（２２）及び透明導電膜（２３）が積層されて
おり、金属基板が第一の電極としてまた透明電極が第２
の電極としてセルを構成する。さらに金属基板の他方の
主面（下側）には絶縁膜（２４）及び金属膜（２５）が
積層されており、貫通孔（コンタクトホール）（２６）
において、金属膜は透明導電膜と電気的に接続されてい
て第２の電極の集電電極として作用する。
【００１０】また図２は本発明の第１の具体化例による
薄膜太陽電池の製造工程を示す。図２のステップ（１）
に示すようにステンレス、鉄、アルミニウム等の金属基
板（２１）の一方の主面に高分子フィルム（２０）を貼
りつけることにより他方の主面のみを露出させた後、ス
テップ（２）において絶縁膜（２４）を形成する。絶縁
膜は耐熱性が高く、真空中でガス放出が少ないセラミッ
クス（主に金属酸化物）が最も望ましく金属の導電性を
生かした陽極酸化法や近年脚光を浴びているセラミック
メッキ法により形成することができる。次にステップ
（３）において金属基板の全域に亘り、一定間隔毎に多
数の貫通孔（２６）を形成する。この場合主としてレー
ザー加工法、打ち抜き法、化学エッチング法により開孔
した後、前記高分子フィルム（２０）を剥離除去して上
側の金属表面を露出させる（図示せず）。このとき必要
によっては金属表面に化学エッチングを施し、微細な凹
凸を設けることができる。
薄膜太陽電池の製造工程を示す。図２のステップ（１）
に示すようにステンレス、鉄、アルミニウム等の金属基
板（２１）の一方の主面に高分子フィルム（２０）を貼
りつけることにより他方の主面のみを露出させた後、ス
テップ（２）において絶縁膜（２４）を形成する。絶縁
膜は耐熱性が高く、真空中でガス放出が少ないセラミッ
クス（主に金属酸化物）が最も望ましく金属の導電性を
生かした陽極酸化法や近年脚光を浴びているセラミック
メッキ法により形成することができる。次にステップ
（３）において金属基板の全域に亘り、一定間隔毎に多
数の貫通孔（２６）を形成する。この場合主としてレー
ザー加工法、打ち抜き法、化学エッチング法により開孔
した後、前記高分子フィルム（２０）を剥離除去して上
側の金属表面を露出させる（図示せず）。このとき必要
によっては金属表面に化学エッチングを施し、微細な凹
凸を設けることができる。
【００１１】続いて金属基板の端の適当な位置に小さい
マスク（２７）を載置した後、半導体薄膜（２２）を成
膜する。この半導体薄膜にはアモルファスシリコン等の
非晶質、ＣｄＳ／ＣｄＴｅやＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ2 等
の多結晶質を用いることができる。尚成膜方法はアモル
ファスシリコンはプラズマＣＶＤ法、ＣｄＳ／ＣｄＴ
ｅ、ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ2 は昇華法、蒸着法、溶液成
長法により形成することができる。次に第２の電極であ
る透明導電膜（２３）を成膜する（同図ステップ
（４））。この透明導電膜による透明電極は、Ｓｎ
Ｏ2 ，ＩＴＯ，酸化亜鉛等の酸化物であり、イオンプレ
ーティング法，スパッタ法等により形成することができ
る。続いて同図ステップ（５）の下面に金属膜（２５）
としてＡｌまたはＡｇを蒸着法またはスパッタ法により
成膜する。このとき貫通孔の内壁面で透明導電膜と自動
的に電気的接続がなされる。次にマスク（２７）をはず
すことで金属基板（２１）が一部露出しそこへリード線
（２８）を接続する（図１（ｂ）参照）。また金属膜
（２５）にも対電極のリード線（２８）を接続する。電
極の極性は半導体膜（２２）の積層順序によって決ま
り、金属基板側にｎ型、透明電極側にｐ型半導体を形成
すると図示したような極性を示し、半導体の積層順序を
逆にすると出力も逆極性となる。
マスク（２７）を載置した後、半導体薄膜（２２）を成
膜する。この半導体薄膜にはアモルファスシリコン等の
非晶質、ＣｄＳ／ＣｄＴｅやＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ2 等
の多結晶質を用いることができる。尚成膜方法はアモル
ファスシリコンはプラズマＣＶＤ法、ＣｄＳ／ＣｄＴ
ｅ、ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ2 は昇華法、蒸着法、溶液成
長法により形成することができる。次に第２の電極であ
る透明導電膜（２３）を成膜する（同図ステップ
（４））。この透明導電膜による透明電極は、Ｓｎ
Ｏ2 ，ＩＴＯ，酸化亜鉛等の酸化物であり、イオンプレ
ーティング法，スパッタ法等により形成することができ
る。続いて同図ステップ（５）の下面に金属膜（２５）
としてＡｌまたはＡｇを蒸着法またはスパッタ法により
成膜する。このとき貫通孔の内壁面で透明導電膜と自動
的に電気的接続がなされる。次にマスク（２７）をはず
すことで金属基板（２１）が一部露出しそこへリード線
（２８）を接続する（図１（ｂ）参照）。また金属膜
（２５）にも対電極のリード線（２８）を接続する。電
