JP2000252505A - 太陽電池モジュール - Google Patents
太陽電池モジュールInfo
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- JP2000252505A JP2000252505A JP11048387A JP4838799A JP2000252505A JP 2000252505 A JP2000252505 A JP 2000252505A JP 11048387 A JP11048387 A JP 11048387A JP 4838799 A JP4838799 A JP 4838799A JP 2000252505 A JP2000252505 A JP 2000252505A
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- cell module
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一定した色調が維持されることで外観が改善
され、発電活性部分と周辺部、ひいては、フレームとの
絶縁を、高い生産性で実現することを可能とした太陽電
池モジュールを提供すること。 【解決手段】 透光性基板上に形成された、透明電極
層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビー
ムによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気
的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、
前記透光性基板の周辺部において、前記光半導体層の製
膜領域は前記金属層より広がっており、かつ金属層の製
膜領域は発電発生部と他の部分の境界より大きいことを
特徴とする。
され、発電活性部分と周辺部、ひいては、フレームとの
絶縁を、高い生産性で実現することを可能とした太陽電
池モジュールを提供すること。 【解決手段】 透光性基板上に形成された、透明電極
層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビー
ムによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気
的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、
前記透光性基板の周辺部において、前記光半導体層の製
膜領域は前記金属層より広がっており、かつ金属層の製
膜領域は発電発生部と他の部分の境界より大きいことを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽光発電に用い
られる太陽電池モジュールに係り、特に、外観と工程の
再現性と信頼性の改善された薄膜太陽電池モジュールに
関する。
られる太陽電池モジュールに係り、特に、外観と工程の
再現性と信頼性の改善された薄膜太陽電池モジュールに
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、地球環境に対する意識が高まると
共に自然にやさしいエネルギーとして太陽光発電が普及
するようになった。この実施の形態としては太陽電池モ
ジュールを屋根や壁面に設置することが多く、建物の一
部としての役割を果たすことから、建築デザイナーの要
求として建物と親和する色調、意匠性など外観面に対す
る要求が大きくなりつつあるのが現状である。これに対
して茶系統の色調と連続した色調を維持している薄膜太
陽電池モジュールは従来の結晶系モジュールと比較して
優位な面を持つ。
共に自然にやさしいエネルギーとして太陽光発電が普及
するようになった。この実施の形態としては太陽電池モ
ジュールを屋根や壁面に設置することが多く、建物の一
部としての役割を果たすことから、建築デザイナーの要
求として建物と親和する色調、意匠性など外観面に対す
る要求が大きくなりつつあるのが現状である。これに対
して茶系統の色調と連続した色調を維持している薄膜太
陽電池モジュールは従来の結晶系モジュールと比較して
優位な面を持つ。
【０００３】薄膜太陽電池は、透明電極層、光半導体
層、金属層などの薄膜を気相反応により積層することに
より形成されるが、この積層工程において、光半導体層
と金属層の製膜範囲はほぼ同一であることが多く、透明
絶縁基板を用いる場合において金属層が光半導体層の製
膜領域をはみ出すと、受光面である透明絶縁基板の側か
ら見た場合に透明絶縁基板を通して金属層が露呈し、白
色の線として見られるために、先に述べた茶系統の暗色
が連続するという薄膜太陽電池の外観上の特色が損なわ
れることがあった。また、結晶太陽電池の場合に白系統
の封止材料が用いられることが多かったが、これを用い
ると製膜領域の周辺を白い枠で囲った外観を示す様にな
り、意匠上の問題となっていた。
層、金属層などの薄膜を気相反応により積層することに
より形成されるが、この積層工程において、光半導体層
と金属層の製膜範囲はほぼ同一であることが多く、透明
絶縁基板を用いる場合において金属層が光半導体層の製
膜領域をはみ出すと、受光面である透明絶縁基板の側か
ら見た場合に透明絶縁基板を通して金属層が露呈し、白
色の線として見られるために、先に述べた茶系統の暗色
が連続するという薄膜太陽電池の外観上の特色が損なわ
れることがあった。また、結晶太陽電池の場合に白系統
