JP2508060B2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光エネルギーを電気エネルギーに変換す
る光電変換装置に関し、さらに詳しくは、光電変換効率
を向上させるためのｐ−ｎ接合GaAs太陽電池の改良に係
るものである。
る光電変換装置に関し、さらに詳しくは、光電変換効率
を向上させるためのｐ−ｎ接合GaAs太陽電池の改良に係
るものである。
近年，この種のｐ−ｎ接合GaAs太陽電池は、その光電
変換効率の改善に伴なつて、クリーンなエネルギー源と
して注目され、各種の産業機器，また民生機器などのエ
ネルギー源に適用すべく、その製品化が進められてい
る。
変換効率の改善に伴なつて、クリーンなエネルギー源と
して注目され、各種の産業機器，また民生機器などのエ
ネルギー源に適用すべく、その製品化が進められてい
る。
第３図（ａ）および（ｂ）は、従来例によるｐ−ｎ接
合GaAs太陽電池の概要構成を摸式的に示した正面図，お
よび同上III a−III a線部の拡大した断面図である。
合GaAs太陽電池の概要構成を摸式的に示した正面図，お
よび同上III a−III a線部の拡大した断面図である。
すなわち，この第３図従来例構成においては、例え
ば、キャリア濃度が1018/cm2程度，基板の厚みが300μ
ｍ程度の，表面ミラー仕上げしたGaAs単結晶基板をn+型
GaAs基板１として用い、まず、このn+型GaAs基板１のミ
ラー仕上げした一方の主表面に、周知の液相エピタキシ
ャル成長法によつて、高比抵抗のn-型GaAs層２を形成
し、かつこのn-型GaAs層２の表面に、こゝでも周知の液
相エピタキシャル成長法によつて、低比抵抗をもつｐ型
拡散層としてｐ型GaAs層３を形成し、さらに、このｐ型
GaAs層３上に、同様に周知の液相エピタキシャル成長法
によつて、ｐ型AlGaAs層４を形成する。
ば、キャリア濃度が1018/cm2程度，基板の厚みが300μ
ｍ程度の，表面ミラー仕上げしたGaAs単結晶基板をn+型
GaAs基板１として用い、まず、このn+型GaAs基板１のミ
ラー仕上げした一方の主表面に、周知の液相エピタキシ
ャル成長法によつて、高比抵抗のn-型GaAs層２を形成
し、かつこのn-型GaAs層２の表面に、こゝでも周知の液
相エピタキシャル成長法によつて、低比抵抗をもつｐ型
拡散層としてｐ型GaAs層３を形成し、さらに、このｐ型
GaAs層３上に、同様に周知の液相エピタキシャル成長法
によつて、ｐ型AlGaAs層４を形成する。
ついで、前記ｐ型AlGaAs層４の表面には、常圧CVD（C
hemical Vapour Deposition）法により、窒化膜などの
反射防止膜５を数百Åの厚さに形成した上で、周知の写
真製版技術を適用し、この反射防止膜５上にレジストを
塗布すると共に、このレジスト膜を選択的にパターニン
グ開孔させ（共に図示省略）た後、開孔部に相当する反
射防止膜５の部分を、周知のプラズマエッチング法によ
り除去し、かつ弗酸系のエッチング液を用いた化学エッ
チング法により、同部分対応のｐ型AlGaAs層４を選択的
に部分除去してコンタクトホールを開孔させる。
hemical Vapour Deposition）法により、窒化膜などの
反射防止膜５を数百Åの厚さに形成した上で、周知の写
真製版技術を適用し、この反射防止膜５上にレジストを
塗布すると共に、このレジスト膜を選択的にパターニン
グ開孔させ（共に図示省略）た後、開孔部に相当する反
射防止膜５の部分を、周知のプラズマエッチング法によ
り除去し、かつ弗酸系のエッチング液を用いた化学エッ
チング法により、同部分対応のｐ型AlGaAs層４を選択的
に部分除去してコンタクトホールを開孔させる。
さらに、前記露出されたコンタクトホール部分のｐ型
GaAs層３の表面上に、スパッタ法，または蒸着法によつ
て、Ti,Pd,AgまたはTi,Pt,Agの３層からなるＰ側電極６
を、また、n+型GaAs基板１の裏面の全面に、同様にスパ
ッタ法，または蒸着法によつて、AuGe/Ni/Au/Agからな
