JPS59208789A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPS59208789A JPS59208789A JP58081745A JP8174583A JPS59208789A JP S59208789 A JPS59208789 A JP S59208789A JP 58081745 A JP58081745 A JP 58081745A JP 8174583 A JP8174583 A JP 8174583A JP S59208789 A JPS59208789 A JP S59208789A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池の改良に関し、特に金属電極材料の改
良に関するものである。
良に関するものである。
従来のアモルファスシリコンを用いた六ｍ Ｎ 池は、
例えはセラミックやガラス等の絶縁基板上ニスバッタ蒸
着、電子ビーム蒸着等によって、ＭＯ。
例えはセラミックやガラス等の絶縁基板上ニスバッタ蒸
着、電子ビーム蒸着等によって、ＭＯ。
Ｎｊ−、ｌφｘ１．Ｗ、Ｃｒ等の金属薄膜を形成し、そ
れを下部金属電極とし、この下部金属電極上に例えは減
圧プラズマ装置によってモノシラン等ヲ主原別としてＴ
）ｉｎ構造のアモルファスシリコン層ヲ成膜する。つい
で、例えば電子ビーム蒸着によりインジウム−スズの酸
化物などの透明導電膜を形成し、その上にマスクを用い
て例えばアルミニウム、銀等を電子ビーム蒸着法等によ
り蒸着した上部金属電極を設けて構成されている。
れを下部金属電極とし、この下部金属電極上に例えは減
圧プラズマ装置によってモノシラン等ヲ主原別としてＴ
）ｉｎ構造のアモルファスシリコン層ヲ成膜する。つい
で、例えば電子ビーム蒸着によりインジウム−スズの酸
化物などの透明導電膜を形成し、その上にマスクを用い
て例えばアルミニウム、銀等を電子ビーム蒸着法等によ
り蒸着した上部金属電極を設けて構成されている。
ここで金属電極として必要な条件は、
■ 基板、アモル７アヌシリコン層及び透明導電膜との
接着強度が大であること ■ アモルファスシリコン層、及び透明導電膜との間で
電気的バリアを形成することなく、いわゆるオーミック
性が良好であること ■ 薄膜であっても抵抗値の小さいこと（特に１０口角
程度の大面積セルの場合） があげられる。そしてこれらの条件が太陽電池製造の歩
留りや効率に大きく影響している。
接着強度が大であること ■ アモルファスシリコン層、及び透明導電膜との間で
電気的バリアを形成することなく、いわゆるオーミック
性が良好であること ■ 薄膜であっても抵抗値の小さいこと（特に１０口角
程度の大面積セルの場合） があげられる。そしてこれらの条件が太陽電池製造の歩
留りや効率に大きく影響している。
従来の金属電極材料としては、一般にステンレスが用い
られてきだ。ステンレスの場合、上記条件■のオーミッ
ク性はＨ２プラズマ前処理を実施することによってほぼ
満足するが、■の抵抗値は大きく、■の接着強度につい
ても満足できるものではなかった。特にアモルファスシ
リコンの９層は下部金ノトハとの接着力が弱く、ステン
レスを基板とした場合、ドーピング濃度、基板温度等の
作成条件によっては剥離することがしばしはあり、ショ
ート、歩留り不良の原因となっていた。他のＣｒ。
られてきだ。ステンレスの場合、上記条件■のオーミッ
ク性はＨ２プラズマ前処理を実施することによってほぼ
満足するが、■の抵抗値は大きく、■の接着強度につい
ても満足できるものではなかった。特にアモルファスシ
リコンの９層は下部金ノトハとの接着力が弱く、ステン
レスを基板とした場合、ドーピング濃度、基板温度等の
作成条件によっては剥離することがしばしはあり、ショ
ート、歩留り不良の原因となっていた。他のＣｒ。
Ｎｉ、ｌψ、）についてもステンレスと同様であった。
′またＡ、ｕ■・Ａｇは接着強度が非常に弱く単独で使
用することができないという欠点があった。このだめ金
属’Ｉ！ｌｆｉを多層にすることも提案されているが、
金属界面の接Ｍ性や蒸着工程が増えるなどの欠点があっ
た。。
用することができないという欠点があった。このだめ金
属’Ｉ！ｌｆｉを多層にすることも提案されているが、
金属界面の接Ｍ性や蒸着工程が増えるなどの欠点があっ
た。。
本発明の目的は、上述した金属電極として必要な条件を
満足することによって、アモルファス太陽電池製造の歩
留り及び効率を向上させることにある。
満足することによって、アモルファス太陽電池製造の歩
留り及び効率を向上させることにある。
本発明者等は、各種金属材料を種々試験を行ない、これ
らの中で′ＦｉとＡｇの合金を用いたものが、上記条件
を十分満たすものであることを知見するに至った。
らの中で′ＦｉとＡｇの合金を用いたものが、上記条件
を十分満たすものであることを知見するに至った。
以下本発明について詳細に説明する。
第１図は、本発明によるｐｉｎ型アモルファスシリコン
太陽電池の一実施例を示す断面図である。
太陽電池の一実施例を示す断面図である。
ガラスセラミック等の絶縁基板１上に、下部金属電極２
、ｐ層ｉ層ｎ層の三層からなるアモルファスシリコン層
３、透明導電膜４を重畳形成し、その上に櫛型、網目型
又は短冊型の上部金属電極５が設けられている。ここで
下部金属電極２は例えば真空蒸着法やスパッタ法によっ
て基板上にＴｉと絽の合金膜を形成して成る。 Ｔｊ−
と−Ａｇの合金は絽が５〜９５％の範囲のものを用いる
。Ａｇの割合が多くなれば、光の下面での反射率が大き
くなり、光電流が増加するが、接着力の問題もあり上記
範囲のものが適用である。
、ｐ層ｉ層ｎ層の三層からなるアモルファスシリコン層
３、透明導電膜４を重畳形成し、その上に櫛型、網目型
又は短冊型の上部金属電極５が設けられている。ここで
下部金属電極２は例えば真空蒸着法やスパッタ法によっ
て基板上にＴｉと絽の合金膜を形成して成る。 Ｔｊ−
と−Ａｇの合金は絽が５〜９５％の範囲のものを用いる
。Ａｇの割合が多くなれば、光の下面での反射率が大き
くなり、光電流が増加するが、接着力の問題もあり上記
範囲のものが適用である。
第２図は、第１図の本発明一実施例による太陽電池の出
力特性を示す電流−電圧線図である。第２図中、曲線Ａ
はステンレス合金（ＳＯ３３０４）を用いた場合であり
、曲線ＢはＴｉとＡｇを９＝１の割合で合金としたもの
を用いた場合を示している。
力特性を示す電流−電圧線図である。第２図中、曲線Ａ
はステンレス合金（ＳＯ３３０４）を用いた場合であり
、曲線ＢはＴｉとＡｇを９＝１の割合で合金としたもの
を用いた場合を示している。
第２図で明らかなように、Ｔｉと紹の合金を金属電極と
した場合、太陽電池の特性が大幅に改善された。ＡＭ
−１（１００ｍｗ ／ ｃｙｔ” ） Ｃ＋光照射下−
？’短絡電流、開放電圧が増加し、曲線因子（Ｆ、Ｆ）
もＳ［ＪＳ ３０４の０．５４６に比べ０．６９３と飛
躍的に向上し７′ζ０ １だアモルファスシリコンｐ層との接Ｍ 力カ強くなり
、１０ｃｔｎ角の基板上に１（１）２のセルを多数作り
Ｑして比較した所、ステンレスの場合、７６％の歩留り
であったが、Ｔ１と絽の合金の場合９３％と大幅な歩留
りの向上が達成された。
した場合、太陽電池の特性が大幅に改善された。ＡＭ
−１（１００ｍｗ ／ ｃｙｔ” ） Ｃ＋光照射下−
？’短絡電流、開放電圧が増加し、曲線因子（Ｆ、Ｆ）
もＳ［ＪＳ ３０４の０．５４６に比べ０．６９３と飛
躍的に向上し７′ζ０ １だアモルファスシリコンｐ層との接Ｍ 力カ強くなり
、１０ｃｔｎ角の基板上に１（１）２のセルを多数作り
Ｑして比較した所、ステンレスの場合、７６％の歩留り
であったが、Ｔ１と絽の合金の場合９３％と大幅な歩留
りの向上が達成された。
これは、Ｔ１が基板及びアモルファスシリコン層との接
着強度が大きいためにクラックや剥離という問題を解消
するとともにＡｇのオーミック性及び抵抗値の良好な特
性をあわせもつ金属電極が形成されたためであり、合金
とすることにより両者の特性がいかされるからである。
着強度が大きいためにクラックや剥離という問題を解消
するとともにＡｇのオーミック性及び抵抗値の良好な特
性をあわせもつ金属電極が形成されたためであり、合金
とすることにより両者の特性がいかされるからである。
な訃上記実施例では、下部金属電極に対し、Ｔ１とＡｒ
ｘ、の合金を適用した場合及び絶縁基板上に電極を形成
したものについて述べたが、上部金属電極に対して゛」
ｉとＡｇの合金を用いたり、ＴｉとＡｇの合金を基板と
してこれを電極として用いた場合も同様の効果を得るこ
とができる。
ｘ、の合金を適用した場合及び絶縁基板上に電極を形成
したものについて述べたが、上部金属電極に対して゛」
ｉとＡｇの合金を用いたり、ＴｉとＡｇの合金を基板と
してこれを電極として用いた場合も同様の効果を得るこ
とができる。
本発明は以上のように構成されるから、接着強投が大き
く、オーミック性、抵抗値特性が良好でちり電極として
必要な全ての条件を満足する金属電極を得ることができ
る。
く、オーミック性、抵抗値特性が良好でちり電極として
必要な全ての条件を満足する金属電極を得ることができ
る。
また太陽電池の特性も大幅に改善され、歩留りも向上す
る効果を有する。
る効果を有する。
第１図は本発明による太陽電池の一実施例を示す断面図
、第２図は、第１図による太陽電池の出力特性を示す電
流−電圧線図である。 １・絶縁基板 ２・・・下部金属電極３・・アモ
ルファスシリコン層 ４・・・透明導電膜 ５・・・上部金属電極Ａ・・
・ステンレス合金（ＳＵＳ ３０４ ） ＠： 用いり
場合の特性曲線 Ｂ・・Ｔ１と鳩の合金を用いた場合の特性曲線特許出願
人 」技術院長川田裕部
、第２図は、第１図による太陽電池の出力特性を示す電
流−電圧線図である。 １・絶縁基板 ２・・・下部金属電極３・・アモ
ルファスシリコン層 ４・・・透明導電膜 ５・・・上部金属電極Ａ・・
・ステンレス合金（ＳＵＳ ３０４ ） ＠： 用いり
場合の特性曲線 Ｂ・・Ｔ１と鳩の合金を用いた場合の特性曲線特許出願
人 」技術院長川田裕部
Claims (1)
- 下部金属電極、アモルファスシリコン層、透明導電膜お
よび上部金属電極を重畳形成して成る太陽電池において
、前記上部金属電極および／または下部金属電極がＴｉ
とＡｇの合金で形成されたことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58081745A JPS59208789A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58081745A JPS59208789A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208789A true JPS59208789A (ja) | 1984-11-27 |
Family
ID=13754970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58081745A Pending JPS59208789A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208789A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01310578A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| WO2004066354A3 (en) * | 2003-01-16 | 2004-09-10 | Target Technology Co Llc | Photo-voltaic cells including solar cells incorporating silver-alloy reflective and/or transparent conductive surfaces |
| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7645500B2 (en) | 2003-04-18 | 2010-01-12 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| JP2016143855A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | シャープ株式会社 | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
| WO2017043522A1 (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839072A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質光半導体装置 |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58081745A patent/JPS59208789A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839072A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質光半導体装置 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01310578A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| US7384677B2 (en) | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7291374B2 (en) | 1998-06-22 | 2007-11-06 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314660B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| WO2004066354A3 (en) * | 2003-01-16 | 2004-09-10 | Target Technology Co Llc | Photo-voltaic cells including solar cells incorporating silver-alloy reflective and/or transparent conductive surfaces |
| US7645500B2 (en) | 2003-04-18 | 2010-01-12 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| JP2016143855A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | シャープ株式会社 | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
| WO2016125627A1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | シャープ株式会社 | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
| WO2017043522A1 (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
| CN107924957A (zh) * | 2015-09-09 | 2018-04-17 | 夏普株式会社 | 太阳能电池及太阳能电池的制造方法 |
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