JPH11103081A - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
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- JPH11103081A JPH11103081A JP9264631A JP26463197A JPH11103081A JP H11103081 A JPH11103081 A JP H11103081A JP 9264631 A JP9264631 A JP 9264631A JP 26463197 A JP26463197 A JP 26463197A JP H11103081 A JPH11103081 A JP H11103081A
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- collector electrode
- light
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子間の直列接続を行うための半田付けを容
易に行え、その半田密着性が良好である光起電力素子を
提供する。 【解決手段】 ｎ型の結晶系シリコン基板１の光入射側
に、ｉ型の非晶質シリコン層２，ｐ型の非晶質シリコン
層３，ＩＴＯからなる透光性導電膜４をこの順に積層
し、また、結晶系シリコン基板１の光透過側に、ｉ型の
非晶質シリコン層６，ｎ型の非晶質シリコン層７，ＩＴ
Ｏからなる透光性導電膜８をこの順に積層し、透光性導
電膜４，８上にＡｇからなる櫛形の集電極５，９を形成
し、更に、集電極５，９の表面を含む透光性導電膜４，
８上にＡｇからなる導電性膜10，11を設ける。
易に行え、その半田密着性が良好である光起電力素子を
提供する。 【解決手段】 ｎ型の結晶系シリコン基板１の光入射側
に、ｉ型の非晶質シリコン層２，ｐ型の非晶質シリコン
層３，ＩＴＯからなる透光性導電膜４をこの順に積層
し、また、結晶系シリコン基板１の光透過側に、ｉ型の
非晶質シリコン層６，ｎ型の非晶質シリコン層７，ＩＴ
Ｏからなる透光性導電膜８をこの順に積層し、透光性導
電膜４，８上にＡｇからなる櫛形の集電極５，９を形成
し、更に、集電極５，９の表面を含む透光性導電膜４，
８上にＡｇからなる導電性膜10，11を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光入射により光起
電力を発生する光起電力素子に関する。
電力を発生する光起電力素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、結晶系シリコン基板を基板とす
る、本出願人が、特願平８−290707号に提案した光起電
力素子の構造を示す断面図である。図２において、１は
単結晶シリコン，多結晶シリコン等の結晶系半導体から
なるｎ型の結晶系シリコン基板である。結晶系シリコン
基板１の一方の主面（表面）上には、ｉ型の非晶質シリ
コン層２，ｐ型の非晶質シリコン層３がこの順に積層さ
れ、更にその上に、例えばＩＴＯからなる透光性導電膜
４及びＡｇからなる櫛形状の集電極５が形成されてい
る。結晶系シリコン基板１の他方の主面（裏面）上に
は、ｉ型の非晶質シリコン層６，ｎ型の非晶質シリコン
層７がこの順に積層され、更にその上に、例えばＩＴＯ
からなる透光性導電膜８及びＡｇからなる櫛形状の集電
極９が形成されている。
る、本出願人が、特願平８−290707号に提案した光起電
力素子の構造を示す断面図である。図２において、１は
単結晶シリコン，多結晶シリコン等の結晶系半導体から
なるｎ型の結晶系シリコン基板である。結晶系シリコン
基板１の一方の主面（表面）上には、ｉ型の非晶質シリ
コン層２，ｐ型の非晶質シリコン層３がこの順に積層さ
れ、更にその上に、例えばＩＴＯからなる透光性導電膜
４及びＡｇからなる櫛形状の集電極５が形成されてい
る。結晶系シリコン基板１の他方の主面（裏面）上に
は、ｉ型の非晶質シリコン層６，ｎ型の非晶質シリコン
層７がこの順に積層され、更にその上に、例えばＩＴＯ
からなる透光性導電膜８及びＡｇからなる櫛形状の集電
極９が形成されている。
【０００３】そして、実際に太陽電池として使用する場
合には、このような構成の多数の光起電力素子を、集電
極５，９に半田付けされたタブを介して、直列接続させ
たモジュール構造とする。
合には、このような構成の多数の光起電力素子を、集電
極５，９に半田付けされたタブを介して、直列接続させ
たモジュール構造とする。
【０００４】このような構造の光起電力素子では、結晶
系シリコン基板１以外の各層の形成を、プラズマＣＶＤ
法，スパッタリング法，スクリーン印刷法等の方法を用
いて全て200 ℃以下の温度で行うことができるので、基
板の反りの発生を防止でき、しかも製造コストの低減化
を図ることができる。このような構造の光起電力素子で
は、非晶質シリコン層２，３，６，７への熱的なダメー
