JPH02256280A - 非晶質光起電力装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は非晶質光起電力装置及びその製造方法に関し
、特に非晶質光起電力装置の裏面電極に関する。

〔従来の技術〕

非晶質光起電力装置の裏面電極は、従来より金属の蒸着
の他、導電性ペーストの印刷、焼成によっても形成され
ていた。この導電性ペーストは金属粉末をバインダーと
してのフェノール樹脂やエポキシ樹脂などに混練させた
ものである。

導電性ペーストを用いて電極を形成した先願としては、
次の出願がある。すなわち、特開昭６１１９９６７３号
公報は導電性ペースト、特にニッケル粉末からなるニッ
ケルペーストによって電極を形成し、そのペースト中の
樹脂をニッケルなどの導電物質が非晶質中に拡散するの
を防ぐ障壁として用いる技術を開示している。また、特
開昭６３−２１３９７５号公報は電極として銅又は銅化
合物を含有するペーストを用いた技術を開示し、バイン
ダがエポキシ樹脂であることを明示している。更に、特
開昭６３−１９４３７２号公報は裏面電極層が導電性ペ
ーストの印刷、焼成によりなり、該裏面電極層と非晶質
半導体層の間に微結晶半導体層を介在させる技術を開示
している。

〔発明が解決しようとする課Ｂ］ 非晶質光起電力装置の裏面電極を金属を蒸着させて形成
する方法では非晶質半導体層と良好な導電性が得られる
が、上述の公報にも記載するように、裏面電極の金属が
非晶質中に拡散して透明電極との間で電気的に短絡した
り、酸化・還元反応が生じて接触抵抗が増大するなど、
電気的特性が劣化するという問題があった。しかも、蒸
着装置は高価であり、また生産性が悪いため、製品コス
トが高く付くという問題もあった。

一方、導電性ペーストは印刷や塗布などの手法を用いる
ことができ、装置コストは安く、また生産性が高いため
、製品コストが安くなるメリットがある。しかし、導電
性ペーストのバインダとして用いられているフェノール
やエポキシなどの樹脂は絶縁材料であるため、樹脂中に
混練させた金属粉末の粒子間やあるいは非晶質半導体層
と裏面電極との間に薄い絶縁皮膜が形成され、充分な導
電性が得られなかった。導電性の劣る裏面電極であって
も、屋内などで用いられる起電力量の低い非晶質光起電
力装置にあっては何ら問題はないが、高照度下で用いら
れる起電力量の高い装置にあっては裏面電極が抵抗体と
して作用し、出力を低下させるという問題があった。

そこで、本発明者等は導電性ペーストの特長を生かしつ
つ扁照度下で使用し得る非晶質光起電力装置を得ること
を目的に鋭意研究を重ねた結果、本発明に至ったのであ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る非晶質光起電力装置の要旨とするところは
、透光性基板上に透明電極層、非晶質半導体層から成る
光電変換層及び裏面電極層を順次積層して成る非晶質光
起電力装置において、前記裏面電極層が、導電性高分子
材料に金属粉末又は炭素粉末のいずれか一方又は双方を
混練して成る導電性ペーストにより構成されたことにあ
る。

また、この非晶質光起電力装置において、特に導電性高
分子材料が、ポリ−Ｐ−フェニレンスルフィド、ポリア
セチレン、ポリ−Ｐ−フェニレンビニレン等の導電性高
分子に少なくとも五フッ化砒素ＡｓＦ５をドーパント濃
度１〜５％の範囲でドープされたことにある。

更に、本発明に係る非晶質光起電力装置において、導電
性ペーストの金属粉末が、非晶質半導体とオーミック接
合し得る金属を用いたことにあり、特に、ｓｉｔ性ペー
ストの金属粉末が平均粒径０９０５〜５μｍ、の銅Ｃｕ
、ニッケルＮｉ、クロムＣｒ、モリブデンＮｏのいずれ
かであり、炭素粉末が平均粒径０゜０５〜５μｍである
ことを特徴とするものである。

また、この非晶質光起電力装置において、導電性ペース
トの金属粉末が、非晶質半導体又は透明電極構成物質の
酸化物生成標準エネルギーより０〜２００℃の温度範囲
で、酸化物生成標準エネルギーが大きい金属粉末である
ことを特徴とするものである。