るｎ側電極７をそれぞれに形成され、これらの各電極形
成後，当該基板を、例えば、400〜500℃の電気炉に入れ
てシンタリング処理し、このようにして、目的とするオ
ーミック性の良好なｐ−ｎ接合GaAs太陽電池を製造して
いるのである。
GaAs層３の表面上に、スパッタ法，または蒸着法によつ
て、Ti,Pd,AgまたはTi,Pt,Agの３層からなるＰ側電極６
を、また、n+型GaAs基板１の裏面の全面に、同様にスパ
ッタ法，または蒸着法によつて、AuGe/Ni/Au/Agからな
るｎ側電極７をそれぞれに形成され、これらの各電極形
成後，当該基板を、例えば、400〜500℃の電気炉に入れ
てシンタリング処理し、このようにして、目的とするオ
ーミック性の良好なｐ−ｎ接合GaAs太陽電池を製造して
いるのである。
前記したように、従来例によるGaAs太陽電池において
は、ｐ型GaAs層３の表面部にｐ側電極６を選択的に形成
しており、例えば、ｐ型GaAs層３上にTi電極をスパッタ
法により数百Åの厚さに形成することで、密着性および
オーミック性をほゞ満足し得る程度に得ている。
は、ｐ型GaAs層３の表面部にｐ側電極６を選択的に形成
しており、例えば、ｐ型GaAs層３上にTi電極をスパッタ
法により数百Åの厚さに形成することで、密着性および
オーミック性をほゞ満足し得る程度に得ている。
しかし、このようにして形成されるｐ側電極６のオー
ミック性については、未だ十分に改善する余地が残され
ており、前記のTi電極の場合には、その抵抗率が10-4Ω
−cm程度であつて、その他のAg,Al電極による抵抗率10
-6Ω−cm程度に比較するとき、おゝよそ２桁近く大きい
値となつて、こゝでのｐ−ｎ接合GaAs太陽電池の直列抵
抗Rsが増加し、その電気的特性である曲線因子，いわゆ
るF.F値を低下させ、これによつて、太陽エネルギーを
電気エネルギーに変換するための光電変換効率が17.5％
程度に留まる結果となつている。
ミック性については、未だ十分に改善する余地が残され
ており、前記のTi電極の場合には、その抵抗率が10-4Ω
−cm程度であつて、その他のAg,Al電極による抵抗率10
-6Ω−cm程度に比較するとき、おゝよそ２桁近く大きい
値となつて、こゝでのｐ−ｎ接合GaAs太陽電池の直列抵
抗Rsが増加し、その電気的特性である曲線因子，いわゆ
るF.F値を低下させ、これによつて、太陽エネルギーを
電気エネルギーに変換するための光電変換効率が17.5％
程度に留まる結果となつている。
しかして一般的に、この種のｐ−ｎ接合GaAs太陽電池
に用られるGaAs単結晶基板は非常に高価であつて、これ
に見合つた高光電変換効率での装置構成の提供が急務と
されており、このためにも、前記直列抵抗Rsを低減させ
て、曲線因子F.Fを大きくさせる必要がある。
に用られるGaAs単結晶基板は非常に高価であつて、これ
に見合つた高光電変換効率での装置構成の提供が急務と
されており、このためにも、前記直列抵抗Rsを低減させ
て、曲線因子F.Fを大きくさせる必要がある。
この発明は従来のこのような問題点を解消するために
なされたものであつて、その目的とするところは、ｐ側
電極での直列抵抗値を可及的に低減させて、曲線因子を
大きくさせるようにした，この種の光電変換装置，こゝ
ではｐ−ｎ接合GaAs太陽電池を提供することである。
なされたものであつて、その目的とするところは、ｐ側
電極での直列抵抗値を可及的に低減させて、曲線因子を
大きくさせるようにした，この種の光電変換装置，こゝ
ではｐ−ｎ接合GaAs太陽電池を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る光電変換
装置は、ｐ型GaAs層とｐ側電極との界面部にあつて、こ
のｐ型GaAs層の不純物源を含有する金属電極層，具体的
には、Zn濃度30〜70％程度を含むAl電極材料による金属
電極層を介在させたものである。
装置は、ｐ型GaAs層とｐ側電極との界面部にあつて、こ
のｐ型GaAs層の不純物源を含有する金属電極層，具体的
