RU2413333C2 - Передний контакт на основе оксида индия-цинка для фотоэлектрического прибора и способ его изготовления - Google Patents
Передний контакт на основе оксида индия-цинка для фотоэлектрического прибора и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2413333C2 RU2413333C2 RU2008137782/28A RU2008137782A RU2413333C2 RU 2413333 C2 RU2413333 C2 RU 2413333C2 RU 2008137782/28 A RU2008137782/28 A RU 2008137782/28A RU 2008137782 A RU2008137782 A RU 2008137782A RU 2413333 C2 RU2413333 C2 RU 2413333C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photovoltaic device
- front electrode
- zinc oxide
- semiconductor film
- electrode
- Prior art date
Links
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N ethyl but-3-enoate Chemical compound CCOC(=O)CC=C BFMKFCLXZSUVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 zinc-aluminum-silver oxide Chemical compound 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006355 Tefzel Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N dicalcium;disodium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Na+].[Na+].[Ca+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N ethene;1,1,2,2-tetrafluoroethene Chemical compound C=C.FC(F)=C(F)F QHSJIZLJUFMIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к микроэлектронике. Фотоэлектрический прибор согласно изобретению выполнен не основе аморфного кремния, содержит переднюю стеклянную подложку, активную полупроводниковую пленку, содержащую аморфный кремний, электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой и задний электрод. Активная полупроводниковая пленка расположена между передним электродом и задним электродом. Передний электрод содержит проводящий слой, содержащий оксид индия-цинка (IZO). Также предложен еще один вариант выполнения фотоэлектрического прибора и способ изготовления фотоэлектрических приборов. Изобретение обеспечивает стабилизацию оптических и/или электрических свойств фотоэлектрического прибора. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Данное изобретение относится к фотоэлектрическому прибору, включающему в себя передний контакт. В некоторых примерах воплощения передний контакт, изготовленный на основе прозрачного проводящего оксида (transparent conductive oxide, TCO), представляет собой оксид индия-цинка (indium zinc oxide, IZO). В других примерах воплощения IZO может содержать другой элемент (элементы), такой как серебро (Аg), добавленный к нему для того, чтобы передний контакт мог бы представлять собой или включать в себя, например, оксид цинка-алюминия-серебра (ZnAlAgO). Более того, в некоторых примерах воплощения передний контакт (например, IZO или ZnAlAgO) может быть осажденным путем напыления в нестехиометрической форме и иметь недостаток по кислороду; вследствие этого последующее прокаливание или термообработка контакта вместе с корпусом фотоэлектрического прибора вызывает дополнительную оптимизацию переднего контакта, вследствие чего происходит его дополнительное окисление, что приводит, таким образом, к оптимальной стехиометрии, которая в конечном продукте может являться субстехиометрической или не являться таковой.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ И КРАТКОЕ ИЗЛОЖЕНИЕ ПРИМЕРОВ ВОПЛОЩЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Фотоэлектрические приборы известны из уровня техники (например, см. патенты США №№6784361, 6288325, 6613603 и 6123824, содержание которых включено в настоящий документ путем ссылки). Фотоэлектрические приборы на основе аморфного кремния, например, включают в себя передний контакт, или электрод. Как правило, передний контакт изготавливают из прозрачного проводящего оксида (transparent conductive oxide, TCO), сформированного. на подложке, такой как стеклянная подложка. Во многих случаях передний контакт создают с использованием способа химического пиролиза, в котором на стеклянную подложку распыляют соединения-предшественники приблизительно при 400-500°С. К сожалению, передние контакты, имеющие форму ТСО-пленок, такие как SnO2:F (оксид олова, легированный фтором), созданные на стеклянных подложках путем химического пиролиза, страдают неоднородностью и, таким образом, могут повести себя непредсказуемо и/или непостоянно, с точки зрения некоторых оптических и/или электрических свойств.
Таким образом, следует понимать, что в соответствующей области техники существует необходимость в улучшенном материале для переднего контакта, используемого для фотоэлектрических приборов.
