JPS63185071A - 非晶質太陽電池 - Google Patents

非晶質太陽電池

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Publication number
JPS63185071A
JPS63185071A JP62016948A JP1694887A JPS63185071A JP S63185071 A JPS63185071 A JP S63185071A JP 62016948 A JP62016948 A JP 62016948A JP 1694887 A JP1694887 A JP 1694887A JP S63185071 A JPS63185071 A JP S63185071A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
amorphous silicon
silicon layer
type amorphous
solar cell
Prior art date
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Pending
Application number
JP62016948A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Hanabusa
花房 彰
Takashi Arita
有田 孝
Michio Osawa
道雄 大沢
Masaharu Ono
大野 雅晴
Koshiro Mori
森 幸四郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS63185071A publication Critical patent/JPS63185071A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Conductive Materials (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、太陽光および他の光源下で、光電変換を行な
う非晶質太陽電池に関するものである。
従来の技術 従来のこの種の太陽電池は、第3図のような構造になっ
ている。
すなわち、透光性絶縁基板21上に、透明電極22を形
成し、プラズマCVD法により、p形非晶質珪素層、i
形非晶質珪素層23.i形非晶質珪素層、i形非晶質珪
素層24.n形非晶質珪素層、i形非晶質珪素層26が
形成され、その後、真空蒸着法等によシ、透過光面側2
8の金属電極26を形成し、最後に、信頼性を持たせる
ためと、絶縁化のために、保護用樹脂27通常はエポキ
シ樹脂をコーティングしていた。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では前記金属電極26を形成する
には、真空蒸着等を行なう必要があった。
それ故に、第一に、設備が高価で、生産性が悪いために
、製品コストが高いという問題点があり、第二に、蒸着
源の金属の突沸等により、非晶質珪素膜上に、金属粒が
付着した時に、非晶質珪素膜が破壊されて、歩留が低下
するという問題点があった。
さらには、通常の保存試験の一つである80℃での高温
保存試験(以下、高温試験と呼ぶ。)を行なうと、アル
ミ等の金属が、前記n形非晶質珪素層、i形非晶質珪素
層中を拡散し、太陽電池特性(特に開放電圧)が低下し
てしまうという問題もあった。そのために、安価で信頼
性の高い非晶質太陽電池が実現できなかった。
そこで本発明は、高温試験における特性劣化が無くして
、安価な設備で、高い生産性を実現でき得る非晶質太陽
電池を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段 この問題点を解決するために本発明は、入射光面側より
順に透光性絶縁基板、透明電極+ p* t、n非晶質
珪素層、導電性ペーストからなる透過光面側電極、保護
樹脂より成る太陽電池において、上記透過光面側電極を
フェノール樹脂を用いた導電性ペーストで形成したもの
である。
作  用 この構成によシ導電性ペーストを用いることにより、印
刷法やスプレー法により安価に透過光面側の電極を形成
することが可能になり、且つ、前記ペースト中に含まれ
る樹脂が障壁となって、前記高温試験でのペースト中の
金属が前記非晶質中への拡散を防ぎ、太陽電池特性の劣
化を防ぐ。また、フェノール樹脂を用いることによシ、
保護樹脂通常は、エポキシ樹脂中の溶剤による前記導電
性ペーストの劣化を防止することにより、太陽電池の劣
化を抑制することとなる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。
ガラス等の透光性絶縁基板1上に、公知の方法によシ透
明電極2を形成し、更に、順次公知の方法によりp形非
晶質珪素層、i形非晶質珪素層3,1形非晶質珪素層、
i形非晶質珪素層4、n形非晶質珪素層、i形非晶質珪
素層6を堆積させ、次に、本発明のフェノール樹脂を樹
脂分とする導電性ペーストによシ、スクリーン印刷法に
よりコーティングし、150℃で30分間乾燥機中で塗
膜を焼付は厚さ3071mの透過光面9側の電極6を形
成する。
最後に、公知の方法によシ保護樹脂7をコーティングし
て非晶質太陽電池8を構成した。ここで、前記導電性ペ
ーストを本発明よ構成るフェノール樹脂とエポキシ樹脂
、ウレタン樹脂で作製した場合、前述の保護樹脂のコー
ティング前後でのそれぞれの太陽電池の出力特性を第2
図に示すが、いずれの樹脂で導電性ペーストを作製して
も、前記保護樹脂をコーティングする前には、前述の特
性に有意差は見られないが、コーティングをした後では
、前記エポキシ樹脂とウレタン樹脂を用いたものでは、
特性劣化が見られたけれども、前記フェノール樹脂を用
いた場合には、その理由は、不明確であるが特性劣化が
見られなかった。さらには、このサンプルを高温試験し
ても特性劣化ば見られなかった。
発明の効果 以上のように本発明によれば、透過光面倒電極として、
フェノール樹脂を樹脂分とする導電性ペーストを使用す
ることによって、印刷機や乾燥機といった、安価で生産
性の高い設備で作製でき、さらには、前述の如き蒸発源
の突沸による非晶質珪素膜の破壊といった問題も無いの
で、高い歩留で゛容易に作製することができるとともに
、高温試験における劣化の無い、低価格・高品質・高信
頼性の非晶質太陽電池を提供できるという効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の非晶質太陽電池の断面図、
第2図は本発明の一実施例の樹脂分がフェノール樹脂よ
シなる導電性ペーストを用いた場合とエポキシ樹脂・ウ
レタン樹脂で作製した導電性ペーストを用いた場合の保
護樹脂コーティング前後での太陽電池の出力特性の比較
した図、第3図は従来の非晶質太陽電池の断面図を示す
図である。 3・・・・・・p形非晶質珪素層、i形非晶質珪素層、
4・・・・・・l形非晶質珪素層、i形非晶質珪素層、
5・・・・・・n形弁晶質層、6・・・・・・透過光面
倒電極、7・・・・・・保護樹脂、8・・・・・・非晶
質太陽電池。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名6し
一フェノーー)kMJ@ レーご軒図釘后 第 2 図                  C−
一つレタン?’1M第3図 亀

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 入射光面側より順に、透光性絶縁基板、透明電極、p形
    非晶質珪素層、i形非晶質珪素層、n形非晶質珪素層、
    透過光面側の電極として導電性ペースト、及び保護樹脂
    を配して構成された非晶質太陽電池において、前記導電
    性ペースト中の樹脂分が、フェノール樹脂であることを
    特徴とする非晶質太陽電池。
JP62016948A 1987-01-27 1987-01-27 非晶質太陽電池 Pending JPS63185071A (ja)

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