更に、非晶質光起電力装置の裏面電極層が、導電性高分
子材料のみから成る導電性ペーストにて構成したことに
ある。

また、かかる非晶質光起電力装置の製造方法の要旨とす
るところは、透光性基板上に透明電極層、非晶質半導体
層から成る光電変換層及び裏面電極層を順次積層して成
る非晶質光起電力装置の製造方法において、導電性高分
子材料に金属粉末又は炭素粉末のいずれか一方又は双方
を混練させて成る導電性ペーストを所定のパターンに被
着させて裏面電極層を形成する工程と、前記裏面電極層
が形成された工程品に熱処理を施す工程とを含むことに
ある。

〔作　用〕

かかる本発明の非晶質光起電力装置によれば、その裏面
電極層が導電性高分子材料に金属粉末又は炭素粉末のい
ずれか一方又は双方が混練させられて作られた導電性ペ
ーストによって形成される。

導電性高分子材料はそれ自体導電性を有しており、金属
粉末あるいは炭素粉末の粒子を結合するバインダーとし
て、あるいは裏面電極層と非晶質半導体層とを結合する
バインダーとして機能するとともに、その導電性高分子
材料は導電体としても機能することとなる。

したがって、非晶質半導体層にて発生させられた電流は
、非晶質半導体層と直接接触させられている金属粉末あ
るいは炭素粉末を介して伝達させられるだけでなく、導
電性高分子材料を介しても伝達させられる。故に、非晶
質光起電力装置が高照度下で用いられ、発生させられる
起電力量が大きい場合であっても、裏面電極層は電気的
に良導体として、ａ能して抵抗体として機能することは
ないため、非晶質光起電力装置の出力が低下させられる
ことはない。

このような導電性高分子材料として、特に五フフ化砒素
にてドープしたポリ−ｐ−フェニレンスルフィド、ポリ
アセチレン、ポリ−ｐ−フェニレンビニレンなどは導電
率が高く、好ましい。

また、導電性高分子材料に混練させる金属粉末は非晶質
半導体とオーミック接合し得る金属であることが好まし
く、また非晶質半導体とオーミック接合し得る炭素粉末
であっても良い。

金属粉末や炭素粉末の平均粒径が０．０５〜５μｍであ
ると、非晶質半導体層を粒子が破壊して透明電極層と裏
面電極層とを短絡させることがなく、リーク電流のない
出力特性が劣化しない非晶質光起電力装置を得ることが
できる。しかも、滑らかで均一な裏面電極層を形成する
ことが可能となるとともに、電気的に良導体を構成する
ことができる。特に、金属粉末として銅Ｃｕｓニッケル
Ｎｉ、クロムＣｒ、モリブデンＭｏのいずれかを選定し
て、あるいは炭素粉末としてグラファイト又はカーボン
ブラックを選定し、これらのうち１以上を導電性高分子
材料に混練させた導電性ペーストによって裏面電極層を
形成した後、必要に応じて熱処理が施される。これによ
り、導電性高分子材料中に混練させられた金属粉末又は
炭素粉末と非晶質半導体層とがオーミック接合させられ
る。

導電性高分子材料に混練させる金属粉末として、非晶質
半導体又は透明電極構成物質、たとえばシリコンＳｉ１
スズＳｎ、インジウムＩｎの酸化物生成標準エネルギー
より０〜２００℃の温度範囲で、酸化物生成標準エネル
ギーの大きい金属粉末、たとえばニッケルＮｉ粉末を選
定することが好ましい。これにより、非晶質半導体層と
裏面電極層との接触境界部、及び透明電極層と裏面電極
層との接触境界部において、絶縁性の高い酸化皮膜が金
属粉末に生成するのを防止することができる。したがっ
て、酸化物の生成がなく、それに伴う抵抗の増大もない
ため、非晶質光起電力装置の特性が劣化させられること
はない。

更に、裏面電極層を導電性高分子材料のみによって形成
しても良い、この場合、導電率の高い導電性高分子材料
が選定されることが好ましい。また、裏面電極層中に金
属を含んでいないため、金属分子が非晶質半導体層中に
拡散して透明電極層と短絡することがなく、劣化の少な
い非晶質光起電力装置を得ることができる。