ジを抑制するために、低温環境にて作製されるので、集
電極５，９用のＡｇペーストも低温硬化型のペーストが
使用されている。
系シリコン基板１以外の各層の形成を、プラズマＣＶＤ
法，スパッタリング法，スクリーン印刷法等の方法を用
いて全て200 ℃以下の温度で行うことができるので、基
板の反りの発生を防止でき、しかも製造コストの低減化
を図ることができる。このような構造の光起電力素子で
は、非晶質シリコン層２，３，６，７への熱的なダメー
ジを抑制するために、低温環境にて作製されるので、集
電極５，９用のＡｇペーストも低温硬化型のペーストが
使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
光起電力素子にあっては、集電極５，９用に使用してい
るＡｇペーストが低温硬化型であるので、光起電力素子
間の直列接続を行うための半田付け時の条件範囲が狭く
て、条件管理が困難であり、半田付け性が悪く、また、
半田付けによるＡｇ食われまたはマイグレーションが発
生して、半田不良となる可能性も高いといった課題が残
っており、改善の余地がある。
光起電力素子にあっては、集電極５，９用に使用してい
るＡｇペーストが低温硬化型であるので、光起電力素子
間の直列接続を行うための半田付け時の条件範囲が狭く
て、条件管理が困難であり、半田付け性が悪く、また、
半田付けによるＡｇ食われまたはマイグレーションが発
生して、半田不良となる可能性も高いといった課題が残
っており、改善の余地がある。
【０００６】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、集電極の上面に導電性膜を備えることにより、
集電極に直接半田付けを行う従来例と比べて容易に半田
付けを行える光起電力素子を提供することを目的とす
る。
であり、集電極の上面に導電性膜を備えることにより、
集電極に直接半田付けを行う従来例と比べて容易に半田
付けを行える光起電力素子を提供することを目的とす
る。
【０００７】本発明の他の目的は、裏面側の集電極の上
面に備える導電性膜を透光性導電膜の全面を被うように
設け、また、その裏面側の導電性膜の材料を高反射性の
Ａｇとすることにより、裏面反射効果によって変換効率
の向上を図れる光起電力素子を提供することにある。
面に備える導電性膜を透光性導電膜の全面を被うように
設け、また、その裏面側の導電性膜の材料を高反射性の
Ａｇとすることにより、裏面反射効果によって変換効率
の向上を図れる光起電力素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る光起電力
素子は、非晶質半導体層上に、透光性導電膜を介して集
電極を備えた光起電力素子において、前記集電極の上面
に導電性膜を備えることを特徴とする。
素子は、非晶質半導体層上に、透光性導電膜を介して集
電極を備えた光起電力素子において、前記集電極の上面
に導電性膜を備えることを特徴とする。
【０００９】請求項２に係る光起電力素子は、結晶系半
導体基板の一主面側に非晶質半導体層を備えると共に、
該非晶質半導体層上に透光性導電膜を介して集電極を備
えた光起電力素子において、前記集電極の上面に導電性
膜を備えることを特徴とする。
導体基板の一主面側に非晶質半導体層を備えると共に、
該非晶質半導体層上に透光性導電膜を介して集電極を備
えた光起電力素子において、前記集電極の上面に導電性
膜を備えることを特徴とする。
【００１０】請求項３に係る光起電力素子は、一導電型
の結晶系半導体基板の光入射側に、前記一導電型と逆の
導電型の非晶質半導体層を備えると共に、該非晶質半導
体層上に透光性導電膜を介して集電極を備えた光起電力
素子において、前記集電極の上面に導電性膜を備えるこ
とを特徴とする。
の結晶系半導体基板の光入射側に、前記一導電型と逆の
導電型の非晶質半導体層を備えると共に、該非晶質半導
体層上に透光性導電膜を介して集電極を備えた光起電力
素子において、前記集電極の上面に導電性膜を備えるこ
とを特徴とする。
【００１１】請求項４に係る光起電力素子は、一導電型
の結晶系半導体基板の光透過側に、前記一導電型と同じ
導電型の非晶質半導体層を備えると共に、該非晶質半導
体層上に透光性導電膜を介して集電極を備えた光起電力
素子において、前記集電極の上面に導電性膜を備えるこ
とを特徴とする。
の結晶系半導体基板の光透過側に、前記一導電型と同じ
導電型の非晶質半導体層を備えると共に、該非晶質半導
体層上に透光性導電膜を介して集電極を備えた光起電力
素子において、前記集電極の上面に導電性膜を備えるこ
とを特徴とする。
【００１２】請求項５に係る光起電力素子は、請求項４
において、前記導電性膜が、前記透光性導電膜の全面を
被って備えられていることを特徴とする。
において、前記導電性膜が、前記透光性導電膜の全面を
被って備えられていることを特徴とする。
【００１３】請求項６に係る光起電力素子は、請求項５
において、前記導電性膜がＡｇからなることを特徴とす