Было обнаружено, что TCO, представляющий собой или включающий в себя оксид индия-цинка (IZO), обладает большим преимуществом для применения в качестве переднего контакта в фотоэлектрических приборах (например, таких как фотоэлектрические приборы на основе аморфного кремния). Преимущества IZO включают в себя его способность к осаждению в проводящем состоянии приблизительно при комнатной температуре (например, путем напыления). Более того, при осаждении при определенных соотношениях индий/цинк и/или с использованием определенных условий, было обнаружено, что в переднем контакте, созданном на основе IZO, повышается электропроводность при прокаливании при таких температурах как 200-400°С, более предпочтительно, примерно 200-300°С (аналогичные температуры можно использовать в технологиях изготовления солнечных элементов на основе аморфного Si для повышения кпд батареи).
В некоторых вариантах воплощения данного изобретения передний контакт, полученный на основе IZO, осаждают при недостатке кислорода (субстехиометрически). В случаях некоторых примеров напыление при приблизительно комнатной температуре можно использовать для осаждения переднего контакта, хотя в некоторых случаях вместо этого можно использовать другие технологии. Например, передний контакт на основе IZO можно осаждать путем напыления с использованием керамической мишени (мишеней) или можно осаждать путем напыления с использованием металлической мишени из InZn (или ZnAlAg) в атмосфере реактивного распыления, содержащей газообразные аргон и кислород. Газовый состав или смесь можно выбрать таким образом, чтобы сделать состав исходно осажденного материала субстехиометрическим, вследствие чего последующее прокаливание в ходе термообработки фотоэлектрического устройства приводит к оптимальной стехиометрии IZO или ZnAlAgO (например, к соответствующей степени окисления) для переднего контакта на основе ТСО.
В некоторых примерах воплощения данного изобретения в переднем контакте на основе ТСО практически отсутствует или полностью отсутствует фтор. В некоторых примерах воплощения данного изобретения передний контакт на основе ТСО может обладать сопротивлением слоя (Rs) примерно 7-50 Ом/100 кв. фут (или 7-50 Ом/9,29 м2, или ~0,75-5,38 Ом/м2), более предпочтительно - примерно 10-25 Ом/100 кв. фут (~1,08-2,69 Ом/м2), и наиболее предпочтительно - примерно 10-15 Ом/100 кв. фут ((~1,08-1,61 Ом/м2) с использованием в качестве неограничивающего примера базовой толщины примерно 1000-2000 Å.
Для переднего контакта было бы желательным осаждение ТСО (прозрачного проводящего оксида) путем напыления приблизительно при комнатной температуре, при условии, что большинство платформ на основе флоат-стекла не снабжено местными системами обогрева. Более того, дополнительное потенциальное преимущество ТСО-пленок, осажденных путем напыления, состоит в том, что они могут быть объединены с антиотражательными покрытиями, они обладают пониженным электросопротивлением и т.д. Например, между стеклянной подложкой и передним контактом на основе ТСО можно обеспечить одно- или многослойное антиотражательное покрытие.
В некоторых примерах воплощения данного изобретения обеспечен фотоэлектрический прибор на основе аморфного кремния, содержащий: переднюю стеклянную подложку; активную полупроводниковую пленку, содержащую аморфный кремний; электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой; задний электрод, причем активная полупроводниковая пленка обеспечена, по меньшей мере, между передним электродом и задним электродом; и в котором передний электрод содержит оксид индия-цинка. В некоторых примерах воплощения также обеспечен стеклянный перекрывающий слой, причем задний электрод расположен, по меньшей мере, между стеклянным перекрывающим слоем и активной полупроводниковой пленкой. В некоторых примерах воплощения соотношение In/Zn в переднем электроде, содержащем оксид индия-цинка, составляет примерно 7/1-13/1, более предпочтительно - примерно 8/1-10/1.
В некоторых примерах воплощения данного изобретения обеспечен фотоэлектрический прибор, содержащий: переднюю стеклянную подложку; активную полупроводниковую пленку;
электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и пленкой активного полупроводника; и в котором передний электрод содержит IZO и/или ZnAlAgO.
