RU2435251C2 - Передний электрод со слоем тонкой металлической пленки и буферным слоем с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом приборе и способ получения таковых - Google Patents
Передний электрод со слоем тонкой металлической пленки и буферным слоем с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом приборе и способ получения таковых Download PDFInfo
- Publication number
- RU2435251C2 RU2435251C2 RU2009120692/28A RU2009120692A RU2435251C2 RU 2435251 C2 RU2435251 C2 RU 2435251C2 RU 2009120692/28 A RU2009120692/28 A RU 2009120692/28A RU 2009120692 A RU2009120692 A RU 2009120692A RU 2435251 C2 RU2435251 C2 RU 2435251C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- work function
- photovoltaic device
- metal film
- high work
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 106
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 30
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- IZMLNVKXKFSCDB-UHFFFAOYSA-N oxoindium;oxotin Chemical compound [In]=O.[Sn]=O IZMLNVKXKFSCDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 112
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 14
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 13
- 210000001654 germ layer Anatomy 0.000 description 12
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006355 Tefzel Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N antimony;oxotin Chemical compound [Sb].[Sn]=O XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N dicalcium;disodium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Na+].[Na+].[Ca+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N ethene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical compound C=C.FC(F)=C(F)F QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920013637 polyphenylene oxide polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004590 silicone sealant Substances 0.000 description 1
- OGFYIDCVDSATDC-UHFFFAOYSA-N silver silver Chemical compound [Ag].[Ag] OGFYIDCVDSATDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Фотоэлектрический прибор согласно изобретению содержит переднюю стеклянную подложку; активную полупроводниковую пленку; электрически проводящую и по существу прозрачную структуру переднего электрода, размещенную между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой; при этом структура переднего электрода содержит по существу прозрачную металлическую пленку и буферную пленку с высокой работой выхода; и при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которая является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и буферная пленка с высокой работой выхода размещена между металлической пленкой и самой верхней частью полупроводниковой пленки, причем буферная пленка с высокой работой выхода содержит богатый кислородом оксид индия-олова (ITO). 2 н. и 27 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
[0001] Данное изобретение относится к фотоэлектрическому прибору, включающему в себя передний электрод/контакт. В определенных примерных вариантах реализации передний электрод фотоэлектрического прибора включает в себя высокопроводящую металлическую пленку и тонкий буферный слой с высокой работой выхода. Буферный слой с высокой работой выхода размещен между металлической пленкой и самым верхним полупроводниковым слоем фотоэлектрического прибора с тем, чтобы обеспечить существенное согласование работы выхода между металлической пленкой и самым верхним полупроводниковым слоем прибора с высокой работой выхода для того, чтобы снизить потенциальный барьер для дырок, выводимых из прибора передним электродом/контактом. Необязательно, в определенных примерных случаях между передней стеклянной подложкой и металлической пленкой может быть предусмотрен еще один слой, такой как прозрачный проводящий оксид (ППО) или диэлектрик.
ПРЕДПОСЫЛКИ И СУЩНОСТЬ ПРИМЕРНЫХ ВАРИАНТОВ РЕАЛИЗАЦИИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0002] Фотоэлектрические приборы известны в данной области техники (например, см. патенты США №№6784361, 6288325, 6613603 и 6123824, раскрытия которых включены сюда по ссылке). Фотоэлектрические приборы на аморфном кремнии, например, включают в себя передний электрод или контакт. Как правило, прозрачный передний электрод (который может включать в себя передний контакт, как применяемый здесь) выполнен из прозрачного проводящего оксида (ППО), такого как оксид цинка или оксид олова, сформированного на подложке, такой как стеклянная подложка. Во многих случаях прозрачный передний электрод формируют из одиночного слоя с использованием способа химического пиролиза, при котором на стеклянную подложку напыляют прекурсоры при температуре приблизительно от 400 до 600 градусов Цельсия. Передние электроды, выполненные только из слоя легированного фтором ППО-оксида олова, нежелательны потому, что они склонны к потемнению в водородных атмосферах, которые могут быть использованы во время осаждения поглотителя из a-Si:H. В качестве еще одного примера, передние электроды, выполненные только из слоя ППО-оксида цинка, являются проблематичными в том отношении, что в некоторых случаях они имеют недостаточную удельную проводимость.
[0003] Типичные ППО, используемые для определенных передних электродов фотоэлектрических приборов, относятся к n-типу и поэтому могут создавать барьер Шоттки на поверхности раздела между ППО и самым верхним полупроводниковым слоем фотоэлектрического прибора (например, слоем на основе кремния р-типа) в направлении, противоположном встроенному полю (p-n-перехода). Этот барьер может действовать как барьер для дырок, выводимых из прибора передним электродом, тем самым приводя к неэффективной работе.
[0004] Таким образом, должно быть понятно, что в данной области техники существует потребность в усовершенствованном переднем электроде для фотоэлектрического прибора, который сможет снизить потенциальный барьер для дырок, выводимых из фотоэлектрического прибора передним электродом.
[0005] Для преодоления вышеназванной проблемы передний электрод фотоэлектрического прибора снабжен: как (а) прозрачной металлической (или по существу металлической) пленкой из такого материала, как Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Al, их сплавы, комбинация одного или более из этих металлов с другим(и) металлом(ами), или т.п., так и (b) прозрачным буферным слоем с высокой работой выхода. В определенных примерных вариантах реализации прозрачная металлическая пленка может представлять собой пленку с низкой работой выхода. Буферный слой с высокой работой выхода расположен между металлической пленкой и самым верхним полупроводниковым слоем фотоэлектрического прибора с тем, чтобы обеспечивать существенное согласование работы выхода между металлической пленкой и самым верхним полупроводниковым слоем прибора с высокой работой выхода для того, чтобы снизить потенциальный барьер для дырок, выводимых из прибора передним контактом. Более того, структура этого переднего электрода выгодна тем, что весь передний электрод в целом может быть более тонким, чем традиционные электроды, тем самым обеспечивая возможность его изготовления более дешево и/или более быстро.
[0006] В фотоэлектрических приборах или им подобных является желательной хорошая удельная электрическая проводимость в нормальном направлении в дополнение к удельной проводимости в поперечном направлении для того, чтобы эффективно выводить генерируемые носители заряда из полупроводникового прибора. Согласно определенным примерным вариантам реализации данного изобретения используют комбинацию тонкой металлической пленки и согласующей работу выхода тонкой буферной пленки для применения в связи со структурой переднего электрода. Согласующий работу выхода буферный слой предусмотрен для по существу согласования работы выхода металлической пленки и полупроводникового поглотителя фотоэлектрического прибора. Это побуждает полупроводниковый поглотитель более легко отдавать сгенерированные дырки; другими словами, его уровень Ферми может быть повышен, а потенциальный барьер для носителей заряда может быть снижен, тем самым увеличивая эффективность прибора.