には、Zn濃度30〜70％程度を含むAl電極材料による金属
電極層を介在させたものである。
すなわち，この発明においては、ｐ型GaAs層とｐ側電
極との界面部に対して、ｐ型GaAs層の不純物源を含有す
る金属電極層を形成したゝめに、ｐ側電極での実質的な
直列抵抗値が低減され、こゝではその曲線因子F.Fを、
従前の0.75〜0.78程度から0.82〜0.83程度まで大きくで
き、に光電変換効率の向上に寄与し得た。
極との界面部に対して、ｐ型GaAs層の不純物源を含有す
る金属電極層を形成したゝめに、ｐ側電極での実質的な
直列抵抗値が低減され、こゝではその曲線因子F.Fを、
従前の0.75〜0.78程度から0.82〜0.83程度まで大きくで
き、に光電変換効率の向上に寄与し得た。
以下、この発明に係る光電変換装置の一実施例につ
き、第１図および第２図を参照して詳細に説明する。
き、第１図および第２図を参照して詳細に説明する。
これらの第１図（ａ）および（ｂ）はこの実施例を適
用したｐ−ｎ接合GaAs太陽電池の概要構成を摸式的に示
す正面図，および同上III a−III a線部の拡大した断面
図であり、また、第２図は同上装置での電極を構成する
Al中へのZnの含有比率と曲線因子F.Fとの関係を示すグ
ラフである。
用したｐ−ｎ接合GaAs太陽電池の概要構成を摸式的に示
す正面図，および同上III a−III a線部の拡大した断面
図であり、また、第２図は同上装置での電極を構成する
Al中へのZnの含有比率と曲線因子F.Fとの関係を示すグ
ラフである。
すなわち，この第１図実施例構成においても、例え
ば、キャリア濃度が1018/cm2程度，基板の厚みが300μ
ｍ程度の，表面ミラー仕上げしたGaAs単結晶基板をn+型
GaAs基板１として用い、まず、このn+型GaAs基板１のミ
ラー仕上げした一方の主表面に、従来例構成におけると
同様に、高比抵抗のn-型（第１導電型）GaAs層（第１の
半導体層）２を形成する。また、このn-型GaAs層２への
ｐ型不純物（Zn）の拡散によつて、こゝでも低比抵抗を
もつｐ型拡散層としてｐ型（第２導電型）GaAs層（第２
の半導体層）３を形成し、このｐ型GaAs層３上にｐ型
（第２導電型）のGa1-XAlXAs層，つまり、化学的に活性
なｐ型AlGaAs層（第３の半導体層）４を形成する。
ば、キャリア濃度が1018/cm2程度，基板の厚みが300μ
ｍ程度の，表面ミラー仕上げしたGaAs単結晶基板をn+型
GaAs基板１として用い、まず、このn+型GaAs基板１のミ
ラー仕上げした一方の主表面に、従来例構成におけると
同様に、高比抵抗のn-型（第１導電型）GaAs層（第１の
半導体層）２を形成する。また、このn-型GaAs層２への
ｐ型不純物（Zn）の拡散によつて、こゝでも低比抵抗を
もつｐ型拡散層としてｐ型（第２導電型）GaAs層（第２
の半導体層）３を形成し、このｐ型GaAs層３上にｐ型
（第２導電型）のGa1-XAlXAs層，つまり、化学的に活性
なｐ型AlGaAs層（第３の半導体層）４を形成する。
次に、前記ｐ型AlGaAs層４の表面に、反射防止膜５を
数百Åの厚さに形成した上で、その後，写真製版技術
と、プラズマエッチング法，および化学エッチング法と
の適用により、この反射防止膜５とｐ型AlGaAs層４と
を、選択的にかつやゝ狭目にエッチング除去し、ｐ型Ga
As層３を部分的に一部露出させるようにパターニング開
孔させ、この狭目に露出されたｐ型GaAs層３の部分上，
つまり半導体層と電極との界面部にあつて、第２図に示
す如く、Zn濃度30〜70％程度を含むAl電極材料を、スパ
ッタ法，または蒸着法などにより、20〜500Å程度の厚
さに蒸着させてAl/Zn電極層，こゝでは金属電極層８を
形成する。
数百Åの厚さに形成した上で、その後，写真製版技術
と、プラズマエッチング法，および化学エッチング法と
の適用により、この反射防止膜５とｐ型AlGaAs層４と
を、選択的にかつやゝ狭目にエッチング除去し、ｐ型Ga
As層３を部分的に一部露出させるようにパターニング開