極の極性は半導体膜（２２）の積層順序によって決ま
り、金属基板側にｎ型、透明電極側にｐ型半導体を形成
すると図示したような極性を示し、半導体の積層順序を
逆にすると出力も逆極性となる。
【００１２】尚、絶縁膜の形成法として前述した陽極酸
化法やセラミックメッキ法は低コストであるが、液相形
成法であり、高分子フィルム等で片面を覆う必要があ
る。それに対してプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法
あるいは溶射法を用いれば、図２のステップ（２）′に
示すように片面成膜が可能なので高分子フィルムは不要
である。この場合絶縁膜としては、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 などを用いることができ
る。また同様にポリイミドのような耐熱性が高く、真空
中で比較的ガス放出が少ない樹脂を金属基板の片面にロ
ールコーターを用いて塗布後、加熱硬化して絶縁膜を形
成する（塗布法）ことも可能である。図２のステップ
（３）′以下は前述した方法と同様である。
化法やセラミックメッキ法は低コストであるが、液相形
成法であり、高分子フィルム等で片面を覆う必要があ
る。それに対してプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法
あるいは溶射法を用いれば、図２のステップ（２）′に
示すように片面成膜が可能なので高分子フィルムは不要
である。この場合絶縁膜としては、Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 などを用いることができ
る。また同様にポリイミドのような耐熱性が高く、真空
中で比較的ガス放出が少ない樹脂を金属基板の片面にロ
ールコーターを用いて塗布後、加熱硬化して絶縁膜を形
成する（塗布法）ことも可能である。図２のステップ
（３）′以下は前述した方法と同様である。
【００１３】
【実施例】次にこの製造方法に基づいた実施例を述べる
が、本発明はこれに限定されるところはない。 〔実施例〕金属基板として１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚
さ０．２ｍｍのステンレス板（ＳＵＳ３０４）を用い、
表面を電解研磨及び洗浄した後、基板の他方（下側）主
面に絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法により厚さ５０００
ÅのＳｉ3 Ｎ4 膜を形成した。原料ガスとしてはＳｉＨ
4 （シラン），ＮＨ3 （アンモニア），Ｎ2 （窒素）を
用い、それぞれの流量は毎分１００，２５０，２０００
ｃｃである。また、基板温度３００℃、ＲＦパワー２０
０Ｗとした。次に、基板の一方の主面（上側）からＹＡ
Ｇレーザー光を照射して多数の孔あけを行った。その
際、レーザービームのスポット径を種々に変えることに
より、孔径を５０μｍ〜５００μｍの範囲で変化させ、
かつ孔間隔も１ｍｍ〜２０ｍｍの範囲で種々に変化させ
て加工した。
が、本発明はこれに限定されるところはない。 〔実施例〕金属基板として１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚
さ０．２ｍｍのステンレス板（ＳＵＳ３０４）を用い、
表面を電解研磨及び洗浄した後、基板の他方（下側）主
面に絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法により厚さ５０００
ÅのＳｉ3 Ｎ4 膜を形成した。原料ガスとしてはＳｉＨ
4 （シラン），ＮＨ3 （アンモニア），Ｎ2 （窒素）を
用い、それぞれの流量は毎分１００，２５０，２０００
ｃｃである。また、基板温度３００℃、ＲＦパワー２０
０Ｗとした。次に、基板の一方の主面（上側）からＹＡ
Ｇレーザー光を照射して多数の孔あけを行った。その
際、レーザービームのスポット径を種々に変えることに
より、孔径を５０μｍ〜５００μｍの範囲で変化させ、
かつ孔間隔も１ｍｍ〜２０ｍｍの範囲で種々に変化させ
て加工した。
【００１４】次に、基板の端付近に防着のためのマスク
を載置した後、該基板の一方の主面（上側）に半導体薄
膜としてプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン
系膜を以下の手順で成膜した。まず、Ｐ型アモルファス
シリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）を厚さ１００Å成膜
した。原料ガスはＳｉＨ4 ，ＣＨ4 （メタン）の他、ド
ーピングガスとして０．５％Ｂ2 Ｈ6 （ジボラン）を用
い、流量はそれぞれ毎分２０，３０，２０ｃｃ、基板温
度１７０℃、ＲＦパワー１０Ｗとした。次にバッファ層
としてアモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）
を１００Å成膜した。原料ガスはＳｉＨ4 ，ＣＨ4 及び
