DE3002166C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum stromlosen Abschei
den von Nickel, Kobalt oder einer polymetallischen Nickel-
oder Kobaltlegierung auf nicht katalytische Leiterbahnstruk
turen von Substraten, insbesondere von gedruckten Schaltun
gen, wobei das Substrat
- a) ggf. mit einer oxidierenden Lösung behandelt und an schließend gespült wird,
- b) mit einer Aktivierungslösung behandelt und anschließend
- c) in das stromlose Abscheidungsbad getaucht wird.
Das Verfahren ist besonders gut geeignet für die stromlose
Abscheidung auf Kupfer, das in Form eines Schaltungsmusters
zuvor auf ein nichtleitendes Substrat aufgebracht worden ist.
Die Erfindung betrifft insbesondere die Herstellung von ge
druckten Schaltungen, die weniger zum Auftreten von Kurz
schlüssen neigen als Schaltungen, die ohne die Verwen
dung solcher katalytischer Lösungen hergestellt worden sind.
Kupferplattierte Schaltungen neigen dazu, zu oxidieren, so
daß es wünschenswert ist, das Kupfer mit einem dauerhafteren
Metall zu bedecken, um auf diese Weise die Korrosionsbestän
digkeit, die Verschleißfestigkeit bzw. Abriebfestigkeit und
die Lötbarkeit bzw. das Bonden mit Aluminiumdraht oder Gold
draht unter Ultraschalleinwirkung oder dergleichen zu ver
bessern und gleichzeitig eine angemessene Leitfähigkeit auf
rechtzuerhalten, oder diese zu verbessern.
Bekannte Maßnahmen zur Ausbildung von Überplat
tierungen umfassen galvanische Methoden, bei denen es erfor
derlich ist, jeden einzelnen Schaltkreis der gedruckten
Schaltung elektrisch mit einer Stromquelle zu verbinden.
Während die stromlose Überplattierung diese Handhabung nicht
notwendig macht und andere Nachteile der galvanischen Ab
scheidung
vermeidet, wie Ungleichmäßigkeit der Überzüge in Bereichen
der Platte, die von der Stromquelle relativ weit
entfernt sind und freiliegendes Kupfer an den Verbindungsstellen
der Elektrode. Aber auch
die stromlos aufgebrachten Überplattierungen zeigen eine schlechte Haftung
auf Kupfer oder Kupferlegierungen.
Wenn die Kupferschaltung
einer gedruckten Schaltung mit einer
Nickel-Phosphor- oder einer Nickel-Bor-Abscheidung über
plattiert oder beschichtet wird, hat es sich im allge
meinen als günstig erwiesen, die kupferbeschichteten
Platten in ein Aktivatorbad einzutauchen, ohne sie später
zu spülen, um die kupferbeschichtete Platte mit einem
schwach alkalischen Überzug zu versehen, bevor das Über
plattieren mit Nickel in einem schwach sauren Bad für
die stromlose Vernickelung durchgeführt wird. Die für
diesen Zweck benannten Aktivatoren schließen ein Bad
ein, das Dimethylamin-Boran als Aktivator für die Re
duktion von Nickel auf dem Kupfer enthält. Ein wesent
licher Nachteil dieser Verfahrensweise ist darin zu se
hen, daß die gesamte Plattenoberfläche, einschließlich
der isolierenden Bereiche, aktiviert wird, so daß die
Reduktion des Nickels auch in jenen Bereichen der
Platte aktiviert wird, die kein Schaltungsmuster
aufweisen. Daraus folgt, daß
sich Kurzschlüsse oder Brücken ergeben, insbesondere,
wenn die isolierenden Bereiche Metallflecken aufweisen,
die als Ausgangsstellen für die Plattierung wirken und
Brücken zwischen den Flecken und zwischen den Flecken
und den Bereichen der Schaltung bilden.
Es wird angenommen, daß ein wesentlicher Grund für die
unerwünschte Plattierung der Nichtschaltungs-Bereiche
in der Tatsache zu sehen ist, daß es nicht möglich ist,
im nachfolgenden Spülvorgang den Aktivator wieder
zu entfernen,
so daß dieser seine Wirkung
zur Förderung der anschließenden galvanischen Abschei
dung ausüben kann. Häufig sind in die Oberfläche der
Platte Kupferflecken eingebettet, die nicht mit dem
menschlichen Auge festgestellt werden können. Solche
Flecken, die zum Zeitpunkt der Überplattierung mit Nickel
oder ähnlichen Metallen in der Platte noch vorhanden
sind, wirken als Ausgangspunkte für die stromlose Metall
abscheidung in Bereichen, die nicht in dem Schaltungs
muster liegen und die gegebenenfalls zu Kurzschlüssen
in der Schaltung führen können.
Ein weiterer Versuch zur Verbesserung der stromlosen
Überplattierung von kupferbeschichteten Schaltungsplatten
mit Nickel oder dergleichen schließt die Anwendung von
Bädern ein, die Materialien enthalten, die im allgemeinen
als Katalysatoren bekannt sind und die dazu dienen, die
Kupferoberfläche für die stromlose Abscheidung von Metal
len besser aufnahmefähig zu machen. Ein bekannter Kata
lysator ist ein Palladiumchlorid-Tauchbad, das trotz einer
wirksamen Katalyse des Kupfers den Nachteil zeigt, daß
die Haftung zwischen dem Kupfer und dem anschließend
stromlos abgeschiedenen Metall schlecht ist, sodaß
die auf diese Weise hergestellten
Schaltungen bei starken mechanischen Beanspruchungen oder Wärmeschocks,
wie sie beim Tauchlöten
auftreten, ein Ablösen der leitenden Schichten zeigen
und zur Rißbildung neigen.
Nähere Einzelheiten
bezüglich der verwendeten Katalysatoren finden sich in
den US-Patentschriften 32 26 256 und 34 31 120.
Aus der AT-PS 33 35 64 ist ein Verfahren zum chemischen
Aufplattieren von Nickel oder Kobalt bekannt. Dabei
wird durch chemische Reduktion ein Metall auf
die Oberfläche eines elektrisch leitenden Basismetalles,
das gegenüber dem Plattierbad nicht katalytisch ist,
abgeschieden. Als solche Basismaterialien werden Kupfer,
Eisen und deren Legierungen sowie Silber und Molybdän,
Mangan und Zinnoxid, sowie Antimonoxid-Zusammensetzungen
genannt. Dieses Verfahren zeichnet sich nun dadurch
aus, daß man die Oberfläche des Werkstückes, gegebenen
falls nachdem man es mit einer oxidierenden Lösung in
Berührung gebracht hat und die anschließend wieder
abgespühlt wird, vor dem Plattieren mit einer Vorbehand
lungslösung eines Reduktionsmittels aus der Gruppe der
Alkalimetallborhydride, Alkalimetallcyanborhydride und
Aminborane behandelt und anschließend die Oberfläche in
ein Plattierbad taucht, um die chemische Reduktion von
Nickel oder Kobalt bzw. dessen Abscheidung auf die
Oberfläche zu erreichen.