孔させ、この狭目に露出されたｐ型GaAs層３の部分上，
つまり半導体層と電極との界面部にあつて、第２図に示
す如く、Zn濃度30〜70％程度を含むAl電極材料を、スパ
ッタ法，または蒸着法などにより、20〜500Å程度の厚
さに蒸着させてAl/Zn電極層，こゝでは金属電極層８を
形成する。
また続いて、前記と同様な手段により、これらの反射
防止膜５およびｐ型AlGaAs層４を、より広目にエッチン
グ除去し、金属電極層８の周囲のｐ型GaAs層３を部分的
に露出させて、所定のコンタクトホールを開孔させ、今
度は、この広目に露出されたｐ型GaAs層３での金属電極
層８の周囲を含むコンタクトホール部分上に、Ti,Pd,Ag
またはTi,Pt,Agの４層からなるｐ側電極6,こゝでは第１
の電極を形成させることで、前記界面部に形成された金
属電極層８を、これらのｐ側電極６とｐ型GaAs層３とで
包囲させ、さらにまた、n+型GaAs基板１の裏面の全面に
も、同様にスパッタ法，または蒸着法によつて、AuGe/N
i/Au/Agなどからなるｎ側電極7,こゝでは第２の電極を
形成させ、これらの各電極形成後，当該基板をシンタリ
ング処理して、目的とするオーミック性の良好なｐ−ｎ
接合GaAs太陽電池を製造するのである。
防止膜５およびｐ型AlGaAs層４を、より広目にエッチン
グ除去し、金属電極層８の周囲のｐ型GaAs層３を部分的
に露出させて、所定のコンタクトホールを開孔させ、今
度は、この広目に露出されたｐ型GaAs層３での金属電極
層８の周囲を含むコンタクトホール部分上に、Ti,Pd,Ag
またはTi,Pt,Agの４層からなるｐ側電極6,こゝでは第１
の電極を形成させることで、前記界面部に形成された金
属電極層８を、これらのｐ側電極６とｐ型GaAs層３とで
包囲させ、さらにまた、n+型GaAs基板１の裏面の全面に
も、同様にスパッタ法，または蒸着法によつて、AuGe/N
i/Au/Agなどからなるｎ側電極7,こゝでは第２の電極を
形成させ、これらの各電極形成後，当該基板をシンタリ
ング処理して、目的とするオーミック性の良好なｐ−ｎ
接合GaAs太陽電池を製造するのである。
従つて、この実施例構成においては、前記した従来例
構成の場合でのように、ｐ型GaAs層とｐ側電極としての
Ti電極との界面部に生じている，微小電流領域での電圧
ドロップ，またはTi電極自体のもつ他の金属電極よりも
大きい抵抗率による影響，すなわち例えば、直列抵抗の
大きいことによる曲線因子F.Fの値が、第２図に点線で
示すように、従来,0.75〜0.78であつたものを、この実
施例では、0.82〜0.83にまで向上でき、太陽エネルギー
によつて発生する光励起電流の効果的な収集が可能とな
り、高い光電変換効率のｐ−ｎ接合GaAs太陽電池を実現
し得た。
構成の場合でのように、ｐ型GaAs層とｐ側電極としての
Ti電極との界面部に生じている，微小電流領域での電圧
ドロップ，またはTi電極自体のもつ他の金属電極よりも
大きい抵抗率による影響，すなわち例えば、直列抵抗の
大きいことによる曲線因子F.Fの値が、第２図に点線で
示すように、従来,0.75〜0.78であつたものを、この実
施例では、0.82〜0.83にまで向上でき、太陽エネルギー
によつて発生する光励起電流の効果的な収集が可能とな
り、高い光電変換効率のｐ−ｎ接合GaAs太陽電池を実現
し得た。
また、この実施例構成の場合,p型GaAs層とｐ側電極と
の界面部へのAl/Zn電極層の形成は、従来の製造技術に
よつて比較的容易であり、さらに、このAl/Zn電極層が
ｐ型GaAs層とｐ側電極とで包囲されて外部に露出されて
いない構造となるために、その腐食を防止し得るのであ
る。
の界面部へのAl/Zn電極層の形成は、従来の製造技術に
よつて比較的容易であり、さらに、このAl/Zn電極層が
ｐ型GaAs層とｐ側電極とで包囲されて外部に露出されて
いない構造となるために、その腐食を防止し得るのであ
る。
こゝで因に、この実施例構成と従来例構成とによるｐ
