JPS59147469A - 非晶質シリコン太陽電池 - Google Patents
非晶質シリコン太陽電池Info
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- JPS59147469A JPS59147469A JP58021495A JP2149583A JPS59147469A JP S59147469 A JPS59147469 A JP S59147469A JP 58021495 A JP58021495 A JP 58021495A JP 2149583 A JP2149583 A JP 2149583A JP S59147469 A JPS59147469 A JP S59147469A
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Classifications
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は非晶質シリコン太陽電池特に外部光入射面と反
対向面側に位置する電極の電極構造に関するものである
。
対向面側に位置する電極の電極構造に関するものである
。
近年、新しいエネルギー源として太陽電池への関心が高
まっており、その中でも特に非晶質シリコンを用いた太
陽電池に大きな期待が寄せられている。これは太陽光エ
ネルギーが無公害で枯渇する心配がないこと、また従来
の太陽電池、例えば単結晶シリコンからなる太陽電池が
極めて高価で用途が特殊分野に限定されていたことなど
の理由に対して非晶質シリコン太陽電池は大幅な低価格
化が実現可能と考えられるためである。
まっており、その中でも特に非晶質シリコンを用いた太
陽電池に大きな期待が寄せられている。これは太陽光エ
ネルギーが無公害で枯渇する心配がないこと、また従来
の太陽電池、例えば単結晶シリコンからなる太陽電池が
極めて高価で用途が特殊分野に限定されていたことなど
の理由に対して非晶質シリコン太陽電池は大幅な低価格
化が実現可能と考えられるためである。
これまで、非晶質シリコンからなる太陽電池の 。
基板としては、透光性ガラス板もしくはステンレス板材
が主に用いられてきた。これらのガラス。
が主に用いられてきた。これらのガラス。
ステンレス板材は非晶質シリコン太陽電池の基板として
多くの優れたｌ特長を有している。
多くの優れたｌ特長を有している。
しかしながら、ガラス、ステンレス板材などは、低価格
化を実現させるという観点からは非晶質シリコン太陽電
池の基板として必ずしも望ましいとは肖えなかった。す
なわち、非晶質シリコン太陽電池の低価格化が実現可能
であろうと考えられる根拠の一つとして、非晶質シリコ
ン膜が大面積でかつ連続的に形成可能である点をあげる
ことができるが、この利点を活かすためには、基板をフ
ィルム化して連続的にロールで巻上げるようにすること
が望ましい。
化を実現させるという観点からは非晶質シリコン太陽電
池の基板として必ずしも望ましいとは肖えなかった。す
なわち、非晶質シリコン太陽電池の低価格化が実現可能
であろうと考えられる根拠の一つとして、非晶質シリコ
ン膜が大面積でかつ連続的に形成可能である点をあげる
ことができるが、この利点を活かすためには、基板をフ
ィルム化して連続的にロールで巻上げるようにすること
が望ましい。
一方、非晶質シリコン太陽電池の出力電圧は、通常１■
以下であるが、実用化に際しては多くの場合１ｖ以上で
あることが要求される。このため、太陽電池を複数個直
列に接続することが必要となるが、低価格化を実現させ
るという観点からはこれを同一基板上に連続的に形成で
きることが不可欠である。そして、同一基板上に太陽電
池を複数個直列に接続するためには、まず個々の太陽電
池が電気的に分離されていることが必要であるが、その
ためには基板自体が絶縁体であるが、基板が導電体であ
る場合にはその表面に絶縁膜が形成されなければならな
い。
以下であるが、実用化に際しては多くの場合１ｖ以上で
あることが要求される。このため、太陽電池を複数個直
列に接続することが必要となるが、低価格化を実現させ
るという観点からはこれを同一基板上に連続的に形成で
きることが不可欠である。そして、同一基板上に太陽電
池を複数個直列に接続するためには、まず個々の太陽電
池が電気的に分離されていることが必要であるが、その
ためには基板自体が絶縁体であるが、基板が導電体であ
る場合にはその表面に絶縁膜が形成されなければならな
い。
このような要求に対する試みとしてはこれまで耐熱性を
有するポリイミド系高分子樹脂からなるフィルムあるい
は表面に耐熱性樹脂を有する金属フィルムを非晶質シリ
コン太陽電池の基板として用いた例がある。
有するポリイミド系高分子樹脂からなるフィルムあるい
は表面に耐熱性樹脂を有する金属フィルムを非晶質シリ
コン太陽電池の基板として用いた例がある。
しかしながら、このような構成による非晶質シリコン太
陽電池は一般に信頼性に乏しく、特に耐湿性に問題があ
った。すなわち、下部電極つまυ外部光入射面と反対向
面軸に位置する電極としては通常ステンレス、Ｃｒ、Ｎ
ｉ−Ｃｒ、Ｍｏなどが用いられるが、電気的絶縁部材と
して用いる有機樹脂は水分を透過しやすいため、長期間
の使用あるいは放置によって下部電極が酸化され、やが
ては腐蝕に発展し、導電特性が劣化するとともに、場合
によっては剥離するに到って太陽電池の出力が大幅に低
下するという欠点があった。
陽電池は一般に信頼性に乏しく、特に耐湿性に問題があ
った。すなわち、下部電極つまυ外部光入射面と反対向
面軸に位置する電極としては通常ステンレス、Ｃｒ、Ｎ
ｉ−Ｃｒ、Ｍｏなどが用いられるが、電気的絶縁部材と
して用いる有機樹脂は水分を透過しやすいため、長期間
の使用あるいは放置によって下部電極が酸化され、やが
ては腐蝕に発展し、導電特性が劣化するとともに、場合
によっては剥離するに到って太陽電池の出力が大幅に低
下するという欠点があった。
したがって本発明は前述した従来の欠点に鑑みてなされ
たものであシ、その目的とするところは、下部電極の耐
層Ｆｉｋ性を向上させ、太陽電池の出力低下を抑止した
非晶質シリコン太陽電池を提供することにある。
たものであシ、その目的とするところは、下部電極の耐
層Ｆｉｋ性を向上させ、太陽電池の出力低下を抑止した
非晶質シリコン太陽電池を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、下部型４至
の少なくとも一部を遷移金属とシリコン。
の少なくとも一部を遷移金属とシリコン。
遷移金属と窒素あるいは遷移金属と炭素との化合物で構
成したものである。
成したものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
ＰＩ￥１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明による非晶質シ
リコン太陽電池の一例を示す要部平面構成図、その要部
断面構成図である。同図において、基板として例えば板
厚０．１ ａｒｍのステンレスフィルム１を用い、この
ステンレスフィルム１の表面に厚さ約５μｍの耐熱性樹
脂膜２を形成する。この場合、この耐熱性樹脂膜２はロ
ールコータを用いて一様に塗布し、約３００℃で加熱乾
燥することによって形成し、た１、このようにして耐熱
性樹脂膜２が形成されたステンレス基板１上に遷移金属
とシリコンとの化合物としてＭｏシリサイド（Ｍｏｓｉ
２）をスパッタリング法により下部電極３ａ、３ｂ、３
ｃ、３ｄ、３ｅを膜厚約２００ＯＡの厚さでそれぞれ所
定間隔幅で形成し、さらに基板温度を約２５０℃に保持
してこれらの各下部電極３ ａ ＋ ３ ｂ ＋ ３
ｃ 、３ ｄ ＋ ３ ｅが形成された耐熱性樹脂膜２
上に非晶質シリコンをプラズマＣＶＤ法にｊ ’） ｐ
＋ ’ ＋ ｎの順にそれぞれ約３００Ａ 。
リコン太陽電池の一例を示す要部平面構成図、その要部
断面構成図である。同図において、基板として例えば板
厚０．１ ａｒｍのステンレスフィルム１を用い、この
ステンレスフィルム１の表面に厚さ約５μｍの耐熱性樹
脂膜２を形成する。この場合、この耐熱性樹脂膜２はロ
ールコータを用いて一様に塗布し、約３００℃で加熱乾
燥することによって形成し、た１、このようにして耐熱
性樹脂膜２が形成されたステンレス基板１上に遷移金属
とシリコンとの化合物としてＭｏシリサイド（Ｍｏｓｉ
２）をスパッタリング法により下部電極３ａ、３ｂ、３
ｃ、３ｄ、３ｅを膜厚約２００ＯＡの厚さでそれぞれ所
定間隔幅で形成し、さらに基板温度を約２５０℃に保持
してこれらの各下部電極３ ａ ＋ ３ ｂ ＋ ３
ｃ 、３ ｄ ＋ ３ ｅが形成された耐熱性樹脂膜２
上に非晶質シリコンをプラズマＣＶＤ法にｊ ’） ｐ
＋ ’ ＋ ｎの順にそれぞれ約３００Ａ 。
ン膜４を形成する。次に、前記各下部電極３ａ。
３ｂ、３ｅ、３ｄ、３ｅと対向する非晶質シリコン膜４
上には相互に隣接する各下部型４１ｉ’ｔ、 ３ ｂ
、 ３ ｅ 、 ３ ｄ 。
上には相互に隣接する各下部型４１ｉ’ｔ、 ３ ｂ
、 ３ ｅ 、 ３ ｄ 。
３ｅ上の一端にまたがってＩｎ２Ｏ３−８ｎ０２をスパ
−ツタリング法によシ膜厚約８０ＯＡの透光性上部電
極５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅをそれぞれ被着形成す
る。
−ツタリング法によシ膜厚約８０ＯＡの透光性上部電
極５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅをそれぞれ被着形成す
る。
最後にこれらの上部電極５ａ、５ｂ、５Ｃ９５ｄ、５ｅ
上陶ｓ ｉ Ｏ２をスパッタリング法により膜厚約２０
００大のパッシベーションおよび反射防止としての８１
０２膜６を形成して５個直列接続された非晶質シリコン
太陽電池を完成した。この場合、５個の非晶質シリコン
太陽電池の相互の接続は各上部電極５ａ 、５ｂ 、５
ｃ 、５ｄ 、５ｅの電極パターンの形成と同時に形成
され、また下部電極３ａの一端部と上部電極５ｅの一端
部とには出力取り出し用の端子３ａｒ、５ｅ／がそれぞ
れ形成されている。
上陶ｓ ｉ Ｏ２をスパッタリング法により膜厚約２０
００大のパッシベーションおよび反射防止としての８１
０２膜６を形成して５個直列接続された非晶質シリコン
太陽電池を完成した。この場合、５個の非晶質シリコン
太陽電池の相互の接続は各上部電極５ａ 、５ｂ 、５
ｃ 、５ｄ 、５ｅの電極パターンの形成と同時に形成
され、また下部電極３ａの一端部と上部電極５ｅの一端
部とには出力取り出し用の端子３ａｒ、５ｅ／がそれぞ
れ形成されている。
そして、外部光りは矢印Ａ方向から照射される。
このように構成された非晶質シリコン太陽電池において
、下部電極３ａ〜３ｅとして金属膜の代りにＭｏシリサ
イド膜を用いたことにより、良好な初期特性が得られる
ことは勿論、温度約７０℃。
、下部電極３ａ〜３ｅとして金属膜の代りにＭｏシリサ
イド膜を用いたことにより、良好な初期特性が得られる
ことは勿論、温度約７０℃。
相対温度約９５％で約１０００時間以上の耐湿試験にお
いても下部電極３ａ〜３ｅの腐蝕、剥離等の発生が皆無
となり、出力特性の劣化も全くなく、極めて良好な結果
が得られた。また、下部電極に金属膜を用いた場合、耐
湿試験において下部電極の腐蝕は素子への入射光量が多
いほど進行速度が大きい傾向がみられるが、下部電極に
Ｍｏシリサイド膜を用いた場合にはそのような傾向は全
く見られなかった。
いても下部電極３ａ〜３ｅの腐蝕、剥離等の発生が皆無
となり、出力特性の劣化も全くなく、極めて良好な結果
が得られた。また、下部電極に金属膜を用いた場合、耐
湿試験において下部電極の腐蝕は素子への入射光量が多
いほど進行速度が大きい傾向がみられるが、下部電極に
Ｍｏシリサイド膜を用いた場合にはそのような傾向は全
く見られなかった。
第３図は本発明による非晶質シリコン太陽電池の他の実
施例を示す要部断面構成図であり、前述の図と同記号は
同一要素となるのでその説明は省略する。同図において
、透光性ガラス板からなる基板Ｔ上にはＩｎ２Ｏ！１−
５ｎ０２からなる透光性下部電極５ａ、５ｂ、５ｃ、５
ｄ、５ｅが形成され、これらの下部電極５ａ、５ｂ、５
ｃ、５ｄ、５ｅと対向する非晶質シリコン膜４上にはＭ
ｏシリサイドからなる上部電極３ ａ ＋ ３ ｂ 、
３ ｃ −３ｄ 、 ３ ｅがそれぞれ形成され、さら
にこれらの上部電極３ａ〜３ｅを含む非晶質シリコン膜
４上にはノくツシベーションとしてのレジン膜８が被着
形成されている。
施例を示す要部断面構成図であり、前述の図と同記号は
同一要素となるのでその説明は省略する。同図において
、透光性ガラス板からなる基板Ｔ上にはＩｎ２Ｏ！１−
５ｎ０２からなる透光性下部電極５ａ、５ｂ、５ｃ、５
ｄ、５ｅが形成され、これらの下部電極５ａ、５ｂ、５
ｃ、５ｄ、５ｅと対向する非晶質シリコン膜４上にはＭ
ｏシリサイドからなる上部電極３ ａ ＋ ３ ｂ 、
３ ｃ −３ｄ 、 ３ ｅがそれぞれ形成され、さら
にこれらの上部電極３ａ〜３ｅを含む非晶質シリコン膜
４上にはノくツシベーションとしてのレジン膜８が被着
形成されている。
第４図は本発明による非晶質シリコン太陽電池のさらに
他の実施例を示す要部断面構成図であり、前述の図と同
記号は同一要素となるのでその説明は省略する。同図に
おいて、第３図と異なる点は、上部電極３ ａ ＋ ３
ｂ ＋ ３ ｃ 、３ ｄ 、３ ｅがＡｔ膜からな
る第１の電１ｔｉＮ、３ａ＋ 、３ｂｔ 、３ｃｔ 、
３ｄ＋ 、３ｅｘ とその上面に形成されたＭｏシリ
サイドからなる第２の電ｉ＄ ３１Ｌ２．３ｂ２，３ｅ
ｚ 、３ｄ２，３ｅｚ とから積層構成されている。
他の実施例を示す要部断面構成図であり、前述の図と同
記号は同一要素となるのでその説明は省略する。同図に
おいて、第３図と異なる点は、上部電極３ ａ ＋ ３
ｂ ＋ ３ ｃ 、３ ｄ 、３ ｅがＡｔ膜からな
る第１の電１ｔｉＮ、３ａ＋ 、３ｂｔ 、３ｃｔ 、
３ｄ＋ 、３ｅｘ とその上面に形成されたＭｏシリ
サイドからなる第２の電ｉ＄ ３１Ｌ２．３ｂ２，３ｅ
ｚ 、３ｄ２，３ｅｚ とから積層構成されている。
このように第３図および第４図に示すような構成におい
ても、前述した第１図および第２図と全く同等の効果が
得られる。
ても、前述した第１図および第２図と全く同等の効果が
得られる。
なお、前述した実施例において、外部光入射面と反対向
面側に位置する電極としてＭｏシリサイド膜を用いた場
合について説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、ＭＯシリサイドα（りに他の遷移金属とシリ
コンとの化合物、例えばＴＩ 、Ｚｒ 、Ｈｆ 、Ｖ、
Ｎｂ 、Ｔａ 、Ｃｒ 、Ｗ、Ｆｅ 、Ｃｏ 、Ｎｌ
。
面側に位置する電極としてＭｏシリサイド膜を用いた場
合について説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、ＭＯシリサイドα（りに他の遷移金属とシリ
コンとの化合物、例えばＴＩ 、Ｚｒ 、Ｈｆ 、Ｖ、
Ｎｂ 、Ｔａ 、Ｃｒ 、Ｗ、Ｆｅ 、Ｃｏ 、Ｎｌ
。
Ｐｔ、Ｐｄなどとシリコンとの化合物を用いても前述と
全く同等の効果が得られる。また、組成もＭｏＳｉ２に
限定されるものではなく、ｓｉｎがモル比で２０〜８０
％の範囲であれば良い。またその形成方法もスパッタリ
ング法に限定されるものではなく蒸着法、プラズマＣＶ
Ｄなどを用いても良い。さらには腰電極として遷移金属
として例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ
、Ｗ と炭素との化合物あるいはへ素との化合物を用
いても前述と全く同等の効果を得ることができた。
全く同等の効果が得られる。また、組成もＭｏＳｉ２に
限定されるものではなく、ｓｉｎがモル比で２０〜８０
％の範囲であれば良い。またその形成方法もスパッタリ
ング法に限定されるものではなく蒸着法、プラズマＣＶ
Ｄなどを用いても良い。さらには腰電極として遷移金属
として例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ
、Ｗ と炭素との化合物あるいはへ素との化合物を用
いても前述と全く同等の効果を得ることができた。
また前述した実施例において、非晶質シリコン膜を形成
する可撓性かつ耐熱性を有する基板として表面に耐熱性
樹脂を有する厚さ約０．１ ｍｍのステンレス板を用い
た場合について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、ステンレス板の代りに板厚約０．１ ｍ
の金属基板、例えばＦｅ−旧合金板を用いても良く、あ
るいはまた耐熱性樹脂板を用いても良く、この場合には
表面には耐熱性樹脂膜を有しなくても良い。
する可撓性かつ耐熱性を有する基板として表面に耐熱性
樹脂を有する厚さ約０．１ ｍｍのステンレス板を用い
た場合について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、ステンレス板の代りに板厚約０．１ ｍ
の金属基板、例えばＦｅ−旧合金板を用いても良く、あ
るいはまた耐熱性樹脂板を用いても良く、この場合には
表面には耐熱性樹脂膜を有しなくても良い。
以上説明したように本発明によれば、外部光入射面と反
対向面側に位置する電極の少なくとも一部に遷移金属と
シリコン、遷移金属と炭素、遷移金属と窒素との化合物
を用いたことによシ、該電極の腐蝕、剥離等の発生が皆
無となシ、出力の経時劣化を確実に抑止することができ
るので、信頼性の高い、高品質、高性能の非晶質シリコ
ン太陽電池が得られるという極めて優れた効果を有する
。
対向面側に位置する電極の少なくとも一部に遷移金属と
シリコン、遷移金属と炭素、遷移金属と窒素との化合物
を用いたことによシ、該電極の腐蝕、剥離等の発生が皆
無となシ、出力の経時劣化を確実に抑止することができ
るので、信頼性の高い、高品質、高性能の非晶質シリコ
ン太陽電池が得られるという極めて優れた効果を有する
。
第１図および第２図は本発明による非晶質シリコン太陽
電池の一実施例を示す要部平面構成図およびその要部断
面構成図、第３図および第４図は本発明による非晶質シ
リコン太陽電池の他の実施例を示す要部断面構成図であ
る。 １１１・−・ステンレスフィルム、２・ＩＩｅ・耐熱性
樹脂膜、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３６−− ｍ ｓ電
極、３ ｇ’ ｅ ＊ ＊ ｅ端子、３ａｘ、３ｂｔ、
３ｅｌ、３ｄｌ、３ｅｘ・−・・第１の電極、３ａｇ、
３ｂ２，３ｅｚ、３ｄ２，３ｅｔ・・・・第２の電極、
４・・・・非晶質シリコン月Ａ％ ５ａＨ５ｂ ＋ ５
０） ５ｄ ＋ ５６ ・・・＊透光性電極、５０′・
・・・端子、６・・・・５ｉ０２膜、Ｔ・・・・透光性
ガラス基板、８・・・・レジン膜。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫ハ・ 、′・
・【。 第１図 第２図 第３図
電池の一実施例を示す要部平面構成図およびその要部断
面構成図、第３図および第４図は本発明による非晶質シ
リコン太陽電池の他の実施例を示す要部断面構成図であ
る。 １１１・−・ステンレスフィルム、２・ＩＩｅ・耐熱性
樹脂膜、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３６−− ｍ ｓ電
極、３ ｇ’ ｅ ＊ ＊ ｅ端子、３ａｘ、３ｂｔ、
３ｅｌ、３ｄｌ、３ｅｘ・−・・第１の電極、３ａｇ、
３ｂ２，３ｅｚ、３ｄ２，３ｅｔ・・・・第２の電極、
４・・・・非晶質シリコン月Ａ％ ５ａＨ５ｂ ＋ ５
０） ５ｄ ＋ ５６ ・・・＊透光性電極、５０′・
・・・端子、６・・・・５ｉ０２膜、Ｔ・・・・透光性
ガラス基板、８・・・・レジン膜。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫ハ・ 、′・
・【。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、耐熱性を有する基板と、前記基板上に形成された下
部電極と、前記下部電極上に形成された非晶質シリコン
膜と、前記非晶質シリコン膜上に形成された上部電極と
、前記上部電極上に形成された絶縁膜とを少なくとも備
えだ非晶質シリコン太陽電池において、前記上、下部電
極のうち外部光入射面と反対向面側に位（１ｑ、する電
極の少なくとも一部分を遷移金属とシリコン、遷移金属
と窒素もしくは遷移金属と炭素との化合物で形成したこ
とを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。 ２、前記基板は表面に耐熱性樹脂膜を有する金属板とし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の非晶質
シリコン太陽電池。 ３、前記基板は耐熱性樹脂板としたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の非晶質シリコン太陽雷、池。 ４、前記基板は表面に耐熱性樹脂膜を有する耐熱性樹脂
板としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
非晶質シリコン太陽電池。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58021495A JPS59147469A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 非晶質シリコン太陽電池 |
| US06/579,597 US4543441A (en) | 1983-02-14 | 1984-02-13 | Solar battery using amorphous silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58021495A JPS59147469A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59147469A true JPS59147469A (ja) | 1984-08-23 |
Family
ID=12056545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58021495A Pending JPS59147469A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 非晶質シリコン太陽電池 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4543441A (ja) |
| JP (1) | JPS59147469A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61212070A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 非晶質を含む薄膜半導体系太陽電池 |
| JPS61283174A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法 |
| US5493685A (en) * | 1990-02-23 | 1996-02-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display control apparatus capable of changing luminance depending on conditions of power supply circuit |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0078541B1 (en) * | 1981-11-04 | 1991-01-16 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Flexible photovoltaic device |
| DE3650362T2 (de) * | 1986-01-06 | 1996-01-25 | Semiconductor Energy Lab | Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung mit hoher Ansprechgeschwindigkeit und Herstellungsverfahren. |
| EP0229397B1 (en) * | 1986-01-06 | 1995-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
| JPH0620154B2 (ja) * | 1988-03-05 | 1994-03-16 | 鐘淵化学工業株式会社 | 半導体装置の製法 |
| JPH0456351U (ja) * | 1990-09-20 | 1992-05-14 | ||
| JPH08148709A (ja) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄型太陽電池の製造方法及び薄型太陽電池の製造装置 |
| ATE467910T1 (de) * | 1999-02-25 | 2010-05-15 | Kaneka Corp | Photoelektrische dünnschicht- umwandlungsvorrichtung und verfahren zur abscheidung durch zerstäubung |
| US20050268962A1 (en) * | 2000-04-27 | 2005-12-08 | Russell Gaudiana | Flexible Photovoltaic cells, systems and methods |
| US7056620B2 (en) | 2000-09-07 | 2006-06-06 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery and method of manufacture |
| US6632563B1 (en) * | 2000-09-07 | 2003-10-14 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery and method of manufacture |
| US6863699B1 (en) | 2000-11-03 | 2005-03-08 | Front Edge Technology, Inc. | Sputter deposition of lithium phosphorous oxynitride material |
| US6713987B2 (en) | 2002-02-28 | 2004-03-30 | Front Edge Technology, Inc. | Rechargeable battery having permeable anode current collector |
| JP2005276857A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Kyocera Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
| US8679674B2 (en) | 2005-03-25 | 2014-03-25 | Front Edge Technology, Inc. | Battery with protective packaging |
| US7846579B2 (en) | 2005-03-25 | 2010-12-07 | Victor Krasnov | Thin film battery with protective packaging |
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| CN102257637A (zh) | 2008-10-23 | 2011-11-23 | 奥塔装置公司 | 光伏器件 |
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| US9502594B2 (en) | 2012-01-19 | 2016-11-22 | Alta Devices, Inc. | Thin-film semiconductor optoelectronic device with textured front and/or back surface prepared from template layer and etching |
| US20170141256A1 (en) | 2009-10-23 | 2017-05-18 | Alta Devices, Inc. | Multi-junction optoelectronic device with group iv semiconductor as a bottom junction |
| US11271128B2 (en) | 2009-10-23 | 2022-03-08 | Utica Leaseco, Llc | Multi-junction optoelectronic device |
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| US11038080B2 (en) | 2012-01-19 | 2021-06-15 | Utica Leaseco, Llc | Thin-film semiconductor optoelectronic device with textured front and/or back surface prepared from etching |
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| US9077000B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-07-07 | Front Edge Technology, Inc. | Thin film battery and localized heat treatment |
| US9159964B2 (en) | 2012-09-25 | 2015-10-13 | Front Edge Technology, Inc. | Solid state battery having mismatched battery cells |
| US8753724B2 (en) | 2012-09-26 | 2014-06-17 | Front Edge Technology Inc. | Plasma deposition on a partially formed battery through a mesh screen |
| US9356320B2 (en) | 2012-10-15 | 2016-05-31 | Front Edge Technology Inc. | Lithium battery having low leakage anode |
| US10008739B2 (en) | 2015-02-23 | 2018-06-26 | Front Edge Technology, Inc. | Solid-state lithium battery with electrolyte |
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|---|---|---|---|---|
| JPS57143874A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of solar cell |
| JPS5892281A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-01 | Seiko Epson Corp | 薄膜太陽電池 |
| JPS5898985A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-13 | Seiko Epson Corp | 薄膜太陽電池 |
| GB2117971A (en) * | 1982-04-05 | 1983-10-19 | Hitachi Ltd | Amorphous silicon photovoltaic device |
-
1983
- 1983-02-14 JP JP58021495A patent/JPS59147469A/ja active Pending
-
1984
- 1984-02-13 US US06/579,597 patent/US4543441A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61212070A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 非晶質を含む薄膜半導体系太陽電池 |
| JPH0564868B2 (ja) * | 1985-03-18 | 1993-09-16 | Kanegafuchi Chemical Ind | |
| JPS61283174A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法 |
| US5493685A (en) * | 1990-02-23 | 1996-02-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display control apparatus capable of changing luminance depending on conditions of power supply circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4543441A (en) | 1985-09-24 |
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