Ｈ2 （水素）で、流量はそれぞれ毎分２５，２５，５０
０ｃｃとして、基板温度１８０℃、ＲＦパワー２０Ｗで
あった。さらに光吸収の主役となる真性層としてアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を厚さ４０００Å成膜し
た。原料ガスとしてＳｉＨ4 を用い、流量は毎分６０ｃ
ｃとした。基板温度１７０℃、ＲＦパワー１０Ｗであっ
た。さらにｎ型アモルファスシリコンを厚さ１５０Å成
膜した。原料ガスはＳｉＨ 4 、Ｈ2 の他ドーピングガス
として０．０５％ＰＨ3 （ホスフィン）を用いた。流量
はそれぞれ毎分３０，５００，３００ｃｃとし、基板温
度１７０℃、ＲＦパワー１００Ｗであった。このように
して半導体膜を形成後、透明導電膜としてＩＴＯをイオ
ンプレーティング法により厚さ３０００Å成膜した。そ
のシート抵抗は１０Ω／□であった。最後に防着用マス
クを除去後、基板の他方の主面の絶縁膜上にＡｌを真空
蒸着法により厚さ５μｍ成膜した。
を載置した後、該基板の一方の主面（上側）に半導体薄
膜としてプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン
系膜を以下の手順で成膜した。まず、Ｐ型アモルファス
シリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）を厚さ１００Å成膜
した。原料ガスはＳｉＨ4 ，ＣＨ4 （メタン）の他、ド
ーピングガスとして０．５％Ｂ2 Ｈ6 （ジボラン）を用
い、流量はそれぞれ毎分２０，３０，２０ｃｃ、基板温
度１７０℃、ＲＦパワー１０Ｗとした。次にバッファ層
としてアモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）
を１００Å成膜した。原料ガスはＳｉＨ4 ，ＣＨ4 及び
Ｈ2 （水素）で、流量はそれぞれ毎分２５，２５，５０
０ｃｃとして、基板温度１８０℃、ＲＦパワー２０Ｗで
あった。さらに光吸収の主役となる真性層としてアモル
ファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を厚さ４０００Å成膜し
た。原料ガスとしてＳｉＨ4 を用い、流量は毎分６０ｃ
ｃとした。基板温度１７０℃、ＲＦパワー１０Ｗであっ
た。さらにｎ型アモルファスシリコンを厚さ１５０Å成
膜した。原料ガスはＳｉＨ 4 、Ｈ2 の他ドーピングガス
として０．０５％ＰＨ3 （ホスフィン）を用いた。流量
はそれぞれ毎分３０，５００，３００ｃｃとし、基板温
度１７０℃、ＲＦパワー１００Ｗであった。このように
して半導体膜を形成後、透明導電膜としてＩＴＯをイオ
ンプレーティング法により厚さ３０００Å成膜した。そ
のシート抵抗は１０Ω／□であった。最後に防着用マス
クを除去後、基板の他方の主面の絶縁膜上にＡｌを真空
蒸着法により厚さ５μｍ成膜した。
【００１５】このようにして作成した薄膜太陽電池にリ
ード線を取り付け、疑似太陽光下（ＡＭ１．５ 光照射
強度１００ｍＷ／ｃｍ2 ）で出力特性を測定したとこ
ろ、図６に示す結果が得られた。図６は本願発明発明の
薄膜太陽電池の変換効率の孔間隔依存特性を示す。この
ように孔径５００μｍ以下の場合、孔間隔は１〜８ｍｍ
程度が最適であることがわかる。
ード線を取り付け、疑似太陽光下（ＡＭ１．５ 光照射
強度１００ｍＷ／ｃｍ2 ）で出力特性を測定したとこ
ろ、図６に示す結果が得られた。図６は本願発明発明の
薄膜太陽電池の変換効率の孔間隔依存特性を示す。この
ように孔径５００μｍ以下の場合、孔間隔は１〜８ｍｍ
程度が最適であることがわかる。
【００１６】また本発明の第２の具体化例による薄膜太
陽電池の断面斜視図を図３に示す。これは絶縁膜（２
４）を貫通孔（２６）の内壁まで形成させた点が第１の
具体化例と異なる。その目的は、内壁部分に成膜した半
導体膜（２２）は基板の主面に成膜されたものに比べて
薄いため、半導体膜の充分な絶縁抵抗が得られず金属基
板（２１）と透明導電膜（２３）が短絡状態になりやす
くなるのを防ぐためになされたものである。製造方法と
しては図５に示すように金属基板にまず貫通孔を設けた
後、前述したのと同様な方法で片面に絶縁膜を形成する
ことで得られる。
陽電池の断面斜視図を図３に示す。これは絶縁膜（２
４）を貫通孔（２６）の内壁まで形成させた点が第１の
具体化例と異なる。その目的は、内壁部分に成膜した半
導体膜（２２）は基板の主面に成膜されたものに比べて
薄いため、半導体膜の充分な絶縁抵抗が得られず金属基
板（２１）と透明導電膜（２３）が短絡状態になりやす
くなるのを防ぐためになされたものである。製造方法と
しては図５に示すように金属基板にまず貫通孔を設けた
後、前述したのと同様な方法で片面に絶縁膜を形成する
ことで得られる。
【００１７】また図４は本発明の第３の具体化例による
薄膜太陽電池の断面斜視図である。透明導電膜（２３）
を基板の両面に形成した点が第１，第２の具体化例と異
なる。透明導電膜上に金属膜を形成した場合、界面には
接触抵抗が生じるが、その値は接触面積に反比例する。