В других примерах воплощения данного изобретения обеспечен способ изготовления фотоэлектрического прибора, включающий в себя: осаждение путем напыления переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка, на стеклянную подложку примерно при комнатной температуре; формирование пленки активного полупроводника на стеклянной подложке поверх, по меньшей мере, переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка; и в ходе или вслед за формированием пленки активного полупроводника подвергание, по меньшей мере, переднего электрода термообработке при, по меньшей мере, примерно 200°С, что приводит к дальнейшему окислению переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка, для достижения его желательного стехиометрического состава.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг.1 представляет собой поперечное сечение примерного фотоэлектрического прибора согласно примеру варианта воплощения данного изобретения.
Фиг.2 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую способ изготовления фотоэлектрического прибора согласно примеру варианта воплощения данного изобретения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРИМЕРОВ ВАРИАНТОВ ВОПЛОЩЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Фотоэлектрические приборы, такие как солнечные элементы, преобразуют солнечную радиацию и другое излучение в используемую электроэнергию. Преобразование энергии обычно возникает в результате фотогальванического эффекта. Солнечная радиация (например, солнечный свет), попадающая в фотоэлектрический прибор и поглощаемая активной областью полупроводникового материала (например, одним или несколькими слоями аморфного кремния), генерирует электронно-дырочные пары в активной области. Электроны и дырки можно разделять электрическим полем с помощью p-n-перехода в фотоэлектрическом устройстве. Разделение электронов и дырок с помощью p-n-перехода приводит к генерированию электрического тока и напряжения. В некоторых примерах воплощения электроны текут в область полупроводникового материала, обладающего проводимостью n-типа, и дырки текут в область полупроводника, обладающего проводимостью p-типа. Ток может течь по внешней цепи, соединяющей область n-типа с областью p-типа, поскольку свет продолжает генерировать электронно-дырочные пары в фотогальваническом устройстве.
В некоторых примерах воплощения фотогальванические приборы на основе аморфного кремния (a-Si), содержащие один p-n-переход, включают в себя три полупроводниковых слоя, в частности, p-слой, n-слой и i-слой, который обладает собственной проводимостью.
Слой аморфного кремния (который может включать в себя один или несколько слоев, таких как слои p, n и i) в некоторых случаях может быть изготовлен из гидрогенизированного аморфного кремния, но в некоторых примерах воплощения данного изобретения также может состоять или включать в себя гидрогенизированное аморфное кремнийуглеродное соединение или гидрогенизированный аморфный сплав кремния и германия, и т.п. В качестве неограничивающего примера можно привести случай, когда фотон света поглощается в i-слое, это порождает электрический ток единичной силы (пару электрон-дырка). Р- и n-слои, которые содержат заряженные ионы легирующей примеси, порождают электрическое поле через i-слой, которое вытягивает электрический заряд из i-слоя и направляет его во внешнюю цепь (не обязательную), где он может обеспечить электроэнергию для электрических компонентов. Следует отметить, что в то время как некоторые примеры воплощения данного изобретения относятся к фотоэлектрическим устройствам на основе аморфного кремния, данное изобретение не ограничено этим и в некоторых случаях может быть использовано в сочетании с другими типами фотоэлектрических приборов.
Фиг.1 представляет собой поперечное сечение фотоэлектрического устройства согласно примеру воплощения данного изобретения. Фотоэлектрический прибор включает в себя прозрачную переднюю стеклянную подложку 1, передний электрод, или контакт 3, который включает в себя или состоит из ТСО, такого как оксид индия-цинка (IZO) и/или оксид цинка-алюминия-серебра (ZnAlAgO), активную полупроводниковую пленку 5, состоящую из одного или нескольких полупроводниковых слоев, задний электрод, или контакт 7, который может состоять из ТСО или металла, герметик 9 (не обязательно) или связующее вещество, такое как этилвинилацетат (EVA), и т.п., и (не обязательно) перекрывающий слой 11 из такого материала, как стекло. Безусловно, в приборе может быть обеспечен другой слой или слои, которые не показаны, например, между передней стеклянной подложкой 1 и передним контактом 3, или между другими слоями в приборе.