[0007] В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения прозрачный барьерный слой с высокой работой выхода (слой для существенного согласования работы выхода) может быть из прозрачного проводящего оксида (ППО), такого как оксид индия-олова (ITO) (богатый кислородом ITO или стехиометрический ITO), оксид индия-цинка, оксид цинка, оксид цинка-алюминия, оксид олова, оксид олова-сурьмы или тому подобные. В других примерных вариантах реализации данного изобретения барьерный слой с высокой работой выхода может быть диэлектриком, таким как оксид олова, оксид цинка или тому подобные.
[0008] В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения необязательно может быть предусмотрен зародышевый слой между передней стеклянной подложкой и металлической пленкой. Зародышевый слой может быть использован для улучшения качества металлической пленки и/или для улучшения адгезии металлической пленки к стеклянной подложке. В определенных примерных вариантах реализации зародышевый слой может представлять собой ППО, выполненный из или включающий в себя такой материал, как оксид олова, легированный фтором оксид олова, оксид цинка, легированный алюминием оксид цинка, оксид индия-цинка или тому подобный. Альтернативно, в определенных примерных вариантах реализации данного изобретения зародышевый слой может быть диэлектриком. В дополнение к обеспечению повышенной долговечности, зародышевый слой может быть также выгоден тем, что он может снижать отражение видимого света, тем самым позволяя большему количеству света достигать полупроводникового поглотителя прибора, повышая тем самым его эффективность. В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения предложен фотоэлектрический прибор, содержащий: переднюю стеклянную подложку; активную полупроводниковую пленку; электропроводную и по существу прозрачную структуру переднего электрода, размещенную между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой; при этом структура переднего электрода содержит по существу прозрачную металлическую пленку, имеющую относительно низкую работу выхода, и буферную пленку с высокой работой выхода; и при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которая является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и буферная пленка с высокой работой выхода размещена между металлической пленкой и самой верхней частью полупроводниковой пленки.
[0009] В других определенных примерных вариантах реализации данного изобретения предложена электродная структура, приспособленная для применения в фотоэлектрическом приборе, причем эта электродная структура содержит: стеклянную подложку; по существу прозрачную металлическую пленку, поддерживаемую стеклянной подложкой; и буферную пленку с высокой работой выхода, поддерживаемую стеклянной подложкой, при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которая является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и металлическая пленка размещена между по меньшей мере буферной пленкой с высокой работой выхода и стеклянной подложкой.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0010] ФИГ. 1 представляет собой вид в поперечном сечении примерного фотоэлектрического прибора согласно примерному варианту реализации данного изобретения.
[0011] ФИГ. 2 представляет собой вид в поперечном сечении примерного фотоэлектрического прибора согласно примерному варианту реализации данного изобретения.
[0012] ФИГ. 3 представляет собой график, иллюстрирующий положения зон и уровней Ферми определенных материалов и a-Si:H р-типа относительно уровня вакуума и нормального водородного электрода (НВЭ).
[0013] ФИГ. 4(а)-4(b) представляют собой графики, иллюстрирующие относительные положения отдельных слоев ППО и слоев a-Si для иллюстрирования преимущества использования ITO перед ZnAlOx в качестве материала буферного слоя, хотя оба могут быть использованы в различных примерных вариантах реализации данного изобретения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРИМЕРНЫХ ВАРИАНТОВ РЕАЛИЗАЦИИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0014] Обратимся теперь более конкретно к чертежам, на которых сходные ссылочные номера обозначают сходные части на нескольких видах.
[0015] Фотоэлектрические приборы, такие как солнечные элементы, преобразуют солнечное излучение и другой свет в полезную электрическую энергию. Преобразование энергии типично происходит в результате фотоэлектрического эффекта. Солнечное излучение (например, солнечный свет), падающее на фотоэлектрический прибор и поглощенное активной областью из полупроводникового материала (например, полупроводниковой пленкой, включающей в себя один или более полупроводниковых слоев, таких как слои a-Si), генерирует в этой активной области пары электрон-дырка. Эти электроны и дырки могут быть разделены электрическим полем перехода в фотоэлектрическом приборе. Разделение электронов и дырок переходом приводит к генерированию электрического тока и напряжения. В определенных примерных вариантах реализации электроны движутся к области полупроводникового материала, имеющей проводимость n-типа, а дырки движутся к области полупроводникового материала, имеющей проводимость р-типа. Пока свет продолжает генерировать пары электрон-дырка в фотоэлектрическом приборе, через внешнюю цепь, соединяющую область n-типа с областью р-типа, может протекать ток.
[0016] В определенных примерных вариантах реализации однопереходные фотоэлектрические приборы на аморфном кремнии (a-Si) включают в себя три полупроводниковых слоя. В частности, р-слой, n-слой и i-слой, который обладает собственной проводимостью. Пленка аморфного кремния (которая может включать в себя один или более слоев, таких как слои р-, n- и i-типа) в определенных случаях может быть из гидрогенизированного (гидрированного) аморфного кремния, но в определенных вариантах реализации данного изобретения может также представлять собой или включать в себя гидрогенизированный аморфный кремний-углерод или гидрогенизированный аморфный кремний-германий, или т.п. В качестве примера и без ограничения, когда фотон света поглощается в i-слое, он приводит к единице электрического тока (паре электрон-дырка). Слои р- и n-типа, которые содержат заряженные ионы легирующих примесей, создают на i-слое электрическое поле, которое выводит электрический заряд из i-слоя и направляет его в необязательную внешнюю цепь, где он может обеспечивать питание для электрических компонентов. Следует отметить, что, хотя определенные варианты реализации данного изобретения направлены на фотоэлектрические приборы на основе аморфного кремния, данное изобретение не ограничивается этим и в определенных случаях может быть использовано в связи с другими типами фотоэлектрических приборов, включая, но не ограничиваясь ими, приборы, включающие в себя другие типы полупроводникового материала, каскадные тонкопленочные солнечные элементы и им подобные. Определенные примерные варианты реализации данного изобретения могут быть применимыми, например, к фотоэлектрическим приборам типа CdS/CdTe.
[0017] Фиг.1 представляет собой вид в поперечном сечении фотоэлектрического прибора согласно примерному варианту реализации данного изобретения. Этот фотоэлектрический прибор включает в себя прозрачную переднюю стеклянную подложку 1, необязательный зародышевый слой 2 диэлектрика или прозрачного проводящего оксида (ППО), одно- или многослойную металлическую пленку 3, необязательно характеризующуюся относительно низкой работой выхода, буферный слой 4 с высокой работой выхода, активную полупроводниковую пленку 5 из одного или более слоев полупроводника, тыльный электрод или контакт 7, который может быть из ППО или металла, необязательный герметик 9 или клей из такого материала, как этиленвинилацетат (ЭВА) или тому подобный, и необязательная накладка 11 из такого материала, как стекло. Передний электрод в варианте реализации по Фиг.1 может представлять собой или включать в себя металлическую пленку 3, и, необязательно, может также включать в себя барьерный слой 4 с высокой работой выхода и/или слой 2, если один или оба из этих слоев 2, 4 являет(ют)ся проводящими. Разумеется, в приборе может(гут) быть предусмотрен(ы) также и другой(ие) слой(и). Фиг.2 подобна Фиг. 1, за исключением того, что металлическая пленка 3 в варианте реализации по Фиг.2 включает в себя первый металлический слой 3а серебра или тому подобного и второй металлический слой 3b золота или тому подобного. Работа выхода металлической пленки 3 может варьироваться в зависимости от того, какой металл используется для ее изготовления. Например, хотя работа выхода металлической пленки 3 является меньшей, чем у буферной пленки, можно сказать, что работа выхода металлической пленки будет высокой, когда для нее используют Ag, Au и/или Pd, поскольку эти металлы считаются металлами с относительно высокой работой выхода.