−ｎ接合GaAs太陽電池（受光面２×2cm,p側電極のカバ
ー率8.2％程度）を試作し、その特性を比較した結果を
次表に示してある。
−ｎ接合GaAs太陽電池（受光面２×2cm,p側電極のカバ
ー率8.2％程度）を試作し、その特性を比較した結果を
次表に示してある。
この比較表から明らかなように、受光面に対するｐ側
電極のカバー率を５％程度にすれば、短絡光電流が132m
A程度までの装置構成を得ることができて、単純計算で
も、この発明を適用するときは、受光面２×2cmのｐ−
ｎ接合GaAs太陽電池で、その光電変換効率をおゝよそ1
9.5％〜20％程度まで向上し得ることになる。
電極のカバー率を５％程度にすれば、短絡光電流が132m
A程度までの装置構成を得ることができて、単純計算で
も、この発明を適用するときは、受光面２×2cmのｐ−
ｎ接合GaAs太陽電池で、その光電変換効率をおゝよそ1
9.5％〜20％程度まで向上し得ることになる。
以上詳述したようにこの発明によれば、第１導電型の
第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成された第２
導電型の第２の半導体層と、第２の半導体層の表面の一
部に選択的にオーム接触して形成された第１の電極と、
第２の半導体層上に形成された化学的に活性な第２導電
型の第３の半導体層と、この第３の半導体層の表面を覆
うように形成された反射防止膜とを少なくとも備えた構
成の光電変換装置において、第２の半導体層と第１の電
極との界面部に、第２の半導体層の不純物源を含有する
金属電極層を介在させて、その直列抵抗を低減させるよ
うにしたので、太陽エネルギーによつて発生する光励起
電流を効果的に収集できて、光電変換効率を格段に向上
し得ると共に、構造的にも簡単で従来技術により比較的
容易に構成でき、信頼製の高いこの種のｐ−ｎ接合GaAs
太陽電池の提供が可能になるなどの優れた特長を有する
ものである。
第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成された第２
導電型の第２の半導体層と、第２の半導体層の表面の一
部に選択的にオーム接触して形成された第１の電極と、
第２の半導体層上に形成された化学的に活性な第２導電
型の第３の半導体層と、この第３の半導体層の表面を覆
うように形成された反射防止膜とを少なくとも備えた構
成の光電変換装置において、第２の半導体層と第１の電
極との界面部に、第２の半導体層の不純物源を含有する
金属電極層を介在させて、その直列抵抗を低減させるよ
うにしたので、太陽エネルギーによつて発生する光励起
電流を効果的に収集できて、光電変換効率を格段に向上
し得ると共に、構造的にも簡単で従来技術により比較的
容易に構成でき、信頼製の高いこの種のｐ−ｎ接合GaAs
太陽電池の提供が可能になるなどの優れた特長を有する
ものである。
第１図（ａ）および（ｂ）はこの発明に係る半導体装置
の一実施例を適用したｐ−ｎ接合GaAs太陽電池の概要構
成を摸式的に示す正面図，および同上装置のIII a−III
a線部を拡大して示す断面図、第２図は同上装置での電
極を構成するAl中へのZnの含有比率と曲線因子F.Fとの
関係を示すグラフであり、また、第３図（ａ）および
（ｂ）は、従来例によるｐ−ｎ接合GaAs太陽電池の概要
構成を摸式的に示す正面図，および同上装置のIII a−I
II a線部を拡大して示す断面図である。 １……n+型GaAs基板。 ２……n-型GaAs層（第１導電型の第１の半導体層）、３
……ｐ型GaAs層（第２導電型の第２の半導体層）、４…
…ｐ型AlGaAs層（第２導電型の第３の半導体層）。 ５……反射防止膜、６……ｐ側電極（第１の電極）、７
……ｎ側電極（第２の電極）、８……金属電極層（Al/Z
n電極層）。
の一実施例を適用したｐ−ｎ接合GaAs太陽電池の概要構
成を摸式的に示す正面図，および同上装置のIII a−III
a線部を拡大して示す断面図、第２図は同上装置での電
極を構成するAl中へのZnの含有比率と曲線因子F.Fとの