〔実施例〕

次に、本発明に係る非晶質光起電力装置及びその製造方
法の実施例を図面を参照しつつ、詳しく説明する。なお
、図面は説明のため、適宜拡大して示す。

第１図において、符号１０は絶縁材料にて構成された透
光性基板であり、その透光性基板１０はガラス板や樹脂
板などの剛性基板やあるいは樹脂フィルムなどの可撓性
基板が用いられる。透光性基板１０の上には透明電極層
１２がスパッター法などにより被着させられる。透明電
極層１２にはＩＴＯ，５ｎＯｚ＋　ＩＴＯ／５ｎＯｔな
どが用いられ、透明電極層１２はフォトエツチング法、
レーザースクライブ法あるいはマスク法などにより、複
数に分割された所定のパターンに成形される。

所定のパターンに成形された複数の透明電極層１２の上
には、非晶質半導体１１１４がイオンブレーティング法
、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリン
グ法などにより被着される。

非晶質半導体層中４はたとえば、アモルファスシリコン
ａ−Ｓｔ、　水素化アモルファスシリコンａ−５ｉ：ｆ
ｌｌ水素化７ルルフアスシリコンカーバイドａ５ｔＣ：
Ｉ（。

アモルファスシリコンナイトライドなどの非晶質からな
るものの他、微結晶を含み、またシリコンＳｉと炭素Ｃ
、ゲルマニウムＧｅ、スズＳｎなど他の元素との合金か
らなるアモルファスシリコン系半導体を、ｐｉｎ型、　
ｐｎ型、　ＭＩＳ型、ヘテロ接合型、ホモ接合型、ショ
ットキーバリアー型あるいはこれらを組み合わせた型な
どに堆積させたものである。

更に、本発明に用いられる非晶質半導体層１４は、アモ
ルファスシリコン系半導体に限定されるものではなく、
たとえば■〜Ｖ族化合物半導体や■−■族化合物半導体
、その他の無機化合物半導体、有機半導体であっても良
い。被着させられた非晶質半導体１１１４は、所定のパ
ターンに成形された複数の透明電極層１２に対応させて
、レーザースクライブ法などによって所定のパターンに
成形され、複数の光電変換層（１４）が形成される。

非晶質半導体層（光電変換層）１４の上には、透明電極
ＪＷ１２及び非晶質半導体層１４に対応した位置に裏面
電極層１６が形成され、複数に分割された透明電極Ｎ１
２と非晶質半導体層１４に対して相隣合う透明電極層１
２と裏面電極層１６とが直列に接続される。裏面電極層
１６はぐパターン化された非晶質半導体ＪｉＪ１４の上
の所定の位置に、所定のパターン形状に成形されたスク
リーンやあるいはマスクをあてがって、スクリーン印刷
あるいは塗布などの手法で導電性ペーストが付与された
後、乾燥固化されて形成される。

導電性ペーストはバインダーとして導電性高分子材料が
用いられ、その導電性高分子材料に金属粉末あるいは炭
素粉末のいずれか一方又は双方を混練させて作られる。

なお、導電性高分子材料は炭素Ｃ５水素Ｈ１窒素Ｎ、い
おうＳなどの非金属元素で構成されていて、合成又は変
性された物質である。

導電性高分子材料の具体例としては、ポリ−ρ−フエニ
レンスルフィド、ポリアセチレン、ポリｐ−フェニレン
ビニレンなどの導電性高分子にドーパントとして五フッ
化砒素ＡｓＦ５やあるいは五フン化砒素ＡｓＦ５とハロ
ゲンなどをドーピング濃度１〜５％の範囲でドープした
ものが好ましい。

導電性高分子としては、その他ポリジベンゾチオフェン
スルフィド、ポリピロール、ポリチェニレン、ポリフラ
ン、ポリベリナフチレン、グラファイトウィスカー、ポ
リチアジル、ポリジアセチレン、ポリイン、ポリメタル
イン、ポリ−１，６〜ヘフ゛タジイン、ポリ−ｐ−フェ
ニレン、ポリ−２，６〜ナフチレン、ポリキノリン、ポ
リカルバゾール、ポリピリジン、テトラシアノキノジメ
タン、テトラチアフルバレン、テトラメチルテトラセレ
ナフルバレン、ビスエチレンジチアテトラチアフルバレ
ン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ−ｐ−フェニ
レンサルファイド、ポリベンゼン、ポリアントラセン、
ポリナフタレン、ポリピロール、ポリアクリルカルホゾ
イル、ポリアセンキノン、ボリビスメ子しンヒドロキノ
ン、ポリピリジルメチルキノリン、ポリトリメチルシリ
ルアセチレン、ポリエチレンサクシネート、ポリエチレ
ンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリビニル
アセテート、ポリフタロニトリル、フタロシアニン／ケ
ブラー、ナフタロシアニン／フルオロガリウム、ナフタ
ロシアニン／フルオロガリウム、ポリフォスフアジン、
カルポラニルメチル置換フォスフアジン、ポリ−ｐ−プ
ロピルアジリゾイン、ポリジメチルフェニレンオキサイ
ドなどが知られており、いずれも使用し得るものである
。これらの内、特に導電率の高い高分子、すなわち導電
率が１×１０　’　（Ｓ／ｃｎ＋）以上のものが特に好
ましい。

導電性高分子材料がその物質自体で良好な導電率を示す
場合は金属粉末や炭素粉末を混練させる必要はなく、そ
の導電性高分子材料のみで裏面電極を形成させることも
可能である。一方、導電性高分子材料の導電率が劣って
いる場合や一層優れた導電率を得る場合には、導電性高
分子材料の中に金属粉末や炭素粉末が混練される。

金属粉末としては導電率の優れた金属から成るものが好
ましく、特に非晶質半導体層１４の非晶質半導体物質と
オーミック接合し易い金属が好ましい、具体的にはアモ
ルファスシリコン系半導体物質とオーミック接合し易い
銅Ｃｕ、ニッケルＮｉ、クロムＣｒ、モリブデンＭｏ、
チタンＴｉなどやこれらの合金が挙げられる。一方、炭
素粉末としてはグラファイトやカーボンブラックなどの
電気的に良導体のものが用いられ、これら炭素粉末はア
モルファスシリコン系半導体物質とオーミック接合し易
い物質である。アモルファスシリコンは構造上、点欠陥
が結晶に比べて多いため、金属や炭素との相互拡散係数
が大きく、比較的低温でも容易に金属や炭素と合金化が
起こり、オーミック接合し易い特長がある。

そこで、導電性高分子材料中に金属粉末又は炭素粉末の
いずれか一方又は双方を混練させて成る導電性ペースト
をスクリーンあるいはマスクを用いて非晶質半導体層１
４の上に所定のパターンに印刷あるいは塗布して裏面電
極７１１６を形成した後、比較的低温で熱処理が施され
、裏面電極層１６中の金属粉末あるいは炭素粉末と非晶
質半導体Ｊｌｉ１４とがオーミック接合させられるのが
好ましい。なお、必ずしも熱処理を施してオーミック接
合させる必要はなく、金属粉末又は炭素粉末と非晶質半
導体層との接触や、導電性高分子材料と非晶質半導体層
との接触によって、非晶質半導体層（光電変換層）にて
発生させられた電流は裏面電°極層に良好に伝達される
。

また、導電性高分子材料中に混練させられる金属粉末あ
るいは炭素粉末の平均粒径は約５０１Ｉｍ以下、特に０
．０５〜５μｍであることが好ましく、形状は球状のも
のが特に好ましい、金属粉末などの平均粒径が小さい程
、その金属粉末などによって非晶質半導体層が破壊され
て相対向する透明電極層と裏面電極層とが短絡すること
はなく、電極間にリーク電流が流れることはない、した
がって、出力特性の安定した非晶質光起電力装置を得る
ことができる。また、平均粒径の小さい金属粉末や炭素
粉末を用いると、滑らかで均一な裏面電極層を形成する
ことができ、しかも金属粉末などを密に混練させること
ができるため、堅牢で且つ電気的に優れた良導体を構成
することができる。

更に、導電性高分子材料中に混練させられる金属粉末と
して、“非晶質半導体たとえばシリコンＳｔ、又は透明
電極構成物質たとえばスズＳｎ、インジウムＩｎの酸化
物生成標準エネルギーよりＯ〜２００　”Ｃの温度範囲
で、酸化物生成標準エネルギーが大きい金属粉末が用い
られるのがより好ましい。このような金属としてニッケ
ルＮｉを挙げることができる。導電性高分子材料中に混
練させられる金属粉末の酸化物生成標準エネルギーが、
非晶質半導体及び／又は透明電極構成物質のそれよりも
大きい場合は、裏面電極層が非晶質半導体層及び透明電
極層のそれぞれと接触させられる境界面においても、金
属粉末の表面に酸化皮膜が形成されることがない、酸化
皮膜は絶縁抵抗が高く、非晶質光起電力装置の出力特性
を劣化させる要因となるものである。したがって、裏面
電極層を構成する導電性高分子材料中に混練させられる
金属粉末は、その酸化物生成標準エネルギーが非晶質半
導体装置／又は透明電極構成物質のそれよりも大きい材
質が選定されることが好ましい。

以上、本発明の実施例を詳述したが、本発明はその他の
態様でも実施することが可能である。たとえば、非晶質
光起電力装置は単一の光電変換層から成るものであって
も良く、また複数に分割された光電変換層を備えるもの
である場合であっても、その光電変換層を直列あるいは
並列に集積する方法又は形態は何ら限定されるものでは
ない。

その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲内で、当業
者の知識に基づき種々なる変形、修正、改良を加えたＢ
様で実施し得るものである。

尖施±−１ 透光性基板としてガラス板を使用し、そのガラス基板上
に透明電極として５ｎＯｚをスパンターにより４５００
人被着人被た後、１６直列セルにエツチングでパターン
化した。透明電極の上にグロー放電によってアモルファ
スシリコンをｐＨ，ｉＮ、ｎＮの順にそれぞれ２００人
、　４０００人、３００人被着きせ、その後得られたア
モルファスシリコン半導体層をレーザースクライブ法に
よりＩ６直列セルに分割した。

裏面電極を形成するための導電性ペーストは次のように
して得た。導電性高分子ポリ−ｐ−フェニレンスルフィ
Ｆ（ＰＰＳ）にン容剤としてジメチルホルムアミド ドーパントとして五フン化砒素Ａｓｈｓを樹脂部に対し
て３％重量加えた。得られた導電性高分子材料に、平均
粒径１μｍのニッケル粉末を樹脂部に対して７０％重吋
加えた後、三木ロールで混合して粘度を１００ｐｏｉｓ
ｅに調整した。得られた導電性ペーストを上記アモルフ
ァスシリコン半導体層の上に所定の電極パターンにスク
リーン印刷した後、１５０℃、３０分で硬化させ、裏面
電極を形成した。

裏面電極の膜厚は約２０７ｚｍであった。得られた非晶
質光起電力装置について、裏面電極中のニッケルとアモ
ルファスシリコン半導体層の充分なオーミック接合を得
るため、さらに２　０　０　’Ｃ、３０分の条件で熱処
理を行った。

得られた非晶質光起電力装置について、ソーラーシュミ
レータＡ　Ｍ　　Ｉ　（１００ｍＷ／ｃｍ’）で性能試
験を行った。短絡電流はｌｓｃ・１６ｍ＾、解放電圧は
Ｖｏｃ＝１、４．２Ｖであった。結果を第２図に示す。

比較±−± 比較のため、実施例１と同様の条件でガラス基板に透明
電極層とアモルファスシリコン半導体層とを積層したも
のを用い、裏面電極層としてアルミニウムＡ１を奈着さ
せた。

得られた非晶質光起電力装置について、実施例１と同様
の条件で性能試験を行った。短絡電流はＴｓｃ＝１６ｍ
Ａ、解放電圧はＶｏｃ＝１４．２Ｖであり、実施例１と
同じ結果であった。ただし、第２図に示すように、フィ
ルファクター（ＦＦ）は比較例１の方がわずかに優れて
いた。

ル較皿ー茎 比較のため、実施例１と同様の条件でガラス基板に透明
電極層とアモルファスシリコン半導体層とを積層したも
のを用い、裏面電極層は従来の導電性ペーストを用いて
形成した。すなわち、導電性ペーストはエポキシ樹脂に
溶剤としてセラソルブアセテートを１０％入れて′ａ．
状にし、その中に平均粒径１μｍのニッケル粉末を樹脂
部に対して７０％重量加え、三本ロールで混練して得た
。得られた導電性ペーストをスクリーン印刷して裏面電
極を形成した。

得られた非晶質光起電力装置について、実施例１と同様
の条件で性能試験を行った。短絡電流はＩｓｃ＝１，４
ｍＡ，解放電圧は１１０ｃ＝１４．０Ｖであり、実施例
１より低い値であった。電気的特性の結果を第２図に示
すように、フィルファクター（ＦＦ）は実施例１よりは
るかに劣っていた。

Ｃ発明の効果〕 かかる本発明は非晶質光起電力装置の裏面電極層を、Ｒ
電性高分子材料又はそれに金属粉末あるいは炭素粉末を
混練させた導電性ペーストにて構成しているため、非晶
質半導体層により発生させられた電．流は金属粉末ある
いは炭素粉末によって伝達されるだけでなく、バインダ
ーである導電性高分子材料によっても伝達される。した
がって、非晶質光起電力装置の出力は従来の絶縁性の樹
脂によって得られたものと比較して、はるかに高い値を
得ることができる。

しかも、金属の蒸着と異なり、スクリーン印刷や塗布な
どの手法にて裏面電極層を形成することができ、装置が
安価で、且つ作業性・生産性が優れているため、−層安
価な非晶質光起電力装置を提供することが可能となる。

また、金属粉末として非晶質半導体とオーミック接合し
得るものを選定することにより、さらに電気的特性を改
善することができる。

更に、金属粉末として非晶質半導体又は透明電極構成物
質の酸化物生成標準エネルギーより大きい物質を選定す
ることにより、裏面電極層と非晶質半導体層との接触境
界部、あるいは裏面電極と透明電極層との接触境界部に
酸化皮膜が生成されるのを防止することができ、酸化皮
膜の絶縁抵抗による電気的特性の劣化を防ぐことができ
る等、本発明は優れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る非晶質光起電力装置及びその製造
方法を説明するための説明図であり、第２図は本発明及
び従来技術に係る非晶質光起電力装置の電気的特性を示
す図である。 ｌＯ；透光性基板 １２；透明電極層 １４；非晶質半導体７１（光電変換層）１６；裏面電極
層 特許出願人　鐘淵化学工業株式会社

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性基板上に透明電極層、非晶質半導体層から
   成る光電変換層及び裏面電極層を順次積層して成る非晶
   質光起電力装置において、前記裏面電極層が、導電性高
   分子材料に金属粉末又は炭素粉末のいずれか一方又は双
   方を混練して成る導電性ペーストにより構成されたこと
   を特徴とする非晶質光起電力装置。
2. （２）請求項第１項に記載する導電性高分子材料が、ポ
   リ−Ｐ−フェニレンスルフィド、ポリアセチレン、ポリ
   −Ｐ−フェニレンビニレン等の導電性高分子に少なくと
   も五フッ化砒素ＡｓＦ＿５をドーパント濃度１〜５％の
   範囲でドープしたものであることを特徴とする非晶質光
   起電力装置。
3. （３）前記導電性ペーストの金属粉末が、非晶質半導体
   とオーミック接合し得る金属から成ることを特徴とする
   請求項第１項又は第２項に記載の非晶質光起電力装置。
4. （４）前記導電性ペーストの金属粉末が平均粒径０．０
   ５〜５μｍの銅Ｃｕ、ニッケルＮｉ、クロムＣｒ、モリ
   ブデンＭｏのいずれかであり、炭素粉末が平均粒径０．
   ０５〜５μｍであることを特徴とする請求項第１項乃至
   第３項のいずれかに記載する非晶質光起電力装置。
5. （５）前記導電性ペーストの金属粉末が、非晶質半導体
   又は透明電極構成物質の酸化物生成標準エネルギーより
   ０〜２００℃の温度範囲で、酸化物生成標準エネルギー
   が大きい金属粉末であることを特徴とする請求項第１項
   乃至第４項のいずれかに記載の非晶質光起電力装置。
6. （６）前記裏面電極層が、導電性高分子材料のみから成
   る導電性ペーストにて構成したことを特徴とする非晶質
   光起電力装置。
7. （７）透光性基板上に透明電極層、非晶質半導体層から
   成る光電変換層及び裏面電極層を順次積層して成る非晶
   質光起電力装置の製造方法において、導電性高分子材料
   に金属粉末又は炭素粉末のいずれか一方又は双方を混練
   させて成る導電性ペーストを所定のパターンに被着させ
   て裏面電極層を形成する工程と、前記裏面電極層が形成
   された工程品に熱処理を施す工程とを含むことを特徴と
   する非晶質光起電力装置の製造方法。