そのため第１，第２の具体化例のように貫通孔（２６）
の内壁面のみで接触させるよりも図４に示すように基板
の下側の主面全体でも接触させる方が接触抵抗による電
力損失は低減できる。この場合の透明電極の形成方法と
してゾルゲル法がある。これは半導体膜形成後、錫やイ
ンジウムのアルコキシド溶液に基板全体を浸漬後引き上
げて乾燥、焼成する方法である。こうすることにより、
基板全体に透明導電膜を形成することが可能であり、続
いて基板下側から金属膜を形成すればよい。尚、この裏
面金属電極膜は電気メッキ法，はんだメッキ法等によっ
て膜厚を数１０μｍ以上に形成することができ、また第
一の電極である金属基板も厚さが数１０μｍ以上である
ため、従来構造より大電流を流すことができ、大面積化
が容易である。
薄膜太陽電池の断面斜視図である。透明導電膜（２３）
を基板の両面に形成した点が第１，第２の具体化例と異
なる。透明導電膜上に金属膜を形成した場合、界面には
接触抵抗が生じるが、その値は接触面積に反比例する。
そのため第１，第２の具体化例のように貫通孔（２６）
の内壁面のみで接触させるよりも図４に示すように基板
の下側の主面全体でも接触させる方が接触抵抗による電
力損失は低減できる。この場合の透明電極の形成方法と
してゾルゲル法がある。これは半導体膜形成後、錫やイ
ンジウムのアルコキシド溶液に基板全体を浸漬後引き上
げて乾燥、焼成する方法である。こうすることにより、
基板全体に透明導電膜を形成することが可能であり、続
いて基板下側から金属膜を形成すればよい。尚、この裏
面金属電極膜は電気メッキ法，はんだメッキ法等によっ
て膜厚を数１０μｍ以上に形成することができ、また第
一の電極である金属基板も厚さが数１０μｍ以上である
ため、従来構造より大電流を流すことができ、大面積化
が容易である。
【００１８】この他、本発明における孔開け工程におい
て、レーザー加工法を用いることができるが、最初の工
程で金属基板もしくは絶縁膜を片面に形成した金属基板
に、一定間隔毎パターンへのレーザー光の位置合せや、
下地膜を損傷させないためのレーザーパワーの綿密な管
理が不要である。また、下地基板への損傷は問題になら
ない。以上述べたように、本発明によると従来構造に比
べ、簡単な作製プロセスで比較的短時間に大面積の薄膜
太陽電池を製造することが可能である。
て、レーザー加工法を用いることができるが、最初の工
程で金属基板もしくは絶縁膜を片面に形成した金属基板
に、一定間隔毎パターンへのレーザー光の位置合せや、
下地膜を損傷させないためのレーザーパワーの綿密な管
理が不要である。また、下地基板への損傷は問題になら
ない。以上述べたように、本発明によると従来構造に比
べ、簡単な作製プロセスで比較的短時間に大面積の薄膜
太陽電池を製造することが可能である。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、透明電極側に発生した
電荷を金属基板に設けられた貫通孔を通して裏面金属膜
に集電する構造とすることにより、透明電極による電力
損失を低減させることができる。また、金属基板（また
は絶縁膜を片面に形成した金属基板）に予め一定間隔毎
に多数の貫通孔を設けておけば、半導体薄膜、透明導電
膜、（絶縁膜）裏面金属膜のそれぞれの膜を位置合わせ
不要で単に成膜するだけで製造することができるため、
低コスト、高歩留り、低損失、且つ大面積化が容易な薄
膜太陽電池を提供することが可能である。
電荷を金属基板に設けられた貫通孔を通して裏面金属膜
に集電する構造とすることにより、透明電極による電力
損失を低減させることができる。また、金属基板（また
は絶縁膜を片面に形成した金属基板）に予め一定間隔毎
に多数の貫通孔を設けておけば、半導体薄膜、透明導電
膜、（絶縁膜）裏面金属膜のそれぞれの膜を位置合わせ
不要で単に成膜するだけで製造することができるため、
低コスト、高歩留り、低損失、且つ大面積化が容易な薄
膜太陽電池を提供することが可能である。
【図１】本発明の一実施態様を示す薄膜太陽電池の構造
図。（ａ）上面図、（ｂ）Ａ−Ａ′断面図、（ｃ）断面
斜視図。
図。（ａ）上面図、（ｂ）Ａ−Ａ′断面図、（ｃ）断面
斜視図。
【図２】本発明に係る薄膜太陽電池の製造工程図。
【図３】本発明の他の実施態様に係る薄膜太陽電池の断
面斜視図。
面斜視図。
【図４】本発明の更に他の実施態様を示す薄膜太陽電池
の断面斜視図。
の断面斜視図。
【図５】本発明に係る薄膜太陽電池の他の製造工程図。
【図６】本発明に係る太陽電池の変換効率の孔間隔依存
性を示すグラフ図。
性を示すグラフ図。
【図７】従来の薄膜太陽電池（グリッド電極型）の構造
図。（ａ）上面図、（ｂ）Ｘ−Ｘ′断面図。
図。（ａ）上面図、（ｂ）Ｘ−Ｘ′断面図。
【図８】従来の薄膜太陽電池（集積型）の構造図。
（ａ）上面図、（ｂ）Ｙ−Ｙ′断面図。
（ａ）上面図、（ｂ）Ｙ−Ｙ′断面図。
【図９】従来の薄膜太陽電池（スルーホールコンタクト
型）の構造図。（ａ）上面図、（ｂ）Ｚ−Ｚ′断面図、
（ｃ）断面斜視図。