る。
において、前記導電性膜がＡｇからなることを特徴とす
る。
【００１４】請求項７に係る光起電力素子は、請求項１
〜５の何れかにおいて、前記導電性膜が、半田付け性が
良好な金属からなることを特徴とする。
〜５の何れかにおいて、前記導電性膜が、半田付け性が
良好な金属からなることを特徴とする。
【００１５】本発明の光起電力素子は、非晶質半導体層
上に透光性導電膜を介して集電極を備えた構成であっ
て、集電極の上に導電性膜を備えている。そして、モジ
ュール作製時には、この導電性膜にタブが半田付けされ
る。よって、集電極を低温硬化型の導電ペーストを使用
して形成した場合でも、集電極へ直接半田付け処理を行
う従来例と比較して、半田付け密着度を向上できる。
上に透光性導電膜を介して集電極を備えた構成であっ
て、集電極の上に導電性膜を備えている。そして、モジ
ュール作製時には、この導電性膜にタブが半田付けされ
る。よって、集電極を低温硬化型の導電ペーストを使用
して形成した場合でも、集電極へ直接半田付け処理を行
う従来例と比較して、半田付け密着度を向上できる。
【００１６】この導電性膜の材料としては、Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ等の金属、またはこれらの
合金を用いることができるが、タブの半田付けを考えれ
ば、Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等の半田付け性が良好な金
属を用いることが好ましい。また、裏面側では、この導
電性膜を透光性導電膜の全面を被うように設けることに
より、導電性膜が裏面側の反射膜として作用し、裏面反
射効果を高めて変換効率を向上できる。更に、この裏面
側の導電性膜の材料を光反射率が高いＡｇとすることに
より、より高い変換効率を実現できる。
ｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ等の金属、またはこれらの
合金を用いることができるが、タブの半田付けを考えれ
ば、Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等の半田付け性が良好な金
属を用いることが好ましい。また、裏面側では、この導
電性膜を透光性導電膜の全面を被うように設けることに
より、導電性膜が裏面側の反射膜として作用し、裏面反
射効果を高めて変換効率を向上できる。更に、この裏面
側の導電性膜の材料を光反射率が高いＡｇとすることに
より、より高い変換効率を実現できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施の形態を
示す図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明
の光起電力素子の構造を示す断面図である。図１におい
て、１は単結晶シリコン，多結晶シリコン等の結晶系半
導体からなるｎ型の結晶系シリコン基板である。結晶系
シリコン基板１の一方の主面（表面）上には、ｉ型の非
晶質シリコン層２（膜厚：100 Å），ｐ型の非晶質シリ
コン層３（膜厚：100 Å）がこの順に積層され、更にそ
の上に、例えばＩＴＯからなる透光性導電膜４（膜厚：
700 Å）及びＡｇからなる櫛形状の集電極５が形成され
ている。また、透光性導電膜４及び集電極５の上に、例
えばＡｇからなる導電性膜10（膜厚：数百〜5000Å）が
形成されている。
示す図面を参照して具体的に説明する。図１は、本発明
の光起電力素子の構造を示す断面図である。図１におい
て、１は単結晶シリコン，多結晶シリコン等の結晶系半
導体からなるｎ型の結晶系シリコン基板である。結晶系
シリコン基板１の一方の主面（表面）上には、ｉ型の非
晶質シリコン層２（膜厚：100 Å），ｐ型の非晶質シリ
コン層３（膜厚：100 Å）がこの順に積層され、更にそ
の上に、例えばＩＴＯからなる透光性導電膜４（膜厚：
700 Å）及びＡｇからなる櫛形状の集電極５が形成され
ている。また、透光性導電膜４及び集電極５の上に、例
えばＡｇからなる導電性膜10（膜厚：数百〜5000Å）が
形成されている。
【００１８】結晶系シリコン基板１の他方の主面（裏
面）上には、ｉ型の非晶質シリコン層６（膜厚：100
Å），ｎ型の非晶質シリコン層７（膜厚：100 Å）がこ
の順に積層され、更にその上に、例えばＩＴＯからなる
透光性導電膜８（膜厚：700 Å）及びＡｇからなる櫛形
状の集電極９が形成されている。また、透光性導電膜８
及び集電極９の上に、例えばＡｇからなる導電性膜11
（膜厚：数百〜5000Å）が形成されている。なお、本実
施の形態では、裏面側の集電極９上に形成される導電性
膜11を、裏面側の透光性導電膜８の全面を被うように設
けている。
面）上には、ｉ型の非晶質シリコン層６（膜厚：100
Å），ｎ型の非晶質シリコン層７（膜厚：100 Å）がこ
の順に積層され、更にその上に、例えばＩＴＯからなる