Было обнаружено, что ТСО, представляющий собой или включающий в себя оксид индия-цинка (IZO), обладает большими преимуществами для его использования в проводящем переднем электроде, или контакте 3. Преимущества IZO включают в себя возможность его осаждения в проводящем состоянии приблизительно при комнатной температуре (например, путем напыления). Более того, при осаждении переднего контакта 3, изготовленного на основе IZO, при определенных соотношениях индий/цинк и/или при использовании определенных условий, было обнаружено, что в контакте 3 повышается электропроводность в результате его последующего прокаливания при таких температурах, как 200-400°С, более предпочтительно - примерно при 200-300°С (для повышения кпд комплекта в технологиях изготовления солнечного элемента на основе аморфного кремния можно использовать аналогичные температуры).
В некоторых примерах воплощения данного изобретения в переднем электроде или контакте 3 на основе ТСО практически отсутствует или полностью отсутствует фтор. Это может иметь преимущества, с точки зрения недопущения создания загрязняющих отходов. В некоторых примерах воплощения данного изобретения передний контакт 3 на основе ТСО перед и/или после термообработки может обладать сопротивлением слоя (Rs) примерно 7-50 Ом/кв. фут (или ~5,38 Ом/м2), более предпочтительно примерно 10-25 Ом/кв. фут (или ~1,08-2,69 Ом/м2), и наиболее предпочтительно - примерно 10-15 Ом/кв. фут (или ~1,08-1,61 Ом/м2) с использованием примерной неограничивающей базовой толщины примерно 1000-2000 Е, для обеспечения требуемой электропроводимости.
Дополнительное возможное преимущество осаждения ТСО-пленок путем напыления в целях получения передних электродов/контактов 3 состоит в том, что они допускают встраивание антиотражательного и/или светопоглощающего покрытия (не показано) между передним контактом 3 и стеклянной подложкой 1. Антиотражательное покрытие (не показано) может включать в себя один или несколько слоев в различных вариантах воплощения данного изобретения. Например, антиотражательное покрытие может включать в себя диэлектрический слой с высоким коэффициентом преломления, непосредственно примыкающий к стеклянной подложке 1 и другому слою диэлектрика с более низким коэффициентом преломления, смежному с передним контактом 3. Таким образом, поскольку передний контакт находится на стеклянной подложке 1, следует учитывать, что слово «на», в целях настоящего изобретения, охватывает нахождение как прямо, так и косвенно, на других слоях, находящихся между ними.
Передние электроды или контакты 3, включающие в себя или состоящие из IZO, в некоторых примерах воплощения настоящего изобретения могут иметь любой подходящий стехиометрический состав. Однако наиболее предпочтительным является соотношение In/Zn в слое 3 ТСО, которое составляет примерно 7/1-13/1, более предпочтительно, примерно 8/1-10/1. Было обнаружено, что такие соотношения обладают преимуществом при применении электродов, с точки зрения долговечности и электропроводности.
В некоторых примерах воплощения данного изобретения IZO (или InZnOx), которые осаждают для переднего электрода/контактной пленки 3, являются аморфными и могут оставаться аморфными после отжига. Следует отметить, что IZO является материалом типа замещения, что означает, что два материала (например, In2O3 и ZnO) сплавляют для получения нового сплава. Обычно, когда IZO является аморфным, может быть достигнута максимальная электропроводность. Иными словами, преимущество аморфного переднего электрода 3 состоит в том, что может быть достигнута повышенная электропроводность. Однако в других примерах воплощения данного изобретения IZO не обязательно должен быть аморфным, а может быть, например, кристаллическим.
Переднюю стеклянную подложку 1 и/или задний перекрывающий слой 11 в некоторых вариантах воплощения данного изобретения можно изготавливать из натрий-кальциевого силикатного стекла. Хотя подложки 1, 11 в некоторых вариантах воплощения данного изобретения можно изготавливать из стекла, можно вместо него использовать и другие материалы, такие как кварц и т.п. Более того, перекрывающий слой 11 в некоторых случаях является необязательным. Стекло 1 и/или 11 в различных вариантах воплощения данного изобретения можно подвергать термической закалке.
Активная полупроводниковая область или пленка 5 может включать в себя один или несколько слоев и может быть изготовлена из любого подходящего материала. Например, активная полупроводниковая пленка 5 фотоэлектрического прибора одного типа, изготовленного из аморфного кремния (a-Si) с одиночным p-n-переходом, включает в себя три полупроводниковых слоя, а именно p-слой, n-слой и i-слой. Эти слои пленки 5 на основе аморфного кремния в некоторых случаях могут быть изготовлены из гидрогенизированного аморфного кремния, но также в некоторых вариантах воплощения данного изобретения могут состоять из или включать в себя гидрогенизированное аморфное кремнийуглеродное соединение или гидрогенизированный аморфный сплав кремния и германия, или другой подходящий материал (материалы). Активная область 5 в альтернативных вариантах воплощения данного изобретения может быть областью с двойным p-n-переходом.
Задний контакт, или электрод 7 может представлять собой любой подходящий электропроводный материал. В качестве неограничивающего примера задний контакт или электрод 7 в некоторых случаях может быть изготовлен из ТСО и/или металла. Примеры ТСО-материалов для использования в качестве заднего контакта или электрода 7 включают в себя оксид индия-цинка, оксид индия-олова (indium-tin-oxide, ITO), оксид олова и/или оксид цинка, который может быть легирован алюминием (который может быть легирован или не легирован серебром). ТСО, содержащийся в заднем контакте 7, может быть однослойным или многослойным в различных случаях. Более того, задний контакт 7 в некоторых случаях может включать в себя как ТСО-часть, так и металлическую часть. Например, в примере многослойного варианта воплощения ТСО-часть заднего контакта 7 может включать в себя слой такого материала, как оксид индия-цинка (который может быть легирован или не легирован серебром), оксид олова-цинка (ITO), оксид олова и/или оксид цинка, расположенный в максимальной близости к активной области 5, и другой проводящий и возможно отражающий слой такого материала как серебро, молибден, платина, сталь, железо, ниобий, титан, хром, висмут, сурьма или алюминий - дальше от активной области 5 и ближе к перекрывающему слою 11. Металлическая часть может находиться ближе к перекрывающему слою 11 по сравнению с ТСО-частью заднего контакта.
Фотоэлектрический модуль в некоторых примерах воплощения может быть герметизирован или частично покрыт герметизирующим материалом, таким как герметик 9. Примером герметика или связующего материала для слоя 9 является этилвинилацетат (EVA). Однако в различных случаях вместо него для слоя 9 можно использовать такие материалы, как пластмасса типа Тедлар (Tedlar), пластмасса типа Нувасил (Nuvasil) и пластмасса типа Тефзель (Tefzel.
Фиг.2 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую этапы при изготовлении фотоэлектрического прибора согласно некоторым примерам воплощения данного изобретения. В данном примере воплощения передний контакт 3, изготовленный на основе IZO, осаждают при недостатке кислорода (субстехиометрически). Для осаждения переднего контакта в некоторых случаях можно использовать напыление приблизительно при комнатной температуре, хотя вместо этого в некоторых случаях можно использовать и другие технологии. В S1 на фиг.2 передний контакт 3 на основе IZO можно осаждать путем напыления приблизительно при комнатной температуре на стеклянную подложку 1 (непосредственно или косвенно) с использованием керамической мишени (мишеней), а также можно осаждать путем напыления с использованием металлической мишени, изготовленной из InZn (или ZnAlAg), в атмосфере реактивного распыления, содержащей газообразные аргон и кислород. На этапе S1 можно выбрать такой состав газа или газовую смесь, чтобы можно было получить исходно осажденный субстехиометрический материал, или материал, имеющий недостаток по кислороду. В дальнейшем, на этапе S2, поверх переднего контакта формируют другие слои прибора, такие как пленка 5 (и опционально слои 7 и/или 9). На этапе S3 термообработка, такая как прокаливание, используемое в ходе изготовления фотоэлектрического устройства, приводит к получению оптимальной стехиометрии (например, за счет окисления и т.п.) переднего контакта 3, и, таким образом, после термообработки достигается оптимальная стехиометрия IZO или ZnAlAgO для переднего контакта, полученного на основе ТСО. Термообработку на этапе S3 можно осуществлять в ходе или после образования одного или нескольких слоев 5, 7 и/или 9 прибора. Более того, при термообработке можно использовать температуры примерно 200-400°С, более предпочтительно - примерно 200-300°С.
Хотя изобретение было описано в соответствии с тем, что в настоящее время считается наиболее целесообразным и предпочтительным вариантом воплощения, следует понимать, что изобретение не ограничено раскрытым вариантом воплощения, а напротив, оно предназначено для охвата различных модификаций и эквивалентных установок, соответствующих сущности и объему прилагаемой формулы изобретения.
Claims (20)
1. Фотоэлектрический прибор на основе аморфного кремния, содержащий переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку, содержащую аморфный кремний;
электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой;
задний электрод, причем активная полупроводниковая пленка обеспечена, по меньшей мере, между передним электродом и задним электродом; и в котором передний электрод содержит проводящий слой, содержащий оксид индия-цинка (IZO).
активную полупроводниковую пленку, содержащую аморфный кремний;
электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой;
задний электрод, причем активная полупроводниковая пленка обеспечена, по меньшей мере, между передним электродом и задним электродом; и в котором передний электрод содержит проводящий слой, содержащий оксид индия-цинка (IZO).
2. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий стеклянный перекрывающий слой, в котором задний электрод расположен, по меньшей мере, между стеклянным перекрывающим слоем и активной полупроводниковой пленкой.
3. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором соотношение In/Zn в переднем электроде, содержащем оксид индия-цинка, составляет примерно 7/1-13/1.
4. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором соотношение In/Zn в переднем электроде, содержащем оксид индия-цинка, составляет примерно 8/1-10/1.
5. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передний электрод содержит аморфный оксид индия-цинка.
6. Фотоэлектрический прибор по п.2, дополнительно содержащий слой, содержащий этилвинилацетат (EVA), расположенный между стеклянным перекрывающим слоем и задним электродом.
7. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором задний электрод содержит оксид индия-цинка.
8. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передний электрод обладает сопротивлением слоя (Rs) примерно 7-50 Ом/100 кв. фут.
9. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передний электрод обладает сопротивлением слоя (Rs) примерно 10-15 Ом/100 кв. фут.
10. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором аморфный кремний гидрогенизирован.
11. Фотоэлектрический прибор, содержащий
переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку;
электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой;
причем передний электрод содержит проводящий слой, состоящий, по существу, из оксида индия-цинка (IZO).
переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку;
электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой;
причем передний электрод содержит проводящий слой, состоящий, по существу, из оксида индия-цинка (IZO).
12. Фотоэлектрический прибор по п.11, дополнительно содержащий стеклянный перекрывающий слой, и в котором задний электрод расположен, по меньшей мере, между стеклянным перекрывающим слоем и активной полупроводниковой пленкой.
13. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором соотношение In/Zn в переднем электроде, содержащем IZO, составляет примерно 7/1-13/1.
14. Фотоэлектрический прибор по п.13, в котором соотношение In/Zn составляет примерно 8/1-10/1.
15. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором передний электрод является аморфным.
16. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором передний электрод обладает сопротивлением слоя (Rs) примерно 10-20 Ом/100 кв. фут.
17. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, включающий осаждение путем напыления переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка, на стеклянную подложку при приблизительно комнатной температуре;
формирование активной полупроводниковой пленки на стеклянной подложке поверх, по меньшей мере, переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка;
и во время или после формирования активной полупроводниковой пленки подвергание, по меньшей мере, переднего электрода термообработке при, по меньшей мере, примерно 200°С, что приводит к дополнительному окислению переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка, для достижения его желаемой стехиометрии.
формирование активной полупроводниковой пленки на стеклянной подложке поверх, по меньшей мере, переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка;
и во время или после формирования активной полупроводниковой пленки подвергание, по меньшей мере, переднего электрода термообработке при, по меньшей мере, примерно 200°С, что приводит к дополнительному окислению переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка, для достижения его желаемой стехиометрии.
18. Способ по п.17, в котором термообработку осуществляют при примерно 200-400°С.
19. Способ по п.17, в котором передний электрод перед и после термообработки является аморфным.
20. Способ по п.17, в котором соотношение In/Zn в переднем электроде составляет примерно 7/1-13/1.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/359,775 | 2006-02-23 | ||
| US11/359,775 US20070193624A1 (en) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008137782A RU2008137782A (ru) | 2010-03-27 |
| RU2413333C2 true RU2413333C2 (ru) | 2011-02-27 |
Family
ID=38426934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008137782/28A RU2413333C2 (ru) | 2006-02-23 | 2007-02-12 | Передний контакт на основе оксида индия-цинка для фотоэлектрического прибора и способ его изготовления |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070193624A1 (ru) |
| EP (1) | EP1987545A2 (ru) |
| BR (1) | BRPI0708219A2 (ru) |
| CA (1) | CA2634813A1 (ru) |
| RU (1) | RU2413333C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007100488A2 (ru) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105299A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080302414A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-12-11 | Den Boer Willem | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8076571B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-12-13 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US7964788B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-06-21 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105298A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8012317B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8203073B2 (en) * | 2006-11-02 | 2012-06-19 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080105293A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8334452B2 (en) * | 2007-01-08 | 2012-12-18 | Guardian Industries Corp. | Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like |
| US20080169021A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-17 | Guardian Industries Corp. | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like |
| US20080223430A1 (en) * | 2007-03-14 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like |
| US20080308145A1 (en) * | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp | Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080308146A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| TWI371112B (en) * | 2007-10-02 | 2012-08-21 | Univ Chang Gung | Solar energy photoelectric conversion apparatus |
| US7888594B2 (en) * | 2007-11-20 | 2011-02-15 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index |
| US8981200B2 (en) * | 2007-12-19 | 2015-03-17 | Tel Solar Ag | Method for obtaining high performance thin film devices deposited on highly textured substrates |
| US8599467B2 (en) * | 2008-01-31 | 2013-12-03 | Ajjer, Llc | Environmentally safe electrochromic devices and assemblies |
| US20090194155A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20090194157A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8501522B2 (en) * | 2008-05-30 | 2013-08-06 | Gtat Corporation | Intermetal stack for use in a photovoltaic cell |
| US7915522B2 (en) | 2008-05-30 | 2011-03-29 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Asymmetric surface texturing for use in a photovoltaic cell and method of making |
| FR2932009B1 (fr) * | 2008-06-02 | 2010-09-17 | Saint Gobain | Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique |
| FR2932611B1 (fr) * | 2008-06-11 | 2010-11-12 | Saint Gobain | Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique |
| FR2932610B1 (fr) * | 2008-06-11 | 2010-11-12 | Saint Gobain | Cellule photovoltaique et substrat de cellule photovoltaique |
| US8022291B2 (en) * | 2008-10-15 | 2011-09-20 | Guardian Industries Corp. | Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device |
| US8541680B2 (en) * | 2008-12-03 | 2013-09-24 | Applied Materials, Inc. | Photovoltaic cells including peaks and methods of manufacture |
| US8316593B2 (en) * | 2009-03-18 | 2012-11-27 | Garland Industries, Inc. | Solar roofing system |
| CN101906847A (zh) * | 2009-06-05 | 2010-12-08 | 廊坊新奥光伏集成有限公司 | 一种光电幕墙玻璃 |
| MX344160B (es) * | 2009-10-30 | 2016-12-06 | Building Materials Invest Corp | Panel solar flexible con una pelicula multicapa. |
| DE102010009558A1 (de) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer texturierten TCO-Schicht |
| KR101705705B1 (ko) * | 2010-05-04 | 2017-02-13 | 삼성전자 주식회사 | 유기 태양 전지 |
| US20120211065A1 (en) * | 2011-02-21 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59143362A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Fuji Xerox Co Ltd | パツシベ−シヨン膜 |
| FR2550007A1 (en) * | 1983-07-29 | 1985-02-01 | Sanyo Electric Co | Method for producing a semiconducting film and photovoltaic device obtained by the method |
| JPS6281057A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Hosiden Electronics Co Ltd | 透明導電膜 |
| US6123824A (en) * | 1996-12-13 | 2000-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing photo-electricity generating device |
| JPH1140825A (ja) * | 1997-07-16 | 1999-02-12 | Fuji Electric Co Ltd | アモルファスシリコン太陽電池 |
| JPH1146006A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Canon Inc | 光起電力素子およびその製造方法 |
| US6077722A (en) * | 1998-07-14 | 2000-06-20 | Bp Solarex | Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts |
| TW463528B (en) * | 1999-04-05 | 2001-11-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescence element and their preparation |
| JP4434411B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| US6660410B2 (en) * | 2000-03-27 | 2003-12-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
| KR100748818B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2007-08-13 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 표시장치 |
| US6784361B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-08-31 | Bp Corporation North America Inc. | Amorphous silicon photovoltaic devices |
| JP2002170431A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 電極基板およびその製造方法 |
| KR100835920B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2008-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치패널 일체형 액정패널 |
| JP2004095881A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| TW583466B (en) * | 2002-12-09 | 2004-04-11 | Hannstar Display Corp | Structure of liquid crystal display |
| TWI232066B (en) * | 2002-12-25 | 2005-05-01 | Au Optronics Corp | Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light |
| US20070131276A1 (en) * | 2003-01-16 | 2007-06-14 | Han Nee | Photo-voltaic cells including solar cells incorporating silver-alloy reflective and/or transparent conductive surfaces |
-
2006
- 2006-02-23 US US11/359,775 patent/US20070193624A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-02-12 EP EP07750582A patent/EP1987545A2/en not_active Withdrawn
- 2007-02-12 BR BRPI0708219-3A patent/BRPI0708219A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-02-12 RU RU2008137782/28A patent/RU2413333C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-02-12 CA CA002634813A patent/CA2634813A1/en not_active Abandoned
- 2007-02-12 WO PCT/US2007/003754 patent/WO2007100488A2/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2634813A1 (en) | 2007-09-07 |
| EP1987545A2 (en) | 2008-11-05 |
| BRPI0708219A2 (pt) | 2011-05-17 |
| US20070193624A1 (en) | 2007-08-23 |
| WO2007100488A2 (en) | 2007-09-07 |
| WO2007100488A3 (en) | 2008-02-07 |
| RU2008137782A (ru) | 2010-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2413333C2 (ru) | Передний контакт на основе оксида индия-цинка для фотоэлектрического прибора и способ его изготовления | |
| RU2435250C2 (ru) | Фронтальный контакт с тсо с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом устройстве и способ его получения | |
| US8936842B2 (en) | Low-E coating having zinc aluminum oxide based layer doped with yttrium | |
| RU2435251C2 (ru) | Передний электрод со слоем тонкой металлической пленки и буферным слоем с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом приборе и способ получения таковых | |
| US20080223430A1 (en) | Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like | |
| US20110259395A1 (en) | Single Junction CIGS/CIS Solar Module | |
| US7888594B2 (en) | Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index | |
| JP4162447B2 (ja) | 光起電力素子及び光起電力装置 | |
| US20080169021A1 (en) | Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like | |
| US20080105298A1 (en) | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same | |
| US20090194165A1 (en) | Ultra-high current density cadmium telluride photovoltaic modules | |
| US8445373B2 (en) | Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ITO) thin films | |
| CN102386274B (zh) | 在薄膜光伏器件中形成作为背接触的各向异性传导层的方法 | |
| CN102206801B (zh) | 基于碲化镉的薄膜光伏器件所用的导电透明氧化物膜层的形成方法 | |
| US20110023959A1 (en) | Photovoltaic Cell Substrate And Method Of Manufacturing The Same | |
| CN103563088A (zh) | 本质上半透明的太阳能电池及其制造方法 | |
| US20150295099A1 (en) | High work-function buffer layers for silicon-based photovoltaic devices | |
| CN108735828A (zh) | 一种异质结背接触太阳能电池及其制备方法 | |
| US20110146784A1 (en) | Photovoltaic device back contact | |
| JPS6152992B2 (ru) | ||
| US20110203658A1 (en) | Photovoltaic cell substrate and photovoltaic cell including the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150213 |