型）の構造図。（ａ）上面図、（ｂ）Ｚ−Ｚ′断面図、
（ｃ）断面斜視図。
２１：金属基板 ２２：半導体薄膜 ２３：透明導電膜（透明電極） ２４：絶縁膜 ２５：金属膜（裏面金属電極） ２６：貫通孔 ２８：リード端子
Claims (11)
- 【請求項１】 一定間隔毎に貫通孔を設けた金属基板を
第１の電極とし、該金属基板の一方の主面上に非晶質、
または多結晶質の半導体薄膜及び、第２の電極である透
明導電膜が順次畳重された構造の薄膜太陽電池におい
て、前記金属基板の他方の主面上に少なくとも絶縁膜及
び金属膜が順次畳重してなり、且つ前記金属膜が少なく
とも前記貫通孔において前記透明導電膜と電気的に接続
した構造を特徴とする薄膜太陽電池。 - 【請求項２】 半導体薄膜がアモルファスシリコン又は
ＣｄＳ／ＣｄＴｅ若しくはＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ2 から
なる請求項１に記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項３】 透明導電膜が酸化錫、インジウム・錫酸
化物又は酸化亜鉛からなる請求項１又は２に記載の薄膜
太陽電池。 - 【請求項４】 金属膜がＡｌ又はＡｇの蒸着により成膜
される請求項１〜３の何れかに記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項５】 絶縁膜がＳｉ3 Ｎ4 ，ＳｉＣ，ＳｉＯ2
又はＡｌ2 Ｏ3 からなる請求項１〜４の何れかに記載の
薄膜太陽電池。 - 【請求項６】 絶縁膜がポリイミドからなる請求項１〜
４の何れかに記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項７】 絶縁膜を貫通孔の内壁まで形成した請求
項１〜６の何れかに記載の薄膜太陽電池。 - 【請求項８】 透明導電膜を金属基板の他方の主面上に
も形成した請求項１〜７の何れかに記載の薄膜太陽電
池。 - 【請求項９】 金属基板の他方の主面に絶縁膜を形成す
る第１工程、該金属基板の全域に多数の貫通孔を形成す
る第２工程、該金属基板の一方の主面上に半導体膜を形
成する第３工程、次いで少なくとも該半導体膜の上に透
明導電膜を形成する第４工程、続いて前記絶縁膜の上に
金属膜を形成する第５工程からなる請求項１に記載の薄
膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項１０】 金属基板の全域に多数の貫通孔を形成
する第１工程、該金属基板の他方の主面に絶縁膜を形成
する第２工程、該金属基板の一方の主面上に半導体膜を
形成する第３工程、次いで少なくとも該半導体膜の上に
透明導電膜を形成する第４工程、続いて前記絶縁膜の上
に金属膜を形成する第５工程からなる請求項１に記載の
薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項１１】 絶縁膜の形成を陽極酸化法、セラミッ
クメッキ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、塗
布法又は溶射法により行う請求項９又は請求項１０に記
載の薄膜太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6202190A JP2786600B2 (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6202190A JP2786600B2 (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864850A true JPH0864850A (ja) | 1996-03-08 |
| JP2786600B2 JP2786600B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=16453461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6202190A Expired - Lifetime JP2786600B2 (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2786600B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168458A2 (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element, producing method therefor, and solar cell modules |
| JP2002118272A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池とその製造方法 |