透光性導電膜８（膜厚：700 Å）及びＡｇからなる櫛形
状の集電極９が形成されている。また、透光性導電膜８
及び集電極９の上に、例えばＡｇからなる導電性膜11
（膜厚：数百〜5000Å）が形成されている。なお、本実
施の形態では、裏面側の集電極９上に形成される導電性
膜11を、裏面側の透光性導電膜８の全面を被うように設
けている。
【００１９】以上のような本実施の形態による光起電力
素子によれば、低温硬化型の金属ペーストを用いて集電
極５，９を形成しても、この集電極５，９上に導電性膜
10，11を介して確実に半田付けを行うことができ、ま
た、半田付けによるＡｇ食われまたはマイグレーション
が発生することもないので、長期にわたる信頼性を向上
することができる。また、裏面側の集電極９上に備えら
れる導電性膜11を、裏面側の透光性導電膜８の全面を被
うように設けているので、この導電性膜11による裏面反
射効果が生じ、導電性膜を備えない従来例と比べて、変
換効率の最大特性を約2.5 ％向上させることができた。
なお、このような裏面反射効果を最大とするためには、
導電性膜11の材料として上述したようなＡｇ等の高反射
性の金属を用いることが好ましい。
素子によれば、低温硬化型の金属ペーストを用いて集電
極５，９を形成しても、この集電極５，９上に導電性膜
10，11を介して確実に半田付けを行うことができ、ま
た、半田付けによるＡｇ食われまたはマイグレーション
が発生することもないので、長期にわたる信頼性を向上
することができる。また、裏面側の集電極９上に備えら
れる導電性膜11を、裏面側の透光性導電膜８の全面を被
うように設けているので、この導電性膜11による裏面反
射効果が生じ、導電性膜を備えない従来例と比べて、変
換効率の最大特性を約2.5 ％向上させることができた。
なお、このような裏面反射効果を最大とするためには、
導電性膜11の材料として上述したようなＡｇ等の高反射
性の金属を用いることが好ましい。
【００２０】次に、このような構成を有する光起電力素
子の製造手順について簡単に説明する。まず、ｎ型の結
晶系シリコン基板１の一方の主面に、ＳｉＨ4 を用いた
プラズマＣＶＤ法により、ｉ型の非晶質シリコン層２を
形成し、更にその上に、ＳｉＨ4 とＢ2 Ｈ6 との混合ガ
スを用いたプラズマＣＶＤ法により、ｐ型の非晶質シリ
コン層３を形成する。次いで、結晶系シリコン基板１の
他方の主面に、ＳｉＨ 4 を用いたプラズマＣＶＤ法によ
り、ｉ型の非晶質シリコン層６を形成し、更にその上
に、ＳｉＨ4 とＰＨ3 との混合ガスを用いたプラズマＣ
ＶＤ法により、ｎ型の非晶質シリコン層７を形成する。
子の製造手順について簡単に説明する。まず、ｎ型の結
晶系シリコン基板１の一方の主面に、ＳｉＨ4 を用いた
プラズマＣＶＤ法により、ｉ型の非晶質シリコン層２を
形成し、更にその上に、ＳｉＨ4 とＢ2 Ｈ6 との混合ガ
スを用いたプラズマＣＶＤ法により、ｐ型の非晶質シリ
コン層３を形成する。次いで、結晶系シリコン基板１の
他方の主面に、ＳｉＨ 4 を用いたプラズマＣＶＤ法によ
り、ｉ型の非晶質シリコン層６を形成し、更にその上
に、ＳｉＨ4 とＰＨ3 との混合ガスを用いたプラズマＣ
ＶＤ法により、ｎ型の非晶質シリコン層７を形成する。
【００２１】次に、スパッタリング法により、非晶質シ
リコン層３と非晶質シリコン層７との上に、何れもＩＴ
Ｏからなる透光性導電膜４と透光性導電膜８とをそれぞ
れ形成する。そして、Ａｇペーストを用いたスクリーン
印刷法により、透光性導電膜４と透光性導電膜８との上
に、それぞれ集電極５と集電極９とを形成する。
リコン層３と非晶質シリコン層７との上に、何れもＩＴ
Ｏからなる透光性導電膜４と透光性導電膜８とをそれぞ
れ形成する。そして、Ａｇペーストを用いたスクリーン
印刷法により、透光性導電膜４と透光性導電膜８との上
に、それぞれ集電極５と集電極９とを形成する。
【００２２】次に、スパッタリング法により、集電極５
の表面を含む透光性導電膜４上、及び、集電極９の表面
を含む透光性導電膜８上に、導電性膜10及び11をそれぞ
れ形成する。この際のスパッタ条件は、以下の通りであ
る。 ターゲット：Ａｇ 加熱温度：150 ℃ スパッタ圧力：３×10-3Ｔｏｒｒ
の表面を含む透光性導電膜４上、及び、集電極９の表面
を含む透光性導電膜８上に、導電性膜10及び11をそれぞ
れ形成する。この際のスパッタ条件は、以下の通りであ
る。 ターゲット：Ａｇ 加熱温度：150 ℃ スパッタ圧力：３×10-3Ｔｏｒｒ
【００２３】なお、ここではスパッタリング法によって
導電性膜10，11を形成することとしたが、抵抗加熱また
はエネルギビームによる蒸着処理、或いは、メッキ処理
にて、この導電性膜10，11を形成するようにしても良
い。
導電性膜10，11を形成することとしたが、抵抗加熱また
はエネルギビームによる蒸着処理、或いは、メッキ処理
にて、この導電性膜10，11を形成するようにしても良
い。