Aus der US-PS 40 19 910 ist die Herstellung von poly
metallischen Nickelverbindungen bekannt, welche einheit
liche mechanische, physikalische und magnetische Eigen
schaften aufweisen. Diese polymetallischen Nickellegie
rungen werden durch eine stromlose Abscheidung aus
Plattierungsbädern, die einen Esterkomplex einer Poly
hydroxyverbindung enthalten, gewonnen, wobei die Legie
rung neben Nickel noch Bor oder Phosphor und ein oder
mehrere Metalle aus der Gruppe Zinn, Kupfer, Molybdän
oder Wolfram umfaßt.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht nun darin, ein
Verfahren zur stromlosen Abscheidung von Nickel, Kobalt oder
deren polymetallischen Legierungen auf nichtkatalytische
Leiterstrukturen von Metallsubstraten wie gedruckten Schal
tungen oder dergleichen zur Verfügung zu stellen, um eine verbesserte
Haftung der stromlos abgeschiedenen Metalle zu erreichen, die
Neigung zur Bildung von Überbrückungen oder Kurzschlüssen zu
verringern und die Verfahrensweise zu vereinfachen.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Anspruches 1.
Die erfindungsgemäße Lehre besteht im wesentlichen darin,
daß man katalysierende Mittel oder Zubereitungen verwendet,
die Nickel oder Kobalt und eine Quelle für ein zweites,
inhibierendes Metall, wie Zinn, Molybdän, Kupfer oder Wolf
ram, und ein Reduktionsmittel auf der Basis von Borver
bindungen oder Hypophosphitionen und einem Esterkomplex,
der durch Reaktion einer organischen Oxysäure mit einer
mehrwertigen Säure gebildet wird, enthalten. Diese katalysie
renden Zubereitungen können auf eine Kupferoberfläche auf
getragen und gespült werden, wodurch sich eine katalyti
sche Schicht oder ein katalytischer Film bildet, der die
stromlose Überplattierung unter Verwendung eines Bades,
aus dem Nickel oder Kobalt entweder allein oder in Kom
bination mit anderen Metallen abgeschieden werden, auf
dem Schaltungsmuster fördert, jedoch das Überplattieren
auf jenen Bereichen der Platte, die nicht innerhalb des
Schaltungsmusters liegen, erschwert oder verhindert.
Die Erfindung sei im folgenden näher unter Bezugnahme
auf die Zeichnung und die nachfolgenden Beispiele erläutert:
In der Zeichnung zeigt die einzige
Figur eine schematische Ansicht des Ablaufs des erfin
dungsgemäßen Verfahrens und verdeutlicht
deren einzelne Herstellungsstufen.
Die erfindungsgemäß verwendeten Katalysatoren sind
polymetallische Formulierungen oder Zube
reitungen, die die Abscheidung von Nickel- und/
oder Kobaltmetall fördern und von zweiten, sekundären oder inhibierenden
Matallen, wie Zinn, Molybdän, Kupfer und
Wolfram. Als solche sind diese Katalysatoren mit den
Formulierungen für die stromlose Abscheidung von Poly
legierungen verwandt, die in der US-PS 40 19 910 be
schrieben sind, auf die hiermit ausdrücklich Bezug ge
nommen sei. Typischerweise werden diese Formulierungen
in einem wäßrigen Bad verwendet, das zusätzlich ein Re
duktionsmittel für stromlose Abscheidungsbäder enthält.
Diese Metalle können in Form von löslichen Salzen,
halblöslichen Salzen, Estern oder in irgendeiner anderen
Form, die für stromlose Systeme geeignet ist, zugegeben
werden. Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Er
findung wird dem System als drittes Metall Bor in Form
eines borhaltigen Reduktionsmittels zugesetzt.
Geeigneten Salze von Nickel oder Kobalt schließen
die Sulfate, Chloride, Sulfamate oder Salze mit ande
ren Anionen ein, die mit diesen stromlosen Systemen
verträglich sind. Diese gleichen Anionen
bilden auch Salze für
die zweiten oder sekundären Metalle, z. B.
Zinn(II)-chlorid, Zinn(II)-fluoroborat, Natriumstannat,
Kupfer(I)-chlorid, Kupfer(I)-sulfat und Kupfer(II)-
salze, insbesondere werden diese zweiten oder
sekundären Metalle in Form von Esterkomplexen mehr
wertiger Verbindungen eingesetzt, die man in üblicher
Weise durch Umsetzen mit einer Sauerstoffsäure und
einer mehrwertigen Säure oder einem mehrwertigen Alko
hol erhält. Diese Sauerstoffsäuren sind im allgemei
nen anorganische Säuren des betreffenden Metallkations,
beispielsweise Wolframsäure, Molybdänsäure oder Bor
säure. Beispiele für mehrwertige Säuren oder mehrwer
tige Alkohole, die man hierfür verwenden kann, sind
Carbonsäuren oder Alkohole, die pro Molekül mindestens
zwei Hydroxylgruppen und etwa 4 bis etwa 15 Kohlenstoff
atome aufweisen. Typische mehrwertige Verbindungen die
ser Art sind Säuren, wie Weinsäure, Glukonsäure oder
Glukoheptonsäure, oder Alkohole, wie Mannit, 2,3-Butan
diol oder 1,2,3-Propantriol. Von diesen verschiedenen
mehrwertigen Verbindungen sind die Carbonsäuren im all
gemeinen bevorzugt, wobei Glukoheptonsäure besonders
geeignet ist. Die Esterkomplexe können und liegen in
gewissen Fällen vorzugsweise in Form eines Polyesters
vor, das heißt in Form eines Esterkomplexes, den man
durch Umsetzen von zwei oder mehr Molen der Sauerstoff
säure mit einem Mol der mehrwertigen Verbindung erhält.