の封止材料が用いられることが多かったが、これを用い
ると製膜領域の周辺を白い枠で囲った外観を示す様にな
り、意匠上の問題となっていた。
【０００４】また、太陽電池モジュールの要求規格とし
て素子活性部と周辺部の間を絶縁することが要求されて
おり、集積化の際にパターニングに用いるレーザ光を用
いて、太陽電池中央部の活性領域とフレームに電気的に
接触する可能性のある周辺部とを電気的に分離する手法
が提案されている。しかしながら、光半導体層の製膜部
分がこの絶縁部分より小さく、金属層が直接に絶縁部分
に触れている場合にはレーザ光を金属が過剰に反射して
各層の加工ができない場合があり、結果的に絶縁耐圧特
性が得られず工業的にこの技術を用いることにはできな
かった。
て素子活性部と周辺部の間を絶縁することが要求されて
おり、集積化の際にパターニングに用いるレーザ光を用
いて、太陽電池中央部の活性領域とフレームに電気的に
接触する可能性のある周辺部とを電気的に分離する手法
が提案されている。しかしながら、光半導体層の製膜部
分がこの絶縁部分より小さく、金属層が直接に絶縁部分
に触れている場合にはレーザ光を金属が過剰に反射して
各層の加工ができない場合があり、結果的に絶縁耐圧特
性が得られず工業的にこの技術を用いることにはできな
かった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情の
下になされ、周辺部分の外観の改善を高い生産性で実現
することを可能とした太陽電池モジュールを提供するこ
とを目的とする。
下になされ、周辺部分の外観の改善を高い生産性で実現
することを可能とした太陽電池モジュールを提供するこ
とを目的とする。
【０００６】本発明の他の目的は、発電活性部分と周辺
部、ひいては、フレームとの絶縁を、高い生産性で実現
することを可能とした太陽電池モジュールを提供するこ
とにある。
部、ひいては、フレームとの絶縁を、高い生産性で実現
することを可能とした太陽電池モジュールを提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、透光性基板上に形成された、透明電極
層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビー
ムによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気
的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、
光半導体層の製膜領域が金属層の製膜領域より広く、金
属製膜領域を包含していることを特徴とする薄膜太陽電
池モジュールを提供する。さらには前記金属層の製膜領
域が、前記太陽電池モジュールの発電素子が形成されて
いる領域を包含していることを特徴としている。
め、本発明は、透光性基板上に形成された、透明電極
層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビー
ムによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気
的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、
光半導体層の製膜領域が金属層の製膜領域より広く、金
属製膜領域を包含していることを特徴とする薄膜太陽電
池モジュールを提供する。さらには前記金属層の製膜領
域が、前記太陽電池モジュールの発電素子が形成されて
いる領域を包含していることを特徴としている。
【０００８】本発明の薄膜太陽電池モジュールにおい
て、前記光半導体層および前記金属層の製膜領域は前述
の気相反応の時にマスクや基板を支持する枠の大きさを
適宜設計することで実現する。
て、前記光半導体層および前記金属層の製膜領域は前述
の気相反応の時にマスクや基板を支持する枠の大きさを
適宜設計することで実現する。
【０００９】また、素子部分が完成した後、真空ラミネ
ート法等で素子が形成されている面を保護する目的で合
成樹脂を主とする充填材、並びに充填材を保護する樹脂
フィルムなどのバックフィルムで封止する。ここで用い
る充填材として例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体
（ＥＶＡ）を用いることがあるが、これは通常透明であ
る。また、バックフィルムについていえばテドラー等の
樹脂フィルムが用いられる。このフィルムは通常透明あ
るいは白色である。本発明によればこのバックフィルム
あるいは充填材として暗色に着色したものを用いる。具
体的な色としては黒、茶、ワインレッドを用いる なお、本発明の薄膜太陽電池モジュールにおいて、透明
電極層としては、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＴＯ等を用いる
ことが出来る。また、光半導体層としては、シリコンを
主成分とする層、例えばp 型ａ−ＳｉＣ：Ｈ層、ｉ型ａ
−Ｓｉ：Ｈ層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ層の積層構造
を用いることが出来る。更に、金属層としては、銀、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｔｉおよびこれらと金属酸化物との積層体等
を用いることが出来る。
ート法等で素子が形成されている面を保護する目的で合
成樹脂を主とする充填材、並びに充填材を保護する樹脂
フィルムなどのバックフィルムで封止する。ここで用い
る充填材として例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体
（ＥＶＡ）を用いることがあるが、これは通常透明であ
る。また、バックフィルムについていえばテドラー等の
樹脂フィルムが用いられる。このフィルムは通常透明あ
るいは白色である。本発明によればこのバックフィルム
あるいは充填材として暗色に着色したものを用いる。具
体的な色としては黒、茶、ワインレッドを用いる なお、本発明の薄膜太陽電池モジュールにおいて、透明
電極層としては、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＴＯ等を用いる
ことが出来る。また、光半導体層としては、シリコンを
主成分とする層、例えばp 型ａ−ＳｉＣ：Ｈ層、ｉ型ａ
−Ｓｉ：Ｈ層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ層の積層構造
を用いることが出来る。更に、金属層としては、銀、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｔｉおよびこれらと金属酸化物との積層体等
を用いることが出来る。
【００１０】以上のように構成される本発明の薄膜太陽
電池モジュールでは、相互に分離、かつ集積された複数
のセルからなる活性部分の周辺の裏面電極層および半導
体層が機械的に除去されて透明電極並びに透明絶縁性基
板が露出しているため、モジュールの全周にわたって、
樹脂との高い接着力を維持すると共に水分の基板周辺か
らの進入を防止することが出来、そのため、本発明によ
ると、絶縁耐圧特性の安定したモジュールを高歩留まり
で得ることが可能である。
電池モジュールでは、相互に分離、かつ集積された複数
のセルからなる活性部分の周辺の裏面電極層および半導
体層が機械的に除去されて透明電極並びに透明絶縁性基
板が露出しているため、モジュールの全周にわたって、
樹脂との高い接着力を維持すると共に水分の基板周辺か
らの進入を防止することが出来、そのため、本発明によ
ると、絶縁耐圧特性の安定したモジュールを高歩留まり
で得ることが可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
種々の実施例について説明する。
種々の実施例について説明する。
【００１２】実施例１ 図１は、本発明の一実施例に係る太陽電池モジュールを
示す断面図である。図１に示す太陽電池モジュールは、
次のように製造される。まず、面積９２ｃｍｘ４６ｃ
ｍ、厚さ４ｍｍのソーダーライムガラスからなるガラス
基板１上に、熱ＣＶＤ法により酸化錫膜（厚さ８０００
オングストローム）２を形成し、複数のセルを集積化す
るため、この酸化錫膜２をレーザースクライバーでパタ
ーニングし、透明電極とした。なお、参照符号３は、透
明電極スクライブ線を示す。
示す断面図である。図１に示す太陽電池モジュールは、
次のように製造される。まず、面積９２ｃｍｘ４６ｃ
ｍ、厚さ４ｍｍのソーダーライムガラスからなるガラス
基板１上に、熱ＣＶＤ法により酸化錫膜（厚さ８０００
オングストローム）２を形成し、複数のセルを集積化す
るため、この酸化錫膜２をレーザースクライバーでパタ
ーニングし、透明電極とした。なお、参照符号３は、透
明電極スクライブ線を示す。
【００１３】パターニング方法としては、基板１をＸ−
Ｙテーブル上にセットし、ＱスイッチＹＡＧレーザーを
用いて、分離加工を行った。レーザーの運転条件は、第
２高調波５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出
力５００ｎｗ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。分離幅
は５０μｍ、ストリング（個別太陽電池）の幅は約１０
ｍｍである。
Ｙテーブル上にセットし、ＱスイッチＹＡＧレーザーを
用いて、分離加工を行った。レーザーの運転条件は、第
２高調波５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出
力５００ｎｗ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。分離幅
は５０μｍ、ストリング（個別太陽電池）の幅は約１０
ｍｍである。
【００１４】また、半田メッキ銅箔を用いて電極取り出
し用の配線を形成するための領域１４を、両端にあるス
トリング１１ａ，１１ｂの外側に、３．５ｍｍの幅で残
した。
し用の配線を形成するための領域１４を、両端にあるス
トリング１１ａ，１１ｂの外側に、３．５ｍｍの幅で残
した。
【００１５】このようにしてパターニングされた酸化錫
膜２の上に、分離形成型装置のプラズマＣＶＤ室内にお
いて、ａ−Ｓｉ層４をプラズマＣＶＤ法により形成し
た。即ち、２００℃で、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ半導体層、
ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ
半導体層を順次堆積して、ＰＩＮ接合を構成する積層ａ
−Ｓｉ層４を形成した。各層を形成するためには、流量
がそれぞれ１００ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍ、１００ｓ
ｃｃｍのＳｉＨ4 を用い、p 型半導体層とn 型半導体層
を形成する場合にはそれぞれ１０００ｐｐｍの水素希釈
のＢ2 Ｈ6 とＰＨ 3 を２０００ｓｃｃｍ混入させた。
膜２の上に、分離形成型装置のプラズマＣＶＤ室内にお
いて、ａ−Ｓｉ層４をプラズマＣＶＤ法により形成し
た。即ち、２００℃で、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ半導体層、
ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ
半導体層を順次堆積して、ＰＩＮ接合を構成する積層ａ
−Ｓｉ層４を形成した。各層を形成するためには、流量
がそれぞれ１００ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍ、１００ｓ
ｃｃｍのＳｉＨ4 を用い、p 型半導体層とn 型半導体層
を形成する場合にはそれぞれ１０００ｐｐｍの水素希釈
のＢ2 Ｈ6 とＰＨ 3 を２０００ｓｃｃｍ混入させた。
【００１６】また、ｐ型半導体層の形成には、３０ｓｃ
ｃｍのＣＨ4 も混入させることにより、炭素合金化を行
った。各層を形成するための投入パワーは、それぞれ２
００Ｗ、５００Ｗ、３ｋＷであり、反応圧力はそれぞれ
１ｔｏｒｒ、０．５ｔｏｒｒ、１ｔｏｒｒであった。形
成した層の膜厚は、製膜時間からそれぞれ１５０オング
ストローム、３２００オングストローム、３００オング
ストロームと推定される。
ｃｍのＣＨ4 も混入させることにより、炭素合金化を行
った。各層を形成するための投入パワーは、それぞれ２
００Ｗ、５００Ｗ、３ｋＷであり、反応圧力はそれぞれ
１ｔｏｒｒ、０．５ｔｏｒｒ、１ｔｏｒｒであった。形
成した層の膜厚は、製膜時間からそれぞれ１５０オング
ストローム、３２００オングストローム、３００オング
ストロームと推定される。
【００１７】なお、基板の周囲から３ｍｍから内側全面
に、これらの半導体が製膜されるような基板支持枠を用
いた。
に、これらの半導体が製膜されるような基板支持枠を用
いた。
【００１８】このようにして各層の製膜を行った後、基
板１をＸ−Ｙテーブル上にセットして、ＱスイッチＹＡ
Ｇレーザーを用いて、ａ−Ｓｉ層４を、ＳｎＯ2 層２の
パターニング位置から１００μｍづつ左にずらしてパタ
ーニングを行った。レーザーの運転条件は、第２高調波
５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出力５００
ｍｗ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。なお、焦点位置
をずらすこととで、分離幅を１００μｍにした。参照符
号５は、半導体スクライブ線を示す。
板１をＸ−Ｙテーブル上にセットして、ＱスイッチＹＡ
Ｇレーザーを用いて、ａ−Ｓｉ層４を、ＳｎＯ2 層２の
パターニング位置から１００μｍづつ左にずらしてパタ
ーニングを行った。レーザーの運転条件は、第２高調波
５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出力５００
ｍｗ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。なお、焦点位置
をずらすこととで、分離幅を１００μｍにした。参照符
号５は、半導体スクライブ線を示す。
【００１９】その後、マグネトロンスパッタ法により、
ＲＦ放電でＺｎＯターゲットを用いて、パターニングさ
れたａ−Ｓｉ層４上に、１０００オングストロームの膜
厚のＺｎＯ層（図示せず）を形成した。スパッタ条件
は、アルゴンガス圧力２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００
Ｗ、製膜温度２００℃であった。
ＲＦ放電でＺｎＯターゲットを用いて、パターニングさ
れたａ−Ｓｉ層４上に、１０００オングストロームの膜
厚のＺｎＯ層（図示せず）を形成した。スパッタ条件
は、アルゴンガス圧力２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００
Ｗ、製膜温度２００℃であった。
【００２０】次に、ＺｎＯ層上に、同じマグネトロンス
パッタ装置のＡｇターゲットを用いることにより、直流
放電および室温で、２０００オングストロームの膜厚の
金属電極層６を形成した。スパッタ条件は、アルゴンガ
ス圧力２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００Ｗであった。
パッタ装置のＡｇターゲットを用いることにより、直流
放電および室温で、２０００オングストロームの膜厚の
金属電極層６を形成した。スパッタ条件は、アルゴンガ
ス圧力２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００Ｗであった。
【００２１】なお、金属電極層の製膜領域は基板支持枠
で規定され、基板の周囲から４ｍｍ内側の全面に製膜さ
れるにした。
で規定され、基板の周囲から４ｍｍ内側の全面に製膜さ
れるにした。
【００２２】最後に、マグネトロンスパッタ装置から基
板１を取り出して、Ｘ−Ｙテーブル上にセットして、Ｑ
スイッチＹＡＧレーザーを用いてＡｇ層およびａ−Ｓｉ
層４をパターニングして、半導体スクライブ線５から１
００μｍ離れた位置に裏面電極スクライブ線７を形成し
た。レーザーの運転条件は、ａムＳｉ層４の加工条件と
全く同じであった。分離幅は７０μｍ、ストリング幅は
約１０ｍｍである。
板１を取り出して、Ｘ−Ｙテーブル上にセットして、Ｑ
スイッチＹＡＧレーザーを用いてＡｇ層およびａ−Ｓｉ
層４をパターニングして、半導体スクライブ線５から１
００μｍ離れた位置に裏面電極スクライブ線７を形成し
た。レーザーの運転条件は、ａムＳｉ層４の加工条件と
全く同じであった。分離幅は７０μｍ、ストリング幅は
約１０ｍｍである。
【００２３】また、酸化錫膜２のときと同様に、基板の
周囲から５ｍｍの位置に全周にわたり周辺部と太陽電池
活性部を電気的に分離するために、ストリング分離用の
加工部の他にレーザーによるパターニングを施した。分
割幅は１５０μｍで酸化錫膜２の分離部１３を包括する
ように加工した。
周囲から５ｍｍの位置に全周にわたり周辺部と太陽電池
活性部を電気的に分離するために、ストリング分離用の
加工部の他にレーザーによるパターニングを施した。分
割幅は１５０μｍで酸化錫膜２の分離部１３を包括する
ように加工した。
【００２４】なお、基板の周囲から５ｍｍの位置に、全
周にわたり周辺部と太陽電池活性部を電気的に分離する
ために、図３に示すように、ストリング分離用の加工部
１２の他に、レーザーによるパターニングを施した。参
照符号１３は、それによって形成されたレーザー絶縁分
離線を示す。
周にわたり周辺部と太陽電池活性部を電気的に分離する
ために、図３に示すように、ストリング分離用の加工部
１２の他に、レーザーによるパターニングを施した。参
照符号１３は、それによって形成されたレーザー絶縁分
離線を示す。
【００２５】その後、前述した配線用の位置１４に半田
メッキ銅箔からなるバスバー電極１６を形成して、電極
取り出しのための配線を行った。この電極１６はストリ
ングに平行となっている。
メッキ銅箔からなるバスバー電極１６を形成して、電極
取り出しのための配線を行った。この電極１６はストリ
ングに平行となっている。
【００２６】以上のように構成されるセルをモジュール
化するために、ＥＶＡシートとフッ素系フィルムからな
る保護フィルム８を真空ラミネータを用いて被覆して封
止し、シリコーン樹脂９を充填し、かつ端子の形成とフ
レーム付けを行った。
化するために、ＥＶＡシートとフッ素系フィルムからな
る保護フィルム８を真空ラミネータを用いて被覆して封
止し、シリコーン樹脂９を充填し、かつ端子の形成とフ
レーム付けを行った。
【００２７】このようにして得た太陽電池モジュールに
ついて、１００ｍＷ／ｃｍ2のＡＭ１．５ソーラーシミ
ュレーターを用いて、電流電圧特性を測定した。その結
果、測定された太陽電池の特性は、短絡電流１２４０ｍ
Ａ、開放電圧４４．２Ｖ、曲線因子０．６８、最大出力
３７．３Ｗであった。合計で５枚のモジュールを作成し
たがほぼ同等の特性であった。
ついて、１００ｍＷ／ｃｍ2のＡＭ１．５ソーラーシミ
ュレーターを用いて、電流電圧特性を測定した。その結
果、測定された太陽電池の特性は、短絡電流１２４０ｍ
Ａ、開放電圧４４．２Ｖ、曲線因子０．６８、最大出力
３７．３Ｗであった。合計で５枚のモジュールを作成し
たがほぼ同等の特性であった。
【００２８】比較例１ 光半導体層、金属電極層の製膜時の基板支持枠を基板周
囲から５ｍｍより内側に製膜されるようになるように設
定したほかは、同じ工程で太陽電池モジュールを製作し
た。
囲から５ｍｍより内側に製膜されるようになるように設
定したほかは、同じ工程で太陽電池モジュールを製作し
た。
【００２９】作成したモジュール５枚の内、２枚に絶縁
不良がみられた。
不良がみられた。
【００３０】本発明における実施例の結果では、太陽電
池の表面の色調が茶系統の暗色で全体が同一であり著し
く外観が改善されている。さらには、フレームと端子間
の絶縁抵抗が常に一定しており、一方、本発明によらな
い比較例では太陽電池としては十分な電流電圧特性が得
られているものの、絶縁抵抗が再現性良く得られず。本
実施例に比較して大きく見劣りがする結果となった。
池の表面の色調が茶系統の暗色で全体が同一であり著し
く外観が改善されている。さらには、フレームと端子間
の絶縁抵抗が常に一定しており、一方、本発明によらな
い比較例では太陽電池としては十分な電流電圧特性が得
られているものの、絶縁抵抗が再現性良く得られず。本
実施例に比較して大きく見劣りがする結果となった。
【００３１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よると、外観と絶縁耐圧特性に優れた薄膜太陽電池モジ
ュールを、極めて簡易なプロセスで、高い歩留まりで得
ることが可能である。
よると、外観と絶縁耐圧特性に優れた薄膜太陽電池モジ
ュールを、極めて簡易なプロセスで、高い歩留まりで得
ることが可能である。
【図１】実施例１に係る薄膜太陽電池モジュールの断面
図。
図。
【図２】比較例に係る薄膜太陽電池モジュールの断面
図。
図。
【図３】図１及び図２に示す薄膜太陽電池モジュールの
平面図。
平面図。
１…ガラス基板 ２…酸化錫膜 ３…透明電極スクライブ線 ４…ａ−Ｓｉ層 ５…半導体スクライブ線 ６…金属電極層 ７…裏面電極スクライブ線 ８…保護フィルム ９…充填材 １１ａ，１１ｂ…両端のストリング １２…ストリング分離用加工部 １３…レーザー絶縁分離線 １４…配線部 １５…光半導体層製膜領域 １６…バスバー電極 １７…金属層製膜領域
Claims (4)
- 【請求項１】透光性基板上に形成された、透明電極層、
光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビームに
よる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気的に
集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、光半
導体層の製膜領域が金属層の製膜領域より広く、金属製
膜領域を包含していることを特徴とする薄膜太陽電池モ
ジュール。 - 【請求項２】前記金属層の製膜領域が、前記太陽電池モ
ジュールの発電素子が形成されている領域を包含してい
ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜太陽電池モジ
ュール。 - 【請求項３】透明電極層、光半導体層および金属層が製
膜されている面を保護する封止材として用いる充填材ま
たは裏面保護フィルムが黒、茶、ワインレッド等の暗色
であることを特徴とする請求項１及び２に記載の薄膜太
陽電池モジュール。 - 【請求項４】前記光半導体層がシリコンを主成分とする
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかの項に記
載の薄膜太陽電池ジュール。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100559612C (zh) * | 2007-09-19 | 2009-11-11 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于空间的双结柔性叠层薄膜太阳能电池 |
| CN100580958C (zh) * | 2007-09-19 | 2010-01-13 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于空间的三结柔性叠层薄膜太阳能电池 |
| JP2011211199A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Astrium Gmbh | 宇宙用途向けの太陽電池、特に、多−接合太陽電池 |
| JP2012104512A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-31 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| JP2013012565A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Kyocera Corp | 光電変換モジュール |
| WO2019031023A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール |
-
1999
- 1999-02-25 JP JP11048387A patent/JP2000252505A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100559612C (zh) * | 2007-09-19 | 2009-11-11 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于空间的双结柔性叠层薄膜太阳能电池 |
| CN100580958C (zh) * | 2007-09-19 | 2010-01-13 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于空间的三结柔性叠层薄膜太阳能电池 |
| JP2011211199A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Astrium Gmbh | 宇宙用途向けの太陽電池、特に、多−接合太陽電池 |
| US10312392B2 (en) | 2010-03-29 | 2019-06-04 | Airbus Defence and Space GmbH | Multi-junction solar cell for space applications |
| JP2012104512A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-31 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| JP2013012565A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Kyocera Corp | 光電変換モジュール |
| WO2019031023A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール |
| JPWO2019031023A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2020-08-20 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール |
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| US11469339B2 (en) | 2017-08-10 | 2022-10-11 | Kaneka Corporation | Solar cell module |
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