【００２４】また、導電性膜10，11の材料はＡｇに限る
ものではなく、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ等の他の
金属またはこれらの合金を用いても良いが、後の工程で
タブを半田付けすることを考慮すると、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃ
ｒのような半田付け性が良好な金属を用いることが好ま
しい。更に、集電極５，９の材料もＡｇに限るものでは
なく、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｒ等の他の金属また
はこれらの合金を用いても良い。
ものではなく、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ等の他の
金属またはこれらの合金を用いても良いが、後の工程で
タブを半田付けすることを考慮すると、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃ
ｒのような半田付け性が良好な金属を用いることが好ま
しい。更に、集電極５，９の材料もＡｇに限るものでは
なく、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｒ等の他の金属また
はこれらの合金を用いても良い。
【００２５】また、結晶系シリコン基板１の導電型をｎ
型としたが、光入射側に逆導電型のヘテロ接合を形成す
る構成であれば、結晶系シリコン基板１の導電型はｐ型
であっても良い。
型としたが、光入射側に逆導電型のヘテロ接合を形成す
る構成であれば、結晶系シリコン基板１の導電型はｐ型
であっても良い。
【００２６】また、上述した実施の形態では、結晶系半
導体と非晶質半導体とから構成される光起電力素子につ
いて説明したが、本発明はこれに限るものではなく、非
晶質半導体層上に透光性導電膜を介して集電極を備える
構造のものであれば、如何なる構成であっても良い。こ
のような構成を有するものとしては、例えば、金属基板
／ｎｉｐ構成の非晶質半導体層／透光性導電膜／集電極
の構成のもの、結晶系基板の光入射側にのみ非晶質半導
体層を設けた構成のもの、または、結晶系基板の光透過
側にのみ非晶質半導体層を設けた構成のもの等がある。
導体と非晶質半導体とから構成される光起電力素子につ
いて説明したが、本発明はこれに限るものではなく、非
晶質半導体層上に透光性導電膜を介して集電極を備える
構造のものであれば、如何なる構成であっても良い。こ
のような構成を有するものとしては、例えば、金属基板
／ｎｉｐ構成の非晶質半導体層／透光性導電膜／集電極
の構成のもの、結晶系基板の光入射側にのみ非晶質半導
体層を設けた構成のもの、または、結晶系基板の光透過
側にのみ非晶質半導体層を設けた構成のもの等がある。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明の光起電力素子で
は、集電極の上面に導電性膜を備えるようにしたので、
半田付け時のＡｇ食われによるコンタクト抵抗を増加さ
せることなく、半田付け性が良好となりタブの密着性を
向上することができ、また、半田付けの処理も容易とな
る。
は、集電極の上面に導電性膜を備えるようにしたので、
半田付け時のＡｇ食われによるコンタクト抵抗を増加さ
せることなく、半田付け性が良好となりタブの密着性を
向上することができ、また、半田付けの処理も容易とな
る。
【図１】本発明における光起電力素子の断面図である。
【図２】従来例における光起電力素子の断面図である。
１ 結晶系シリコン基板（ｎ型） ２，６ 非晶質シリコン層（ｉ型） ３ 非晶質シリコン層（ｐ型） ４，８ 透光性導電膜 ５，９ 集電極 ７ 非晶質シリコン層（ｎ型） 10，11 導電性膜
Claims (7)
- 【請求項１】 非晶質半導体層上に、透光性導電膜を介
して集電極を備えた光起電力素子において、前記集電極
の上面に導電性膜を備えることを特徴とする光起電力素
子。 - 【請求項２】 結晶系半導体基板の一主面側に非晶質半
導体層を備えると共に、該非晶質半導体層上に透光性導
電膜を介して集電極を備えた光起電力素子において、前
記集電極の上面に導電性膜を備えることを特徴とする光
起電力素子。 - 【請求項３】 一導電型の結晶系半導体基板の光入射側
に、前記一導電型と逆の導電型の非晶質半導体層を備え
ると共に、該非晶質半導体層上に透光性導電膜を介して
集電極を備えた光起電力素子において、前記集電極の上
面に導電性膜を備えることを特徴とする光起電力素子。 - 【請求項４】 一導電型の結晶系半導体基板の光透過側
に、前記一導電型と同じ導電型の非晶質半導体層を備え
ると共に、該非晶質半導体層上に透光性導電膜を介して
集電極を備えた光起電力素子において、前記集電極の上
面に導電性膜を備えることを特徴とする光起電力素子。 - 【請求項５】 前記導電性膜が、前記透光性導電膜の全