Es wird allgemein angenommen, daß Esterkomplexe dieser
Art in wäßriger
Lösung in Form einer im Gleichgewicht vorliegenden
Komplexmischung existieren, in der das Kation der
Sauerstoffsäure eine oder mehrere Esterbindungen
entweder mit den Hydroxylgruppen der mehrwertigen
Verbindung oder mit einer Hydroxylgruppe und einer
Carbonsäuregruppe bildet, wenn die mehrwertige Ver
bindung eine Säure, beispielsweise Glukoheptonsäure,
ist. Es hat sich gezeigt, daß solche Esterkomplexe
bei der Verwendung in den die katalysierende Zuberei
tung enthaltenden Bädern ziemlich stabil sind.
Die die Katalysatorzubereitungen enthaltenden erfindungs
gemäßen Bäder enthalten im allgemeinen ein Reduktions
mittel für die in dem Bad enthaltenen Kationen. Wenn
gleich man Reduktionsmittel, wie Hydrazin, verwenden
kann, hat es sich als am vorteilhaftesten erwiesen,
wenn man als Reduktionsmittel eine Borverbindung ver
wendet, so daß dem System Borkationen zugeführt werden,
die zusammen mit Nickel oder Kobalt und dem zweiten
Metall die Ausbildung der katalysierenden Schicht unter
stützen. Hierzu kann man verschiedenartige borhaltige
Verbindungen verwenden, wobei man vorzugsweise solche
einsetzt, die in den Bädern für die stromlose Abschei
dung von Nickel oder Kobalt als Reduktionsmittel wir
ken. Typische Beispiele hierfür sind Borhydride, Amin-
Borane oder niedrigalkylsubstituierte Amin-Borane, wie
Dimethylamin- oder Diäthylamin-Boran. Im allgemeinen
sind von den verschiedenen einzusetzenden Borverbindun
gen die Alkylamin-Borane, insbesondere Dimethylamin-
Boran, bevorzugt.
Im allgemeinen besitzt das erfindungsgemäß verwendete Bad, das die
Bestandteile in Kombination mit Wasser enthält und
ein katalysierendes Bad darstellt, einen alkalischen
pH-Wert, wenngleich man auch schwach saure Bäder ein
setzen kann. Typischerweise erstreckt sich der pH-Wert
von 5,5 bis 13 und vorzugsweise von etwa 8 bis etwa 11.
Die Anwendungstemperaturen gehen von Raumtemperatur
bis zur Siedetemperatur des Bades, wobei sich ein
typischer Temperaturbereich von etwa 20 bis etwa 100° C
erstreckt. Diese Bäder können im allgemeinen als Bäder
für die stromlose Abscheidung oder Plattierung von Poly
legierungen verwendet werden, wobei ihre Katalysewirkung
teilweise dadurch erreicht wird, daß man relativ niedri
ge Konzentrationen der wirksamen Bestandteile anwendet
und daß man die Zeitdauer begrenzt, während der der mit
dem Katalysator zu behandelnde Gegenstand in dem Bad
verbleibt. Ganz allgemein können im erfindungsgemäßen Verfahren
Bäder verwendet werden, die die aktiven Wirkstoffe in Konzentrationen
enthalten, die etwa einem Zehntel der Konzentration von
Plattierungsbädern entsprechen. Die Zeitdauer ist so
bemessen, daß der Katalysator einen Überzug oder eine
Schicht in einem solchen Ausmaß ausbildet, daß die
Oberfläche mit "Keimen", insbesondere einer
tertiären Polylegierung, versehen wird, wobei sich eine
Schicht oder ein Film bildet, der nicht notwendiger
weise mit dem bloßen Auge festgestellt werden kann,
jedoch selbst nach dem Spülen des in das Bad einge
tauchten Substrats als Katalysator wirkt. Im allgemei
nen erfolgt das Eintauchen in das katalysierende Bad
während etwa 10 bis 90 Sekunden und im allgemeinen wäh
rend nicht mehr als 60 Sekunden bei etwa 0,00254 mm/h,
wobei die geeignete Zeitdauer und die Abscheidungsge
schwindigkeit von dem speziellen eingesetzten Kataly
satorsystem, der Badtemperatur, dem pH-Wert des Bades
und der Zusammensetzung des überzuplattierenden Materials
abhängt.
Die mit Hilfe der erfindungsgemäß verwendeten Formulierungen be
reiteten Plattierungsbäder können gewünschtenfalls die
herkömmlichen Badadditive enthalten, die üblicher
weise in Bädern für die stromlose Plattierung oder
Abscheidung verwendet werden. Beispiele hierfür sind
Badstabilisatoren, wie schwefelhaltige Verbindungen,
z. B. Thioharnstoff, sowie Mittel zur Steuerung des
pH-Wertes, wie Säuren oder Basen, Komplexierungsmittel
für die in dem Bad gehaltenen Metallionen, wie Äthylen
diamintetraessigsäure, Kaliumpyrophosphat oder Polyamine
bzw. Mittel, mit denen Sulfidionen unter Kontrolle ge
halten werden, wie Blei. Man kann auch Puffer zusetzen,
um die pH-Stabilität des Bades zu verbessern.
Bei der Anwendung der erfindungsgemäßen Verfahrensweise
wird ein Substrat das normalerweise für die
stromlose Abscheidung von Nickel oder Kobalt nicht ge
eignet ist, katalytisch gemacht, wodurch es gelingt,
dieses Substrat stromlos mit Nickel oder Kobalt
zu beschichten. Diese Verfahrensweise schließt nicht
nur das Katalysieren oder Aktivieren der Oberfläche
und die Verbesserung der Haftung des Nickels oder des
Kobalts an dem überbeschichteten Metall ein, sondern
ermöglicht auch das Spülen des Substrats nach dem Auf
bringen des katalytischen Überzugs, um hierdurch die
Qualität der gebildeten Produkte zu verbessern.
Im folgenden sei die erfindungsgemäße Verfahrensweise
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert,
in der ganz allgemein das Katalysieren und Überplattie
ren einer kupferbeschichteten Platte, die mit der Be
zugsziffer 11 bezeichnet ist, beschrieben wird, die unter
Anwendung herkömmlicher Plattierungstechniken in den
plattierten Bereichen mit Kupfer in einer Menge von
etwa 76,3 g/m² beschichtet
worden ist. Nach diesen herkömmlichen Plattierungstechniken
erhält man eine kupferbeschichtete Platte mit
Hilfe eines Verfahrens, das darin besteht, Kupfer von
einer Platte 12 in jenen Bereichen zu entfernen, die
nicht innerhalb des Schaltungsmusters 13 liegen, was
zur Folge hat, daß im allgemeinen Kupferflecken oder
-teilchen 14 auf der Oberfläche der Platte 12, und häufig
in diese Oberfläche eingebettet, vorliegen.
Die (nicht dargestellten) herkömmlichen Verfahrens
weisen können das Bedecken der Platte, beispielsweise
einer Epoxy-Fiberglas-Platte, mit Kupfer umfassen,
worauf Löcher 15 gebohrt werden können, wonach ein Ab
decklack aufgetragen und Kupfer auf der Platte abge
schieden werden können. Die Kupferabscheidung kann
stromlos erfolgen, wenngleich die Zeitdauer zur Aus
bildung einer Abscheidung in ausreichender Dicke ver
kürzt werden kann, wenn man nach der stromlosen Kupfer
abscheidung eine galvanische Abscheidung von Kupfer
durchführt. Dann entfernt man durch Ätzen, Abheben
oder dergleichen das auf die Nichtschaltungsbereiche
der Platte 12 abgeschiedene Kupfer, so daß ein iso
liertes Schaltungsmuster auf der kupferbeschichteten
Platte 11 zurückbleibt.
Die dann durchgeführte übliche Behandlung, die in der
Zeichnung nicht dargestellt ist, kann das Reinigen der
kupferbeschichteten Platte in einem schwach alkali
schen Reinigungsbad während etwa 5 Minuten bei einer erhöhten
Temperatur einschließen, bei der die oberflächenakti
ven Mittel in dem Bad nicht geschädigt werden. Nach
dem Spülen mit Wasser zur Entfernung restlichen mitge
schleppten Materials werden die Platten häufig entwe
der mechanisch gebürstet oder in ein Ätzmittel, wie
eine Ammoniumpersulfatlösung mit einer Konzentration
von etwa 120 g/l eingetaucht, um
die Oberflächenoxide abzuätzen und das Kupfer für die
anschließende Abscheidung zu aktivieren, worauf
üblicherweise ein Spülvorgang mit Lei
tungswasser oder dergleichen erfolgt. Anschlie
ßend wird die kupferbeschichtete Platte üblicherweise
in eine Säure eingetaucht, um sicherzustellen, daß
restliche Materialien von der Oberfläche entfernt und
das Kupfer reaktiviert werden. Zu diesem Zweck kann
man ein Mineralsäurebad, z. B. eine 10prozentige Schwe
felsäurelösung, oder eines sauren Salzes, wie
Natriumbisulfat, verwenden, worauf man während etwa
1 Minute mit beispielsweise entionisiertem Wasser
spült. Selbst wenn die kupferbeschichtete Platte 11
einer dieser Nachbehandlungen unterworfen wird, ver
bleiben die restlichen Flecken oder Teilchen von
Kupfer außerhalb des Schaltungsmusters 13 auf dem
Bereich 12 der Platte.
Die kupferbeschichtete Platte 11 wird erfindungsgemäß mit
der Aktivierungslösung behandelt, um auf
ihrer Oberfläche eine katalysierende Schicht zu bilden,
d. h. die Kupferoberfläche mit Keimen zu
versehen, die in Form einer monomolekularen Schicht
vorliegen. Typischerweise umfaßt diese Behand
lungsmaßnahme das Eintauchen der Platte 11 in ein Bad 16,
das den erfindungsgemäß verwendeten Katalysator enthält.
Diese Behandlungsmaßnahme sollte nicht so lange dauern,
daß tatsächlich eine stromlose Plattierung erfolgt,
sollte jedoch so lange dauern, daß ein angemessener
katalytisch wirksamer Überzug 17 auf der Platte gebildet
wird. Wenn man die Tauchmethode anwendet, arbeitet man
bei typischen Zeitdauern von etwa 10 bis etwa 60 Sekun
den, wobei die geeignetste Tauchdauer von den verwende
ten Katalysatorsystemen, der Temperatur des Bades, dem
pH-Wert des Bades, dem verwendeten Reduktionsmittel
und den Eigenschaften der kupferbeschichteten Platte
abhängt.
Die Behandlungszeit hängt in gewissem Ausmaß auch von
der Temperatur des Aktivierungsbades ab, wobei diese
Temperatur sich typischerweise von etwa 20 °C bis zum
Siedepunkt oder etwa 100 °C erstreckt, wobei die be
vorzugten Temperaturbereiche innerhalb dieses Berei
ches in Abhängigkeit von dem in dem Bad enthaltenen
besonderen Reduktionsmittel variieren können.
Nach der Behandlung mit der Aktivierungslösung wird
die behandelte Platte gespült, wie in der Zeichnung
(Sprühdose 18) dargestellt ist, wenngleich man auch
andere Vorrichtungen und Methoden für das Spülen ver
wenden kann, wie z. B. das Hindurchführen der Platte
durch ein Wasserbad während einer sehr kurzen Zeit
dauer. Diese Spülbehandlung führt zu keiner wesentlichen
Beeinträchtigung der durch den Katalysator auf dem
Schaltungsmuster 13 oder den Metallteilchen oder -flecken
14 gebildeten katalytischen Oberfläche, wenngleich bei
diesem Spülvorgang die Gesamtmenge der Plattierungs
lösung insbesondere von der isolierenden Platte 12,
die nicht mit Keimen versehen oder katalysiert wird,
fortgewaschen werden, wobei nur die Metallbereiche mit
Keimen versehen werden. Es ist dann möglich, die ge
spülte Platte 17 in weitere Bäder einzuführen, selbst
Hypophosphit enthaltende Bäder, was nicht möglich ist,
wenn man anstelle der erfindungsgemäß eingesetzten Katalysatoren
Aktivatorlösungen verwendet, die beispielsweise Di
methylamin-Boran enthalten.
Es hat sich gezeigt, daß man bei der Durchführung der
erfindungsgemäßen Verfahrensweise die Katalysatoren in
Kombination mit diesem sich anschließenden Spülvorgang
kombinieren kann, so daß eine katalysierende Ab
scheidung durch Keimbildung auf dem Schaltungsmuster
gebildet wird, wodurch dieses mit aktiven Stellen
versehen wird, während gleichzeitig in jenen Ober
flächenbereichen 12 der Platte, die nicht innerhalb
des Schaltungsmusters 13 liegen,
eine Ab
scheidung verhindert wird. Als Ergebnis wird nach
dem stromlosen Überplattieren der Katalysatorschichten
mit Nickel, Kobalt oder eines oder beides dieser
Elemente enthaltenden Polylegierungen die stromlose
Überplattierung selektiv lediglich auf dem mit
den Keimen versehenen Metall abgeschieden, während in den
anderen Bereichen keine Abscheidung stattfindet, so daß sich keine
plattierte Brücken zwischen Flecken und/oder dem
Schaltungsmuster ausbilden.
Auf diese Weise
kann man gedruckte Schaltungen
mit genau überplattiertem Schaltungsmuster
herstellen, die keine merklichen Abschei
dungen außerhalb des Schaltungsmusters aufweisen.
(Vermeidung von Kurzschlüssen sowie Erhöhung der Leitfähig
keit in Bereichen zwischen den Schaltungsmustern.)
Die bei dem Spülvorgang verwendeten Spüllösungen sind
üblicherweise wäßrige Lösungen, wobei der Spülvorgang
während einer ausreichend langen Zeitdauer durchgeführt
werden sollte, um die Wirkung des Katalysators während
des Tauchvorgangs in den Nichtschaltungsbereichen signi
fikant zu vermindern. Die angestrebte maximale Spül
dauer hängt ganz allgemein von der Einfachheit der
Verfahrensweise und wirtschaftlichen Gründen ab, wo
bei lange Spüldauern kostspielig sind. Im allgemeinen
führen lang dauernde Spülvorgänge zu keiner Ver
minderung der katalytischen Wirkung der
Oberflächen, da mehr eine Veränderung der Oberflächen
erfolgt als daß eine durch Spülen wieder zu entfernen
de Schicht oder ein durch Spülen zu entfernender Film ab
geschieden wird. Die katalytische Oberfläche wird le
diglich durch Abätzen oder durch anderweitiges Ent
fernen des Kupfers oder des entsprechenden Materials
von der Platte beseitigt. Man kann mehrere Spülvor
gänge durchführen und diese in einem ruhenden
Bad, in einem bewegten Bad oder dergleichen durch
führen. Die Spülzeiten hängen in gewissem Ausmaß von
den Eigenschaften der Platten, der Materialien und an
deren physikalischen Bedingungen ab und davon, ob
die Spüllösung bewegt oder unbewegt ist, wobei typi
sche Spülzeiten sich im allgemeinen von etwa 2 Sekun
den bis etwa 45 Sekunden pro Spülvorgang erstrecken.
Die bevorzugten Spülzeiten hängen von der verwendeten Akti
vierungslösung, der Haftfestigkeit des Katalysators
am Kupfer und dem Lösungsver
mögen des verwendeten Spülmittels ab. Im allgemeinen wird
als Spülmittel kaltes Wasser, wie Lei
tungswasser oder entionisiertes Wasser mit Raumtempe
ratur, bevorzugt, und zwar wegen der guten Verfüg
barkeit und der geringen Kosten. Ge
wünschtenfalls kann man Netzmittel zusetzen, vorausge
setzt, daß sie das sich anschließende stromlose Plattie
ren nicht beeinträchtigen.
Nachdem der Spülvorgang erfindungsgemäß durchgeführt
worden ist, kann man den selektiven Vorgang der strom
losen Plattierung durchführen. Die erfindungsgemäß ge
bildeten katalytischen Schichten oder Filme sind be
sonders gut aufnahmefähig für stromlos abgeschie
denes Nickel oder Kobalt, wobei man eine Vielzahl von
Bädern verwenden kann, wie Nickel-Phosphor-Bäder,
stromlose Bäder für die Abscheidung von Kobalt oder
Bäder für die Abscheidung von Polylegierungen, ein
schließlich der Bäder, die in der US-PS 40 19 910
angegeben sind. Die gespülte Platte 17 wird in her
kömmlicher Weise stromlos plattiert, beispielsweise
in einem Plattierungsbad 19, was zur Folge hat, daß
eine Deckschicht oder Überplattierungsschicht 20 auf
dem Kupfer-Schaltungsmuster 13 ausgebildet wird, so
daß man eine Schaltungsplatte 21 mit überplattierten Leiterbahn
strukturen erhält, wenn diese, wie in der Zeichnung dargestellt,
das Bad 19 durchlaufen hat. Dabei treten im wesentlichen keine Über
plattierungsabscheidungen außerhalb des genauen Schaltungsmusters
13 auf, ausgenommen von kleinen Flecken 22, die katalysiert
und überplattiert worden sind, die sich jedoch nicht
zu einer Brücke oder einem Kurzschlußweg ausgedehnt
haben, wobei die Flecken 14 und 22 zur besseren Ver
deutlichung vergrößert dargestellt sind.
Das Bad 19 für die stromlose Plattierung oder Abschei
dung kann Nickelkationen oder Kobalt
kationen, andere Metallkationen, wenn
eine Polylegierung abgeschieden werden soll, ein Mittel
zur Einstellung des pH-Wertes, ein Reduktionsmittel,
ein Komplexierungsmittel, Wasser, Badstabilisatoren,
Sulfidionenabfänger und andere geeignete Badbestand
teile enthalten. Einzelheiten bezüglich dieser ver
schiedenen Bestandteile und der für diese Bäder geeig
neten Anwendungsbedingungen finden sich in der
US-PS 40 19 910. Ein typisches Bad für die stromlose
Nickel-Phosphor-Abscheidung ergibt im allgemeinen einen
binären Überzug aus etwa 88 bis 95 Gew.-% Nickel und
etwa 12 bis 5 Gew.-% Phosphor.
Gewünschtenfalls und insbesondere dann, wenn man ge
druckte Schaltungen mit hoher Qualität herstel
len will, ist es üblicherweise nach der Durchführung
von einem oder mehreren Spülvorgängen möglich, die
Deckschicht aus Nickel, Kobalt oder der Polylegierung
mit einem anderen Metall, wie Gold, überzuplattieren,
um die Lötbarkeit und die Korrosionsbeständigkeit der
Schaltung zu verbessern. Wenn die Endplattierung been
det ist, läßt man das erfindungsgemäß hergestellte
Substrat, z. B. die gedruckte Schaltung trocknen, oder trocknet
sie nach einem der bekannten Trocknungsverfahren.
Wenngleich die Erfindung nicht durch theoretische Über
legungen eingeschränkt werden soll, wird angenommen,
daß die Anwesenheit von Metallen, die im allgemeinen
als Inhibitoren angesprochen werden, insbesondere von
Molybdän, Wolfram oder Zinn als zweite Metalle oder Se
kundärmetalle, die Abscheidung des Nickels oder des
Kobalts in dem Katalysator unterstützt, wodurch die
sonst nicht katalytischen Oberflächen, insbesondere
die Kupferschaltungsmuster, katalytisch gemacht werden.
