JP6077318B2 - 無電解めっき浴、三酸化モリブデン膜の製造方法、及び化学センサの製造方法 - Google Patents
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Description
本実施例1は、上記無電解めっき浴の組成をさらに以下のように規定した。すなわち、金属源として0.1モル/Lのモリブデン酸ナトリウム、還元剤として0.05モル/Lのジメチルアミンボラン、pH調整剤として0.07モル/Lの硝酸、膜質向上剤として70容量%のエタノール、その他全量調整用に30容量%以下の蒸留水を使用した。建浴は、モリブデン酸ナトリウム、硝酸、ジメチルアミンボランを8割程度の蒸留水に溶解し、その後エタノールを添加し、最後に残った蒸留水で全量の調整をおこなった。無電解めっき浴のpHを0.8〜1.2に調整し、基板には石英ガラス基板(SiO2)を用いた。
本実施例2は、上述した実施例1が基板に石英ガラス基板を用いたのに対して、基板にアルミナ基板(Al2O3)を用いており、その他は実施例1と同様である。
一方、比較例1は、上述した実施例1の無電解めっき浴に70容量%のエタノールが含有されていたのに対して、無電解めっき浴にエタノール等のアルコールが含有されておらず、アルコールの代わりに蒸留水を用いて全量を調整している。その他は実施例1と同様である。
本実施例3は、上述した実施例1の無電解めっき浴の全容量に対するエタノールの体積を30容量%、50容量%、70容量%、及び90容量%にそれぞれ変更し、実施例1と同様の手順を順次実施した。その際、石英ガラス基板に析出される三酸化モリブデン膜の成膜レート(無電解めっきを行った時間に対して析出した膜厚の比)をそれぞれ測定した。
一方、比較例2は、上述の無電解めっき浴の全容量に対するエタノールの体積が0容量%、すなわち上述の比較例1を実施する際に、比較例1における石英ガラス基板に析出される三酸化モリブデン膜の成膜レートを測定した。
純度99.6%のアルミナ基板上にスクリーン印刷にてAuの印刷を行い、乾燥炉において120℃で10分間乾燥した後、800℃で焼成した。次に、フォトリソ・エッチング法を用いてLine/Spaceが50μm、面積が5×5mmとなる櫛電極のパターンを作製した。基板の櫛電極上にキャタペースト(CCP−4010FKB:奥野製薬工業株式会社製キャタペースト(有機パラジウム化合物を含む有機溶媒))をスクリーン印刷法により塗布した後、120℃で10分間仮焼きしてから500℃で20分間焼成して下地としての触媒を付与した。その後、実施例2に示した方法と同様の手順にて三酸化モリブデン膜を形成した。
Claims (7)
- 触媒が付された基板を浸漬させて、この基板に三酸化モリブデン膜を被覆するための無電解めっき浴であって、
モリブデン酸リチウム及びモリブデン酸ナトリウムの少なくとも一方と、
ジメチルアミンボランと、
硝酸と、
アルコールと、
蒸留水と、
を含有し、
前記モリブデン酸リチウム及び前記モリブデン酸ナトリウムの少なくとも一方は、0.01モル/L以上0.5モル/L以下で、
前記ジメチルアミンボランは、0.001モル/L以上0.1モル/L以下で、
前記硝酸は、0.05モル/L以上0.1モル/L以下で、
前記アルコールは、70容量%以上90容量%以下で、
前記蒸留水は、10容量%以上30容量%以下である
ことを特徴とする無電解めっき浴。 - 請求項1に記載の無電解めっき浴において、
前記アルコールは、エタノール及びメタノールの少なくとも一方から成ることを特徴とする無電解めっき浴。 - 請求項1又は2に記載の無電解めっき浴に、触媒が付された基板を浸漬してこの基板に三酸化モリブデン膜を析出した後、この三酸化モリブデン膜を焼成して結晶化することを特徴とする三酸化モリブデン膜の製造方法。
- 請求項3に記載の三酸化モリブデン膜の製造方法において、
前記基板を浸漬させるときの前記無電解めっき浴の温度は、20℃以上40℃以下であることを特徴とする三酸化モリブデン膜の製造方法。 - 請求項3又は4に記載の三酸化モリブデン膜の製造方法において、
前記三酸化モリブデン膜の焼成温度は、400℃以上500℃以下であることを特徴とする三酸化モリブデン膜の製造方法。 - 請求項5に記載の三酸化モリブデン膜の製造方法において、
前記基板を前記無電解めっき浴に浸漬させる前に、前記基板に前記触媒から成る下地膜を形成することを特徴とする三酸化モリブデン膜の製造方法。 - 請求項3ないし6のいずれか1項に記載の三酸化モリブデン膜の製造方法を含むことを特徴とする化学センサの製造方法。
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