面を被って備えられている請求項４記載の光起電力素
子。 - 【請求項６】 前記導電性膜がＡｇからなる請求項５記
載の光起電力素子。 - 【請求項７】 前記導電性膜が、半田付け性が良好な金
属からなる請求項１〜５の何れかに記載の光起電力素
子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26463197A JP3653379B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 光起電力素子 |
| US09/161,003 US6091019A (en) | 1997-09-26 | 1998-09-25 | Photovoltaic element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26463197A JP3653379B2 (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 光起電力素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11103081A true JPH11103081A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3653379B2 JP3653379B2 (ja) | 2005-05-25 |
Family
ID=17406036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26463197A Expired - Lifetime JP3653379B2 (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-29 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3653379B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012105153A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換素子 |
| WO2012105154A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| WO2013046338A1 (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| EP2672522A1 (en) * | 2011-01-31 | 2013-12-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photoelectric conversion element |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101251857B1 (ko) * | 2012-01-31 | 2013-04-10 | 현대중공업 주식회사 | 양면 수광형 태양전지 제조 방법 |
| KR101251856B1 (ko) * | 2012-01-31 | 2013-04-10 | 현대중공업 주식회사 | 양면 수광형 태양전지 제조 방법 |
| KR101251878B1 (ko) * | 2012-01-31 | 2013-04-10 | 현대중공업 주식회사 | 양면 수광형 태양전지 제조 방법 |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP26463197A patent/JP3653379B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012105153A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換素子 |
| WO2012105154A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
| EP2672522A1 (en) * | 2011-01-31 | 2013-12-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photoelectric conversion element |
| WO2013046338A1 (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-04 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3653379B2 (ja) | 2005-05-25 |
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