関係を示すグラフであり、また、第３図（ａ）および
（ｂ）は、従来例によるｐ−ｎ接合GaAs太陽電池の概要
構成を摸式的に示す正面図，および同上装置のIII a−I
II a線部を拡大して示す断面図である。 １……n+型GaAs基板。 ２……n-型GaAs層（第１導電型の第１の半導体層）、３
……ｐ型GaAs層（第２導電型の第２の半導体層）、４…
…ｐ型AlGaAs層（第２導電型の第３の半導体層）。 ５……反射防止膜、６……ｐ側電極（第１の電極）、７
……ｎ側電極（第２の電極）、８……金属電極層（Al/Z
n電極層）。
Claims (5)
- 【請求項１】第１導電型の第１の半導体層と、この第１
の半導体層上に形成された第２導電型の第２の半導体層
と、この第２の半導体層の表面の一部に選択的にオーム
接触して形成された第１の電極と、前記第２の半導体層
上に形成された化学的に活性な第２導電型の第３の半導
体層と、この第３の半導体層の表面を覆うように形成さ
れた反射防止膜とを少なくとも備える光電変換装置にお
いて、前記第２の半導体層と第１の電極との界面部に、
前記第２の半導体層の不純物源を含有する金属電極層を
形成させたことを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】第１および第２の半導体層がGaAs層であ
り、第３の半導体層がGa1-XAlXAs層であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の光電変換装置。 - 【請求項３】界面部に形成される金属電極層にAl/Asの
２元合金材料を用い、同金属電極層のAl中でのZnの含有
比率が30〜70％で、かつその膜厚が20〜500Åと範囲に
制御されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項，または第２項に記載の光電変換装置。 - 【請求項４】第１の電極がTi,Pd,AgまたはTi,Pt,Agの３
層構成からなることを特徴とする特許請求の範囲第１
項，第２項，または第３項に記載の光電変換装置。 - 【請求項５】金属電極層がAl/Asからなり、この金属電
極層がTiからなる第１の電極と第２の半導体層とで包囲
された構成であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項，第２項，第３項，または第４項に記載の光電変換装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050818A JP2508060B2 (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050818A JP2508060B2 (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216384A JPS63216384A (ja) | 1988-09-08 |
| JP2508060B2 true JP2508060B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=12869341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62050818A Expired - Lifetime JP2508060B2 (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2508060B2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP62050818A patent/JP2508060B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63216384A (ja) | 1988-09-08 |
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