DE3940407A1 - Verfahren zur galvanischen direktmetallisierung - Google Patents
Verfahren zur galvanischen direktmetallisierungInfo
- Publication number
- DE3940407A1 DE3940407A1 DE3940407A DE3940407A DE3940407A1 DE 3940407 A1 DE3940407 A1 DE 3940407A1 DE 3940407 A DE3940407 A DE 3940407A DE 3940407 A DE3940407 A DE 3940407A DE 3940407 A1 DE3940407 A1 DE 3940407A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal
- galvanic
- baths
- reduction
- sodium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 silicon halides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 claims description 4
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N aluminum;sodium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Na+].[Al+3] ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KKAXNAVSOBXHTE-UHFFFAOYSA-N boranamine Chemical class NB KKAXNAVSOBXHTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QXDMQSPYEZFLGF-UHFFFAOYSA-L calcium oxalate Chemical group [Ca+2].[O-]C(=O)C([O-])=O QXDMQSPYEZFLGF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoboron Chemical compound [B]N(C)C YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012280 lithium aluminium hydride Substances 0.000 claims description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910001388 sodium aluminate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 claims 2
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims 1
- WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine hydrochloride Substances Cl.ON WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WCYJQVALWQMJGE-UHFFFAOYSA-M hydroxylammonium chloride Chemical compound [Cl-].O[NH3+] WCYJQVALWQMJGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 claims 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N chembl1095986 Chemical compound C1[C@@H](N)[C@@H](O)[C@H](C)O[C@H]1O[C@@H]([C@H]1C(N[C@H](C2=CC(O)=CC(O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)=C2C=2C(O)=CC=C(C=2)[C@@H](NC(=O)[C@@H]2NC(=O)[C@@H]3C=4C=C(C(=C(O)C=4)C)OC=4C(O)=CC=C(C=4)[C@@H](N)C(=O)N[C@@H](C(=O)N3)[C@H](O)C=3C=CC(O4)=CC=3)C(=O)N1)C(O)=O)=O)C(C=C1)=CC=C1OC1=C(O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](CO[C@@H]5[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](C)O5)O)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)C4=CC2=C1 BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N 0.000 description 1
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- SDWBRBLWPQDUQP-UHFFFAOYSA-N n-boranyl-n-methylmethanamine Chemical compound BN(C)C SDWBRBLWPQDUQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical group 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- WBHQBSYUUJJSRZ-UHFFFAOYSA-M sodium bisulfate Chemical compound [Na+].OS([O-])(=O)=O WBHQBSYUUJJSRZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000342 sodium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
- H05K3/424—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method by direct electroplating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß Oberbegriff des An
spruchs 1.
Bisher wurde die Herstellung von metallisierten Oberflächen wie folgt verfah
ren:
Nach geeigneter Vorbehandlung des Nichtleiters durch Anätzen und/oder Anquellen
und/oder durch Hydrophilisierung wurde durch Tauchen in eine Palladium-haltige
Lösung oder Schwallen oder Besprühen oder Kombinationen davon mit einer solchen
Lösung und nachfolgende Reduktion eine Schicht aus Palladiumkeimen erzeugt.
Diese Schicht diente als Katalysator für die nachfolgende Metallisierung aus
außenstromlos wirkenden chemisch reduktiv arbeitenden Bädern. Danach konnte auf
den jetzt elektrisch leitfähigen Untergrund galvanisch Metall aufgebracht wer
den. Die Haftfestigkeit des Metalls hing dabei im allgemeinen von der Vorbe
handlung des Nichtleiters ab und soll hier deshalb nicht diskutiert werden. Auf
so vorbereitetes Material wurde dann ein (Photo-) Resist oder Photolack durch
Laminieren, Tauchen, elektrostatischen Auftrag oder durch ein anderes geeigne
tes Verfahren aufgebracht, durch eine Maske (Layout) belichtet und dann ent
wickelt. Alternativ dazu konnte die partielle Oberflächenabdeckung auch durch
Siebdruck geschehen oder durch ein anderes Bildübertragungsverfahren, bei dem
ausgewählte Stellen oder Flächenteile der Oberfläche mit einem isolierenden
Stoff (Resist) bedeckt wurden. Das beschriebene Verfahren weist einige inhä
rente Nachteile auf: Es ist relativ lang, das heißt, es benötigt viele unter
schiedliche Verfahrensschritte und verschiedene Behandlungsstufen und die Re
aktionszeiten insbesondere bei der außenstromlosen Metallisierung sind lang.
Ferner arbeiten die meisten Verfahren zur reduktiven Metallabscheidung bei ex
tremen pH-Werten, so daß dadurch das zu metallisierende Material oft ange
griffen wird. Zuletzt soll erwähnt werden, daß gerade die reduktiv arbeitenden
Bäder wegen der Inhaltsstoffe Reduktionsmittel (Formaldehyd) und Komplexbildner
(EDTA, Quadrol und andere) umweltbelastend sind und aufwendig entsorgt werden
müssen.
Es hat daher nicht an Versuchen gefehlt, die Nachteile dieser Arbeitsweise zu
vermeiden, indem Metall galvanisch direkt ohne den Zwischenschritt der außen
stromlosen reduktiven Metallabscheidung auf Oberflächen abgeschieden wird: So
ist in den Patenten EP 02 44 535, US 46 19 741, US 46 31 117, US 46 22 107 sowie
US 46 22 108 ein Verfahren beschrieben, in welchem auf die zu galvanisierende
Oberfläche eine dünne elektrisch leitende Kohlenstoffschicht aufgebracht wird,
die nach einem Trocknungsschritt direkt galvanisch mit Metall belegt werden
kann. Nachteilig daran ist der aufwendige Trocknungsschritt sowie die Tatsache,
daß auch metallische Oberflächen mit Kohlenstoffpartikeln belegt werden, die
vor der galvanischen Weiterbehandlung durch einen Ätzschritt zunächst entfernt
werden müssen. Andere beschreiben die Belegung der Oberflächen mit elektrisch
leitfähigen Polymeren (EP 02 06 133 und viele andere), die ebenfalls diese Nach
teile aufweisen, zusätzlich außerdem Lösungsmittel einsetzen müssen, die - wenn
nicht gesundheitsschädlich - so doch brennbar oder geruchsbelästigend sind.
Manche Verfahren nutzen die Belegung mit kolloidem Metall (EP 02 48 683) aus oder
erzeugen durch nachfolgende Reaktionsschritte genügend leitfähige Schichten
(DE 37 41 459, EP 02 98 298).
Allen ist das Bestreben gemein, die Herstellungs
schritte zu einer Metallschicht zu verkürzen und zu vereinfachen.
Aufgabe der Erfindung ist daher die Bereitstellung eines Verfahrens, welches
die Nachteile der bekannten Verfahren überwindet und die Prozeßführung durch
Weglassung von Prozeßstufen verbessert.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren gemäß dem kennzeichnenden Teil
des Patentanspruchs.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den Kennzeichnungsteilen der Unter
ansprüche zu entnehmen.
Erfindungsgemäße direkte Metallisierung vermeidet alle beschriebenen Nachteile.
Das Verfahren ist kurz und kommt ohne hohe Konzentrationen an Komplexbildnern
und ohne extreme pH-Werte aus. Gegenstand der Erfindung ist es, auf der zu gal
vanisierenden Oberfläche eine genügend hohe Konzentration an Metall dadurch zu
erzeugen, daß man das zu metallisierende Material in einer Lösung aus einer
Metallverbindung mit genügend hoher Konzentration an Metall beschichtet, so daß
daraus eine elektrisch leitfähige Schicht erzeugt werden kann. Beliebige Basis
materialien sind einsetzbar und werden durch dieses Verfahren mit Metall be
schichtet.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann an bestimmten Stellen in der Abfolge dieser
Schritte zur nachfolgenden Strukturierung eingefügt werden, das aus folgenden
Stufen besteht:
- ° Trocknung der Oberfläche, optional Bürsten und/oder Anätzen
- ° Laminieren mit Trockenresist oder eine ähnliche Beschichtung mit einem geeig neten Resist oder mit einem photosensiblen Lack oder Bedrucken per Siebdruck oder allgemein Beschichtung mit einem Nichtleiter durch ein Bildübertra gungsverfahren
- ° Bei Verwendung von Photolack oder Photoresisten: Belichtung und Entwicklung des Resists oder Lackes.
Die elektrische Leitfähigkeit des so auf die Oberfläche gelegten Metalls ist
bei geeigneter Wahl der Arbeitsschritte so hoch, daß nun anschließend direkt
eine galvanische Metallabscheidung möglich ist. Die Positionierung der Litho
graphieschritte kann vor der Adsorption der Metallverbindung erfolgen oder vor
der galvanischen Metallisierung. In jedem Falle ist darauf zu achten, daß be
nachbarte Schritte sich nicht stören. So kann zum Beispiel ein bereits im Re
sist strukturiertes Bild unter Umständen in einer zu warmen oder zu alkalischen
Reduktionslösung verfälscht oder zerstört werden. Ebenso könnte sehr saure oder
gar oxidierende Umgebung bei der Photolithografie die Leitfähigkeit der dünnen
metallhaltigen Schicht beeinträchtigen. In manchen Fällen kann die Auswahl
eines "Lösungsmittelresists" (der zum Beispiel mit 1,1,1-Trichlorethan ent
wickelt wird) angeraten sein.
Alle Behandlungsschritte durch wäßrige Lösungen oder andere Flüssigkeiten, die
im Folgenden beschrieben sind, können durch Tauchen, Besprühen oder Beschwallen
oder Kombinationen daraus erfolgen.
Eine Isolierstoff-Oberfläche, vorzugsweise Leiterplattenmaterial wie FR3, FR4,
bestehend aus Polymeren wie Epoxid oder Phenol-Harzen oder Poly(imid) oder an
deren Polymeren oder ein aus Glas oder Keramik und organischen Polymeren her
gestellter Komposit-Werkstoff, der auch Kupferinnenlagen enthalten kann, wird
zunächst durch Lösungsmittel vorgequollen oder durch Tenside gereinigt und
benetzbar gemacht oder durch Oxidationsmittel oder Säuren oder ähnliche Medien
aufgeschlossen. Dies ist an anderer Stelle detailliert beschrieben und nicht
Gegenstand dieser Erfindung.
Anschließend wird die Oberfläche mit einem Hilfsmittel belegt, so daß später
eine genügende Menge einer Metallverbindung adsorbiert werden kann. Dies kann
ein wasserhaltiges und wasserunlösliches Oxid oder Hydroxid oder Carbonat oder
ähnliches sein, das aus der Hydrolyse oder anderen Umsetzungen von Stoffen wie
Aluminiumchlorid, Natriumaluminat, Zinn- oder Siliziumhalogeniden oder ent
sprechenden Titanverbindungen, allgemein auf Basis der Metalle der II. bis IV.
Hauptgruppe oder der Nebengruppenelemente auf der zu beschichtenden Oberfläche
entwickelt wird oder durch Reduktion entsprechender Stoffe wie zum Beispiel
Permanganaten entsteht oder eine andere entsprechend schwerlösliche Verbindung
sein, wie zum Beispiel Kalziumoxalat. Der so abgeschiedene Stoff sollte eine
gewisse Haftfestigkeit zum Basismaterial aufweisen, hydrophil sein und eine
große Oberfläche zur nachfolgenden Adsorption der Metallverbindung haben. Es
hat sich als günstig für die nachfolgenden Schritte erwiesen, wenn die in
diesem Schritt aufgebrachte Haft- oder Adsorptionsschicht mit Metallverbindun
gen des Kobalts, Nickels oder des Palladiums beziehungsweise anderer ähnlicher
Metallverbindungen aus den Nebengruppenelementen des periodischen Systems
"dotiert" ist. Die Auftragsparameter richten sich nach dem verwendeten System:
Wurde Manganoxid ("Braunstein") aus der Reduktion einer Permanganatlösung als Haftvermittler gewählt, so betrug die Permanganatkonzentration zwischen 1 g/l und 150 g/l, bevorzugt jedoch zwischen 10 g/l und 100 g/l, die Lösung wurde mit einem Hydroxid, bevorzugt einem Alkalihydroxid alkalisch gemacht, die Hydroxidkonzentration betrug dabei 1,0 g/l bis zu 100 g/l, bevorzugt 5 g/l bis zu 60 g/l Hydroxid. Das Dotierungsmetall wurde der Permanganatlösung als Salz zugesetzt, die verwendeten Metallkonzentrationen lagen zwischen 0,1 g/l und 50 g/l, bevorzugt jedoch bei 0,5 g/l bis zu 10 g/l. Die Reaktions dauer mit dem zu metallisierenden Material betrug eine Minute bis zu 60 Minuten, bevorzugt 2 Minuten bis zu 15 Minuten bei Temperaturen von 0°C bis 120°C, bevorzugt solchen Temperaturen von 20°C bis 80°C.
Wurde Manganoxid ("Braunstein") aus der Reduktion einer Permanganatlösung als Haftvermittler gewählt, so betrug die Permanganatkonzentration zwischen 1 g/l und 150 g/l, bevorzugt jedoch zwischen 10 g/l und 100 g/l, die Lösung wurde mit einem Hydroxid, bevorzugt einem Alkalihydroxid alkalisch gemacht, die Hydroxidkonzentration betrug dabei 1,0 g/l bis zu 100 g/l, bevorzugt 5 g/l bis zu 60 g/l Hydroxid. Das Dotierungsmetall wurde der Permanganatlösung als Salz zugesetzt, die verwendeten Metallkonzentrationen lagen zwischen 0,1 g/l und 50 g/l, bevorzugt jedoch bei 0,5 g/l bis zu 10 g/l. Die Reaktions dauer mit dem zu metallisierenden Material betrug eine Minute bis zu 60 Minuten, bevorzugt 2 Minuten bis zu 15 Minuten bei Temperaturen von 0°C bis 120°C, bevorzugt solchen Temperaturen von 20°C bis 80°C.
Im nächsten Schritt wird dann in geeigneter Weise die Oberfläche mit einer Me
tallverbindung belegt. Dies können Salze der Metalle wie Kupfer, Silber, Gold,
Palladium, Platin, Osmium, Iridium oder Rhodium sein oder Komplexe dieser
Metalle der allgemeinen Formel Mc-(Lx)-A sein, bei denen Lx einen stickstoff
haltigen organischen oder anorganischen Rest darstellt, x eine ganze Zahl von
mindestens 1, vorzugsweise 2 bis 4 und A einen anorganischen oder organischen
Säurerest darstellt, wie er für andere Verwendungszwecke bereits in dem
Patent DE 21 16 389 beschrieben ist. Alle dort beschriebenen Stoffe und Verbin
dungen sind ebenfalls Gegenstand dieser Erfindung, sie haben den Vorteil, daß
Metall nicht auf anderen Metallschichten, insbesondere nicht auf der Kupfer
kaschierung von Leiterplatten abgeschieden wird. Der Metallgehalt der einge
setzten Lösungen liegt zwischen 0,1 g/l und 20 g/l, bevorzugt zwischen 0,5 g/l
und 12 g/l, die Auftragstemperatur liegt zweckmäßigerweise zwischen dem
Schmelzpunkt und dem Siedepunkt der verwendeten Lösung, vorzugsweise jedoch
zwischen 20°C und 60°C, die Reaktionsdauer beim Einwirken kann zwischen einer
Sekunde und 60 Minuten liegen, bevorzugt wird eine Reaktionsdauer von einer
Minute bis zu zehn Minuten.
Im letzten zu dieser Erfindung gehörigen Schritt wird dann aus der adsorbierten
Metallverbindung das freie, elektrisch leitfähige Metall durch Reduktion mit
einem geeigneten Reduktionsmittel erzeugt. Dieses können zum Beispiel Amino
borane oder Borhydride oder Aluminiumhydride oder verwandte ähnliche Reduk
tionsmittel sein wie Natriumborhydrid oder Dimethylaminoboran oder Lithium
aluminiumhydrid in geeigneten Lösungen und Konzentrationen oder Hypophosphit,
Hydrazin oder Hydroxylamin, deren Derivate oder Salze. Die Konzentrationen sind
unkritisch, sie liegen zwischen 0,2 g/l und 50 g/l, bevorzugt jedoch zwischen
0,5 g/l und 10 g/l des Reduktionsmittels, die Temperaturen liegen zwischen 0°C
und 120°C, bevorzugt zwischen 20°C und 60°C, die Einwirkungs- beziehungsweise
Reduktionsdauer sollte zwischen 5 Sekunden und 60 Minuten liegen, vorzugsweise
zwischen einer Minute und zehn Minuten.
Im Anschluß an die Reduktion der Metallverbindung zum Metall kann direkt in
einem handelsüblichen für die Leiterplattenfertigung geeigneten galvanischen
Bad metallisiert werden, dabei können nach Bedarf verschiedene Metalle wie
Kupfer, Nickel, Zinn, Blei, Gold, Palladium oder Legierungen abgeschieden wer
den.
Die Schritte zum photolithographischen Leiterbildaufbau oder zu anderweitiger
Strukturierung einer zu erzeugenden Metallschicht können, wie erwähnt, sich
entweder an den Ätzreinigungsschritt anschließen oder direkt vor der galva
nischen Metallabscheidung erfolgen. Sie bestehen aus dem Aufbringen eines ge
nügend strahlungsempfindlichen Materials (Photoresist, Photolack) durch
Tauchen, Walzen, Sprühen, Laminieren oder einem ähnlichen Verfahren. Durch eine
Maske (Layout) wird dann das strahlungsempfindliche Material, mit einer Licht
quelle von geeigneter Wellenlänge der Strahlung und geeigneter Intensität
belichtet. Je nach Art des verwendeten Resists oder Lackes wird dann im folgen
den Entwicklungsschritt entweder der belichtete Teil des Resists selektiv ge
löst oder der unbelichtete Teil des Resists selektiv gelöst. Alternativ kann
statt mit einem photolithographischen Verfahren die Substratoberfläche auch per
Siebdruck, Thermotransferdruck oder einem anderen geeigneten Verfahren partiell
in gewünschter Form abgedeckt werden, um bei der später folgenden Metallab
scheidung eine Struktur zu erzeugen. Die zur Strukturierung eingesetzten
Schritte sollten die Haftvermittlungsschicht oder die elektrisch leitfähige
Schicht nicht zerstören oder ihre Eigenschaften erheblich mindern beziehungs
weise verschlechtern. Da jetzt bis zur Beendigung der galvanischen Metallab
scheidung Teile der Substratoberfläche mit Resist abgedeckt bleiben müssen,
darf keiner der nachfolgenden Schritte die Resiststruktur verändern.
Die folgenden Beispiele dienen nur der Erläuterung der Erfindung:
Eine mit Kupfer kaschierte und gebohrte Isolierstoffplatte wurde in einer sau
ren wäßrigen Tensidlösung zunächst gereinigt und anschließend abgespült. Die
Platte wurde dann zwölf Minuten lang in einer Lösung aus 650 g/l Permanganat
(MnO4-), 30 g/l Natriumhydroxid (NaOH), 10 g/l di-Natriumhydrogenphosphat
(Na2HPO4) und 20 g/l Kobaltchlorid (CoCl2) bei 80°C behandelt. Nach an,
schließendem Spülen wurde die Platte in einem Gemisch aus 100 g/l
Natriumpersulfat (Na2S2O8) und 100 g/l Natriumhydrogensulfat (NaHSO4) bei Raum
temperatur kurz angeätzt und dann in eine Lösung aus einem Palladiumkomplex mit
einem Palladiumgehalt von etwa 5 g/l bei Raumtemperatur getaucht. Nach
fünf Minuten wurde gespült und dann anhaftendes Pd2+ zum Metall reduziert durch
eine Lösung aus 2 g/l Natriumborhydrid (NaBH4) in 0,5%iger Natronlauge bei
Raumtemperatur; auch hier war eine Dauer von fünf Minuten ausreichend. Nach dem
Spülen und Trocknen wurde dann ein wäßrig-alkalisch arbeitender Trockenresist
Riston 4215 (DuPont) bei 120°C unter Druck auflaminiert und durch eine Maske
belichtet (10 kW-FSL-Belichter: 6 Sekunden). Nach einer Wartezeit von 10
Minuten wurde dann bei etwa 35°C in zwei Minuten mit einer 1%igen Natrium
carbonatlösung (Na2CO3) entwickelt. Nach kurzem Spülen wurde die Platte in
einem sauren handelsüblichen galvanischen Kupferbad bei 3 A/dm2 bis zur ge
wünschten Schichtdicke verkupfert, dabei zeigte es sich, daß das etwa 2 mm star
ke Leiterplattenmaterial an Kanten und in Löchern nach etwa 30 Sekunden kom
plett mit Kupfer bedeckt war.
Wie Beispiel 1. Als Basismaterial wurde hier jedoch Leiterplattenmaterial mit
zwei Kupfer-Innenlagen für die Erzeugung von Multilayern verwendet.
Wie Beispiel 1 oder 2. Jedoch wurde hier bereits nach dem Ätzreinigungsschritt
mit Natriumpersulfat ein Resist Ozatec K6000 (Hoechst) auflaminiert und dann
wurden zunächst alle Photolithographieschritte - wie beschrieben - durchge
führt.
Es wurde wie in Beispiel 1 verfahren, jedoch die Konzentration des Palladium
komplexes auf 2 g/l gesenkt. Es konnte keine Änderung der Geschwindigkeit bei
dem galvanischen Metallaufbau festgestellt werden.
Wie Beispiel 1. Die Reduktion erfolgte hier statt mit Natriumborhydrid mit
N,N-Dimethylaminoboran.
Wie Beispiel 3. Hier wurde als Resist jedoch der Lösungsmittel-Resist Ozatec
T738 (Hoechst/Kalle) verwendet. Der Resist wurde mit 1,1,1-Trichlorethan bei
20°C entwickelt.
Claims (11)
1. Verfahren zur galvanischen Metallabscheidung auf der Oberfläche von Nicht
leitern ohne die vorherige Belegung mit Metall aus chemisch reduktiv ab
scheidenden Bädern zum Zwecke der Herstellung von Metallschichten oder
von durchkontaktierten Leiterplatten, gekennzeichnet durch die folgenden
Verfahrensschritte:
- - Vorreinigen, gegebenenfalls Anätzen oder Anquellen der zu metallisierenden Oberfläche
- - Belegen der Oberfläche mit einem Adhäsionsmittel
- - Adsorption einer Metallverbindung
- - Reduktion der Metallverbindung zum Metall
- - Galvanische Metallisierung.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Adhäsionsmittel
ein wasserhaltiges und/oder wasserunlösliches Metalloxyd, Metallhydroxid
oder Metallcarbonat verwendet wird.
3. Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um
Hydrolyseprodukte oder Umsetzungsprodukte von Aluminiumchlorid, Natrium
aluminat, Zinn- oder Siliziumhalogeniden, Titanverbindungen oder Verbindun
gen auf Basis der Metalle der II. bis IV. Hauptgruppe oder der Nebengruppen
elemente handelt.
4. Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um Reduk
tionsprodukte von reduzierbaren Stoffen, vorzugsweise von Permanganaten, wie
Kaliumpermanganat und/oder Natriumpermanganat handelt.
5. Verfahren gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Reduktionspro
dukt Braunstein darstellt.
6. Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um Kalzium
oxalat handelt.
7. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Adhäsionsmittel
entweder gemeinsam oder in einem darauffolgenden Schritt mit Metallverbin
dungen des Kobalts, Nickels und/oder Palladiums auf die zu metallisierende
Oberfläche aufgebracht wird.
8. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die Adsorption
Metallverbindungen verwendet werden, die Komplexe der Metalle M wie Silber,
Gold, Palladium, Platin, Osmium, Iridium oder Rhodium der allgemeinen For
mel Mc-(Lx)-A enthalten, bei der Lx einen stickstoffhaltigen organischen
oder anorganischen Rest darstellt, x eine ganze Zahl von mindestens 1, vor
zugsweise 2 bis 4 und A einen anorganischen oder organischen Säurerest dar
stellt.
9. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reduktion zum
Metall mittels Aminoboranen, Borhydriden oder Aluminiumhydriden vorzugsweise
Natriumborhydrid, Dimethylaminoboran oder Lithiumaluminiumhydrid, Natrium
hypophosphit, Hydrazin, Hydroxylammoniumchlorid in geeigneten Lösungen und
Konzentrationen vorgenommen wird.
10. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur galvanischen Me
tallabscheidung galvanische Metallisierungsbäder, wie Kupfer- oder Nickel
bäder, verwendet werden.
11. Verfahren gemäß Anspruch 1 ohne Verwendung stromloser Metallisierungsbäder.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3940407A DE3940407A1 (de) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Verfahren zur galvanischen direktmetallisierung |
| PCT/DE1990/000946 WO1991008325A1 (de) | 1989-12-04 | 1990-12-04 | Verfahren zur galvanischen direktmetallisierung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3940407A DE3940407A1 (de) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Verfahren zur galvanischen direktmetallisierung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3940407A1 true DE3940407A1 (de) | 1991-06-06 |
Family
ID=6394956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3940407A Withdrawn DE3940407A1 (de) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | Verfahren zur galvanischen direktmetallisierung |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3940407A1 (de) |
| WO (1) | WO1991008325A1 (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4323530A1 (de) * | 1993-07-14 | 1995-01-19 | Philips Patentverwaltung | Datenaustauschanordnung |
| KR100332321B1 (ko) * | 1995-08-14 | 2002-06-20 | 메누크호크 브. 브. | 전지용전극의제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3793159A (en) * | 1972-05-05 | 1974-02-19 | Phillips Petroleum Co | Electroplating plastics |
| DE3816494A1 (de) * | 1988-05-10 | 1989-11-16 | Schering Ag | Loesung und verfahren zum aetzen und aktivieren von isolierenden oberflaechen |
-
1989
- 1989-12-04 DE DE3940407A patent/DE3940407A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-12-04 WO PCT/DE1990/000946 patent/WO1991008325A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1991008325A1 (de) | 1991-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3045281C2 (de) | Loesung und verfahren zur elektrochemischen metallisierung von dielektrika | |
| EP0175253B1 (de) | Verfahren zur partiellen Aktivierung von Substratoberflächen | |
| DE69121183T2 (de) | Herstellung von leiterplatten unter benutzung selektiv ätzbarer metallschichten | |
| EP0787224B1 (de) | Verfahren zur abscheidung von metallschichten | |
| DE3928832C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten Leiterplatten und Leiterplatten-Halbzeug | |
| DE3421988C2 (de) | ||
| DE3421989A1 (de) | Verfahren zum metallisieren von keramischen oberflaechen | |
| DE2159612A1 (de) | Verfahren zum stromlosen Metall plattieren nichtleitender Korper | |
| EP0259754A2 (de) | Flexible Schaltungen | |
| DE3110415A1 (de) | Herstellverfahren fuer und nach diesem verfahren hergestellte leiterplatten | |
| DE4438799A1 (de) | Verfahren zum Beschichten elektrisch nichtleitender Oberflächen mit Metallstrukturen | |
| DE19642922C2 (de) | Aktivierende katalytische Lösung zur stromlosen Metallisierung und Verfahren zur Vorbereitung eines Substrats zur stromlosen Metallisierung | |
| DE19833593C2 (de) | Verfahren zur selektiven Metallisierung | |
| DE3139168A1 (de) | "strukturierte chemisch-reduktive metallabscheidung" | |
| DE69730288T2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Leiterplatten mit galvanisierten Widerständen | |
| DE69023816T2 (de) | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungsplatten. | |
| DD297194A5 (de) | Verfahren zur direkten metallisierung eines nicht leitenden substrates | |
| WO2001076334A1 (de) | Verfahren zum erzeugen von lötfähigen und funktionellen oberflächen auf schaltungsträgern | |
| DE3940407A1 (de) | Verfahren zur galvanischen direktmetallisierung | |
| DE10015214C1 (de) | Verfahren zur Metallisierung eines Isolators und/oder eines Dielektrikums | |
| JPH08225952A (ja) | 表面をメタライズするための方法および還元溶液 | |
| DE1665314B1 (de) | Basismaterial zur herstellung gedruckter schaltungen | |
| DE19957130A1 (de) | Metallisierungsverfahren für Dielektrika | |
| DE19540122C2 (de) | Verfahren zur stromlosen Metallisierung und seine Anwendung | |
| DE3146164C2 (de) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |