DE19833593C2 - Verfahren zur selektiven Metallisierung - Google Patents

Verfahren zur selektiven Metallisierung

Info

Publication number
DE19833593C2
DE19833593C2 DE1998133593 DE19833593A DE19833593C2 DE 19833593 C2 DE19833593 C2 DE 19833593C2 DE 1998133593 DE1998133593 DE 1998133593 DE 19833593 A DE19833593 A DE 19833593A DE 19833593 C2 DE19833593 C2 DE 19833593C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
selective metallization
metallization according
substrate surface
germs
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE1998133593
Other languages
English (en)
Other versions
DE19833593A1 (de
Inventor
Gabriele Voit
Robert Ostwald
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mercedes Benz Group AG
Original Assignee
DaimlerChrysler AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DaimlerChrysler AG filed Critical DaimlerChrysler AG
Priority to DE1998133593 priority Critical patent/DE19833593C2/de
Publication of DE19833593A1 publication Critical patent/DE19833593A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19833593C2 publication Critical patent/DE19833593C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872—Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886—Multistep pretreatment
    • C23C18/1893—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating
    • C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/102—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding of conductive powder, i.e. metallic powder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur selektiven Metallisierung von Substratoberflächen nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Das Verfahren der chemischen Metallisierung spielt in vielen Industriebereichen eine große Rolle, wie beispielsweise in der Leiterplattentechnik für die Herstellung von Schaltungsnetzen und Durchkontaktierungen sowie in der Gehäusetechnik zur Herstellung elektromagnetisch abschirmender Metall­ schichten auf Kunststoffgehäusen.
Für die Herstellung von Leiterstrukturen auf planaren Schaltungsträgersubstraten durch chemische Metallisierung in sogenannter Volladditivtechnik sind eine Reihe von Verfahren bekannt, die in erster Linie auf der strukturierten Belichtung mittels UV-Licht durch Schattenmasken oder der gesteuerten Laserbelichtung entsprechend lichtempfindlicher Schichten aus Katalysatorvorstufen beruhen, wie sie beispielsweise in der DE 34 30 290 A1 beschrieben sind. Generell können die für eine partielle chemische Metallisierung erforderlichen katalytischen Keime je nach Katalysatorsystem und Entwicklungsverfahren entweder an den gewünschten Oberflächenbereichen gebildet oder in den anderen Bereichen gezielt zerstört werden.
Alle bekannten Verfahren sind aufgrund einer großen Anzahl kritischer Prozeßschritte ökonomisch aufwendig und in ihren technologischen Resultaten, insbesondere störende Einflüsse durch Wildwuchsprobleme, d. h. eine Metallabscheidung an unerwünschten Stellen der Substratoberfläche, oder auch unzureichende Haftfestigkeit der Leiterstrukturen unbefriedigende Lösungen.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, bei dem in einfacher Weise metallische Leiterbahnen auf Substratoberflächen hergestellt werden, wobei eine ausreichenden Haftfestigkeit des Metalls gewährleistet und die Metallabscheidung an unerwünschten Stellen vermieden wird.
Die Erfindung wird durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 wiedergegeben. Die weiteren Ansprüche enthalten vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der Erfindung.
Das Verfahren zur selektiven Metallisierung von Substratoberflächen beginnt mit einer Vorbehandlung einer Substratoberfläche. Durch die Vorbehandlung wird die Oberfläche mit einer vorgegebenen Rauheit versehen, um diese in einem darauffolgenden Schritt durch mechanischen Auftrag lokal mit Keimen zu belegen und in einem weiteren Prozeßschritt diese durch eine chemische (stromlose) Metallabscheidung entlang der Keimspuren zu verstärken. Die durch die Vorbehandlung vorgegebene Rauheit erreicht eine mittlere Rauhtiefe im Bereich von 0,01 bis 100 µm und bewirkt beim mechanischen Auftrag eine definierte Keimdichte und Keimgröße. Die gewünschte Rauheit läßt sich durch Sandstrahlen, durch plasmaphysikalischen oder durch chemischen Materialabtrag erzeugen.
Um überhaupt einen mechanischen Auftrag von Keimen durch Abrieb zu gewährleisten, weist das keimbildende Material eine geringere Härte als die Oberfläche des verwendeten Substrats auf.
Die Belegung mit Keimen wird durch linearen, durch schwingenden oder durch rotierenden Reibkontakt auf der Substratoberfläche durchgeführt, wobei eine Automatisierung auch durch NC-gesteuerte Maschinen erfolgen kann. Bevorzugte keimbildende Materialien sind Kupfer, Silber, Gold, Nickel oder Palladium.
Vor Beginn der chemischen Metallabscheidung wird gegebenenfalls eine Austauschreaktion eines elektrochemisch edleren Metalls von Vorteil sein, bei der bevorzugt die Metalle Silber, Gold, Platin verwendet werden. Ein Austausch bewirkt eine Steigerung der katalytischen Aktivität des Metalls der Abriebspur auf der Oberfläche. So kann beispielsweise eine Kupferabriebspur durch Behandlung mit einer Palladiumsalzlösung mit dem Katalysatormaterial Palladium beschichtet werden. Dadurch läßt sich die chemische Metallabscheidung rascher auslösen.
Anschließend kann eine elektrolytische Metallabscheidung bzw. -verstärkung mit allen dafür geeigneten Metallen und vorzugsweise mit Kupfer, Nickel oder Zinn durchgeführt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich durch eine ökonomische Arbeitsweise aus, die es ermöglicht, qualitativ hochwertige Metallstrukturen ohne Wildwuchserscheinungen auf der Substratoberfläche herzustellen. Es wurde unter Vermeidung naßchemischer Verfahrensschritte eine katalytisch wirksame Belegung der Oberfläche in einer Trockentechnik für eine chemisch reduktive Metallabscheidung gefunden. Die Reibtechnik zur Keimbildung mit einem duktilen, weichen Metall bewirkt eine Abriebspur auf dem härteren Substratmaterial, ohne weitere Verfahrensschritte.
Ein besonderer Vorteil der Erfindung ist, daß das Substrat dabei eben oder sogar auch ein komplex geformter Körper sein kann.
Als Substrate eignen sich Keramik, Glas, Glaskeramik, Ferrit, Email, Kunststoff, gefüllter Polymerwerkstoff oder dergleichen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von vorteilhaften Ausführungs­ beispielen näher erläutert.
Im ersten Ausführungsbeispiel wird die Oberfläche eines Keramiksubstrats für integrierte Dünnschichtschaltungen, das beispielsweise aus 99,5% Aluminiumoxid besteht, in einer Natriumhydroxidschmelze bei 300°C geätzt, anschließend in Wasser gespült und an Luft getrocknet. Die Ätzdauer wird so gewählt, daß die mit einem Oberflächenabtastgerät (Perthometer) gemessene mittlere Rauhtiefe ca. 1,5 µm beträgt. Mit einem weichen Kupferdraht wird, ähnlich wie mit einem Schreibstift, ein Leiterbahnnetz auf die Keramikoberfläche gezeichnet und das Substrat anschließend für 50 Minuten in ein handesübliches chemisches Kupferbad, das auf eine Temperatur von ca. 45°C aufgeheizt wurde, eingetaucht. Das Kupferbad besitzt eine Zusammensetzung auf der Basis von Kupfersulfat-Formaldehyd-Natronlauge. Das Resultat dieser Behandlung ist eine ca. 5 µm dicke Kupferschicht an den Stellen des zu erzeugenden Leiterbahnnetzes, das mit dem Kupferdraht aufgezeichnet wurde. An der unbeschriebenen Oberfläche des Substrates findet keine Kupferabscheidung statt. Die Schicht weist einen Bahnwiderstand von 10 mΩ auf. Die galvanische Verstärkung der ca. 1 mm breiten Leiterbahnen erfolgt in einem schwefelsauren Kupfersulfatelektrolyten auf ca. 20 µm Schichtdicke. Die mit einer Zugprüfmaschine ermittelte sog. Schälfestigkeit der Schicht beträgt 0,8 N/mm.
Im zweiten Ausführungsbeispiel wird ein mittels Spritzgußtechnik aus hoch gefülltem Polyphenylensulfid hergestellter Gehäusedeckel mit trapezförmigem Querschnitt und auf der Deckelinnenseite gerundeten Kanten als Substrat verwendet. Dieser wird über eine Zeitdauer von 10 Minuten in eine Nitriersäuremischung, bestehend aus Salpetersäure und Schwefelsäure im Verhältnis 7,5 : 1, getaucht und anschließend gründlich gespült. Nach dieser Behandlung beträgt die mittlere Rauhtiefe ca. 12 µm. Zur Herstellung eines auf der Deckelinnenseite vorgesehenen Leiterbahnnetzes, bei dem die Anschlußbahnen bis zur Deckelkante geführt sind, wird mit einem rotierenden Kupferstift der Bahnverlauf auf die Deckelinnenseite geschrieben. Der Deckel wird anschließend für 20 Minuten in ein handelsübliches chemisches Nickelbad auf der Basis Nickelsulfat-Hypophosphit bei 90°C eingetaucht. Das Resultat dieser Behandlung ist eine ca. 3 µm dicke Nickelphosphorschicht an den Stellen des mit dem Kupferdraht beschriebenen Leiterbahnnetzes. Die Schicht weist einen Bahnwiderstand von 1 Ω auf. Nach einer Temperbehandlung von 3 Stunden Dauer bei einer Temperatur von 150°C wird das Nickelphosphornetzwerk in einem schwefelsauren Kupferbad galvanisch mit 10 µm Kupfer verstärkt, so daß der Widerstand nunmehr ca. 2 mΩ beträgt. Auch Kupferschichten größerer Dicke sind mit dieser Methode ohne weiteres zu erzielen. Beispielsweise beträgt die Schälfestigkeit einer 30 µm dicken Schicht 1,2 N/mm.
In einem weiteren Beispiel wird das Polyphenylensulfid wie in Beispiel 2 vorbehandelt, die Leiterbahnstruktur aber mit einem Silberstift von Hand gezeichnet. Anschließend wird der Deckel für eine Minute in eine Lösung aus 0,75 g/l Palladiumchlorid und 10 ml/l konzentrierter Salzsäure getaucht und gründlich mit demineralisiertem Wasser gespült. Danach wird der Deckel für 50 Minuten in ein handelsübliches chemisches Kupferbad auf der Basis Kupfersulfat-Formaldehyd-Natronlauge bei 45°C eingetaucht. Durch diese Behandlung bilden sich präzise Strukturen aus 5 µm dickem Kupfer. Eine Widerstandsmessung ergibt einen Flächenwiderstand von 10 mΩ.

Claims (12)

1. Verfahren zur selektiven Metallisierung von Substratoberflächen,
bei welchem die Substratoberfläche vorbehandelt wird,
bei welchem die Substratoberfläche partiell mit Keimen belegt wird,
eine anschließende chemogalvanische Metallabscheidung nur entlang der Keimspuren durchgeführt wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Substratoberfläche mit einer vorgegebenen Rauheit versehen wird, und
daß die Substratoberfläche durch mechanischen Auftrag mit Keimen belegt wird.
2. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Rauheit der Substratoberfläche eine mittlere Rauhtiefe von 0,01 bis 100 µm aufweist.
3. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Rauheit durch Sandstrahlen, durch plasmaphysikalischen oder durch chemischen Materialabtrag erzeugt wird.
4. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das keimbildende Material eine geringere Härte als das verwendete Substrat aufweist.
5. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Belegung mit Keimen durch linearen, durch schwingenden oder durch rotierenden Reibkontakt auf der Substratoberfläche durchgeführt wird.
6. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als keimbildendes Material Kupfer, Silber, Gold, Nickel oder Palladium verwendet wird.
7. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Belegung mit Keimen durch NC-gesteuerte Maschinen automatisiert erfolgt.
8. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor der chemogalvanischen Metallabscheidung eine Austauschreaktion eines elektrochemisch edleren Metalls durchgeführt wird.
9. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Austauschreaktion die Metalle Silber, Gold, Platin verwendet werden.
10. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach Anspruch 1, 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrolytische Metallverstärkung mit allen dafür geeigneten Metallen und vorzugsweise mit Kupfer, Nickel oder Zinn durchgeführt wird.
11. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Keime auf Substraten mit ebenen Oberflächen oder dreidimensionalen Gehäuseoberflächen aufgebracht werden.
12. Verfahren zur selektiven Metallisierung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Substrate aus Keramik, Glas, Glaskeramik, Ferrit, Email, Kunststoff, gefülltem Polymerwerkstoff oder dergleichen verwendet werden.
DE1998133593 1998-07-25 1998-07-25 Verfahren zur selektiven Metallisierung Expired - Fee Related DE19833593C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1998133593 DE19833593C2 (de) 1998-07-25 1998-07-25 Verfahren zur selektiven Metallisierung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1998133593 DE19833593C2 (de) 1998-07-25 1998-07-25 Verfahren zur selektiven Metallisierung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19833593A1 DE19833593A1 (de) 2000-01-27
DE19833593C2 true DE19833593C2 (de) 2002-03-14

Family

ID=7875337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1998133593 Expired - Fee Related DE19833593C2 (de) 1998-07-25 1998-07-25 Verfahren zur selektiven Metallisierung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19833593C2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10241137A1 (de) * 2002-09-03 2004-03-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffen
DE10253180B4 (de) * 2002-09-03 2017-12-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffen

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT409637B (de) * 2001-03-16 2002-09-25 Electrovac Ein ccvd-verfahren zur herstellung von röhrenförmigen kohlenstoff-nanofasern
DE10145750A1 (de) 2001-09-17 2003-04-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht auf einem Trägerkörper und Trägerkörper mit einer Metallschicht
DE10304668B4 (de) * 2003-02-05 2006-10-19 König, Klaus-Peter Verfahren zur haftfesten, eine metallische Schicht umfassenden Beschichtung eines Substrats und seine Verwendung
DE102004030800B4 (de) * 2004-06-25 2017-05-18 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung einer keramischen Leiterplatte
DE102014114987A1 (de) 2014-10-15 2016-04-21 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitfähigen Struktur sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes Trägermaterial
CN110791752B (zh) * 2018-08-02 2022-01-11 维洲Tnc株式会社 电磁波屏蔽涂敷方法
CN115353294B (zh) * 2022-08-26 2024-02-02 东莞市黄江大顺电子有限公司 一种玻璃基板化金的制作方式

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3328197A (en) * 1965-02-08 1967-06-27 Minnesota Mining & Mfg Mechanical plating
DE1924817B2 (de) * 1968-05-15 1972-11-09 Shipley Co., Inc., Newton, Mass. (V.St.A.) Verfahren zur selektiven chemischen Metallisierung eines nichtleitenden Kunststoffsubstrats
DE3430290A1 (de) * 1984-08-17 1986-02-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur selektiven metallisierung
DE4138214A1 (de) * 1991-11-21 1993-05-27 Daimler Benz Ag Verfahren zur metallisierung von aluminiumnitridkeramik
DE4209708A1 (de) * 1992-03-25 1993-09-30 Bayer Ag Verfahren zur Verbesserung der Haftfestigkeit von stromlos abgeschiedenen Metallschichten
DE4227085A1 (de) * 1992-08-17 1994-02-24 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung fein strukturierter elektrisch leitfähiger Schichten

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3328197A (en) * 1965-02-08 1967-06-27 Minnesota Mining & Mfg Mechanical plating
DE1924817B2 (de) * 1968-05-15 1972-11-09 Shipley Co., Inc., Newton, Mass. (V.St.A.) Verfahren zur selektiven chemischen Metallisierung eines nichtleitenden Kunststoffsubstrats
DE3430290A1 (de) * 1984-08-17 1986-02-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur selektiven metallisierung
DE4138214A1 (de) * 1991-11-21 1993-05-27 Daimler Benz Ag Verfahren zur metallisierung von aluminiumnitridkeramik
DE4209708A1 (de) * 1992-03-25 1993-09-30 Bayer Ag Verfahren zur Verbesserung der Haftfestigkeit von stromlos abgeschiedenen Metallschichten
DE4227085A1 (de) * 1992-08-17 1994-02-24 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung fein strukturierter elektrisch leitfähiger Schichten

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10241137A1 (de) * 2002-09-03 2004-03-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffen
DE10241137B4 (de) * 2002-09-03 2008-05-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffen
DE10253180B4 (de) * 2002-09-03 2017-12-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffen

Also Published As

Publication number Publication date
DE19833593A1 (de) 2000-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3341431C2 (de)
DE3002166C2 (de)
DE3045281C2 (de) Loesung und verfahren zur elektrochemischen metallisierung von dielektrika
DE2920766C2 (de)
DE3323476C2 (de)
DE69025500T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines kupferkaschierten Laminats
DE3016132C2 (de) Verfahren zur Herstellung von gegen Hitzeschockeinwirkung widerstandsfähigen gedruckten Schaltungen
DE112012000993B4 (de) Unschädliches Verfahren zur Herstellung von durchgehenden leitenden Leiterbahnen auf den Oberflächen eines nicht-leitenden Substrats
DE797690T1 (de) Herstellung von gedruckten schaltungen
DE2159612A1 (de) Verfahren zum stromlosen Metall plattieren nichtleitender Korper
EP0361192A2 (de) Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten
DE3523958A1 (de) Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung
DE19833593C2 (de) Verfahren zur selektiven Metallisierung
DE2725096C2 (de) Verfahren zur Vorbehandlung der Oberfläche eines dielektrischen Materials für das stromlose Aufbringen von Metallschichten
DE1446214A1 (de) Verfahren zum Aufbringen von metallischen UEberzuegen auf Dielektrika
DE3437084A1 (de) Verfahren zum an- und abaetzen von kunststoffschichten in bohrungen von basismaterial fuer leiterplatten
DE2363516A1 (de) Verfahren zum herstellen eines musters mit teilplattierten bereichen
DE60133795T2 (de) Verfahren zum Herstellen von leitenden Schichten auf dielektrischen Oberflächen
EP0543045B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten
DE3430290A1 (de) Verfahren zur selektiven metallisierung
EP0802266B1 (de) Verfahren zur Herstellung von induktiv arbeitenden Zählsystemen
DE3486228T2 (de) Nickelplattierung von aluminium ohne elektrizität.
EP0202623B1 (de) Verfahren zur Metallisierung eines Substrates
DE3347194A1 (de) Verfahren zur nichtelektrolytischen verkupferung von leiterplatten
DE3146164C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: DAIMLERCHRYSLER AG, 70327 STUTTGART, DE

8339 Ceased/non-payment of the annual fee