[0018] Передняя стеклянная подложка 1 и/или задняя накладка (подложка) 11 в определенных примерных вариантах реализации данного изобретения могут быть выполнены из натриевокальциевосиликатного стекла. Хотя в определенных примерных вариантах реализации данного изобретения подложки 1, 11 могут быть из стекла, вместо него в качестве подложки(ек) 1 и/или 11 могут быть использованы другие материалы, такие как кварц или тому подобные. Более того, в определенных случаях накладка 11 является необязательной. В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения стекло 1 и/или 11 может быть или не быть подвергнутым термической закалке и/или сделано рельефным. Дополнительно, должно быть понятно, что используемое здесь слово «на» охватывает слой, находящийся как непосредственно на, так и опосредованно на чем-то, с возможно расположенными между ними другими слоями.
[0019] В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения между передней стеклянной подложкой 1 и металлической пленкой 3 может быть предусмотрен зародышевый слой 2. Зародышевый слой 2 может быть использован для улучшения качества металлической пленки 3 и/или для усиления адгезии металлической пленки 3 к стеклянной подложке 1. В определенных примерных вариантах реализации зародышевый слой 2 может быть ППО, представляющим собой или включающим в себя такой материал, как оксид олова, легированный фтором оксид олова, оксид цинка, легированный алюминием оксид цинка, оксид индия-цинка, оксид индия-олова или тому подобный. Альтернативно, в определенных примерных вариантах реализации данного изобретения зародышевый слой 2 может быть диэлектриком, таким как оксид цинка, оксид олова или тому подобный. В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения зародышевый слой 2 может составлять от примерно 40 до 4000 Å в толщину, более предпочтительно - от примерно 60 до 1000 Å в толщину, еще более предпочтительно - от примерно 80 до 400 Å в толщину, с примерным значением, составляющим примерно 50 или 100 Å (т.е. примерно 5 или 10 нм) в толщину. В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения зародышевый слой 2 может иметь относительно низкую работу выхода. Опять же, можно сказать, что в определенных примерных вариантах реализации металлическая пленка 3 представляет собой пленку с низкой работой выхода.
[0020] В определенных примерных вариантах реализации металлическая пленка 3 может быть единственным по существу металлическим слоем или, альтернативно, может представлять собой множество по существу металлических слоев металла. Хотя в определенных примерных вариантах реализации металлическая пленка 3 является полностью металлической, в определенных случаях она может также включать в себя небольшие количества другого(их) элемента(ов), такого(их) как кислород или тому подобный. В определенных примерных вариантах реализации каждый слой проводящей металлической пленки 3 может представлять собой или включать в себя Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Al, их сплавы, комбинацию одного или более из этих металлов с другим(и) металлом(ами), или тому подобное. Использование меди для пленки 3 может быть выгодно в определенных примерных вариантах реализации в отношении стоимости, пропускания света в видимом диапазоне и работы выхода (примерно 4,7 эВ). Например, в одном примере металлическая пленка 3 может быть образована из единственного металлического слоя, представляющего собой или включающего в себя Cu, Ag, Au, Ni, Pd, Al, или сплавы одного или более из этих металлов. В еще одном примерном варианте реализации, показанном в Фиг.2, металлическая пленка 3 может быть образована слоем серебра 3а и слоем золота 3b, которые находятся в контакте между собой, или содержать их. Таким образом, будет понятно, что в определенных примерных вариантах реализации металлическая пленка 3 может представлять собой многослойный пакет разнородных металлов или металлических сплавов, или оксидов металлов, или металлического сплава с градиентным составом. В определенных примерных вариантах реализации металлическая пленка 3 является по существу или полностью металлической, и в определенных примерных вариантах реализации данного изобретения типично имеет относительно низкую работу выхода. В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения металлическая пленка 3 имеет толщину от примерно 20 до 600 Å, более предпочтительно - от примерно 40 до 200 Å, еще более предпочтительно - от примерно 60 до 200 Å, с примерной толщиной, составляющей от примерно 90-150 Å.
[0021] Буферный слой или пленка 4 с высокой работой выхода предусмотрен(а) расположенным(ой) между металлической пленкой 3 и полупроводником 5 фотоэлектрического прибора и необязательно контактирующим(ей) с ними. В определенных примерных вариантах реализации буферный слой или пленка 4 с высокой работой выхода может быть выполнен(а) из слоя прозрачного проводящего оксида (ППО), представляющего собой или включающего в себя оксид индия-олова (богатый кислородом ITO или стехиометрический ITO), оксид индия-цинка, оксид цинка, оксид цинка-алюминия, оксид олова, который может быть или не быть легирован фтором, оксид олова-сурьмы или тому подобные. Например, в определенных примерных вариантах реализации данного изобретения буферная пленка 4 с высокой работой выхода может быть сформирована распылением керамической мишени ITO в газовой атмосфере, включающей в себя смесь газообразных аргона (Ar) (и/или любого другого инертного газа) и кислорода; в других примерных вариантах реализации пленка 4 может быть сформирована распылением металлической мишени InSn в газовой атмосфере, включающей в себя смесь газообразных аргона (Ar) (и/или любого другого инертного газа) и кислорода, причем используют большое количество газообразного кислорода для того, чтобы сделать получающуюся пленку ITO богатой кислородом и имеющей более высокую работу выхода. В других примерных вариантах реализации данного изобретения буферный слой или пленка 4 с высокой работой выхода может быть диэлектриком из такого материала, как оксид олова, оксид цинка или тому подобный. В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения буферный слой или пленка 4 с высокой работой выхода имеет толщину от примерно 10 до 1000 Å, более предпочтительно - от примерно 20 до 100 Å, еще более предпочтительно - от примерно 25 до 60 Å, с примерной толщиной, составляющей от примерно 30-50 Å. Если пленка 4 является слишком толстой, ее работа выхода может быть нежелательной. Хотя вышеуказанные значения толщины для слоя или пленки 4 особенно применимы, когда буферный слой или пленка 4 с высокой работой выхода представляет собой ППО, возможно сделать буферный слой 4 с высокой работой выхода еще более тонким (например, толщиной примерно 5-30 Å, например, толщиной примерно 10 Å), когда слой или пленка 4 является диэлектриком.
[0022] Будет понятно, что в определенных примерных вариантах реализации данного изобретения все элементы/пленки 1, 2, 3 и 4 являются по существу прозрачными, так что свет может достигать активного полупроводника/поглотителя фотоэлектрического прибора.
[0023] В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения фотоэлектрический прибор может быть изготовлен путем обеспечения стеклянной подложки 1, а затем осаждения (например, распылением, пиролизом или любым другим пригодным методом) слоев 2, 3 и 4 на подложку 1 в этом порядке. После этого структуру, включающую в себя подложку 1 и передний электрод, соединяют с остальной частью прибора, чтобы сформировать фотоэлектрический прибор, показанный на Фиг.1 (или Фиг.2). Например, полупроводниковый слой 5 может быть затем сформирован поверх структуры переднего электрода на подложке 1, или, альтернативно, может быть сформирован на другой подложке 11, после чего переднюю контактную структуру соединяют с ним. В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения слои 3 (и, необязательно, 4 и/или 2) переднего электрода обычно непрерывно, или по существу непрерывно, предусмотрены поверх по существу всей поверхности полупроводниковой пленки 5, хотя в определенных случаях возможно, что слои переднего электрода могут быть сделаны рельефными (например, с использованием лазерного травления или т.п.) с получением различных форм.
[0024] В фотоэлектрических приборах или им подобных является желательной хорошая удельная электрическая проводимость в нормальном направлении в дополнение к удельной проводимости в поперечном направлении, чтобы эффективно выводить сгенерированные носители заряда из полупроводникового прибора. Хорошая удельная проводимость обеспечивается посредством, по меньшей мере, металлической пленки 3. Потенциальная проблема в этом отношении состоит в значительной разнице энергий между работой выхода металлической пленки 3 и уровнем Ферми полупроводникового поглотителя 5. В качестве примера и без ограничения, в случае солнечных элементов на аморфном кремнии (a-Si) или микроморфном кремнии, где передний поглотитель представляет собой a-Si или a-Si:H, разность между работой выхода металлической пленки 3 (например, Ag) и уровнем Ферми поглотителя 5 может составить 0,9 эВ, что может значительно снизить эффективность прибора. Чтобы преодолеть эту потенциальную проблему, согласно определенным примерным вариантам реализации данного изобретения применяют комбинацию из тонкой металлической пленки 3 и согласующей работу выхода тонкой буферной пленки 4 для использования в сочетании со структурой переднего электрода. Согласующая работу выхода буферная пленка 4 предусматривается для по существу согласования работы выхода металлической пленки 3 и полупроводникового поглотителя 5 фотоэлектрического прибора. Это побуждает полупроводниковый поглотитель 5 более легко отдавать сгенерированные дырки; другими словами, его уровень Ферми может быть повышен, а потенциальный барьер для носителей заряда может быть снижен, тем самым улучшая эффективность прибора. В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения буфер 4 с высокой работой выхода может быть выполнен из богатого кислородом ITO или любого другого пригодного материала, как обсуждалось здесь в определенных примерных случаях. Буферная пленка 4 с высокой работой выхода располагается между металлической пленкой 3 с низкой работой выхода и самой верхней полупроводниковой частью (например, полупроводниковой частью р-типа) пленки 5 фотоэлектрического прибора с тем, чтобы обеспечить существенное согласование работы выхода между металлической пленкой 3 с низкой работой выхода (НРВ) и самой верхней полупроводниковой частью прибора с высокой работой выхода (ВРВ) для того, чтобы снизить потенциальный барьер для дырок, выводимых из прибора передним электродом.
[0025] Буферная пленка 4 для по существу согласования работы выхода может представлять собой полупроводник, такой как ППО (например, ITO, другой упомянутый здесь материал или любой другой подходящий материал), имеющий высокую энергию уровня Ферми, хотя возможно, что для этой пленки/слоя мог бы быть также использован очень тонкий диэлектрик. Фиг.3 иллюстрирует общую концепцию, а Фиг. 4а-4b демонстрируют преимущество ITO перед прочими буферными материалами, такими как ZnAlOx, с точки зрения согласования работы выхода металлической пленки 3 и полупроводника 5. Применение ультратонкого диэлектрика в качестве пленки 4 основывается на его свойствах туннелирования, когда может употребляться выражение «эффективная работа выхода»; это означает, что, когда пленки 3 и 5 разделены ультратонким диэлектриком (например, одного типа с пленкой 4), полупроводниковый поглотитель 5 сможет более легко отдавать сгенерированные дырки. Другими словами, его уровень Ферми повышен, а потенциальный барьер для носителей заряда может быть понижен, тем самым улучшая эффективность прибора. В определенных примерных вариантах реализации работа выхода металлической пленки 3 по существу согласована с уровнем Ферми поглотителя 5 путем тонкой регулировки уровня Ферми буферной пленки 4; это может быть достигнуто, например, варьированием параметров осаждения пленки 4. Таким образом, будет понятно, что работу выхода буфера или согласующей работу выхода пленки 4 регулируют с помощью условий осаждения так, чтобы она была выше, чем работа выхода металлической пленки 3, и/или ниже, чем уровень Ферми самого верхнего слоя или части слоя пленки 5 полупроводникового поглотителя.
[0026] Применение согласующей пленки 4, такой как ITO или тонкий диэлектрик, может также обеспечить повышенную долговечность пакета слоев с тем, чтобы это покрытие могло быть поточно осаждено и также успешно доставлено изготовителям солнечных элементов. Другими словами, пленку 4 можно также рассматривать как защитный покровный слой для металлической пленки 3 для того, чтобы защитить ее во время отгрузки и транспортировки или тому подобного.
[0027] В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения эта обладающая высокой работой выхода и/или согласующая работу выхода пленка 4 имеет работу выхода от примерно 4,0 до 5,7 эВ (например, для солнечных элементов на аморфном или микроморфном кремнии, в качестве примера, но без ограничения), более предпочтительно - от примерно 4,3 до 5,2 эВ, еще более предпочтительно - от примерно 4,5-5,0 эВ, в большей степени предпочтительно - от примерно 4,6 до 4,8 эВ, с примерным значением, составляющим примерно 4,7 эВ. В определенных примерных вариантах реализации буферная пленка 4 с высокой работой выхода имеет работу выхода по меньшей мере примерно на 4% выше, чем у металлической пленки 3, более предпочтительно - по меньшей мере на 6% выше, а наиболее предпочтительно - по меньшей мере примерно на 10% выше, чем работа выхода металлической пленки 3.
[0028] В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения весь передний электрод в целом, включая по меньшей мере металлическую пленку 3, может иметь поверхностное сопротивление (Rs) от примерно 2-50 ом/квадрат, более предпочтительно - от примерно 2-15 ом/квадрат, а наиболее предпочтительно - от примерно 2-10 ом/квадрат.
[0029] Активная полупроводниковая область или пленка 5 может включать в себя один или более слоев и может быть из любого пригодного материала. Например, активная полупроводниковая пленка 5 одного типа однопереходного фотоэлектрического прибора на аморфном кремнии (a-Si) включает в себя три полупроводниковых слоя, а именно, р-слой, n-слой и i-слой. Слой а-Si р-типа полупроводниковой пленки 5 в определенных примерных вариантах реализации данного изобретения может быть самой верхней частью полупроводниковой пленки 5; и i-слой типично размещен между слоями р- и n-типа. Эти слои на основе аморфного кремния пленки 5 в определенных случаях могут быть из гидрогенизированного аморфного кремния, но в определенных примерных вариантах реализации данного изобретения могут также представлять собой или включать в себя гидрогенизированный аморфный кремний-углерод или гидрогенизированный аморфный кремний-германий, или другой(ие) пригодный(е) материал(ы). В альтернативных вариантах реализации данного изобретения возможно, чтобы активная область 5 была двухпереходного типа. В определенных примерных случаях в качестве полупроводника 5 может быть также использован CdS/CdTe.
[0030] Тыльный контакт или электрод 7 может быть из любого пригодного электропроводящего материала. В качестве примера и без ограничения, тыльный контакт или электрод 7 в определенных случаях может быть из ППО и/или металла. Примерные ППО-материалы для использования в качестве тыльного контакта или электрода 7 включают оксид индия-цинка, оксид индия-олова (ITO), оксид олова и/или оксид цинка, который может быть легирован алюминием (который может быть или не быть легирован серебром). ППО тыльного контакта 7 в различных случаях может быть однослойного типа или многослойного типа. Более того, тыльный контакт 7 в определенных случаях может включать в себя как ППО-часть, так и металлическую часть. Например, в примерном многослойном варианте реализации ППО-часть тыльного контакта 7 может включать в себя ближайший к активной области 5 слой такого материала, как оксид индия-цинка (который может быть или не быть легирован серебром), оксид индия-олова (ITO), оксид олова и/или оксид цинка, и тыльный контакт может включать в себя еще один проводящий и, возможно, отражающий слой из такого материала, как серебро, молибден, платина, сталь, железо, ниобий, титан, хром, висмут, сурьма или алюминий, более удаленный от активной области 5 и более близкий к накладке 11. Металлическая часть может быть ближе к накладке 11 по сравнению с ППО-частью тыльного контакта 7.
[0031] В определенных примерных вариантах реализации фотоэлектрический модуль может быть окружен или частично покрыт герметизирующим материал, таким как герметик 9. Примерным герметиком или клеем для слоя 9 является ЭВА. Однако в различных случаях для слоя 9 вместо него могут быть использованы другие материалы, такие как пластик типа Tedlar (поливинилфторид), пластик типа Nuvasil (силиконовый герметик), пластик типа Tefzel (фторполимер) или тому подобные.
[0032] ППО-материалы, типично используемые в качестве передних электродов/контактов в тонкопленочных фотоэлектрических приборах (например, солнечных элементах), часто принадлежат к n-типу, а значит создают барьер Шоттки на поверхности раздела между ППО и самой верхней полупроводниковой частью прибора, которая может представлять собой часть/слой a-Si:H р-типа (такой барьер Шоттки может быть в направлении, обратном встроенному полю). Этот барьер является проблематичным тем, что он может образовывать барьер для дырок, выводимых из элемента передним контактом, тем самым приводя к неудовлетворительной работе прибора. Чтобы преодолеть эту проблему, используют материал с более высокой работой выхода. В определенных примерных вариантах реализации данного изобретения предусматривают многослойную структуру переднего электрода путем формирования металлической пленки 3 и, дополнительно, тонкой буферной пленки 4, чтобы обеспечить приблизительное или более существенное согласование работы выхода между пленкой 3 и самой верхней частью полупроводниковой пленки 5. В определенных примерных вариантах реализации уровень кислорода может постепенно или ступенчато повышаться от поверхности раздела между слоями 3 и 4 к поверхности раздела между слоями/пленками 4 и 5. Другими словами, в определенных примерных неограничивающих вариантах реализации пленка/слой 4 с высокой работой выхода может быть градиентной по степени окисления так, чтобы иметь более высокое содержание кислорода в своей части, непосредственно примыкающей к полупроводниковой пленке 5, чем в своей части, примыкающей к металлической пленке 3; это может способствовать улучшению работы по обсуждавшимся здесь причинам.
[0033] Хотя изобретение было описано в связи с тем, что в настоящий момент рассматривается как наиболее практичный и предпочтительный вариант реализации, должно быть понятно, что изобретение не должно ограничиваться раскрытым вариантом реализации, а, напротив, предполагается охватывающим разнообразные модификации и эквивалентные компоновки, входящие в пределы сути и объема прилагаемой формулы изобретения.
Claims (29)
1. Фотоэлектрический прибор, содержащий:
переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку;
электрически проводящую и, по существу, прозрачную структуру переднего электрода, размещенную между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой;
при этом структура переднего электрода содержит, по существу, прозрачную металлическую пленку и буферную пленку с высокой работой выхода; и
при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которая является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и буферная пленка с высокой работой выхода размещена между металлической пленкой и самой верхней частью полупроводниковой пленки, причем буферная пленка с высокой работой выхода содержит богатый кислородом оксид индия-олова (ITO).
переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку;
электрически проводящую и, по существу, прозрачную структуру переднего электрода, размещенную между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой;
при этом структура переднего электрода содержит, по существу, прозрачную металлическую пленку и буферную пленку с высокой работой выхода; и
при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которая является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и буферная пленка с высокой работой выхода размещена между металлической пленкой и самой верхней частью полупроводниковой пленки, причем буферная пленка с высокой работой выхода содержит богатый кислородом оксид индия-олова (ITO).
2. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода содержит пленку ППО.
3. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода содержит оксид индия-олова.
4. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка содержит первый и второй, по существу, металлические слои, выполненные из различных металлов.
5. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода непосредственно контактирует с каждой из металлической пленки и полупроводниковой пленки.
6. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка имеет работу выхода не более чем примерно 4,2 эВ, а буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода по меньшей мере 4,3 эВ.
7. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода по меньшей мере примерно на 4% выше, чем у металлической пленки, более предпочтительно - по меньшей мере на 6% выше, а наиболее предпочтительно - по меньшей мере примерно на 10% выше.
8. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода от примерно 4,0 до 5,7 эВ.
9. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода от примерно 4,3 до 5,2 эВ.
10. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода от примерно 4,5 до 5,0 эВ.
11. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка содержит один или более из Cu, Ag, Au, Al, Ni и/или Pd.
12. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка содержит первый слой, состоящий, по существу, из первого(ых) металла(ов), и второй слой, состоящий, по существу, из иного(ых) второго(ых) металла(ов).
13. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка составляет от примерно 20-600 Å в толщину, а буферная пленка с высокой работой выхода составляет от примерно 10 до 1000 Å в толщину.
14. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка составляет от примерно 40-200 Å в толщину, а буферная пленка с высокой работой выхода составляет от примерно 10 до 100 Å в толщину.
15. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий зародышевую пленку, размещенную между передней стеклянной подложкой и металлической пленкой.
16. Фотоэлектрический прибор по п.16, в котором зародышевая пленка содержит прозрачный проводящий оксид.
17. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода представляет собой диэлектрическую пленку.
18. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода представляет собой диэлектрик и имеет толщину от примерно 5-30 Å.
19. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит гидрогенизированный аморфный кремний.
20. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий тыльный электрод, при этом активная полупроводниковая пленка предусмотрена между по меньшей мере передним электродом и тыльным электродом.
21. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода является градиентной по степени окисления, непрерывно или прерывисто, так, чтобы иметь более высокое содержание кислорода рядом с полупроводниковой пленкой, чем рядом с металлической пленкой.
22. Электродная структура, приспособленная для применения в фотоэлектрическом приборе, причем эта электродная структура содержит:
стеклянную подложку;
по существу, прозрачную металлическую пленку, поддерживаемую стеклянной подложкой;
буферную пленку с высокой работой выхода, поддерживаемую стеклянной подложкой,
при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которая является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и металлическая пленка размещена между по меньшей мере буферной пленкой с высокой работой выхода и стеклянной подложкой, при этом буферная пленка с высокой работой выхода является градиентной по степени окисления, непрерывно или прерывисто, так, чтобы иметь более высокое содержание кислорода рядом с полупроводниковой пленкой, чем рядом с металлической пленкой.
стеклянную подложку;
по существу, прозрачную металлическую пленку, поддерживаемую стеклянной подложкой;
буферную пленку с высокой работой выхода, поддерживаемую стеклянной подложкой,
при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которая является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и металлическая пленка размещена между по меньшей мере буферной пленкой с высокой работой выхода и стеклянной подложкой, при этом буферная пленка с высокой работой выхода является градиентной по степени окисления, непрерывно или прерывисто, так, чтобы иметь более высокое содержание кислорода рядом с полупроводниковой пленкой, чем рядом с металлической пленкой.
23. Электродная структура по п.22, в которой буферная пленка с высокой работой выхода содержит пленку ППО.
24. Электродная структура по п.22, в которой металлическая пленка содержит первый и второй различные, по существу, металлические слои.
25. Электродная структура по п.22, в которой буферная пленка с высокой работой выхода непосредственно контактирует с металлической пленкой, а также приспособлена для непосредственного контакта с полупроводниковой пленкой фотоэлектрического прибора.
26. Электродная структура по п.22, в которой металлическая пленка имеет работу выхода не более чем примерно 4,2 эВ, а буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода по меньшей мере 4,3 эВ, и при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода по меньшей мере примерно на 4% выше, чем у металлической пленки.
27. Электродная структура по п.22, в которой металлическая пленка составляет от примерно 40-200 Å в толщину, а буферная пленка с высокой работой выхода составляет от примерно 10 до 100 Å в толщину.
28. Электродная структура по п.22, дополнительно содержащая зародышевую пленку, размещенную между стеклянной подложкой и металлической пленкой, при этом зародышевая пленка содержит оксид металла.
29. Электродная структура по п.22, в которой буферная пленка с высокой работой выхода представляет собой диэлектрическую пленку и имеет толщину от примерно 5-30 Å.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/591,676 | 2006-11-02 | ||
| US11/591,676 US20080105299A1 (en) | 2006-11-02 | 2006-11-02 | Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009120692A RU2009120692A (ru) | 2010-12-10 |
| RU2435251C2 true RU2435251C2 (ru) | 2011-11-27 |
Family
ID=39108136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009120692/28A RU2435251C2 (ru) | 2006-11-02 | 2007-10-23 | Передний электрод со слоем тонкой металлической пленки и буферным слоем с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом приборе и способ получения таковых |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080105299A1 (ru) |
| EP (1) | EP2092571B1 (ru) |
| BR (1) | BRPI0718008A2 (ru) |
| CA (1) | CA2668103A1 (ru) |
| ES (1) | ES2396570T3 (ru) |
| PL (1) | PL2092571T3 (ru) |
| RU (1) | RU2435251C2 (ru) |
| WO (1) | WO2008057202A1 (ru) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7964788B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8012317B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8076571B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8203073B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-06-19 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080302414A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-12-11 | Den Boer Willem | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105293A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8334452B2 (en) | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
| US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
| US20080223430A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
| US20080308145A1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp | Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080308146A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| CN101419323A (zh) * | 2007-10-22 | 2009-04-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 微型相机模组及其制作方法 |
| US7888594B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
| US20090194157A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20090194155A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8981211B2 (en) * | 2008-03-18 | 2015-03-17 | Zetta Research and Development LLC—AQT Series | Interlayer design for epitaxial growth of semiconductor layers |
| US8501522B2 (en) * | 2008-05-30 | 2013-08-06 | Gtat Corporation | Intermetal stack for use in a photovoltaic cell |
| US7915522B2 (en) | 2008-05-30 | 2011-03-29 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Asymmetric surface texturing for use in a photovoltaic cell and method of making |
| KR100993513B1 (ko) | 2008-10-06 | 2010-11-10 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
| US8022291B2 (en) * | 2008-10-15 | 2011-09-20 | Guardian Industries Corp. | Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device |
| DE102008064685A1 (de) | 2008-12-19 | 2010-12-16 | Q-Cells Se | Solarzelle |
| KR20100130008A (ko) * | 2009-06-02 | 2010-12-10 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 구조체 |
| US9117957B2 (en) * | 2009-07-01 | 2015-08-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin-film solar battery and method for manufacturing the same |
| DE102009034822A1 (de) | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement sowie elektischer Kontakt |
| US20110180130A1 (en) * | 2010-01-22 | 2011-07-28 | Guardian Industries Corp. | Highly-conductive and textured front transparent electrode for a-si thin-film solar cells, and/or method of making the same |
| TW201218397A (en) * | 2010-07-09 | 2012-05-01 | Applied Materials Inc | High performance multi-layer back contact stack for silicon solar cells |
| NL2005261C2 (en) * | 2010-08-24 | 2012-02-27 | Solland Solar Cells B V | Back contacted photovoltaic cell with an improved shunt resistance. |
| US20120055534A1 (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-08 | Applied Materials, Inc. | Photovoltaic Devices with High Work-Function TCO Buffer Layers and Methods of Manufacture |
| BR112013023564A2 (pt) * | 2011-03-15 | 2016-12-06 | Xunlight 26 Solar Llc | célula solar intrinsecamente semitransparente e método de produzir a mesma |
| US20120255600A1 (en) * | 2011-04-06 | 2012-10-11 | International Business Machines Corporation | Method of bonding and formation of back surface field (bsf) for multi-junction iii-v solar cells |
| CN103094374B (zh) * | 2011-10-27 | 2016-03-09 | 清华大学 | 太阳能电池 |
| CN102394258B (zh) * | 2011-11-18 | 2013-05-01 | 牡丹江旭阳太阳能科技有限公司 | 薄膜太阳电池高导电性前电极的制备方法 |
| US8679988B2 (en) * | 2011-11-22 | 2014-03-25 | Intermolecular, Inc. | Plasma processing of metal oxide films for resistive memory device applications |
| WO2013106439A1 (en) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | Applied Materials, Inc. | High work-function buffer layers for silicon-based photovoltaic devices |
| US20130224899A1 (en) | 2012-02-28 | 2013-08-29 | International Business Machines Corporation | Enhancing efficiency in solar cells by adjusting deposition power |
| US9214577B2 (en) | 2012-02-28 | 2015-12-15 | International Business Machines Corporation | Reduced light degradation due to low power deposition of buffer layer |
| US9379259B2 (en) * | 2012-11-05 | 2016-06-28 | International Business Machines Corporation | Double layered transparent conductive oxide for reduced schottky barrier in photovoltaic devices |
| US20140217408A1 (en) * | 2013-02-06 | 2014-08-07 | International Business Machines Corporaton | Buffer layer for high performing and low light degraded solar cells |
| US9385000B2 (en) * | 2014-01-24 | 2016-07-05 | United Microelectronics Corp. | Method of performing etching process |
| MX2021002945A (es) * | 2018-09-14 | 2021-09-08 | Ubiquitous Energy Inc | Metodo y sistema para electrodo transparente multicapa para dispositivos fotovoltaicos transparentes. |
Family Cites Families (95)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL127148C (ru) * | 1963-12-23 | |||
| US4155781A (en) * | 1976-09-03 | 1979-05-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of manufacturing solar cells, utilizing single-crystal whisker growth |
| US4162505A (en) * | 1978-04-24 | 1979-07-24 | Rca Corporation | Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers |
| US4163677A (en) * | 1978-04-28 | 1979-08-07 | Rca Corporation | Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier |
| US4213798A (en) * | 1979-04-27 | 1980-07-22 | Rca Corporation | Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells |
| US4378460A (en) * | 1981-08-31 | 1983-03-29 | Rca Corporation | Metal electrode for amorphous silicon solar cells |
| US4554727A (en) * | 1982-08-04 | 1985-11-26 | Exxon Research & Engineering Company | Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces |
| JPS59175166A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-03 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルファス光電変換素子 |
| US4598396A (en) * | 1984-04-03 | 1986-07-01 | Itt Corporation | Duplex transmission mechanism for digital telephones |
| US4663495A (en) * | 1985-06-04 | 1987-05-05 | Atlantic Richfield Company | Transparent photovoltaic module |
| AU616736B2 (en) * | 1988-03-03 | 1991-11-07 | Asahi Glass Company Limited | Amorphous oxide film and article having such film thereon |
| US5091764A (en) * | 1988-09-30 | 1992-02-25 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a transparent electrode and amorphous semiconductor layers |
| US4940495A (en) * | 1988-12-07 | 1990-07-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photovoltaic device having light transmitting electrically conductive stacked films |
| US5073451A (en) * | 1989-07-31 | 1991-12-17 | Central Glass Company, Limited | Heat insulating glass with dielectric multilayer coating |
| AU8872891A (en) * | 1990-10-15 | 1992-05-20 | United Solar Systems Corporation | Monolithic solar cell array and method for its manufacture |
| DE4126738A1 (de) * | 1990-12-11 | 1992-06-17 | Claussen Nils | Zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-haltiger keramikformkoerper |
| US5171411A (en) * | 1991-05-21 | 1992-12-15 | The Boc Group, Inc. | Rotating cylindrical magnetron structure with self supporting zinc alloy target |
| US5256858A (en) * | 1991-08-29 | 1993-10-26 | Tomb Richard H | Modular insulation electrically heated building panel with evacuated chambers |
| IL103614A (en) * | 1991-11-22 | 1998-09-24 | Basf Ag | Carboxamides for controlling botrytis and certain novel such compounds |
| US5650019A (en) * | 1993-09-30 | 1997-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module having a surface coating material of three-layered structure |
| JP3029178B2 (ja) * | 1994-04-27 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体太陽電池の製造方法 |
| GB9500330D0 (en) * | 1995-01-09 | 1995-03-01 | Pilkington Plc | Coatings on glass |
| FR2730990B1 (fr) * | 1995-02-23 | 1997-04-04 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent a revetement anti-reflets |
| DE69629613T2 (de) * | 1995-03-22 | 2004-06-17 | Toppan Printing Co. Ltd. | Mehrschichtiger, elektrisch leitender Film, transparentes Elektrodensubstrat und Flüssigkristallanzeige die diesen benutzen |
| JP3431776B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置 |
| US6433913B1 (en) * | 1996-03-15 | 2002-08-13 | Gentex Corporation | Electro-optic device incorporating a discrete photovoltaic device and method and apparatus for making same |
| GB9619134D0 (en) * | 1996-09-13 | 1996-10-23 | Pilkington Plc | Improvements in or related to coated glass |
| US6406639B2 (en) * | 1996-11-26 | 2002-06-18 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of partially forming oxide layer on glass substrate |
| US6123824A (en) * | 1996-12-13 | 2000-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing photo-electricity generating device |
| JP3805889B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2006-08-09 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| JPH1146006A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Canon Inc | 光起電力素子およびその製造方法 |
| US6222117B1 (en) * | 1998-01-05 | 2001-04-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device, manufacturing method of photovoltaic device, photovoltaic device integrated with building material and power-generating apparatus |
| US6344608B2 (en) * | 1998-06-30 | 2002-02-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element |
| FR2781062B1 (fr) * | 1998-07-09 | 2002-07-12 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables |
| US6077722A (en) * | 1998-07-14 | 2000-06-20 | Bp Solarex | Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts |
| FR2791147B1 (fr) * | 1999-03-19 | 2002-08-30 | Saint Gobain Vitrage | Dispositif electrochimique du type dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables |
| TW463528B (en) * | 1999-04-05 | 2001-11-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescence element and their preparation |
| NO314525B1 (no) * | 1999-04-22 | 2003-03-31 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm |
| US6187824B1 (en) * | 1999-08-25 | 2001-02-13 | Nyacol Nano Technologies, Inc. | Zinc oxide sol and method of making |
| DE19958878B4 (de) * | 1999-12-07 | 2012-01-19 | Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh | Dünnschicht-Solarzelle |
| JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| US7267879B2 (en) * | 2001-02-28 | 2007-09-11 | Guardian Industries Corp. | Coated article with silicon oxynitride adjacent glass |
| KR100748818B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2007-08-13 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 표시장치 |
| US6784361B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-08-31 | Bp Corporation North America Inc. | Amorphous silicon photovoltaic devices |
| JP2002260448A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-09-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置 |
| JP2002170431A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 電極基板およびその製造方法 |
| KR100768176B1 (ko) * | 2001-02-07 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막 |
| WO2002063340A1 (fr) * | 2001-02-07 | 2002-08-15 | Kyoto Semiconductor Corporation | Radiametre et element de detection de radiations |
| US6774300B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-08-10 | Adrena, Inc. | Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure |
| WO2002091483A2 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Bp Corporation North America Inc. | Improved photovoltaic device |
| US6589657B2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-07-08 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Anti-reflection coatings and associated methods |
| JP4162447B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2008-10-08 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子及び光起電力装置 |
| US6936347B2 (en) * | 2001-10-17 | 2005-08-30 | Guardian Industries Corp. | Coated article with high visible transmission and low emissivity |
| FR2832706B1 (fr) * | 2001-11-28 | 2004-07-23 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
| US6830817B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-12-14 | Guardian Industries Corp. | Low-e coating with high visible transmission |
| US7169722B2 (en) * | 2002-01-28 | 2007-01-30 | Guardian Industries Corp. | Clear glass composition with high visible transmittance |
| US7037869B2 (en) * | 2002-01-28 | 2006-05-02 | Guardian Industries Corp. | Clear glass composition |
| US6919133B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-07-19 | Cardinal Cg Company | Thin film coating having transparent base layer |
| TWI254080B (en) * | 2002-03-27 | 2006-05-01 | Sumitomo Metal Mining Co | Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminescence device |
| FR2844136B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2006-07-28 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
| FR2844364B1 (fr) * | 2002-09-11 | 2004-12-17 | Saint Gobain | Substrat diffusant |
| US7141863B1 (en) * | 2002-11-27 | 2006-11-28 | University Of Toledo | Method of making diode structures |
| TW583466B (en) * | 2002-12-09 | 2004-04-11 | Hannstar Display Corp | Structure of liquid crystal display |
| TWI232066B (en) * | 2002-12-25 | 2005-05-01 | Au Optronics Corp | Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light |
| JP4241446B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2009-03-18 | キヤノン株式会社 | 積層型光起電力素子 |
| WO2004102677A1 (ja) * | 2003-05-13 | 2004-11-25 | Asahi Glass Company, Limited | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| US7087309B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-08-08 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Coated article with tin oxide, silicon nitride and/or zinc oxide under IR reflecting layer and corresponding method |
| JP4761706B2 (ja) * | 2003-12-25 | 2011-08-31 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| US8524051B2 (en) * | 2004-05-18 | 2013-09-03 | Centre Luxembourg de Recherches pour le Verre et al Ceramique S. A. (C.R.V.C.) | Coated article with oxidation graded layer proximate IR reflecting layer(s) and corresponding method |
| US20050257824A1 (en) * | 2004-05-24 | 2005-11-24 | Maltby Michael G | Photovoltaic cell including capping layer |
| US7700869B2 (en) * | 2005-02-03 | 2010-04-20 | Guardian Industries Corp. | Solar cell low iron patterned glass and method of making same |
| US7531239B2 (en) * | 2005-04-06 | 2009-05-12 | Eclipse Energy Systems Inc | Transparent electrode |
| US7743630B2 (en) * | 2005-05-05 | 2010-06-29 | Guardian Industries Corp. | Method of making float glass with transparent conductive oxide (TCO) film integrally formed on tin bath side of glass and corresponding product |
| US7700870B2 (en) * | 2005-05-05 | 2010-04-20 | Guardian Industries Corp. | Solar cell using low iron high transmission glass with antimony and corresponding method |
| US7597964B2 (en) * | 2005-08-02 | 2009-10-06 | Guardian Industries Corp. | Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating |
| JP2007067194A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子 |
| US20070184573A1 (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-09 | Guardian Industries Corp., | Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device |
| US20070193624A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Guardian Industries Corp. | Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same |
| US8648252B2 (en) * | 2006-03-13 | 2014-02-11 | Guardian Industries Corp. | Solar cell using low iron high transmission glass and corresponding method |
| US7557053B2 (en) * | 2006-03-13 | 2009-07-07 | Guardian Industries Corp. | Low iron high transmission float glass for solar cell applications and method of making same |
| US20080047602A1 (en) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | Guardian Industries Corp. | Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080047603A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Guardian Industries Corp. | Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8203073B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-06-19 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8012317B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105293A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8076571B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105298A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8334452B2 (en) * | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
| US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
| US20080223430A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
| US20080223436A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Back reflector for use in photovoltaic device |
| US7888594B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
| US20090194157A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20090194155A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
-
2006
- 2006-11-02 US US11/591,676 patent/US20080105299A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-10-23 CA CA002668103A patent/CA2668103A1/en not_active Abandoned
- 2007-10-23 ES ES07852888T patent/ES2396570T3/es active Active
- 2007-10-23 BR BRPI0718008-0A patent/BRPI0718008A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-10-23 RU RU2009120692/28A patent/RU2435251C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-10-23 PL PL07852888T patent/PL2092571T3/pl unknown
- 2007-10-23 WO PCT/US2007/022427 patent/WO2008057202A1/en active Application Filing
- 2007-10-23 EP EP07852888A patent/EP2092571B1/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2092571A1 (en) | 2009-08-26 |
| CA2668103A1 (en) | 2008-05-15 |
| US20080105299A1 (en) | 2008-05-08 |
| RU2009120692A (ru) | 2010-12-10 |
| EP2092571B1 (en) | 2012-09-26 |
| PL2092571T3 (pl) | 2013-02-28 |
| BRPI0718008A2 (pt) | 2013-11-26 |
| ES2396570T3 (es) | 2013-02-22 |
| WO2008057202A1 (en) | 2008-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2435251C2 (ru) | Передний электрод со слоем тонкой металлической пленки и буферным слоем с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом приборе и способ получения таковых | |
| RU2435250C2 (ru) | Фронтальный контакт с тсо с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом устройстве и способ его получения | |
| US8133747B2 (en) | Textured rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS solar cell | |
| RU2413333C2 (ru) | Передний контакт на основе оксида индия-цинка для фотоэлектрического прибора и способ его изготовления | |
| US7875945B2 (en) | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same | |
| US6081017A (en) | Self-biased solar cell and module adopting the same | |
| US20080223430A1 (en) | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like | |
| US20080105298A1 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
| US20080308147A1 (en) | Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same | |
| EP2276069A2 (en) | Front electrode including transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same | |
| US8779281B2 (en) | Solar cell | |
| US20100084013A1 (en) | Solar cell | |
| US20140000690A1 (en) | Intrinsically Semitransparent Solar Cell and Method of Making Same | |
| US20150295099A1 (en) | High work-function buffer layers for silicon-based photovoltaic devices | |
| JPH06338623A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| US20110155229A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| KR20130007497A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| KR20120086206A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20141024 |