| JP2008087454A (ja) * | 2006-04-05 | 2008-04-17 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP2009076512A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| WO2010028358A2 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Research Foundation Of The City University Of New York | Horizontally distrutibuted array of solar cells and methods of making and using |
| CN102386334A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-03-21 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 一种太阳能电池光伏建筑组件及制造方法 |
| WO2014080774A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 株式会社 東芝 | 光化学反応装置 |
| CN106062255A (zh) * | 2014-03-24 | 2016-10-26 | 株式会社东芝 | 光电化学反应装置 |
| CN107090585A (zh) * | 2012-11-20 | 2017-08-25 | 株式会社东芝 | 光化学反应系统 |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP6202190A patent/JP2786600B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168458A2 (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element, producing method therefor, and solar cell modules |
| US6613973B2 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element, producing method therefor, and solar cell modules |
| EP1168458A3 (en) * | 2000-06-27 | 2006-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element, producing method therefor, and solar cell modules |
| JP2002118272A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池とその製造方法 |
| JP2008087454A (ja) * | 2006-04-05 | 2008-04-17 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体 |
| JP2009076512A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| WO2010028358A2 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Research Foundation Of The City University Of New York | Horizontally distrutibuted array of solar cells and methods of making and using |
| WO2010028358A3 (en) * | 2008-09-08 | 2010-05-20 | Research Foundation Of The City University Of New York | Horizontally distrutibuted array of solar cells and methods of making and using |
| CN102386334A (zh) * | 2011-11-24 | 2012-03-21 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 一种太阳能电池光伏建筑组件及制造方法 |
| WO2014080774A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 株式会社 東芝 | 光化学反応装置 |
| JP2014101551A (ja) * | 2012-11-20 | 2014-06-05 | Toshiba Corp | 光化学反応装置 |
| TWI490373B (zh) * | 2012-11-20 | 2015-07-01 | Toshiba Kk | 光化學反應裝置 |
| CN104797741A (zh) * | 2012-11-20 | 2015-07-22 | 株式会社东芝 | 光化学反应装置 |
| AU2013349017B2 (en) * | 2012-11-20 | 2016-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photochemical reaction device |
| US9708717B2 (en) | 2012-11-20 | 2017-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photochemical reaction device |
| CN107090585A (zh) * | 2012-11-20 | 2017-08-25 | 株式会社东芝 | 光化学反应系统 |
| CN106062255A (zh) * | 2014-03-24 | 2016-10-26 | 株式会社东芝 | 光电化学反应装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2786600B2 (ja) | 1998-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6441297B1 (en) | Solar cell arrangement | |
| TW318286B (ja) | ||
| US7829785B2 (en) | Thin film solar cell with finger pattern | |
| US5259891A (en) | Integrated type solar battery | |
| KR970005153B1 (ko) | 반도체소자및그제조방법및그제조장치 | |
| US20140349441A1 (en) | Solar cell with metal grid fabricated by electroplating | |
| JP2939075B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| US20080121264A1 (en) | Thin film solar module and method of fabricating the same | |
| KR100334595B1 (ko) | 광기전력소자의제조방법 | |
| EP0186351A2 (en) | Method of making current collector grid and materials therefor | |
| CN101447518A (zh) | 一种背点接触异质结太阳能电池及其制造方法 | |
| US20130125974A1 (en) | Solar cell with metal grid fabricated by electroplating | |
| JP2014103259A (ja) | 太陽電池、太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
| JP6300712B2 (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
| JP2786600B2 (ja) | 薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| WO2018176182A1 (zh) | 一种n型ibc太阳能电池拼片连接的电池串及其制备方法、组件和系统 | |
| JP2000150944A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP3243232B2 (ja) | 薄膜太陽電池モジュール | |
| JP2000058888A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| CN111834470A (zh) | 一种交叉网状电接触的背接触异质结电池及组件制作方法 | |
| US9391215B2 (en) | Device for generating photovoltaic power and method for manufacturing same | |
| JPH1065198A (ja) | 直角三角形型太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| CN201323204Y (zh) | 一种背点接触异质结太阳能电池 | |
| EP4213226A1 (en) | Solar cell and manufacturing method therefor | |
| JPH1051018A (ja) | 太陽電池モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980428 |