Es wird angenommen, daß die Kombination von Nickel oder
Kobalt mit den inhibierenden zweiten Metallen die er
findungsgemäß erreichten katalytischen Eigenschaften
ergibt, indem die sonst nicht katalytische Oberfläche
mit Keimen versehen und auf diese Weise selbst katalytisch
gemacht wird, als daß lediglich die Oberfläche
mit einer Schicht oder einem Film bedeckt wird, die
bzw. der während des sich anschließenden Spülvorgangs
abgewaschen wird. Es wird angenommen, daß diese besondere
erfindungsgemäß verwendete Kombination den Abscheidungswirkungsgrad
des Systems in einem solchen Ausmaß steigert,
daß sich auf der zuvor nicht katalytischen Oberfläche
tatsächlich eine katalytische Oberfläche bildet. Nach
dem eine solche katalytische Oberfläche gebildet wor
den ist, ist es möglich, diese stromlos mit einer Über
zugsschicht zu versehen oder zu plattieren, indem die
Überplattierungsreaktion hierdurch gefördert oder unter
stützt wird, wobei die katalysierte Oberfläche für die
Abscheidung wesentlich empfänglicher ist als die ur
sprüngliche nicht katalytische Oberfläche, insbesondere,
wenn die Deckschicht aus einer Polylegierung besteht.
Die Bestandteile des Systems wirken daher
derart zusammen, daß das System mit Erfolg eine
nichtkatalytische Oberfläche in eine katalytische Ober
fläche umwandelt.
Bezüglich des Mechanismus, mit dem der Katalysator
das Schaltungsmuster für das Überplattieren empfängli
cher macht, wird angenommen, daß eine galvanische
Initiierungsreaktion bei der Ausbildung der Überplat
tierungsoberfläche eine Rolle spielt. Üblicherweise
wandelt der Katalysator die Kupferoberfläche derart
um, daß diese für den sich anschließenden Über
plattierungsvorgang katalytisch gemacht wird.
Es wird angenommen, daß die auf dem erfindungsgemäßen
Verfahren erreichbaren Ergebnisse durch die Zugabe von
Bor zu dem verwendeten Katalysator noch gesteigert wer
den können, wobei die Zugabe am besten unter Verwendung
eines borhaltigen Reduktionsmittels erfolgt.
Es ist weiterhin möglich, daß physikalische Wirkungen
der verschiedenen bei der erfindungsgemäßen Verfah
rensweise verwendeten Materialien zu diesem Effekt
beitragen. Beim Eintauchen in das Aktivierungsbad
wird die gesamte Platte benetzt, wobei jedoch die
Oberflächentexturen der Platte innerhalb und außer
halb des Schaltungsmusters sich voneinander unter
scheiden, was zur Folge hat, daß die Effekte des sich
anschließenden Spülvorgangs auf die Zusammensetzung
des auf der Platte zurückgebliebenen Katalysators
ebenfalls verschieden sind.
Die die Aktivierungslösung enthaltenden erfindungsgemäß verwendeten
Bäder reagieren typischerweise alkalisch. Es wird an
genommen, daß das Arbeiten bei einem pH-Wert von
niedriger als 5,5 zur Ausbildung von Brücken oder zu
einem Plattieren zwischen den Bereichen des Schaltungs
musters führen kann, während ein zu hoher pH-Wert,
beispielsweise ein pH-Wert von oberhalb etwa 13, unnö
tig ist. Der bevorzugte pH-Wert liegt im Bereich von
etwa 8 bis etwa 11. Die Konzentration der die Abschei
dung fördernden Metalle, wie Nickelverbindungen, in
dem erfindungsgemäß verwendeten Bad liegt im Bereich von etwa
0,001 bis etwa 0,3 Mol pro Liter und insbesondere
im Bereich von etwa 0,002 bis etwa 0,125 Mol pro Liter.
Ein typischer Konzentrationsbereich für die zweiten
Metalle oder Sekundärmetalle, wie den Zinnverbindungen
erstreckt sich
von etwa 0,001 bis etwa 0,5 Mol pro Liter und im all
gemeinen von etwa 0,002 bis etwa 0,250 Mol pro Liter.
Die Konzentrationen des Reduktionsmittels, wie
Dimethylamin-Boran, können zwischen etwa 0,001 und
0,2 Mol pro Liter und üblicherweise zwischen etwa
0,002 und 0,1 Mol pro Liter liegen. Die Obergrenzen
der verschiedenen Bestandteile hängen lediglich von
wirtschaftlichen Gründen und der Löslichkeit ab, wobei
die Untergrenzen durch die minimale Wirksamkeit gege
ben sind.
Wenngleich die Zeichnung und die Beschreibung sich
überwiegend auf die Herstellung von gedruckten Schal
tungen beziehen, läßt sich die Erfindung auch
ganz allgemein dazu anwenden, eine Metalloberfläche,
insbesondere eine Kupferoberfläche, für die sich an
schließende Überplattierung mit Nickel, Kobalt oder
diese Metalle enthaltenden Polylegierungen katalytisch
zu machen. Die mit Hilfe der erfindungsgemäßen Verfah
rensweise hergestellten Produkte können Schaltungen
sein, die elektrische Schaltungskomponenten für
Spiele, Uhren oder für Magnetspeicher von Computern
tragen können. Diese Schaltungen können
beidseitig Leiterstrukturen aufweisen, die
mit Hilfe von durchplattierten Löchern verbunden
sein können.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläute
rung der Erfindung.
Man bereitet ein Aktivierungs-Tauchbad, das 0,01 Mol
pro Liter Molybdänester von Glukonsäure, 0,05 Mol pro
Liter Nickelsulfat, 0,1 Mol pro Liter Kaliumpyrophos
phat als Puffer und als Komplexierungsmittel sowie
0,004 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran als Reduktions
mittel enthält. Der pH-Wert des Bades beträgt 9,0 und
man arbeitet bei einer Betriebstemperatur von 40 °C.
Mit Hilfe dieses Bades erhält man einen anhaftenden
katalytischen Film auf Kupferlegierungen, die dann
stromlos mit Nickel überplattiert werden. Auf diese
Weise erhält man gedruckte Schaltungen mit einer
verbesserten Haftung zwischen dem Kupfer und dem nickel
haltigen Decküberzug. Die Anwendung der in dieser Weise
hergestellten gedruckten Schaltungen zeigt, daß
sie bei der Verwendung weniger stark zur Bildung von
Kurzschlüssen neigen.
Unter Anwendung der Verfahrensweise von Beispiel 1
verwendet man ein weiteres Aktivierungsbad, das 0,005
Mol pro Liter des Wolframesters der Glukoheptonsäure,
0,02 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,05 Mol pro Liter
Kaliumpyrophosphat, 0,04 Mol pro Liter Dimethylamin-
Boran und als Rest im wesentlichen Wasser enthält. Man
wendet das Bad bei einem pH-Wert von 9,0 und einer Be
triebstemperatur von 40 °C an.
Ein weiteres erfindungsgemäß zu verwendendes Bad, das nach der Ver
fahrensweise von Beispiel 1 hergestellt worden ist
und ein geeignetes Aktivierungsbad darstellt, enthält
0,2 Mol pro Liter des Wolframesters der Glukohepton
säure, 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,06 Mol pro
Liter Dimethylamin-Boran und 1 ppm Thioharnstoff. Das
Bad besitzt einen pH-Wert von 9,6 und eine Arbeitstem
peratur von 90 °C und ergibt einen katalytischen Film,
der 77,4 Gew.-% Nickel, 20,0 Gew.-% Wolfram und
2,6 Gew.-% Bor enthält.
Ein weiteres geeignetes im erfindungsgemäßen Verfahren zu verwendendes
Aktivierungsbad umfaßt entionisiertes, mit Kohlenstoff behandeltes
und filtriertes Wasser, das 0,2 Mol pro Liter des
Wolframesters der Glukoheptonsäure, 0,1 Mol pro Liter
Nickelsulfat, 0,025 Mol pro Liter Zinn(II)-chlorid,
0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran und 1 ppm Thio
harnstoff enthält. Das Bad wird bei einer Betriebstemperatur
von 90 °C und einem pH-Wert von etwa 7,5 betrieben.
Dieses Bad ergibt einen katalytischen Film, dessen
Analyse einen Gehalt von 77,9 Gew.-% Nickel, 16,0 Gew.-%
Wolfram, 4,2 Gew.-% Zinn und 1,9 Gew.-% Bor aufweist.
Ein geeignetes wäßriges Aktivierungsbad enthält 0,1 Mol
pro Liter Nickelsulfat, 0,1 Mol pro Liter Zinn(II)-
chlorid, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran, 0,2 Mol
pro Liter Kaliumpyrophosphat, 1 ppm Thioharnstoff und
0,1 Mol pro Liter des Diboresters von Glukoheptonsäure,
den man dadurch erhält, daß man etwa 2 Mol Borsäure
und 1 Mol Natriumglukoheptonat in ein etwa 600 ml
Wasser als Lösungsmittel enthaltendes Veresterungsgefäß
einführt und das Material während 30 Minuten bei etwa
25 °C rührt, worauf man es mit zusätzlichem Wasser auf
ein Endvolumen von 1 Liter verdünnt. Mit diesem Bad
erhält man einen katalytischen Film, dessen Analyse in
Form einer dickeren Abscheidung 92,8 Gew.-% Nickel,
6,1 Gew.-% Zinn und 1,1 Gew.-% Bor anzeigt.
Man bildet ein wäßriges Aktivierungsbad , das 0,001 Mol
pro Liter eines Molybdänesters der Glukoheptonsäure,
0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,06 Mol pro Liter Di
methylamin-Boran und 0,3 Mol pro Liter Milchsäure ent
hält und das bei einem pH-Wert von 10,0 und einer Be
triebstemperatur von 90 °C eingesetzt wird. Dieses
Bad ergibt einen katalytischen Film, dessen Analyse
in Form einer dickeren Abscheidungsschicht 79,8 Gew.-%
Nickel, 20 Gew.-% Molybdän und 0,2 Gew.-% Bor ergibt.
Man bereitet ein Aktivierungsbad durch Zugabe der nach
stehend angegebenen Bestandteile zu entionisiertem,
mit Kohlenstoff behandeltem und filtriertem Wasser:
0,001 Mol pro Liter des Molybdänesters von Glukohepton
säure, 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,0005 Mol pro
Liter Kupfersulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-
Boran und 0,3 Mol pro Liter Milchsäure. Man arbeitet
bei einer Betriebstemperatur von 90 °C und einem
pH-Wert von 10. Die Analyse dieses Bades zeigt, daß es
einen Überzug aus 77,87 Gew.-% Nickel, 20 Gew.-% Molyb
dän, 1,8 Gew.-% Kupfer und 0,33 Gew.-% Bor ergibt.
Man bereitet ein zinnhaltiges Aktivierungbad durch Zu
gabe von 0,001 Mol pro Liter Nickelionen, 0,02 Mol pro
Liter des Natriumstannat (4wertig)-Komplexes von Glukon
säure und 0,02 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran zu Was
ser. Man erhält ein sehr ähnliches Bad, wenn man
0,002 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran zugibt.
Ein weiteres geeignetes Aktivierungsbad enthält 0,001
Mol pro Liter des Stannatesters der Glukoheptonsäure,
0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,06 Mol pro Liter
Dimethylamin-Boran und 0,3 Mol pro Liter Milchsäure
und wird bei einer Betriebstemperatur von 90 °C und
einem pH-Wert von 10,0 eingesetzt.
Ein wäßriges Aktivierungsbad für die anschließende über
plattierung mit Kobalt enthält 0,2 Mol pro Liter des
Wolframesters der Glukoheptonsäure, 0,1 Mol pro Liter
Kobaltsulfat, 0,06 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran
und 1 ppm Thioharnstoff. Der Betriebs-pH-Wert dieses
Bades beträgt etwa 9,6 bei einer Temperatur von etwa
90 °C, wobei die Analyse der Beschichtung etwa 81 Gew.-%
Kobalt, 18 Gew.-% Wolfram und 1 Gew.-% Bor anzeigt.
Nach dem Aufbringen eines katalysierenden Films mit
Hilfe dieses Bades kann man das Überplattieren mit
Kupfer unter Anwendung eines ähnlichen Bades erreichen.
Man kann ein Bad zum Katalysieren von Kupfer herstellen,
das 0,1 Mol pro Liter des Molybdänesters der Glukon
säure, 0,1 Mol pro Liter Kobaltsulfat und 0,28 Mol
pro Liter Natriumhypophosphit enthält. Bei einem pH-Wert
von 10,0 und einer Betriebstemperatur von 90 °C erhält
man einen katalysierenden Film, der etwa 92,9 Gew.-%
Kobalt, 1,1 Gew.-% Molybdän und 6 Gew.-% Phosphor ent
hält. Gewünschtenfalls ist die Badformulierung dazu ge
eignet, diesen katalytischen Überzug nach dem Spülen mit
kaltem Wasser zu beschichten, was typischerweise eine
Steigerung der Plattierungsgeschwindigkeit auf etwa
0,0051 bis 0,0076 mm pro Stunde (0,2 bis 0,3 mil/Stunde)
und das Reduzieren des pH-Wertes auf einen sauren Wert
umfaßt.
Man bereitet ein wäßriges Aktivierungsbad, das 0,1 Mol
pro Liter Kobaltsulfat, 0,2 Mol pro Liter eines Na
triumstannat-Komplexes der Glukonsäure und 0,4 Mol
pro Liter Dimethylamin-Boran enthält. Die Betriebs
temperatur beträgt 60 °C bei einem pH-Wert von etwa 7.
Nachdem man irgendeines der in den Beispielen 1 bis 9
beschriebenen Aktivierungsbäder dazu verwendet hat,
einen katalytischen Film auf einem Kupfersubstrat aus
zubilden, das während etwa 45 Sekunden in dem Bad be
lassen worden ist, und nach dem zweimaligen Spülen
dieses Films mit Wasser während 15 Sekunden kann man
stromlos Nickel unter Verwendung eines wäßrigen Bades
abscheiden, das 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfat, 0,2 Mol
pro Liter Citronensäure und 0,17 Mol pro Liter Natrium
hypophosphit enthält. Der Arbeits-pH-Wert dieses Bades
liegt zwischen etwa 4,5 und 5,0 bei einer Temperatur
von 90 °C und man erreicht eine Plattierungsgeschwin
digkeit von etwa 10 µm/min, die während etwa 10 bis
Minuten aufrechterhalten wird. Dann ist die Über
plattierung im allgemeinen vollständig, wobei keine
Brückenbildung oder eine Verbindung der Kupferflecken
auf der Platte beobachtet werden kann.
Nachdem man kupferkaschierte oder kupferbeschichtete
Substrate in eines der in den Beispielen 1 bis 9 be
schriebenen Aktivierungsbäder während etwa 45 Sekunden
eingetaucht hat, um sie mit einem katalytischen Film
zu versehen, und sie dann zweimal mit fließendem Wasser
gespült hat, kann man stromlos eine Nickel-Überplat
tierung bei etwa 40 °C und einem pH-Wert von etwa
5,0 bei Verwendung eines wäßrigen Bades ausbilden,
das 0,1 Mol pro Liter Nickelsulfit, 0,25 Mol pro Liter
Bernsteinsäure, 0,4 Mol pro Liter Dimethylamin-Boran
enthält. Anschließend führt man zwei Spülungen mit
fließendem Wasser durch und bewirkt eine Überplattie
rung mit einem stromlosen Vergoldungsbad bei 63 °C und
einer Plattierungsgeschwindigkeit von etwa 1 µm pro
Minute.
Claims (10)
1. Verfahren zur stromlosen Abscheidung von Nickel,
Kobalt oder einer polymetallischen Nickel- oder
Kobaltlegierung auf nicht katalytische Leiterbahn
strukturen von Substraten, insbesondere von gedruckten
Schaltungen, wobei das Substrat
- a) ggf. mit einer oxidierenden Lösung behandelt und anschließend gespült wird
- b) mit einer Aktivierungslösung behandelt und anschließend
- c) in das stromlose Abscheidungsbad getaucht wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Aktivierungslösung ein stromloses Abschei
dungsbad bestehend aus Nickel oder Kobalt und
einem weiteren Metall aus der Zinn, Molybdän,
Kupfer und Wolfram umfassenden Gruppe, reduzieren
den Mitteln auf der Basis von Borverbindungen oder
Hypophosphitionen und einem Esterkomplex, der
durch Reaktion einer anorganischen Oxysäure mit
einer mehrwertigen Säure gebildet wird, verwendet
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß man das
mit der Aktivierungslösung behandelte Metallsubstrat
im Anschluß an die Verfahrensstufe b) mit einem
wäßrigen Spülmittel abspült.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß man im
Anschluß an die Verfahrensstufe b) mindestens
einen wäßrigen Spülvorgang von höchstens 60 Se
kunden durchführt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Aktivierungslösung einen pH-Wert von 5,5
bis 13 aufweist.
5 . Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Aktivierungslösung eine Temperatur von 20
bis 100 °C aufweist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß in der Verfahrensstufe b) das Substrat
während einer solchen Zeitdauer in die wäßrige
Aktivierungslösung eingetaucht wird, die ausreicht,
die Oberfläche der Leiterstruktur mit Keimen zu
versehen, die jedoch nicht ausreicht, einen zusam
menhängenden Abscheidungsfilm auf dem Substrat
zu erzeugen.
7 . Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß man das Substrat 10 bis 90 Sekunden
in die Aktivierungslösung eintaucht.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß man im Verfahrensschritt b) das Substrat
in ein wäßriges Bad der Aktivierungslösung ein
taucht, das 0,001 bis 0,3 Mol/l der die Abschei
dung fördernden Metalle, 0,001 bis 0,5 Mol/l des
weiteren Metalls und 0,001 bis 0,2 Mol/l des Re
duktionsmittels enthält.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß man eine nicht katalytische Leiterstruktur mit
einer kupferhaltigen Oberfläche verwendet.
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-
1980
- 1980-01-08 CA CA000343240A patent/CA1139012A/en not_active Expired
- 1980-01-15 GB GB8001343A patent/GB2043115B/en not_active Expired
- 1980-01-21 FR FR8001221A patent/FR2447130B1/fr not_active Expired
- 1980-01-22 DE DE19803002166 patent/DE3002166A1/de active Granted
- 1980-01-22 JP JP623980A patent/JPS55102297A/ja active Granted
- 1980-01-22 KR KR1019800000224A patent/KR880001664B1/ko active
-
1984
- 1984-11-01 HK HK828/84A patent/HK82884A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2043115A (en) | 1980-10-01 |
US4232060A (en) | 1980-11-04 |
KR880001664B1 (ko) | 1988-09-05 |
CA1139012A (en) | 1983-01-04 |
KR830002067A (ko) | 1983-05-21 |
JPS6325518B2 (de) | 1988-05-25 |
GB2043115B (en) | 1983-05-11 |
DE3002166A1 (de) | 1980-07-31 |
JPS55102297A (en) | 1980-08-05 |
HK82884A (en) | 1984-11-09 |
FR2447130A1 (fr) | 1980-08-14 |
FR2447130B1 (fr) | 1988-02-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |